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模拟电子试题模拟电子试题 填空题 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 5. 共射,共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 选择题 1(当环境温度升高时,二极管...

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模拟电子 试题 中考模拟试题doc幼小衔接 数学试题 下载云南高中历年会考数学试题下载N4真题下载党史题库下载 填空题 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种: 直接 耦合; 阻容 耦合; 变压器 耦合;在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值 增大 。 5. 共射,共基组合电路中,由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 选择题 1(当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的 。 [ B ] A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小 2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v,将它与一个120欧的电阻串联,其两端施加的电压分别为+5v(正向偏置)和,5v(反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为 。, D , A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v ? 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v,VE = -7v,VC = -6.7v,可以判定此晶体管是 管,处于 。 , D , A PNP管,饱和区 B PNP管, 放大区 C PNP管,截止区 D NPN管, 饱和区 4( 在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法 [ B ] 是: 。 A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小 B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小 C 共 基极电路的AV最小、RI最小、RO最大 D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大 5( 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ C ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 6(差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比. [ A ] A 抑制共模信号; B 抑制差模信号; C 放大共模信号; D 既抑制共模信号又抑制差模信号; 7(组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ D ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 8(集成运放电路的实质是一个 的多级放大电路。 [ B ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 9(放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ B ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 10(在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。 [ D ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 11(在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足 才能起振。 , D , A AV = 1 B AV = 3 C AV , 3 D AV ,3 12(当我们想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用 滤波器。 [ B ] A 低通 B 高通 C 带阻 D 带通 13(用单片机做时钟为什么常选用11.0592MHz的晶振[ ] A 这个频率的晶振质量好 B 这种晶振价格便宜 C 这个频率的晶振时钟误差非常小 D 这种晶振功耗低 1. 简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
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