总体来说，LPDDR4 RAM和UFS 2.0闪存的出现可以说是Galaxy S6和Galaxy S6 Edge此次相当重要的提升，这将为用户在进行高清视频播放录制、运行大型游戏和交换大型文件时提供更快更好的体验。
LPDDR4内存有哪些性能突破？
带宽更大： 与LPDDR3相比，LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大，“内存敏感型”的游戏应用、120fps慢动作视频、以及2K或4K级别 的视频录制将直接受益。当运行一些大量占用RAM的应用时，由于需要将大量数据在短时间内存入RAM，此时LPDDR4的优势便可以体现出来。比如，在录制120fps或更高帧数的慢动作视频时，相机会产生大量需要存入RAM的图片数据，而如果带宽更大的话，这意味着可以拍摄分辨率更高的慢动作视频。
LPDDR内存规格对比
内存型号
LPDDR3
LPDDR4
时钟频率
800 MHz
1600 MHz
带宽
12.8 GB/s
25.6 GB/s
工作电压
1.2 V
1.1 V
频率更高：CPU支持度方面，目前仅有高通骁龙810芯片和三星Exynos 7420芯片支持LPDDR4内存，这意味着全球仅少数几款高端手机才能够享受到LPDDR4内存的快感。不过这并不意味着LPDDR4不能运用于更低级的芯片平台，只不过其工作频率和带宽无法达到最优。
功耗更低：值得一提的是，LPDDR4在提升了速度的同时，还将工作电压降低到1.1V，而LPDDR3为1.2V，继续增强了手机续航能力。
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