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场效应管检测方法.doc

场效应管检测方法

不可预知的未来花园
2019-05-17 0人阅读 举报 0 0 0 暂无简介

简介:本文档为《场效应管检测方法doc》,可适用于IT/计算机领域

场效应管检测方法一、用指针式万用表对场效应管进行()用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×k档上任选两个电极分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等且为几千欧姆时则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言漏极和源极可互换剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极另一只表笔依次去接触其余的两个电极测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时则黑表笔所接触的电极为栅极其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大说明是PN结的反向即都是反向电阻可以判定是N沟道场效应管且黑表笔接的是栅极若两次测出的电阻值均很小说明是正向PN结即是正向电阻判定为P沟道场效应管黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试直到判别出栅极为止。()用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G与栅极G之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×档测量源极S与漏极D之间的电阻通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知各种不同型号的管其电阻值是各不相同的)如果测得阻值大于正常值可能是由于内部接触不良如果测得阻值是无穷大可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档再测栅极G与G之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值当测得其各项电阻值均为无穷大则说明管是正常的若测得上述各阻值太小或为通路则说明管是坏的。要注意若两个栅极在管内断极可用元件代换法进行检测。()用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×档红表笔接源极S黑表笔接漏极D给场效应管加上V的电源电压此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G将人体的感应电压信号加到栅极上。这样由于管的放大作用漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化也就是漏源极间电阻发生了变化由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小说明管的放大能力较差表针摆动较大表明管的放大能力大若表针不动说明管是坏的。根据上述方法我们用万用表的R×档测结型场效应管DJF。先将管的G极开路测得漏源电阻RDS为Ω用手捏住G极后表针向左摆动指示的电阻RDS为kΩ表针摆动的幅度较大说明该管是好的并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点:首先在测试场效应管用手捏住栅极时万用表针可能向右摆动(电阻值减小)也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电压较高而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致试验表明多数管的RDS增大即表针向左摆动少数管的RDS减小使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何只要表针摆动幅度较大就说明管有较大的放大能力。第二此方法对MOS场效应管也适用。但要注意MOS场效应管的输人电阻高栅极G允许的感应电压不应过高所以不要直接用手去捏栅极必须用于握螺丝刀的绝缘柄用金属杆去碰触栅极以防止人体感应电荷直接加到栅极引起栅极击穿。第三每次测量完毕应当GS极间短路一下。这是因为GS结电容上会充有少量电荷建立起VGS电压造成再进行测量时表针可能不动只有将GS极间电荷短路放掉才行。()用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚也就是源极S和漏极D余下两个脚为第一栅极G和第二栅极G。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来对调表笔再测量一次把其测得电阻值记下来两次测得阻值较大的一次黑表笔所接的电极为漏极D红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证即放大能力大的黑表笔所接的是D极红表笔所接地是8极两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后按D、S的对应位置装人电路一般G、G也会依次对准位置这就确定了两个栅极G、G的位置从而就确定了D、S、G、G管脚的顺序。()用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×kΩ的高阻档此时表内电压较高。当用手接触栅极G时会发现管的反向电阻值有明显地变化其变化越大说明管的跨导值越高如果被测管的跨导很小用此法测时反向阻值变化不大。二、场效应管的使用注意事项()为了安全使用场效应管在线路的设计中不能超过管的耗散功率最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。()各类型场效应管在使用时都要严格按要求的偏置接人电路中要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结N沟道管栅极不能加正偏压P沟道管栅极不能加负偏压等等。()MOS场效应管由于输人阻抗极高所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路要用金属屏蔽包装以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意不能将MOS场效应管放人塑料盒子内保存时最好放在金属盒内同时也要注意管的防潮。