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2011CB201600-宽光谱高效薄膜太阳电池的基础研究

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2011CB201600-宽光谱高效薄膜太阳电池的基础研究 项目名称: 宽光谱高效薄膜太阳电池的基础研究 首席科学家: 戴松元 中国科学院合肥物质科学研究院 起止年限: 2011.1至2015.8 依托部门: 中国科学院 二、预期目标 项目总体目标 面向国家对洁净能源的重大战略需求,选择具有材料丰富、环保和良好研究基础的高性价比薄膜太阳电池为突破点,通过深入研究,将在以下方面获得突破性进展,达到国际领先或先进水平,使光伏发电在国家能源布局中占有重要地位。 前沿的基础研究成果 本项目将发展高稳定、宽光谱吸收的高效电池用关键材料,全面揭示电荷...

2011CB201600-宽光谱高效薄膜太阳电池的基础研究
项目名称: 宽光谱高效薄膜太阳电池的基础研究 首席科学家: 戴松元 中国科学院合肥物质科学研究院 起止年限: 2011.1至2015.8 依托部门: 中国科学院 二、预期目标 项目总体目标 面向国家对洁净能源的重大战略需求,选择具有材料丰富、环保和良好研究基础的高性价比薄膜太阳电池为突破点,通过深入研究,将在以下方面获得突破性进展,达到国际领先或先进水平,使光伏发电在国家能源布局中占有重要地位。 前沿的基础研究成果 本项目将发展高稳定、宽光谱吸收的高效电池用关键材料,全面揭示电荷分离、输运和复合机理,建立高效宽光谱薄膜电池光管理的理论模型,宽谱高效薄膜电池设计模型,深刻认识实用化电池中效率与稳定性的内在联系,揭示工作环境对组件性能的影响机制,为真正实现薄膜太阳电池的大规模光伏发电应用,提供科学依据和技术基础。 高水平技术研究成果 探索研究拥有自主知识产权的高效染料敏化太阳电池制备技术,效率高于15%;研发面积大于300cm2,效率达10%的染料敏化太阳电池组件及产业化制备关键技术,获得使用寿命20年以上制备技术路线。研发基于全光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料体系和宽光谱新型透明导电薄膜,探索研究具有自主知识产权的全光谱高效硅基薄膜叠层太阳电池制备技术,效率高于15.5%,提供可实现产业化的技术方案。培养和造就一批年富力强薄膜太阳电池领域的学术带头人和高素质研究团队,提高我国在薄膜太阳电池领域的科学研究水平和技术创新能力,建立有国际影响力的研究平台,满足节能减排重大国策及可再生能源普及应用的重大需求。 五年预期目标 (1) 利用自主知识产权的纳米结构和有机光电功能材料实现转换效率达15%的染料敏化太阳电池,实现基于凝胶电解质电池转换效率达13%的染料敏化太阳电池和基于有机空穴传输材料转换效率达8%的全固态染料敏化太阳电池。 (2) 建立染料敏化太阳电池微观尺度界面电荷转移、复合及传输的完整动力学模型,为提升器件效率提供理论指导。 (3) 完成电池组件制备中关键设备的研制,获得使用寿命20年以上,工业制作成本低于0.5美元/峰瓦的染料敏化太阳电池组件技术路线(面积大于300cm2,效率达10%)及产业化制备关键技术。 (4) 建立高效全光谱硅基薄膜太阳电池基于全面“光管理工程”的理论模型及其实现途径与方案,获得适于宽光谱高效硅基薄膜电池的透明导电薄膜。 (5) 基于能带工程和高效全光谱硅基薄膜太阳电池的模拟计算,构建适于宽谱吸收硅基薄膜光伏材料体系及其制备技术。 (6) 利用具有自主知识产权的新型光伏材料,获得宽光谱高效硅基薄膜电池,转换效率15.5%以上,提供可实现产业化的技术方案。 在国内外杂志发表SCI和EI研究 论文 政研论文下载论文大学下载论文大学下载关于长拳的论文浙大论文封面下载 100篇以上,申请专利20项以上,培养博士生和硕士生80名,培养和造就5名优秀学术带头人,形成若干个在相关领域中有研究特色和国际影响的研究团队。 