第8章 MOSFET的短沟道效应
MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的,这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是:
(1) 由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场 增大;
(2) 内建电势既不能按比例缩小又不能忽略;
(3) 源漏结深不能也不容易按比例减小;
(4) 衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低;
(5) 亚阈值斜率不能按比例缩小。
(A) 亚阈值特性
我们的目的是通过MOSFET的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。
对于长沟道器件而言,亚阈值电流由下式给出
也可以写成如下的形式
式中的
为单位面积耗尽区电容。
是热电压,
,在
大于几个热电压时有
对上式两边取对数
上式也可以写成
从式(8.4)中可以看出,当
时,即当栅-源电压等于亚阈值电压时有亚阈值电流:
为了使
时,器件可以关断,我们可以令(8.4)中的
,则有
如果规定关断时(当
)的电流比在(当
)的电流小5个数量级,式(8.7)和式(8.8)的两边相除则有
得到亚阈值电压的最小值为
如果
则亚阈值电压的最小值是
。
如果还想将阈值电压降低到400mV左右,那么就要减小
的值,使
。
考虑到温度对阈值电压的影响,按比例缩小阈值电压将更加困难。阈值电压的温度系数
。导致阈值电压在温度范围(0-85℃)内的变化是85mV。制造工艺引起的最小变化也在50mV之间。工艺和温度引起的变化合计为135mV左右。因此,对增强型的MOS器件其阈值电压一般都控制在
之间。
(B) 短沟道效应使阈值电压减小
对理想MOSFET器件,我们是利用电荷镜像原理导出阈值电压的
表
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达式。见下图。
式中忽略了沟道中的反型层电荷密度
,
为最大耗尽层单位面积电荷密度。这个电荷密度都由栅的有效面积控制。并忽略了由于源/漏空间电荷区进入有效沟道区造成的对阈值电压值产生影响的因素。
图8.2a显示了长沟道的N沟MOSFET的剖面图。在平带的情况下,且源-漏电压为零,源端和漏端的空间电荷区进入了沟道区,但只占沟道长度的很小一部分。此时的栅电压控制着沟道区反型时的所有反型电荷和空间电荷,如图8.2b所示。
随着沟道长度的减小,沟道区中由栅压控制的电荷密度减小。随着漏端电压的增大,漏端的空间电荷区更严重地延伸到沟道区,从而栅电压控制的体电荷会变得更少。由于栅极控制的沟道电荷区中的电荷数量
会对阈值电压造成影响,如式(8.12)所示。
我们可以用图8.3所示的模型,定量的计算出短沟道效应对阈值电压造成的影响。假设源/漏结的扩散横向与纵向相等,都为
。这种假设对扩散工艺形成的结来说是合理的,但对例子注入形成的结则不那么准确。我们首先考虑源端、漏端和衬底都接地的情况。
在短沟道情况下,假定栅极梯形区域中的电荷有栅极控制。在阈值反型点,降落在沟道区的空间电荷区上的势差为
,源和漏结的内建电势差也约为
,这表明这三个空间电荷区的宽度大体相等。如图8.3a。
假定梯形区内的单位面积平均电荷密度为
,则有
上式可以写成
由图8.3b 可以看出,有如下关系:
由(8.15)式
将(8.17)带入(8.18)
带入(8.15)式
与长沟道器件相比,短沟道器件阈值电压表达式应该写成
考虑短沟道效应后,MOSFET器件的阈值电压会降低。
在这个模型的假设下,只有减小源/漏结的深度和增大单位面积栅电容
,才能降低阈值电压的偏移量。另外,式(8.22)是建立在源、沟道、漏的空间电荷区都相等的假设基础上推导出来的,如果漏端电压增大,这会使栅控制的沟道电荷数量减少,
变短,使阈值电压变成了漏极电压的函数,随着漏极电压增大,N沟器件的阈值电压也会减小。
MOSFET的窄沟道效应
MOSFET结构的表面空间电荷区电荷、电场、电容
为了更详细地分析表面空间电荷层的性质,可以通过求解泊松方程,定量地求出表面层中的电场强度、电势分布。为此,我们取
轴垂直于半导体的表面并指向体内,规定
轴的原点在表面处。表面空间电荷区中的电荷密度、电场强度和电势都是
的函数。
在利用泊松方程求解之前,我们先做如下假设:
(1)半导体的表面是无限大表面(表面
尺寸
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远大于空间电荷区的宽度,尽管这种假设会带来误差,但其误差及其微小,可以忽略不计);这样我们可以利用一维的泊松方程求解。
(2)为了讨论更一般的情况,半导体中的掺杂为补偿掺杂(这一假设更符合实际,因为NMOS器件的沟道大都是经过了补偿掺杂,以得到合适的阈值电压值;PMOS器件的衬底N阱的形成也是在P型原始衬底经过补偿掺杂获得的)。
(3)在半导体内部,假定表面空间电荷电离杂质为一常数,且与体内相等,电中性条件成立,所以空间电荷区的净浓度
(4)其净掺杂表现为P型半导体。
空间电荷区的净浓度可以写成如下形式:
其中
分别表示电离的施主杂质和电离的受主杂质浓度;如果在常温下杂质完全电离,则有
(这是因为我们假设其掺杂为补偿掺杂),
;
分别表示
点处的P型半导体空穴(多子)浓度和电子(少子)浓度。
在上述假设下,一维泊松方程的表达式:
将
和
带入上式可以写成
上式中的