()为了防止场效应管栅极感应击穿要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地管脚在焊接时先焊源极在连入电路之前管的全部引线端保持互相短接状态焊接完后才把短接材料去掉从元器件架上取下管时应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等当然如果能采用先进的气热型电烙铁焊接场效应管是比较方便的并且确保安全在未关断电源时绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。()在安装场效应管时注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件为了防管件振动有必要将管壳体紧固起来管脚引线在弯曲时应当大于根部尺寸5毫米处进行以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用必须设计足够的散热器确保壳体温度不超过额定值使器件长期稳定可靠地工作。总之确保场效应管安全使用要注意的事项是多种多样采取的安全措施也是各种各样广大的专业技术人员特别是广大的电子爱好者都要根据自己的实际情况出发采取切实可行的办法安全有效地用好场效应管。三VMOS场效应管VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥W)、驱动电流小(μA左右)还具有耐压高(最高V)、工作电流大(A~A)、输出功率高(~W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点尤其是其具有负的电流温度系数即在栅源电压不变的情况下导通电流会随管温升高而减小故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同从图上可以看出其两大结构特点:第一金属栅极采用V型槽结构第二具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出所以ID不是沿芯片水平流动而是自重掺杂N区(源极S)出发经过P沟道流入轻掺杂N漂移区最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示因为流通截面积增大所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等典型产品有VN、VN、VMPT等。下面介绍检测VMOS管的方法。.判定栅极G将万用表拨至R×k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大并且交换表笔后仍为无穷大则证明此脚为G极因为它和另外两个管脚是绝缘的。.判定源极S、漏极D由图可见在源漏之间有一个PN结因此根据PN结正、反向电阻存在差异可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻此时黑表笔的是S极红表笔接D极。.测量漏源通态电阻RDS(on)将GS极短路选择万用表的R×档黑表笔接S极红表笔接D极阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用型万用表R×档实测一只IRFPC型VMOS管RDS(on)=W大于W(典型值)。.检查跨导将万用表置于R×k(或R×)档红表笔接S极黑表笔接D极手持螺丝刀去碰触栅极表针应有明显偏转偏转愈大管子的跨导愈高。注意事项:()VMOS管亦分N沟道管与P沟道管但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管测量时应交换表笔的位置。()有少数VMOS管在GS之间并有保护二极管本检测方法中的、项不再适用。()目前市场上还有一种VMOS管功率模块专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT型模块内部有N沟道、P沟道管各三只构成三相桥式结构。()现在市售VNF系列(N沟道)产品是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管其最高工作频率fp=MHzIDSM=APDM=W共源小信号低频跨导gm=μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。()使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF为例该管子加装××(mm)的散热器后最大功率才能达到W。()多管并联后由于极间电容和分布电容相应增加使放大器的高频特性变坏通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此并联复合管管子一般不超过个而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。可控硅检测方法可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作具有耐压高、容量大、体积小等优点它是大功率开关型半导体器件广泛应用在电力、电子线路中。可控硅的特性。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A(T)第二阳极A(T)、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态阳极A与阴极K间压降约V。单向可控硅导通后控制器G即使失去触发电压只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态用它可制成无触点开关。双向可控硅第一阳极A与第二阳极A间无论所加电压极性是正向还是反向只要控制极G和第一阳极A间加有正负极性不同的触发电压就可触发导通呈低阻状态。此时A、A间压降也约为V。双向可控硅一旦导通即使失去触发电压也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A、第二阳极A电流减小小于维持电流或A、A间当电压极性改变且没有触发电压时双向可控硅才截断此时只有重新加触发电压方可导通。单向可控硅的检测。万用表选电阻R*Ω挡用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚此时黑表笔的引脚为控制极G红表笔的引脚为阴极K另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G此时万用表电阻挡指针应向右偏转阻值读数为欧姆左右。如阳极A接黑表笔阴极K接红表笔时万用表指针发生偏转说明该单向可控硅已击穿损坏。双向可控硅的检测。用万用表电阻R*Ω挡用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A和控制极G另一空脚即为第二阳极A。确定A、G极后再仔细测量A、G极间正、反向电阻读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A红表笔接第一阳极A此时万用表指针不应发生偏转阻值为无穷大。