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ROM与RAM.doc

ROM与RAM

问我通传机
2017-09-21 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《ROM与RAMdoc》,可适用于初中教育领域

ROM与RAMFRAM铁电式随机访问存储器储存器IC:RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(RandomAccessMemory随机存取存储器)RAM的特点是:电脑开机时操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供一旦系统断电存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉并且再也无法恢复。根据组成元件的不同RAM内存又分为以下十八种:DRAM(DynamicRAM动态随机存取存储器)这是最普通的RAM一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中用电容的充放电来做储存动作但因电容本身有漏电问题因此必须每几微秒就要刷新一次否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致约为~ms。因为成本比较便宜通常都用作计算机内的主存储器。SRAM(StaticRAM静态随机存取存储器)静态指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每颗电子管组成一个位存储单元因为没有电容器因此无须不断充电即可正常运作因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定往往用来做高速缓存。VRAM(VideoRAM视频内存)它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计其中一个数据口是并行式的数据输出入口另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。FPMDRAM(FastPageModeDRAM快速页切换模式动态随机存取存储器)改良版的DRAM大多数为Pin或Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRMDRAM在触发了行地址后如果CPU需要的地址在同一行内则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages从B到数KB不等在读取一连续区域内的数据时就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料从而大大提高读取速度。在年以前在时代和PENTIUM时代的初期FPMDRAM被大量使用。EDODRAM(ExtendedDataOutDRAM延伸数据输出动态随机存取存储器)这是继FPM之后出现的一种存储器一般为Pin、Pin的模块。它不需要像FPMDRAM那样在存取每一BIT数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间然后才能读写有效的数据而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间其存取速度一般比FPM模式快左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存后期的系统开始支持EDODRAM到年后期EDODRAM开始执行。。BEDODRAM(BurstExtendedDataOutDRAM爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器)这是改良型的EDODRAM是由美光公司提出的它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式也就是当一个数据地址被送出后剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取因此一次可以存取多组数据速度比EDODRAM快。但支持BEDODRAM内存的主板可谓少之又少只有极少几款提供支持(如VIAAPOLLOVP)因此很快就被DRAM取代了。MDRAM(MultiBankDRAM多插槽动态随机存取存储器)MoSys公司提出的一种内存规格其内部分成数个类别不同的小储存库(BANK)也即由数个属立的小单位矩阵所构成每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接一般应用于高速显示卡或加速卡中也有少数主机板用于L高速缓存中。WRAM(WindowRAM窗口随机存取存储器)韩国Samsung公司开发的内存模式是VRAM内存的改良版不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入输出控制器并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快另外还提供了区块搬移功能(BitBlt)可应用于专业绘图工作上。RDRAM(RambusDRAM高频动态随机存取存储器)Rambus公司独立设计完成的一种内存模式速度一般可以达到~MBs是DRAM的倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。SDRAM(SynchronousDRAM同步动态随机存取存储器)这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式一般都采用Pin的内存模组工作电压为V。所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料这样可以取消等待周期减少数据传输的延迟因此可提升计算机的性能和效率。SGRAM(SynchronousGraphicsRAM同步绘图随机存取存储器)SDRAM的改良版它以区块Block即每bit为基本存取单位个别地取回或修改存取的资料减少内存整体读写的次数另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器并提供区块搬移功能(BitBlt)效率明显高于SDRAM。SBSRAM(SynchronousBurstSRAM同步爆发式静态随机存取存储器)一般的SRAM是非同步的为了适应CPU越来越快的速度需要使它的工作时脉变得与系统同步这就是SBSRAM产生的原因。PBSRAM(PipelineBurstSRAM管线爆发式静态随机存取存储器)CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择因为它可以有效地延长存取时脉从而有效提高访问速度。DDRSDRAM(DoubleDataRate二倍速率同步动态随机存取存储器)作为SDRAM的换代产品它具有两大特点:其一速度比SDRAM有一倍的提高其二采用了DLL(DelayLockedLoop:延时锁定回路)提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。SLDRAM(SynchronizeLink同步链环动态随机存取存储器)这是一种扩展型SDRAM结构内存在增加了更先进同步电路的同时还改进了逻辑控制电路不过由于技术显示投入实用的难度不小。CDRAM(CACHEDDRAM同步缓存动态随机存取存储器)这是三菱电气公司首先研制的专利技术它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率随着CPU时钟频率的成倍提高CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大而CACHEDRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足因此能极大地提高CPU效率。DDRII(DoubleDataRateSynchronousDRAM第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)DDRII是DDR原有的SLDRAM联盟于年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。DRDRAM(DirectRambusDRAM)是下一代的主流内存标准之一由Rambus公司所设计发展出来是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus这样不但可以减少控制器的体积已可以增加资料传送的效率。二、ROM(READOnlyMemory只读存储器)ROM是线路最简单半导体电路通过掩模工艺一次性制造在元件正常工作的情况下其中的代码与数据将永久保存并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的BIOS(基本输入输出系统BasicInputOutputSystem)等。它的读取速度比RAM慢很多。ROM内存又分为以下五种:MASKROM(掩模型只读存储器)制造商为了大量生产ROM内存需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本然后再大量复制这一样本就是MASKROM而烧录在MASKROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。PROM(ProgrammableROM可编程只读存储器)这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存但只能写入一次所以也被称为“一次可编程只读存储器”(OneTimeProgarmmingROMOTPROM)。PROM在出厂时存储的内容全为用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据(部分的PROM在出厂时数据全为则用户可以将其中的部分单元写入)以实现对其“编程”的目的。EPROM(ErasableProgrammable可擦可编程只读存储器)这是一种具有可擦除功能擦除后即可进行再编程的ROM内存写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别其封装中包含有“石英玻璃窗”一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住以防止遭到阳光直射。EEPROM(ElectricallyErasableProgrammable电可擦可编程只读存储器)功能与使用方式与EPROM一样不同之处是清除数据的方式它是以约V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用(PnP)接口中。FlashMemory(快闪存储器)这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉在写入资料时必须先将原本的资料清除掉然后才能再写入新的资料缺点为写入资料的速度太慢。

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