三、研究方案 面对国家对洁净能源的重大战略需求,紧密围绕高性价比薄膜太阳电池在基础研究和规模化应用中所面临的若干关键问 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 ,从材料学、物理、化学、纳米科学以及电子学等多学科交叉的角度,充分利用原有的工作基础,在染料敏化太阳电池和硅基薄膜太阳电池的研究上取得突破。电池效率与稳定性是项目成果的集中体现。为了最终实现薄膜太阳电池的实用化,本项研究必须做好以下四方面的工作:一是宽谱吸收染料敏化太阳电池和硅基薄膜电池用关键新型材料的研究,二是先进光管理设计、电池机理和界面动力学的研究,三是高效电池和组件结构的设计、优化计算与低成本的实现,四是组件关键材料与环境稳定性的关联机制。本项目的总体研究思路如下图所示: SHAPE \* MERGEFORMAT 1、染料敏化太阳电池研究 1)宽谱吸收染料敏化太阳电池关键材料的研究 基于量子力学原理的电子结构方法,利用密度泛函理论方法、含时密度泛函理论(TD-DFT)方法,包括最近发展起来的解析能量梯度算法,把DFT的良好性能推及至激发态的计算;考虑电解质(I3-/I-)溶液的环境效应,研究染料基态及激发态所具有的电子结构性质,通过定量分析分子基态和激发态的分子轨道成分、电子云密度分布、原子电荷布居和总电荷等性质,从微观上了解吸收和发射光谱性质以及吸收和发射过程中的跃迁机制,探索染料分子结构对其光谱的微观机制的影响规律,为实验上的材料设计提供理论指导,缩短染料开发周期。 研究基于多吡啶钌基配合物的宽谱吸收染料分子,通过对联吡啶配体进行功能化修饰,可以获得对太阳光更高吸收效率的敏化剂;通过合理分子结构的调控可以获得高摩尔消光系数的全有机染料,在前期研究基础上,研究更强电子给体,比如以吡咯为核心的电子给体,结合前期开发的高摩尔消光系数、良好自组装行为的π单元和氰乙酸受体,实现吸收光谱显著红移、增大光吸收、提高电池效率。 加强探索研究高效量子点敏化剂的开发:通过湿化学合成制备系列II-VI族和IV-VI族量子点材料,如CdS、CdSe、PbS、PbSe等,实现对材料化学组分、形状和尺寸的控制,采用共价键分子连接、化学浴沉积以及连续离子层吸附反应等方法实现量子点在纳晶电极上的高效沉积,进一步提高量子点材料在纳晶薄膜电极表面的覆盖率,通过尺寸控制实现量子点与纳晶电极之间的最佳能级匹配,引入共敏化染料调节电荷的注入,通过光电调制技术研究电荷的传输机理,发展新的可代替碘对的空穴传输材料等,开展进一步提高量子转换效率的研究。 用一维氧化钛材料或其阵列结构、反蛋白石等三维有序网络结构来改善电子传导的路径,提高薄膜光散射性,提高电池的光电转换效率:用水热法制备氧化钛纳米线,此纳米线长从几个微米到几十个微米,甚至更长,外径小,热稳定性高。用不同含量的氧化钛纳米线和纳米颗粒混合制备浆料,制备成工作电极,氧化钛纳米线均匀地分布在纳米颗粒中,能在薄膜顶端收集的电子直接通过一根纳米线传导到基底,更有效的收集电子。减小薄膜的孔洞率,提高染料的吸附量;用水热法制备氧化钛纳米带。研究适用于大面积太阳电池的基于斜式透明纳米管阵列的多孔薄膜电极,这种新型纳米管具有光吸收强,电子扩散长度长,阻挡层薄,可以正面光入射等优点,将会有效地提升染料敏化太阳电池的光电转换效率。可控、宏量制备基于一维TiO2半导体单晶纳米线阵列的高比表面介孔薄膜表面包覆、致密的超宽带隙半导体金属氧化物或绝缘体钝化半导体电极。 高性能多孔薄膜半导体的电子结构计算和物理图像模拟:借助日渐成熟的现代量子化学计算方法和材料计算软件,通过已经开发的模型模拟分子在半导体纳米晶表面的姿态以及染料分子吸附在纳米晶表面的电子态分布,探索染料分子在半导体纳米晶表面的自组装姿态、染料分子的能级变化等对半导体纳米晶的电子态的影响规律。 通过部分+整体的方法和动力学手段研究光电稳定性。将染料、TiO2、电解质和Pt对电极等组成最小光电化学体系:染料+TiO2、TiO2+电解质、电解质+Pt对电极、染料+电解质等。通过动力学手段结合原位拉曼、红外等表征手段,研究最小系统中的稳定性因素,找出小体系最薄弱的环节,研究DSC光电稳定性。 从分子角度出发,研究材料分子微观结构与宏观理化性能间的关系;从材料角度出发,明确材料不同特性对DSC各项参数及性能的影响。最终通过分子结构的设计对材料的各项理化性能加以调控,得到DSC适用的高效新型电解质和对电极。具体可分以下几个方面:a. 