再用短接线将A、G极瞬间短接给G极加上正向触发电压A、A间阻值约欧姆左右。随后断开A、G间短接线万用表读数应保持欧姆左右。互换红、黑表笔接线红表笔接第二阳极A黑表笔接第一阳极A。同样万用表指针应不发生偏转阻值为无穷大。用短接线将A、G极间再次瞬间短接给G极加上负的触发电压A、A间的阻值也是欧姆左右。随后断开A、G极间短接线万用表读数应不变保持在欧姆左右。符合以上规律说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。检测较大功率可控硅时需要在万用表黑笔中串接一节V干电池以提高触发电压。晶闸管(可控硅)的管脚判别晶闸管管脚的判别可用下述方法:先用万用表R*K挡测量三脚之间的阻值阻值小的两脚分别为控制极和阴极所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*K挡用手指捏住阳极和另一脚且不让两脚接触黑表笔接阳极红表笔接剩下的一脚如表针向右摆动说明红表笔所接为阴极不摆动则为控制极。三极管的检测方法(a)判定基极。用万用表R×或R×k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时要注意万用表表笔的极性如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时测得的阻值都较小则可判定被测三极管为PNP型管如果黑表笔接的是基极b红表笔分别接触其他两极时测得的阻值较小则被测三极管为NPN型管。(b)判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×或R×K挡红表笔基极b用黑表笔分别接触另外两个管脚时所测得的两个电阻值会是一个大一些一个小一些。在阻值小的一次测量中黑表笔所接管脚为集电极在阻值较大的一次测量中黑表笔所接管脚为发射极。C判别高频管与低频管高频管的截止频率大于MHz而低频管的截止频率则小于MHz一般情况下二者是不能互换的。D在路电压检测判断法在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上由于元件的安装密度大拆卸比较麻烦所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡去测量被测三极管各引脚的电压值来推断其工作是否正常进而判断其好坏。大功率晶体三极管的检测利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法对检测大功率三极管来说基本上适用。但是由于大功率三极管的工作电流比较大因而其PN结的面积也较大。PN结较大其反向饱和电流也必然增大。所以若像测量中、小功率三极管极间电阻那样使用万用表的R×k挡测量必然测得的电阻值很小好像极间短路一样所以通常使用R×或R×挡检测大功率三极管。普通达林顿管的检测用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的E-B极之间包含多个发射结所以应该使用万用表能提供较高电压的R×K挡进行测量。大功率达林顿管的检测检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V、R、R等保护和泄放漏电流元件所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行:A用万用表R×K挡测量B、C之间PN结电阻值应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。B在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结并且接有电阻R和R。用万用表电阻挡检测时当正向测量时测到的阻值是B-E结正向电阻与R、R阻值并联的结果当反向测量时发射结截止测出的则是(R+R)电阻之和大约为几百欧且阻值固定不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是有些大功率达林顿管在R、R、上还并有二极管此时所测得的则不是(R+R)之和而是(R+R)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。带阻尼行输出三极管的检测将万用表置于R×挡通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值即可判断其是否正常。具体测试原理方法及步骤如下:A将红表笔接E黑表笔接B此时相当于测量大功率管B-E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值由于等效二极管的正向电阻较小而保护电阻R的阻值一般也仅有~所以二者并联后的阻值也较小反之将表笔对调即红表笔接B黑表笔接E则测得的是大功率管B-E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值由于等效二极管反向电阻值较大所以此时测得的阻值即是保护电阻R的值此值仍然较小。B将红表笔接C黑表笔接B此时相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的正向电阻一般测得的阻值也较小将红、黑表笔对调即将红表笔接B黑表笔接C则相当于测量管内大功率管B-C结等效二极管的反向电阻测得的阻值通常为无穷大。C将红表笔接E黑表笔接C相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻测得的阻值一般都较大约~∞将红、黑表笔对调即红表笔接C黑表笔接E则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻测得的阻值一般都较小约几欧至几十欧。国产三极管用颜色表示放大倍数时一般颜色与放大倍数对应关系如下:颜色棕红橙黄绿兰紫hFE         用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×kΩ挡(内置有V或V电池)把负表笔(黑)接栅极(G)正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×Ω挡将负表笔接漏极(D)正笔接源极(S)万用表指示值若为几欧姆则说明场效应管是好的。二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×档红表笔任意接一个脚管黑表笔则接另一个脚管使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚只要看到表针作大幅度偏转即说明悬空脚是栅极其余二脚分别是源极和漏极。