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二极管的整流比,整流效率,截止频率

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二极管的整流比,整流效率,截止频率二极管主要有p-n结二极管和Schottky二极管两大类,它们的重要特点就是具有单向导电性。二极管的应用很广泛,它能够把交流信号转变为各种特殊波形的信号,例如可用于整流(半波整流、全波整流)、限幅、钳位、检波(解调)等。 二极管的单向导电性就体现在正向电阻很小、反向电阻很大这一特性上。从应用的角度来看,与二极管单向导电性直接有关的基本性能参量是整流比和整流效率(要受到击穿电压的限制)。而二极管在交流工作时的单向导电性,还与工作频率有关。 (1)p-n结二极管的整流比: 二极管的整流比就是其反向电压下的电阻与正向...

二极管的整流比,整流效率,截止频率
二极管主要有p-n结二极管和Schottky二极管两大类,它们的重要特点就是具有单向导电性。二极管的应用很广泛,它能够把交流信号转变为各种特殊波形的信号,例如可用于整流(半波整流、全波整流)、限幅、钳位、检波(解调)等。 二极管的单向导电性就体现在正向电阻很小、反向电阻很大这一特性上。从应用的角度来看,与二极管单向导电性直接有关的基本性能参量是整流比和整流效率(要受到击穿电压的限制)。而二极管在交流工作时的单向导电性,还与工作频率有关。 (1)p-n结二极管的整流比: 二极管的整流比就是其反向电压下的电阻与正向电压下的电阻之比。整流比的大小是二极管单向导电性的直接 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 现,应该越大越好。 对p-n结二极管,在电压不是很低、并忽略串联电阻和复合中心产生电流的影响时,则根据指数式的伏安特性关系,可容易求出二极管的正向直流电阻RF、反向直流电阻RR、正向交流电阻rF、和反向交流电阻rR(小信号交流电阻就是伏安特性曲线上某点切线斜率的倒数),分别如下: 正向直流电阻 正向交流电阻 反向直流电阻 反向交流电阻 从而,二极管的直流整流比和交流整流比分别为: 直流整流比 交流整流比 式中的VF和IF分别是正向电压和正向电流,VR和IR分别是反向电压和反向电流,IS是反向饱和电流(忽略了复合中心的产生电流),m是理想因子(m=1~2)。 可见:①适当提高正向电压VF和正向电流IF,可增大直流和交流的整流比;②提高反向电压VR,也将有利于增大直流和交流的整流比;③降低反向饱和电流IS,将有利于增大交流整流比。 【注】这里的“交流”,是指低频小信号情况。在高频小信号情况下,因为p-n结电容的影响,将使反向交流电阻(阻抗)变小,单向导电性变差,并导致二极管的整流比下降。所以,高频工作的二极管的电容应该越小越好。 (2)p-n结二极管的整流效率: 二极管的整流效率也称为检波效率, 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 越高越好。 对于二极管整流或检波回路,当输入正弦波电压时,即可输出直流电压,则二极管的整流效率h就定义为: 二极管整流效率的测量:可以采用图1所示的电路来进行测量,其中二极管的输入交流电压峰值为Vsig,输出的回路是并联的电阻RL和电容CL;若输出直流电压为Vo,则可以按照下式来求出整流效率: 【注】对于p-n结二极管,在高频下,因为p-n结电容的影响,将使得二极管的阻抗下降,相应地二极管的单向导电性变差,从而会导致在交流整流比下降的同时,二极管的整流效率也下降。所以,为了提高二极管的高频整流效率,与提高二极管的交流整流比一样,也需要减小二极管的电容。 p-n结二极管的电容主要是其本身的势垒电容和扩散电容。由于减小势垒电容的主要措施是减小结面积,其次是降低半导体掺杂浓度(以增大势垒厚度);减小扩散电容的主要措施是减小少数载流子的存储量,这除了减小结面积(以缩小存储空间)以外,就是提高半导体掺杂浓度(这可以降低平衡少数载流子浓度,但是掺杂浓度的提高会降低击穿电压)。所以综合来看,为了获得较大的交流整流比和较高的整流效率,宁可损失一点击穿电压性能,往往采用结面积很小和半导体掺杂浓度较低的p-n结。 【注】对于Schottky二极管来说,因为基本上不存在少数载流子存储效应,所以不必考虑扩散电容,只需要考虑势垒电容即可。所以小面积Schottky二极管的高频交流整流比和整流效率一般都较高。 (3)p-n结二极管的截止频率: 在工作频率较高时,虽然整流比和整流效率都将有可能下降,但是二极管仍然可具有一定的单向导电性,能更工作于更高一些的频率。二极管的最高工作频率即称为截止频率,这是表征p-n结二极管微波工作性能的一个重要参数,常用fT表示。 根据p-n结的小信号等效电路,可以计算出p-n结二极管的截止频率。图2 是p-n结二极管在高频下的一般等效电路,其中CJ和CD分别是势垒电容和扩散电容,GD是可变电导(随电压而变化),rs是串联电阻(表征二极管的损耗)。 但是,在很高的频率下,当信号周期短于少数载流子寿命时,则p-n结的扩散电容CD可以忽略;并且势垒电容CJ的充、放电需要通过二极管的端头路径(电阻)来进行,故表征损耗作用的电阻rs不能省略。 正是由于势垒电容CJ的影响,则当信号频率ω(=2pf)升高时,p-n结的高频阻抗Z将要降低。如果p-n结高频阻抗的大小|Z|降低到与串联电阻rs相等时,那么该p-n结也就完全失去了其应有的电学功能——单向导电性,这时的信号频率也就是该p-n结的最高工作频率——截止频率fT。 从而,根据下面的等式(rd是二极管的交流电阻) 就得到p-n结的截止频率为(ωT=2pfT) 可见,如果串联电阻rs很小(rs <>rd),则fT最低,为 因此,fT的高低决定于rd和rs的大小: 对于p-n结二极管,为了提高其工作频率,就要求它的串联电阻、势垒电容以及交流电阻都很小。串联电阻越小,势垒电容的充、放电就越快,截止频率也就越高。若半导体的载流子迁移率很大,掺杂浓度又较高,而且电极的欧姆接触电阻也很小,则该p-n结二极管的串联电阻可以达到很小,以至于能够忽略。 【注】对于小面积的Schottky二极管,正是由于它的串联电阻特别小,所以其截止频率往往要比一般p-n结二极管的高得多,是一种性能优良的微波二极管。
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