研究联苯类液晶晶体生长动力学特性以及其在固化液体电解质过程中自组装成晶原理;通过分子结构设计对联苯类液晶分子官能团进行修饰及改造,研究不同分子结构对液晶的结构、形貌及液晶电解质中的电荷输运影响;通过理论计算分析液晶电解质中液晶结构对陷光性能的影响,并筛选出适用DSC的高性能液晶准固态电解质。b. 高空穴迁移率的无挥发快离子导体材料的研究。以咪唑啉、吡咯啉等为阳离子,以四氰基硼酸根、双氟磺酰胺等为阴离子设计合成新型离子液体,通过对所得材料进行组分、结构和微尺度凝聚态物性表征,引入纳米团簇改变离子液体的传输特性,从而获得高离子迁移率的软物质,达到提升电荷传输效率的目的。c. 通过改变凝胶剂的量实现对准固态电解质微观结构和热稳定性的控制,通过检测准固态电解质的微观自组装三维网络结构,检测新型固态电解质的溶液\凝胶转变温度(TSG),了解准固态电解质的固化机理,对电导率随温度变化的关系进行理论拟合,分析准固态电解质中碘离子的传输机理,制备基于准固态电解质的电池器件,优化电池的各项工艺参数,研究电池的电流/电压特性。d. 通过密度泛函计算研究有机空穴材料分子结构对空穴输运性能的影响,通过分子剪裁对有机空穴输运材料的结构进行精细能级调控,发展先进的固态离子型有机空穴输运材料,实现离子和空穴双向传输,从而大幅提高电荷迁移率。e. 通过电化学快扫描循环伏安法加速老化铂电极,对比自然老化铂电极,找出两种老化方法对电极产生影响的异同。通过检测铂电极的微观结构,研究铂对电极表层薄膜成分的变化。对DSC常用电解质各组分如溶剂、碘、添加剂等作用对铂电极的老化分析测试,明确各组分对铂电极老化性能造成的影响,最终得到明确的铂电极老化机理。同时降低载铂量,提高铂电极催化活性,延长铂电极的使用寿命。 2)电池机理和界面动力学的研究 以高性能染料敏化太阳电池为研究对象,利用电/光调制阻抗技术,研究器件电压/电流对施加正弦电压信号的响应,获得载流子输运与复合的关键物理参数,如:纳米TiO2半导体薄膜化学电容、电子寿命、扩散系数、扩散长度,纳米受限环境中无溶剂离子液电解质和有机空穴输运材料的载流子输运电阻和扩散系数,纳米尺度界面电荷转移电阻和电容;在稳态光照基础上,对器件施加正弦光调制信号,测量其电压或电流响应,获得介孔TiO2半导体纳晶薄膜中电子寿命、扩散系数、扩散长度等物理参数;对上述器件入射稳态的背景光,在此基础上施加快速的方波扰动光,测量器件光电压或光电流的衰减过程,得到纳米尺度TiO2半导体薄膜中电子的复合速率常数、化学电容等物理信息。将上述三种技术相结合,可以深入研究染料敏化太阳电池中载流子输运的工作机理。 染料敏化太阳电池内部存在至少7个接触界面和2个扩散薄层,每个界面和薄层之间电荷转移速度对应一个动力学常数。染料敏化太阳电池体系的动力学常数涉及时间范围非常广,大约在10-12(10-1s之间。只有动力学常数之间匹配电池才能实现能量的输出。要使染料敏化太阳电池最大限度的输出能量,各个动力学常数需要进行互相调控。电子收集的速率常数与电子复合速率常数差决定开路电压大小,而各个动力学常数的最慢步骤限定着短路电流的大小。我们将建立一个涉及到9个时间常数的动力学模型,将各个动力学常数的决定因素、边界条件和变化范围综合考虑,并且将界面动力学常数与宏观参数如开路电压、短路电流、填充因子和电池效率等结合到一起,对电池的界面动力学进行调控。通过计算机模拟找出限制电池效率瓶颈,获得电池最佳运行状态时各个参数的最佳范围。确定各个动力学常数的最优范围;通过技术手段来调整或优化电池中2个薄层和7个界面,加快电子传输和转移速度,电子收集和扩散速度,降低电池中有负面影响的电子复合速率,最终达到接近理论上的能量最大输出。 3)高效电池和组件结构的设计与优化计算 采用热注入法等湿化学合成法制备CdS、CdSe、PbSe等量子点材料,改变反应温度、气氛、反应物配比等控制量子点材料的生长,实现对产物形貌和尺寸的控制,采用巯基羧酸等双功能团分子连接实现量子点在纳晶电极上的高效沉积,采用化学浴沉积或者连续离子层吸附反应等方法直接在纳晶薄膜电极表面生成量子点,通过“种子层”等方法提高量子点材料在纳晶薄膜电极表面的覆盖率,通过形貌及光吸收性能测试研究量子点与纳晶薄膜电极的吸附,通过尺寸控制实现量子点与纳晶电极之间的最佳能级匹配,引入共敏化染料调节电荷的注入,通过电化学阻抗谱、调制光电压(流)谱等光电调制技术的研究提高器件性能。 