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有关在电场和磁场中的电磁介质问题
,教化0701 汪波 14,
摘要:本文分开阐述电场和磁场中的电介质和磁介质问题。对于电介质~从一个例题中得到两种解法~从而更深地研究了电介质的极化本质。对于磁介质~从另一种观点——磁荷观点来解释磁介质的极化原理~并且推导出高斯定理和安培环路定理~还比较了磁荷观点和安培环路定理的异同点。
关键字:电介质~磁介质~静电场~磁场~磁荷观点~分子电流观点
,一, 静电场中的电介质
我们通过大学物理的学习~知道了电介质的极化原理~电介质分子的正负电荷中心因外加电场作用而发生漂移。对于不同的电介质~由于分子结构的不同~极化方式也不同~有位移极化和取向极化。为
p,了
表
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示极化程度~引入了极化强度P=。对于各向同性的电介质~,V
,,,P=E,为介质的电极化率,。 e0e
1'E,dS,(q,q)由高斯定理知~,1,~式中的,,,0,s0
'qq?和?分别表示自由电荷和极化电荷的代数和。又因为0
'
P,dS,,q, ,2, ,
S
0qP(,),,可得到~引入辅助型变量D~定义为电,EdS,,00S
D,,E,P,(1,,),E,,,E,位移矢量,为电介质的介0e00
电常量,~从而得到电介质中的高斯定理
D,dS,q,3, ,0,S
,现在我们看一道简单的例题:平行板电容器充满了极化率为e
的均匀电介质~原电场的电场强度
E为,求电场E的大小。0
一般我们会直接用高斯定律解
决就可以了~取一高斯面S~由高
斯定律知~设充电后金属极板上的
自由电荷面密度为~由 , ,,e0
D,dS,D,S,,,S2e01得到,
S
D,,,,E~e000
DEE00,,,E~问题得到解决。 ,,,1,,e0
但是我们能不能从电介质极
化的本质出发来解决这个问题。我
们知道电介质发生极化时表面产
生极化电荷~而表面的极化电荷的
面密度为
e,,p,e,P~为介nenn
质表面的法方向的单位矢量~为极化强度P在外法线方向的分量。Pn
电介质极化产生极化电荷~极化电荷和自由电荷一样在周围空间
'E内,包括介质的内部和外部,产生附加的电场~由电场的叠加原
'EE理知~空间任意一点的场强E为外电场和极化电荷的电场的矢0
'E量和~由于极化电荷的电场的大小和方向都是变化的~得到的总
'EE场E也是不均匀的~。在电介质的外部~有的地方和的方向一0
'EE致~有的地方相反~一般与成一定的夹角~总场E的变化规律0
比较复杂。然而在电介质的内部~情况比较简单~可以
证明
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任意几何
'EE形状的均匀电介质但在均匀的外场中极化时~其体内的大体和0
'E方向相反~对于球和椭圆等特殊的几何~形状~体内的是均匀的~
E并且严格和方向相反。0
在上题中也可以利用上面得到的
结论~极化电荷的面密度为
,,P ~极化电荷产生的电场e0
,,,EP'00eeE,,,,,E,这里e,,,000
的E是总场,~故总场
'E,E,E,E,,E~从而知00e
1
E,E,问题同样得到了01,,e
解决。
比较以上两种解法可以看到~在有一定对称性的情况下~采用第
一种解法比较简单~我们可以利用电介质中的高斯定理先把D解出~这里就无需知道极化电荷的分布和电荷密度。但是对一些高斯面比较难取的情况时~如求均匀极化的电介质球内部的总场强~采用第二中解法更加合适了~第二种解法从电介质极化的本质出发~由极化电荷的面密度得到极化电荷产生的场强~从而得到总场强。总之~两种
方法
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各有千秋~应灵活应用。
,二, 磁场中的磁介质问题
电场存在电介质~无独有偶~磁场中也存在磁介质。有关磁场中的磁介质的理论在物理电磁学发展的历史~有两大理论:分子电流理论和磁荷观点。两种观点的微观模型不同~从而赋予磁感应强度B和磁场强度H不同的物理意义~但是最后得到的宏观规律的表达式却完全相同~在这种意义下两种观点是等效的。
,a,磁荷观点
虽然现在分子电流较符合磁介
质微观本质的现代认识~但是磁电
荷理论发展在先~与电介质理论完
全平行的~便于理解和计算。
从电磁学发展历史来看~磁的
理论是建立在磁的库仑定律的基础
上的~磁介质的最小单元是磁偶极子~可以把磁偶极子看成小磁针~
