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石墨镀碳化硅操作方案(一).doc

石墨镀碳化硅操作方案(一)

萧秋寒
2018-11-24 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《石墨镀碳化硅操作方案(一)doc》,可适用于工程科技领域

石墨表面碳化硅涂层实验方案一、主要步骤:准备规格为××mm石墨样品块,样品的气孔孔径应在μm以下(越小越好),表面用μm金刚石研磨膏打磨,然后放入到丙酮溶剂中超声波清洗min。配制A浑浊液:αSiC粉(μm)核石墨粉(μm)分散剂(丙烯酰胺CH=CHCONH)交联剂(N,N'亚甲基双丙烯酰胺(CH=CHCONH)CH)水,并使用羟化四甲铵(CH)NOH调节pH值到~。分别配制种不同浓度的A浑浊液(种SiC粉石墨粉×种交联剂)将浑浊液A搅拌足够的时间至均匀混合,加入聚合触发剂(相对于交联剂按一定比例加入)过硫酸铵(NH)SO,然后将加过聚合触发剂的浑浊液均匀喷在石墨样品表面,放入干燥箱在℃~℃(分组烘干℃、℃、℃)烘干至石墨样品表面彻底干燥。配制B浑浊液:αSiC粉(μm)Si粉(μm)分散剂(丙烯酰胺CH=CHCONH)交联剂(N,N'亚甲基双丙烯酰胺(CH=CHCONH)CH)水,充分搅拌,加入聚合触发剂,同时将经过A液喷涂并烘干后的石墨件浸入B浊液中,拿出后放入烘箱干燥℃~℃(分组烘干℃、℃、℃)烘干至石墨样品表面彻底干燥。对样品进行烧结,由室温升至℃,保温min(作用是形成SiCC梯度层),然后继续升温至℃(加入wt的MgO添加剂的情况)~℃,保温~h,形成致密SiC保护层。二、成分及质量测试涂层质量的好坏主要关注三个方面:裂纹、气孔、针孔。观察微观形貌,可使用光学显微镜,SEM。测试界面处Si元素的分布,以研究SiC的分布情况,可使用EPMA电子探针。涂层结晶相检测,可使用XRD。SiSiC涂层密度计算,可使用公式ρm=ρSi·xρSiC(x),ρm为测出的涂层密度,x为Si的体积百分比(测密度之前,应先在空气中℃煅烧足够时间以消耗掉其中的石墨残留,然后再丙酮液中超声清洗)。三、抗氧化测试自然对流环境下,℃、℃热重分析。热循环测试,使用MoSi炉,先加热到特定温度℃、℃、℃,然后放入样品,保持特定时间。℃保持h,冷却至室温后称重,重复次操作℃保持h,冷却至室温后称重,重复次操作℃保持h,冷却至室温后称重,重复次。材料及设备清单:μm金刚石研磨膏丙酮溶剂αSiC粉(μm)Si粉(μm)核石墨粉(μm)高纯MgO粉丙烯酰胺CH=CHCONHN,N'亚甲基双丙烯酰胺(CH=CHCONH)CH羟化四甲铵(CH)NOH过硫酸铵(NH)SO喷壶超声波清洗仪真空烧结炉(最好能达到℃)

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