探索制备一维纳米材料的最佳实验条件,研究微观结构对染料吸附性质以及电池性能的影响,用光电调制技术研究载流子的传输以及在界面上的分离、复合等反应动力学。建立基于一维纳米材料光阳极结构的电池模型,分析材料参数对I-V特性影响,通过拟合得到优化参数。选择合适的双功能分子对碳纳米管表面改性,改性碳纳米管对TiO2纳晶电极的表面修饰与能级匹配,通过形貌和光吸收性能研究获得高吸光性能的光阳极并应用到太阳电池上。 通过在光阳极上增加上下转换材料,使紫外或红外光转变成可见光,增加染料对光的吸收。探索研究引入阴极敏化,增加光的吸收。 通过理论对电池电场的性质进行研究,结合经典的Maxwell方程组,获得电池组件能量产生、损失与收集的数学模型,通过模拟研究电池组件在各种几何结构下的能量损失。经优化设计后的电池组件将能量达到损失最小、输出最大。为高效率大面积电池组件制作提供理论指导,为电池工业化应用提供依据。 4)组件关键材料与环境稳定性的关联机制 研究实用化宽谱吸收染料敏化太阳电池关键材料和密封材料。开展组件密封和稳定性的研究,通过新工艺技术对组件进行改进和提高。为了使该项技术走向实用化,拟采用以下的技术途径解决未来产业化生产急需的关键材料和技术: a) 大面积陷光结构纳米半导体多孔薄膜的制作:解决薄膜均匀性和大批量制作陷光结构纳米半导体材料中的工艺技术问题; b) 高耐候性电解质材料研究:获得性能稳定的共熔离子液体、内陷光结构的高效准固态液晶电解质和先进固态离子型有机空穴输运材料; c) 组件电池稳定性研究:结合老化过程中半导体微观机制参数变化规律和组件电池界面稳定性,阐明实际环境对组件电池稳定性影响机制; d) 组件电池的密封与工艺技术:着重解决组件电池的耐腐蚀密封及其工艺; e) 低融度高透明的有机/无机复合密封材料制备及其工艺技术:解决组件电池密封、保护电极材料和材料制备及工艺技术问题; f) 制造中的成套工艺装备实用化技术:解决各项关键技术的配套、优化组合和提高成品率工艺。 通过上述研究的开展,解决高耐候性组件关键材料和组件电池稳定性问题,为组件电池实用化提供必要的条件和保障。 创新点与特色: (1) 自主知识产权的高效钌染料和有机染料的分子设计思路和合成技术专利。 (2) 首次提出了可控和宏量制备基于纳米TiO2颗粒修饰一维TiO2单晶纳米线阵列的高比表面介孔薄膜电极;适用于大面积太阳电池的基于斜式透明纳米管阵列的多孔薄膜电极的制备方法。 (3) 从电解质层的结构设计出发,首次提出具有内陷光结构的新型高效液晶准固态电解质体系,有效的提高电池对太阳光的吸收效率。 (4) 将具有自主知识产权的“共熔离子液体”新概念应用到DSC中,实现DSC性能大幅度提升。 (5) 从微观角度获得染料敏化太阳电池的信息,获得影响电池性能的内因所在,了解电池的微观结构。 (6) 利用电\光电化学技术等对老化过程中电池微观参数变化规律和界面性能进行研究,构建极端环境下电池界面电荷传输和复合微观过程;通过集成、优化所取得的关键技术研究结果,获得大面积产业化组件电池研制技术。 2、全光谱硅基薄膜叠层太阳电池 学术思路和技术途径 1)基于全太阳光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料的基础研究 叠层电池各吸收层的带隙匹配是叠层电池设计中的关键技术。前期973研制的硅基薄膜叠层电池仅利用硅薄膜晶化比来调节吸收层带隙,而含有结晶相的材料生长速率较低,将影响电池的制备成本。为提高效率,需在叠层电池中引入 “薄膜带隙工程”与“光管理工程”的概念,构建可在较宽范围内有序调控不同带宽的吸收层材料和提高光谱利用率的上转换和中间带材料、乃至具有Plasmon效应的纳米颗粒体系。 目前硅基薄膜叠层电池,双结为非晶硅/非晶硅(或非晶硅锗,微晶硅),三结为非晶硅/非晶硅(或非晶硅锗,微晶硅)/非晶硅锗(或微晶硅)。能量大于1.7eV的绝大部分的可见光,当采用非晶硅(Eg~1.7eV)作顶电池时,那些光子能量大于1.7eV的能量部分,因热化效应而无谓地损失掉,未能加以利用。对这部分损失掉了的光子能量加以利用,一种可行的思路是开发具有良好光电特性的宽带隙材料,直接吸收太阳光子后,转化成高开路电压,以提高叠层电池效率。