如右图所示~在无外磁场时~各个磁偶极分子的取向是杂乱无章的~所以总的来看介质不显示磁性~当加上一个磁场强度为H0~使每个磁偶极分子的磁偶极矩Pm分子转向磁场的方向~从图中可以看到磁偶极子沿着磁场的方向整齐排列的~由于在介质的内部N、S首尾相互抵消~导致在整个棒中的两个端面上有+~-磁荷~磁荷可类比于电荷~那么磁介质问题就与电介质问题相通了~同样引入磁极化强度J~且
P,m分子,J~J与外加磁场的磁场强度H0方向相同~同理也可,V
以得到
J,dS,,q ,4,,m,S内S
,,J,n,J,Jcos, ,5,mn
,是磁介质的表面上磁荷的面密度~Jn 是J在表面外法向方向的m
投影~同样磁荷也会产生附加电场
''HH,总磁场强度H为和H0的矢
'H量和~和H0的方向相反。
'H再讨论一下影响的因素~在
右图的几根棒中~l/R不同~让它们
的J相同~细而长的磁棒总磁荷较少
,q,,,S,,~又离终中点较远~mm
'H磁荷产生的磁场强度较弱。对于那些短而粗的磁棒~结论正好相反。我们可以通过实验得到
/H,NJ/u (6)D0
ND的大小由l/R决定~也可以通过
定量计算~它们可以看作一对彼此
相距为l~半径为R的带均匀磁荷的
圆面~我们将此模型改成个相距为
l~半径为R的均匀带相反电荷的圆
面~从而由磁场问题转化常见的电
场问题~先研究一个半径为R的均
匀带电圆面在其轴线的场强分布~建立如右图的坐标系~设离圆心距离为x的位置的坐标为x~我们证明过
,x,,
E(x)(1)i~现在是两个带相反电22,,20Rx
荷的圆面在它们的中心处的场强即为2E,x,,即
,x(1)E,,,,。再考虑磁场问题~将改成~,改成m022,R,x0
'uH~E改成~即可得到 0
,/2,1/2mH,{1,(l/d)[1,(l/d)]} (7),0
2,1/2N,{1,(l/d)[1,(l/d)]}即得到 D
'l,,,l/d,,HN对于无限长的磁棒~~0, 0;,,D
J/H,l/d,0对于很薄的磁介质片~~1,.N,Du0
在一般情况下~l/d介于和0之间~介于0和1之间。N,D
按磁荷观点~像静电场同样的推理~它满足的环路定理和高斯定
理分别为:
/H,dl,0 ,
1/HdS,,q,m ,uS内0
/H,dl,(H,H),dl,I,0,I,,000则 ,8,,,L内内L
11/HH,dS,(H,),dS,0,q,q ,9,,,0mm,,uuS内S内00
,u,4,+,9,得到 0
(uH,J),dS,00 ,10,,
uH,J同样引入辅助型变量B=~B为磁感应强度~在真空中J=0,0
B,dS,0则 ,11,,
,8,和,11,是安培环路定理和高斯定理。其中
B,(1,,)uH,uuH m00
,b,两种观点的对比
磁荷观点推导出的安培环路定理是
B
H,dl,(,M),dl,I0 ,12,,,,L内u0LL
J,uM将,12,和,8,作比较~因为,这里不作证明,~0
,12,和,8,是相同的。所以分子电流和磁荷观点虽然假设的微观
模型不同~B和H的物理意义也不同~但是它们服从的基本定理相同~
计算的具体结果也相同。
物理规律 分子电流观点 磁荷观点 电介质
微观模型 磁化强度矢量M 磁极化强度矢量J 极化强度矢量P
与M平行的界面上出与J垂直的界面上与P垂直的界面极化的宏观效果 现磁化电流 出现磁荷 上出现极化电
荷 描述磁,电,场 磁感应强度B 磁场强度H 电场强度E 的基本矢量
磁化电流产生 磁荷产生附 极化电荷
///介质对磁,电, HBE, 加场附加场 ~ , 产生附加场
////B,B,BE,E,E场的影响 H,H,H 000辅助矢量 磁场强度H 磁感应强度B 电位移D 高斯定理 D,dS,q,0 ,B,dS,0 ,内SS
安培环路定理 E,dl,0H,dl,I ,0 ,,L内L
从上表中可以看到两种观点的异同点了。两种观点出发点不同~但殊途同归~下面作个比较:
1. 从原子结构的认识来看~分子电荷理论更加符合实际~磁荷理论不太符合磁介质的微观本质。
2. 从计算方法来看~磁荷观点简便多~作为一种有效的工具~仍有
其应用价值。
3. 在磁荷观点中~H的物理意义比较清楚~B是作为辅助矢量引入的~
物理意义不那么直观。而在分子电流中B的物理意义比较清楚~
而H是一个辅助矢量~其物理意义不直观。
总之~在处理实际问题时~应根据实际情况具体分析~但是要始终采用一种观点。
结语
通过对电介质和磁介质的更深的探索和研究~我对电磁介质的极化本质有更深的体会~并且领会到了电磁之间的联系区别~学会到类比等重要的物理方法。
参考文献
《电磁场与电磁波》 ~邹澎~周晓萍编著~清华大学出版社~2008
年6月版
《电磁场与电磁波》~张昕、杨晓冬、李文兴~哈尔滨工程大学出版
社~2008年1月版
《应用电磁学基础》~Fawwaz T.Ulaby著、尹华杰译~人民邮电出版
社~2007年1月版
《电磁场基础》~钟顺时著~清华大学出版社~2007年2月版