表面复合对少子寿命测量影响的定量分析
我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命,都希望得到与真实体寿命
相接近的测量值(表观寿命),而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命
。因为在寿命测量中只有
才能真正反映半导体材料的内在质量,而表面复合寿命只能反映样品的表面状态,是随表面状态变化而变化的变数。
通过仪器测量出的寿命值我们一般称为表观寿命,它与样品体寿命及表面复合寿命有如下关系,公式(1)由SEMI MF28-0707给出的计算公式0 =
(0或
表示体寿命)推演出来:
(1)
即仪器测量值
,它实际上是少子体寿命
和表面复合寿命
的并联值。
光注入到硅片表面的光生少子向体内扩散,一方面被体内的复合中心(如铁原子)复合,另一方面扩散到非光照面,被该表面的复合中心复合。
光生少子在体内平均存在的时间由体复合中心的多少而决定,这个时间就称为体寿命。如果表面很完美,则表面复合寿命趋于无穷大,那么表观寿命即等于体寿命。
但实际上的表面复合寿命与样品的厚度及表面复合速度有关。
由MF1535-0707中给出
(2)可知,其中:
=
——少子从光照区扩散到表面所需的时间
=
——少子扩散到表面后,被表面(复合中心、缺陷能级)复合所需要的时间
——样品厚度
D——少子扩散系数,电子扩散系数Dn=33.5cm2/s,空穴扩散系数Dp=12.4 cm2/s
S——表面复合速度,单位cm/s
硅晶体的表面复合速度随着表面状况在很大范围内变化。如表1所示:
表1
表面
状态
HF酸中剥离氧化层后的表面
仔细制备的热氧化硅表面
良好抛光面
线切割面(?)
研磨面,复合速度饱和
表面复合速度
0~1
1~10
102
103
104
105
106
107
据文献记载,硅抛光面在HF酸中剥离氧化层后复合速度可低至0.25cm/s,仔细制备的干氧热氧化表面复合速度可低至1.5-2.5cm/s,但是要达到这样的表面状态往往不容易,也不稳定,除非表面被钝化液或氧化膜保护。一般良好的抛光面表面复合速度都会达到 104 cm/s,最容易得到而且比较稳定的是研磨面,因为它的表面复合速度已达到饱和,就像饱和浓度的盐水那样,再加多少盐进去浓度依然不变。
现在很多光伏企业为了方便用切割片直接测量寿命,即切割后的硅片不经清洗、抛光、钝化等减少和稳定表面复合的工艺处理,直接放进寿命测试仪中测量,俗称裸测,这种测量简单、方便、易操作。
为了定量分析表面复合对测量值
的影响,我们以最常用厚度为180μm的P型硅片为例进行定量分析。因为切割面实质上也是一种研磨面,是金属丝带动浆料研磨的结果,一般切割、研磨面的表面复合速度为S=107cm/s,但线切割的磨料较细,我们将其表面复合的影响估计的最轻,也应该是S≥105cm/s。因为良好的抛光面S≈104cm/s,我们按照2007版的国际标准MF1535-0707、MF28-0707提供的公式:
=
,其中Rs是表面复合速率,表面复合寿命
,由以上公式即可推演出常用公式:
表面复合寿命
我们以以下的计算结果来说明,当切割面的表面复合速度为S=105cm/s时,
=180μm厚的硅片当它的体寿命由0.1μS上升到50μS(或更低、更高)时,我们测出的表观寿命受表面影响的程度,以及真实体寿命
与实测值
相差多大,其计算值如表2所示:
由
=
可得
=0.09μS,
=
可得
=0.98μS,则
=0.98+0.09=1.07(μS),由(1)式可得
=
。
表2
(μS)
(μS)
(μS)
(μS)
0.1
0.091
7
0.93
0.5
0.34
8
0.94
1
0.52
9
0.956
2
0.70
10
0.97
3
0.79
20
1.02
4
0.84
30
1.03
5
0.88
40
1.04
6
0.91
50
1.05
从计算结果可以看出,体寿命在5μS以下的硅片实测值可以发现相对寿命的明显变化,而在体寿命
>5μS后,测量值的变化较小,则进入偏离真实体寿命值很大,相对变化又很小的
检测
工程第三方检测合同工程防雷检测合同植筋拉拔检测方案传感器技术课后答案检测机构通用要求培训
“盲区”。
以上情况是硅片裸测时必须非常注意的。
我们测量少子寿命时往往会感到材料参数的测量值偏差会较大,因此我们一下子不能马上测得一个体寿命的绝对准确数,但也应该尽量争取做到相对准确,在裸测硅片少子寿命时准确度很差,而且硅片数量多,容易损坏,因此在切片之前尽量用单晶硅块、锭、棒来测量寿命,既准确又省工。这里还要提到按国际标准和国家标准的分工,测硅块不宜采用微波反射法,这是因为微波法光波长短,贯穿深度浅(≈30μS),反射时受表面损伤的影响很大,因此得到的往往是偏低很多的寿命值,容易误判单晶或多晶的质量,建议使用直流光电导和高频光电导法测量。
实验已经证明测量块状晶体少子寿命时,随着波长的减小,寿命测量也在减小,测量寿命对比表如表3:
表3
寿命测量结果对比
单位:μs 单位:μs
仪器型号
WT-1000
LT-1C
备注
光源波长
0.904μm
0.905μm
0.940μm
1.07μm
N型 43Ω?cm 片厚1.08mm
68.84
75
西安测
P型 1.8Ω?cm 片厚 3mm
23.62
23
N型 63Ω?cm 片厚10mm
69.32
67.2
60~75
120 ~ 180
N型 42Ω?cm 片厚10mm
108.09
112 ~ 106
130 ~ 180
250 ~ 300
样片(带锯切割片)厚3mm
A
2.11~2.49
4.6 ~ 5.4
上海测
B
3.14 ~ 3.91
8.8 ~ 10.8
12
C
1.45 ~ 1.66
4.0~ 4.8
研磨片 56.47Ω?cm
39.2
360
广州昆德测
研磨片 57Ω?cm
85.6
450
研磨片 145.6Ω?cm
28.8
90
研磨片 50.28Ω?cm
40.2
320
研磨片 19Ω?cm 厚1.5mm
0.27
2.18
320
因为在块状单晶的寿命测量标准MF28中明确规定可用光源波长要≥1.0μm,而微波反射光源波长为0.904μm,因此明显地不适合用在块状晶体的寿命测量,为了测量出与真实值接近的寿命值,选用正确的测量方法非常重要。
广州市昆德科技有限公司
王世进 田蕾