为此,需探寻更宽带隙、器件质量级(如SiOx、SiCx)硅基薄膜材料。通过在硅薄膜中添加小原子序数的氧、碳的方法,只需用常规等离子体增强化学气相沉积技术,通过在反应气体SiH4和H2中调控添加C2H2、CO2等气体的掺入量,即可实现硅基薄膜材料带隙与光电特性的调制。其关键是要针对C、O与Si键合模式的不同,研究对薄膜结构、带隙以及光电特性造成不同影响的因素,以掌握材料特性与带隙调制的可控规律与理论,为宽带隙顶子电池奠定基础。 对中间子电池,拟采用PECVD技术制备的非晶硅材料,针对其存在光致衰退效应导致稳定性较差的问题,拟采用:优化薄膜沉积参数,在过渡区靠近非晶硅一侧获得高稳定非晶硅材料,并在叠层结构中通过光管理设计达到“电薄”而“光厚”的电流匹配结构,增强内电场,提高效率并抑制其光致衰退效应。 在非晶硅材料中掺入适当的锗,形成非晶硅锗材料,通过调节锗含量来实现对带隙调控的目的。锗的加入,可使器件质量的非晶硅锗材料的带隙从1.3-1.6eV连续可调,这为全光谱高效叠层电池的设计与实现,提供了另一种中间子电池吸收层材料。微晶硅薄膜是由尺寸在10-50nm的晶粒镶嵌在非晶网络中所构成的复相结构薄膜。微晶硅材料带隙略大于单晶硅(~1.1eV),而且微晶硅薄膜电池稳定性高,可拓展叠层电池的长波响应。 为进一步拓宽太阳光谱的利用率,开发禁带宽度小于1.1eV的新型窄带隙薄膜材料非常重要。微晶硅锗的长波限可延伸到1200nm,且吸收系数大、稳定性佳。采用微晶硅锗既有利于提高光谱利用,又可避免厚本征层导致内建电场的降低,有利于载流子收集,且微晶硅锗具有高的沉积速率,可节省工艺时间、降低成本。亦采用PECVD技术,调控反应气体SiH4、H2、GeH4/ GeF4组分,实现对微晶SiGe材料的带隙调制。采用分别调变反应气源与稀释气源的方式,将窄带隙微晶SiGe晶化率的调制与特性的控制尽量分开进行,以便于控制微晶SiGe材料的带隙低于1.0eV,且性能仍达到器件质量级,从而拓展光谱的长波响应。对于波长大于1200nm的光谱波段,拟采用纳米上转换材料,以更拓宽谱阈提高电池效率。 大晶粒尺寸的薄膜多晶硅,与微晶硅材料具有相近的带隙宽度,但其更高的迁移率与稳定性,成为有潜力的高效硅薄膜电池吸收层材料之一。目前具有多种实现薄膜多晶硅生长的方法,为了满足在玻璃衬底上实现薄膜的低温沉积以及随后叠层制备的相容性,拟采用金属诱导籽晶层结合PECVD外延法和低于600℃的固相晶化法,通过对籽晶层沉积工艺和特性、吸收层的生长和特性、晶化过程和工艺以及薄膜多晶硅材料性能的内在关系进行研究,研发出在玻璃衬底上采用低温制备高质量薄膜多晶硅材料,为实现高效薄膜多晶硅太阳电池的研制与产业化应用提供技术基础。 中间带材料是探索全光谱利用的一种新型光伏材料,区别于由不同能隙宽度材料组成的叠层电池,它是在单一材料的价带、导带能隙之中引入一个中间能带。其作用是提供光子的多个吸收通道,可大幅提高电池长波光响应,提高效率。通过引入深能级杂质浓度超过Anderson 转变或者Mott转变所预言的浓度,使其电子波函数重叠,原来的局域能级形成能带。此时的深能级杂质将表现出与通常相反的行为,不再是非辐射复合中心,而成为像导带和价带一样的扩展带。研究将从探寻合适的深能级掺杂材料入手,采用有效的掺杂技术,如离子注入过渡金属Ti等,进行高浓度掺杂;之后很好地去除掺杂带来的缺陷,在保证宽的吸收光谱的基础上,有效地抑制非辐射复合,提高材料迁移率和少子寿命。 2)先进光管理设计及其实现的基础研究 为达到对光子的高效利用,需加强全光谱精细规划利用的“光管理工程”设计及其实现的研究,以达到“电薄”与“光厚”的效果,从而提高电池效率。 (1)针对先进光管理的设计方面:拟采用几何光学与光子学相结合的方法,进行宏观光学设计;通过麦克斯韦方程,进行微观光学设计。从增加光子吸收的角度,通过光学模拟计算,实现光子在有源层中光程或有效途径的增加。建立全光谱硅基薄膜电池的光管理设计模型。从透明导电薄膜(TCO)玻璃增加光透过的角度,提出减少光反射损失及拓展紫外到红外的全光谱高透过率的适于全光谱高效硅基薄膜电池应用的TCO薄膜设计与研究。