判断理由:JFET的输入电阻大于MΩ并且跨导很高当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号使管子趋于截止或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上由于输入干扰信号较强上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转就意味着管子趋于截止漏源极间电阻RDS增大漏源极间电流减小IDS。反之表针向右侧大幅度偏转说明管子趋向导通RDS↓IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转应视感应电压的极性(正向电压或反向电压)及管子的工作点而定。注意事项:()试验表明当两手与D、S极绝缘只摸栅极时表针一般向左偏转。但是如果两手分别接触D、S极并且用手指摸住栅极时有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用使之进入饱和区。()也可以用舌尖舔住栅极现象同上。三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯(两个PN结)、三个电极和管壳组成三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b目前常见的三极管是硅平面管又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。找出基极并判定管型(NPN或PNP)对于PNP型三极管C、E极分别为其内部两个PN结的正极B极为它们共同的负极而对于NPN型三极管而言则正好相反:C、E极分别为两个PN结的负极而B极则为它们共用的正极根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下:将万用表拨在R×或R×K档上。红笔接触某一管脚用黑表笔分别接另外两个管脚这样就可得到三组(每组两次)的读数当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时若公共管脚是红表笔所接触的是基极且三极管的管型为PNP型若公共管脚是黑表笔所接触的是也是基极且三极管的管型为NPN型。判别发射极和集电极由于三极管在制作时两个P区或两个N区的掺杂浓度不同如果发射极、集电极使用正确三极管具有很强的放大能力反之如果发射极、集电极互换使用则放大能力非常弱由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。在判别出管型和基极b后可用下列方法来判别集电极和发射极。将万用表拨在R×K档上。用手将基极与另一管脚捏在一起(注意不要让电极直接相碰)为使测量现象明显可将手指湿润一下将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上黑表笔接另一管脚注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上重复上述实验找出表针摆动幅度大的一次对于NPN型黑表笔接的是集电极红表笔接的是发射极。对于PNP型红表笔接的是集电极黑表笔接的是发射极。这种判别电极方法的原理是利用万用表内部的电池给三极管的集电极、发射极加上电压使其具有放大能力。有手捏其基极、集电极时就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流使其导通此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小因此可正确判别出发射极、集电极来。 MOS场效应管:MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管英文缩写为MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层因此具有很高的输入电阻(最高可达Ω)。它也分N沟道管和P沟道管符号如图所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=时管子是呈截止状态加上正确的VGS后多数载流子被吸引到栅极从而“增强”了该区域的载流子形成导电沟道。耗尽型则是指当VGS=时即形成沟道加上正确的VGS时能使多数载流子流出沟道因而“耗尽”了载流子使管子转向截止。以N沟道为例它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N和漏扩散区N再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通二者总保持等电位。图(a)符号中的前头方向是从外向电表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极源极接电源负极并使VGS=时沟道电流(即漏极电流)ID=。随着VGS逐渐升高受栅极正电压的吸引在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子形成从漏极到源极的N型沟道当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为V)时N沟道管开始导通形成漏极电流ID。国产N沟道MOSFET的典型产品有DO、DO、DO(以上均为单栅管)DO(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图。MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高而栅源极间电容又非常小极易受外界电磁场或静电的感应而带电而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=QC)将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起或装在金属箔内使G极与S极呈等电位防止积累静电荷。管子不用时全部引线也应短接。在测量时应格外小心并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。.准备工作测量之前先把人体对地短路后才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通使人体与大地保持等电位。再把管脚分开然后拆掉导线。.判定电极将万用表拨于R×档首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量SD之间的电阻值应为几百欧至几千欧其中阻值较小的那一次黑表笔接的为D极红表笔接的是S极。日本生产的SK系列产品S极与管壳接通据此很容易确定S极。.检查放大能力(跨导)将G极悬空黑表笔接D极红表笔接S极然后用手指触摸G极表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G、G。