是半导体的介电常数、括弧中的第一项是
是P型衬底的过剩少子浓度,第二项
P型衬底的多子增量。其表达式分别由下式表示:
将(8.28)和(8.29)两式带入式(8.27)的泊松方程:
将上式两边同乘以
,左边可以写成
上式的
是电压为
时的电场强度。将半导体内的电场设为零,对上式积分得
将(8.30)式的右边对
积分得:
第一项积分得
第二项积分得
所以:
及
令
称谓德拜长度。
则
应当注意:上式中的
大于零时取“+”号,小于零时取“-”号。
称做德拜长度。式(8.38)叫做
函数,是表征半导体空间电荷层的一个重要参数。通过
函数,可以方便地将表面空间电荷层的基本参数表达出来。
在表面处
,由此得到半导体的表面处电场强度为
根据高斯定理,表面的单位面积电荷与表面电场的关系
上式中的负号是因为规定电场方向指向半导体内部为正。将(8.40)带入上式,
注意:当金属电极为正,即
大于零时,
用负号;反之,
用正号。
上式表示表面空间电荷层的单位电荷密度随表面势变化,这相当于电容效应。微分电容可由
求得:
在第7章,我们只是定性地讨论过MOS器件空间电荷层存在着4中状态,仍以P型衬底半导体为例:
(1) 多子堆积状态
(2) 耗尽状态
(3) 平带状态
(4) 少子反型状态
图(8.6)是表面电荷密度和表面势的函数关系图,详细标出了P型硅在温度是300K,掺杂浓度
时,表面电荷密度和表面势的函数关系。
有了半导体表面电场
,表面电荷
和表面电容
的表达式,就可以精确分析各种状态下情况。
1. 多数载流子堆积状态
当外加电压
<0时,表面势
及表面层内的电势都是负值,对于足够大
和
值,
函数中
因子的值远比
的值小。又因为P型半导体
远小于1,这样
函数中只有含
项起主要作用,其它项都可以略去。
将上式带入式(8.40)、(8.42)和式 (8.43)中,可得
以上三式分别表示在多数载流子堆积状态时表面电场、表面电荷和表面电容随表面势
的变化关系。
2. 平带状态
表面势
,根据式(8.38)很容易求得
,从而求得
。
表面电荷则不能直接将
直接带入(8.43)式,原因是将
带入该式,分子分母均为零。要想求得表面势
时的表面电荷需要对(8.43)式求极限
在考虑到P型半导体
远小于
,最后得到
3. 耗尽状态
当外加电压
为正,但其大小还不足以使表面处的本征费米能级
弯曲到费米能级以下时,表面不会出现反型,而处在耗尽状态。这时,表面势
大于零,且
远小于
,
函数中的
及
项都可以略去,则有
将上式带入式(8.40)、(8.42)和式 (8.43)中,可得
其中
是耗尽区宽度。耗尽状态下的表面电容的表达式跟平板电容的表达式一致。
4. 反型状态
随着外加电压
增大,表面处位于禁带中央的本征费米能级
下降到
之下,就会在表面处形成反型层。反型可分为弱反型和强反型两种,以表面处少子浓度与体内多子浓度的大小来界定。当表面处的少子浓度小于体内的多子浓度时,称为弱反型;当表面处的少子浓度大于体内的多子浓度时,称为强反型。表面处的少子浓度为
当表面处的少子浓度等于体内的多子浓度时,即
时,上式为
或
另一方面,根据波尔兹曼统计
比较式(8.56)和式(8.57)可得强反型临界条件是
强反型临界条件时的能带图如下图所示。因为
式(8.59)
式(8.57)的两边
带入F函数
此时的
时,
。式(8.61)可以简化
将上式带入式(8.40)、式(8.41) 和式 (8.42)中得
当
时,
,
函数中的
项随
指数增加,其值较其它项都大的多,故可以略去其它项,可得
应该值得注意:一旦出现强反型,表面耗尽层宽度就会达到最大值
,不再随外电压的增加而增加。这是因为反型层中的电子屏蔽了外电场的作用。
5.电容-电压特性
MOS电容结构是MOSFET的核心,MOS器件和栅氧化层-半导体界面处的大量信息可以从器件的电容-电压关系即
特性曲线中求得,MOS器件电容的定义:
其中,
是金属极板上单位面积电荷的微分变量,
是穿过电容的电压的微分变量。假设栅氧化层中及栅氧化层-半导体界面处均无陷阱电荷。此时
式中的
是加在栅氧化层上的电压,
是表面势。由电中性条件得
是单位面积的表面电荷。
将上式带入(8.71)式,可得
当栅压改变时,表面电荷和表面势随之改变。因此,
将
和上式的
带入(8.70)式
将上式的分子和分母同除以
,并定义
为半导体的表面电容。
则有
该式表明MOS系统的电容相当于氧化层电容与半导体空间电荷层电容的串连。
如下图所示。
下面讨论:
(1)堆积状态的MOS系统电容
前面的讨论已经得到堆积状态时的半导体表面电容有(8.47)式给出
带入式(8.78)式得
先考虑负偏压较大时的情形,这时
,
,此时的MOS系统电容等于栅氧化层电容
。这是因为半导体的表面和体内都是同一类型P型。见下图中的A-B段。
(2) 平带状态
平带状态的半导体表面电容的表达式由(8.49)式给出
所以此时的MOS系统电容为
(3)耗尽状态
当外加电压
为正,但不足以使半导体的表面反型时,此时表面处于耗尽状态。表面电容的表达式由(8.53)给出
MOS系统的电容由下式给出
继续加大偏压时的,表面耗尽区宽度表现为最大值
。而此时的MOS系统电容变为最小值
当
时,表面电容的表达式由(8.69)给出,
。
MOS系统电容变为
当
较大时,表面出现强反型,表面处的少子载流子浓度
显著增大,而反型层的厚度很小,使得表面电容
。若反型层的载流子浓度的变化跟得上外加电压的变化,则此时的电容即为栅氧化层电容。
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