从拓宽光谱吸收范围和光利用率角度,提出减少光损失并提高电池相关构件材料性能以及电池结构的优化设计;从增加背电极反射率、提高光子利用率角度,设计高效复合背反射电极结构;从减少掺杂层吸收,提高光子利用率角度,提出改善掺杂层和隧穿过渡途径。 (2)针对先进光管理的实现方面:①全光谱、高散射绒度TCO的获得:全光谱高效硅基薄膜叠层电池要求:一方面TCO前电极要宽光谱透过,以使电池的光吸收谱域展宽;另一方面,表面形貌要具高散射绒度和适当散射角度分布,增加光在器件中的光程以实现电池高效。从成本、材料、环保考虑进行原材料的选择。现有TCO在波长400nm-800nm范围内有很好的透过率,但在紫外区有显著的本征吸收,而长波(>800nm)由于自由载流子的吸收使透过率显著降低。R. Levinson对AM1.5太阳光谱计算指出:400nm-700nm的可见光仅占太阳光谱的43%,而700nm-2500nm波段的光占52%,300nm-400nm波段的光有5%将不能被现有电池吸收,原因之一就是TCO限制所致。 为增加TCO薄膜的紫外吸收,拟通过向ZnO中掺入适量原子序数小的Mg,形成如Zn1-xMgxO的宽禁带材料。如何增加TCO薄膜的红外吸收,更是本项目研究重点。结合基于第一性原理计算与实验的初步结果,拟引入掺杂原子B、In、Ga、W、Mo、Zr等到ZnO、ITO和SnO2薄膜中,提高迁移率,在保证相同电导特性前提下降低自由载流子数目,从而提高长波光透过率。除拓宽TCO的透过光谱范围,还需要高散射绒度和适当散射角度分布,以实现良好的陷光特性。拟采用LPCVD和超声喷雾技术,通过调节宏观沉积参数,控制TCO材料晶粒尺寸、成核密度和结晶取向与形貌,经多层生长,直接可控制备高散射绒度和适当散射角度分布的TCO。同时尝试采用溅射结合后腐蚀的方法,获得合适散射绒度和角度分布的TCO。 ②高效复合背反射电极的获得:背反射电极和前电极构成光在器件中的陷阱作用。选择与器件沉积兼容的生长技术进行背反射电极制备。拟采用磁控溅射或LPCVD技术制备ZnO背反射电极材料;采用沉积电池n层材料的PECVD技术制备SiOx背反射电极材料。通过引入上述材料,结合金属Al、Ag实现高效复合背反射电极,利用表面等离子激元的作用,在周围形成强散射中心,在纳米尺度上实现对光的调控,形成纳米陷光结构。 ③低吸收掺杂层材料获得:就单结微晶硅电池而言,掺杂层光吸收损失就占5%。若是多结电池,由掺杂层所带来的吸收损失将成为影响电池效率的一个重要因素。基于对薄膜沉积机理的认识,提出高沉积气压制备掺杂层材料,从调整材料结构特性的角度,实现掺杂层材料的高电导和低吸收。 ④减反射、增透薄膜的获得:拟采用低成本的超声喷雾法连续制备SiO2和TiO2薄膜,通过对谐振频率和其它沉积参数的调控,来实现薄膜的厚度和折射率的规律变化,获得能够至少降低5%反射的增透薄膜。 ⑤光谱转换材料的获得:基于电池中有源吸收层材料带隙的限制,拟采用上转换材料实现长波长光上转换为可见光。拟采用水热技术合成高转换效率的NaYF4: Er, Yb, Tm, Ho等多稀土离子掺杂的宽光谱上转换材料,同时提出实现上转换材料在电池中应用的具体技术途径。 3)全光谱高效硅基薄膜电池的基础研究 以先进光管理和能带工程为基础,建立全光谱硅基薄膜叠层电池模型,结合材料制备技术与结构相容性,提出新型高效三至四结全光谱高效硅基薄膜电池 设计方案 关于薪酬设计方案通用技术作品设计方案停车场设计方案多媒体教室设计方案农贸市场设计方案 ,开展新型全光谱硅基薄膜叠层电池研发。 为提高顶电池的带隙宽度,拟开展基于硅碳、硅氧宽带隙薄膜材料为有源层的薄膜顶电池的研究工作。深刻认识氧、碳含量对硅基薄膜材料带隙的调制作用,及其对电池开路电压和短路电流密度的影响机制。重点解决因氧、碳的引入,导致材料缺陷态(悬键态、受主态等)增多,光敏性变差问题。通过调节宏观沉积参数,有效地钝化和抑制各种缺陷态,以及平衡带隙与光敏性之间的关系,获得高开路电压下的高短路电流密度。 非晶硅电池作为中间的子电池,主要开展新型高效、高稳定非晶硅电池的研究工作。拟在非晶/微晶硅过渡区靠近非晶硅一侧,采用高反应气压、高辉光功率的沉积条件,探寻高速沉积、低SiH2键密度的高稳定高效非晶硅电池。 拟采用带隙为1.4-1.5eV非晶硅锗材料制备中间的子电池。