为区分之可用手分别触摸G、G极其中表针向左侧偏转幅度较大的为G极。目前有的MOSFET管在GS极间增加了保护二极管平时就不需要把各管脚短路了  MOS场效应管的测量N沟道的有国产的DD日产的SK系列。G极(栅极)的确定:利用万用表的二极管档。若某脚与其他两脚间的正反压降均大于V即显示“”此脚即为栅极G。再交换表笔测量其余两脚压降小的那次中黑表笔接的是D极(漏极)红表笔接的是S极(源极)。绝缘栅型场效应管实用检测方法与技巧  绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。由于输入阻抗极高MOSFET管栅极微量感应电荷产生的电势足以击穿绝缘层而损坏器件。过去许多介绍绝缘栅型场效应管的资料中一般都需要用捆扎(短接)器件的三只管脚待MOS管焊接到电路板之后再剪去捆扎线如图所示使用非常烦琐。目前市场上销售的MOS管的种类、封装很多如图所示。 其中的大多数MOS管尤其是功率型MOS管内部集成有完善的保护环节使用起来与双极型三极管一样方便。不过保护单元的存在却又使得MOS管内部结构变得更加复杂测试方法也与传统双极型三极管大相径庭。一、基本类型MOS管测试MOS管内部的保护环节有多种类型这就决定了测量过程存在着多样性常见的NMOS管内部结构如图、图所示。 图、图所示NMOS管的DS间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。与图稍有不同图所示NMOS管的GS之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件"保护二极管"由于保护二极管的开启电压较高用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。因此这两种管子的测量方法基本类似具体测试步骤如下:.MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高因此在测试过程中GD、GS之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。选择指针万用表的R×kΩ挡轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。当指针出现较大幅度偏转时与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极与红笔相接的管脚为漏极D剩余第脚则为栅极G如图所示。.短接G、D、S三只电极泄放掉GS极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。图所示MOS管的Gs极间接有双向保护二极管可跳过这一步。.万用表电阻挡切换到的R×kΩ挡(内置V电池)后调零。将黑笔接漏极D、红笔接源极S经过上一步的短接放电后UGS降为VMOS管尚未导通其DS间电阻RDS为∞故指针不会发生偏转如图所示。 .有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能作出准确的判断:第一种方法:①用手指碰触GD极此时指针向右发生偏转如图所示。手指松开后指针略微有一些摆动。②用手指捏住GS极形成放电通道此时指针缓慢回转至电阻∞的位置如图所示。 图所示MOS管的GS间接有保护二极管手指撤离GD极后即使不去接触GS极指针也将自动回到电阻∞的位置。值得注意的是测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚包括与漏极D相连的散热片避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判。第二种方法:①用红笔接源极S黑笔接栅极G对GS之间的等效结电容进行充电此时可以忽略万用表指针的轻微偏转如图所示。 ②切换到R×Ω挡换挡后须及时对挡位进行调零。将红笔接到源极S黑笔移到漏极D此时MOS管的DS极导通。根据MOS管类型的不同万用表指针停留在十几欧姆至零点几欧姆不等的位置如图所示。 ③交换黑笔与红笔的位置万用表所指示的电阻值基本不变说明此时MOS管的DS极已经导通。当前万用表所指示的电阻值近似为DS极导通电阻RDS(on)。因测试条件所限这里得到的RDS(on)值往往比手册中给出的典型值偏大。对于图所示的。MOS管因GS间保护二极管的存在万用表指针在接近零刻度位置后将自动回复到电阻∞位置。.放大能力(跨导)的估测判断NMOS管跨导性能时选择万用表的R×kΩ电阻挡此时表内电压较高。对于垂直沟道的VMOS管(如SJ)用R×kΩ挡即可完成所有的测试功能。将万用表红表笔接源极S、黑表笔接漏极D相当于在DS之间加上一个V的电压。此时栅极开路当用手指或镊子接触栅极G并停顿几秒时指针会缓慢地偏转到满刻度的/~/处。指针偏转角度越大MOS管的跨导值越高。如果被测管的跨导很小用此法测试时指针偏转幅度很小。二、特殊小功率MOS管的测试图所示MOS管在目前使用较广典型器件如NMOS型的IRF、IRF、PMOS型的IRF等。图所示的MOS管以NMOS型居多SKl、FSKMlA为这类MOS器件的典型代表。此外还有一类比较特殊的MOS管这类MOS管的栅极G在并联保护二极管的同时还集成有一只电阻结构如图所示。 图所示的MOS管在小功率器件中采用较多如常见的SK。这类NMOS管与前述两种MOS管的测试方法区别较大正确的测试步骤如下。.切换到万用表的R×kΩ挡将黑笔与某只引脚相接红笔分别与其余两只引脚相接进行阻值测量若两次测试过程中指针均出现较大幅度的偏转则与黑笔相连的管脚即为源极S。这主要是由于MOS管内部集成有两只保护二极管的缘故。.为了区分漏极D与栅极G接下来可参考NPN三极管集电极C与发射极E的识别程序进行测试:①假设剩余管脚中的某一只为漏极D并将其与黑笔相接红笔则接假设的栅极G②用手指捏住假设的栅极G与漏极D观察指针的偏转情况。若指针偏转幅度较大则与黑笔相接的管脚即为漏极D与红笔相接的则为栅极测试原理如图所示。三、型号不明的MOS管的测量PMOS管的测量原则和方法与NMOS管类似在测量过程中应注意将表笔的顺序颠倒。但是对于型号不明的MOS管通过检测单向导电性往往只能判断出其中哪一只管脚为栅极而不能直接识别管子的极性和D、S极。对此合理的测试方法如下:.万用表取R×kΩ挡在观察到单向导电性之后交换两只表笔的位置.将万用表切换至R×kΩ挡保持黑笔不动将红笔移到栅极G停留几秒后再回到原位若指针出现满偏则该元件为PMOS管且黑笔所接管脚为源极S、红笔所接为漏极D.若第步指针没有发生大幅度偏转则保持红笔位置不变将黑笔移到栅极G停留几秒后回到原位若指针满偏则管子类型为NMOS黑笔所接管脚为漏极D、红笔所接为源极S。MOS管的种类较多测试方法也不尽相同实际工作中需要在充分掌握上述测试原则的基础上灵活地选择合适的测试方法。     

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