拟对硅锗含量比与材料带隙宽度间关系开展深入研究,构建硅锗合金材料带隙宽度随硅锗含量比、氢稀释率的相图,及其与电池开路电压和短路电流密度的制约关系,以期获得带隙可调的非晶硅锗中间子电池。 采用PECVD方法沉积微晶硅薄膜。通过调节SiH4和H2稀释比、优化宏观沉积参数,采用高压、高功率沉积方式,在非晶/微晶硅过渡区靠近微晶一侧,获得带隙可控(1.1-1.3eV)器件质量微晶硅材料,以期获得带隙可调的微晶硅子电池。 拟采用窄带隙的微晶硅锗薄膜制备底电池。研究不同锗含量对带隙的调节作用及对电池效率和光谱响应的影响,深刻认识微晶硅锗薄膜的晶化率及氢、氟含量对电池稳定性的影响。解决微晶硅锗薄膜太阳电池pin制作工艺中p层、n层材料制备工艺的选取,与i层微晶硅锗材料制备工艺及能隙的匹配。设计合理的电池结构,增强内建电场,增加少子收集,提高电池效率。 全光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料体系制备叠层电池后,电池中材料带隙范围从1.2-1.7eV扩展到0.8eV-2.2eV,使叠层电池中顶电池与中电池或底电池之间是异质或异构结构,形成能带失配和结构失配。拟研发能带渐变缓冲、材料成分或结构渐变缓冲、掺杂浓度渐变缓冲等的多种缓冲层材料,解决可能引入的失配问题;同时多结叠层势必引入更多的np反向结,需高复合、低阻抗的适于多结叠层电池的隧穿结,以提高电池效率。基于带隙工程和光管理工程的研究,优化各子电池的光/电学厚度,合理调控子电池电流,实现高效全光谱硅基薄膜叠层电池。 创新点与特色: (1)首次提出过渡区微晶硅锗材料的概念,应用于微晶硅锗材料的研究中,以期获得器件质量级微晶硅锗材料。 (2)研发掺杂过渡金属Ti等的中间带硅基薄膜材料,探索可全光谱利用的新型光伏材料。 (3)提出将高散射绒度ZnO和高迁移率IWO等相结合来获得适于高效硅基薄膜电池制备的宽光谱ZnO基的透明导电薄膜材料。 (4)提出基于低折射率SiOx的复合背反射电极的设计与实现,同时通过对纳米金属颗粒尺寸的控制,利用其表面等离子激元的特性来形成纳米陷光结构。 (5)基于优化的光管理设计和薄膜带隙工程,研制全光谱高效硅基薄膜叠层太阳电池,并提出高效硅基薄膜叠层电池制备的技术路线。窄带隙的微晶硅锗底电池和背电极处构建的近红外光上转换,拓展了硅基薄膜电池长波响应范围,为实现硅基薄膜叠层电池全光谱吸收奠定基础。 可行性分析 本项目立足于国家对洁净新能源的战略需求,选择高性价比薄膜太阳电池作为突破点,结合多学科的研究优势集中攻关。项目组在相关领域具有多年研究工作积累和良好基础,主要学术骨干已主持过多项相关的国家重大、重点攻关项目和基金等项目,取得一批具有自主知识产权的重要研究成果,为项目研究任务的完成打下基础。在前期研究工作的基础上,本期项目将根据项目指南的要求,集中研究目标,深化理论认识,强化基础研究,推动我国薄膜太阳电池的基础研究和规模化应用。 课题设置 各课题间相互关系 根据项目制定的总目标和研究内容,本项目共设置6个课题,进行联合研究,共同完成本项目的研究任务。 课题1、课题2和课题3主要完成染料敏化太阳电池的所有研究任务和研究目标。其中,课题1主要进行新材料的设计和计算,基础理论的研究和模拟,为课题2合成和制备新材料提供设计思想和新材料的结构;课题2主要进行新材料的合成与制备和测试与分析,并进行新材料性能的研究,为课题3高效大面积电池的研究提供材料;课题3主要进行新材料的应用和大面积电池制作,关键设备和技术的研究以及电池实用化的研究,为该电池的产业化提供技术支持。 课题4、课题5和课题6主要完成硅基薄膜太阳电池的所有研究任务和研究目标。其中,课题4主要进行基于全太阳光谱利用的硅基薄膜材料的设计与制备研究,获得器件质量级宽谱吸收硅基薄膜材料,为课题6提供宽谱吸收材料工艺技术支持;课题5主要进行光管理设计及其实现技术的研究,为课题6提供适于高效电池生长的宽光谱透过TCO玻璃,以及相关的高效光管理实现技术支持;课题6在课题4和课题5的基础上,开展全光谱高效硅基薄膜电池的设计与实现研究。 6个课题将协同工作,共同完成本项目所制定的薄膜太阳电池研究的总目标。 课题1、窄能隙太阳电池染料及器件界面理论计算 预期目标: 1)获得适合于染料、纳晶/染料/电解质复杂系统计算的理论方法,获得光电材料与器件性能的内在本质关联。 2)设计出3~5种高性能有机染料,具有突出的光电流和光电压特性,推动染料敏化太阳电池器件性能突破。 研究内容: 1)研究染料敏化剂基态及激发态所具有的电子结构,分析不同电子态分子轨道的分布情况以及它们在吸收过程中的跃迁机制,确定电子态间的跃迁本质。从微观尺度认知吸收和发射光谱的性质以及吸收和发射过程中的跃迁机制,探索染料分子结构对其光谱的微观作用机制的影响规律。 2)基于密度泛函理论和非绝热分子动力学方法,发展时域从头算电子动力学方法,考虑分子间相互作用和环境介质效应,模拟染料分子在半导体表面的姿态以及染料/纳晶组装体的电子态分布,探索染料分子在半导体表面自组装姿态、染料分子的能级变化及介质环境等对半导体陷阱态影响的微观图像。 3)模拟染料分子/半导体组装体及其电解质介质环境下光诱导电荷转移动力学,结合瞬态吸收光谱实验结果,分析染料敏化太阳电池光诱导电荷转移微观机理,为高性能电池材料的开发和器件优化提供理论指导。 经费比例:5% 承担单位:北京理工大学、聊城大学 课题负责人:李泽生 学术骨干:张宪玺 课题2、染料敏化太阳电池新材料及规模制备 预期目标: 1)利用自主知识产权的纳米结构和有机光电功能材料实现转换效率达15%的小尺寸染料敏化太阳电池。 2)实现基于凝胶薄膜转换效率达13%的高稳定小尺寸染料敏化太阳电池。 3)实现基于有机空穴传输材料转换效率达8%小面积全固态染料敏化太阳电池。 研究内容: 1) 以研发高吸收系数、宽光谱响应、能级匹配的金属配合物和全有机染料为重点,开发对太阳光子充分俘获的敏化剂。结合已知化学结构模块,并构建奇异的富电子给体、贫电子受体和具有高平面性、不同电子特性的芳杂环共轭单元,制备窄能隙和高吸收率全有机染料;增大共轭性的同时引入合适辅助非电子功能基,调控染料极性、偶极及纳晶表面的分子间作用;开发新型多吡啶钌配合物敏化剂;研究高性能染料的低成本、低能耗、高安全、绿色化工合成和光电材料深度纯化工艺,实现染料规模制备,获得在大尺寸光伏组件应用。 2) 高电子收集效率的纳米结构薄膜。拟采用斜式透明纳米管阵列做光阳极,提高纳米结构无机半导体薄膜中电子迁移率和纳米受限环境中有机输运材料的空穴迁移率,以进一步提高染料敏化太阳电池的光电转换效率。 3) 新型空穴输运材料的开发。设计新型离子液体、电解质添加剂,着重研究其与纳晶、染料、对电极的界面匹配性,实现太阳电池器件效率和稳定性提升;获得高离子迁移率的固态快离子导体;设计并合成新型能级匹配、高迁移率具有微尺度自组装、高介电的固态离子型有机空穴输运材料;研究电解质关键材料的低成本、低能耗、高安全、绿色化工合成和纯化工艺,实现电解质规模制备,获得在大尺寸光伏组件应用。 经费比例:16% 承担单位:中国科学院长春应用化学研究所、南开大学 课题负责人:董献堆 学术骨干:王鹏、张敏、程方益 课题3、染料敏化太阳电池机理与组件技术及其应用研究 预期目标: 1) 建立染料敏化太阳电池微观尺度界面电荷转移、复合及传输的完整动力学模型,为提升器件效率提供理论指导。 2) 完成电池组件制备中关键设备的研制,获得具有自主知识产权的高效组件规模化制备的全套关键技术。 3) 获得使用寿命20年以上,工业制作成本低于0.5美元/峰瓦的染料敏化太阳电池组件(面积大于300cm2,效率达10%)。 研究内容: 1) 利用光电调制阻抗和光电瞬态等技术系统地研究不同温度、不同光强、不同外加偏压下高性能电池纳米界面的电荷复合动力学以及微尺度载流子浓度、寿命、迁移率和扩散长度等电子特性。 2) 研究高效大面积电池中电极及活性区域的几何结构设计,分析组件的结构连接与输出功率的关系,关键技术的研究,建立组件的等效电路模型。 3) 解决低电阻耐腐蚀电极材料的制备及成形过程中的物理问题,高透明低熔融温度低成本高分子密封材料的制备及改性,低成本有机无机复合密封材料的设计及制备,密封材料的老化机理。 4) 组件的批量快速连接及封装技术,组件规模化制备过程中的关键设备,规模化制备过程中的在线检测技术。 5) 高温高热条件下光伏组件的输出特性与电路模型,极端环境条件与光伏组件工作稳定性的关联机制。 经费比例:29% 承担单位:中国科学院合肥物质科学研究院、武汉工程大学、合肥工业大学 课题负责人:戴松元 学术骨干:汪建华、王孔嘉、孔凡太、胡林华、张昌能、霍志鹏、史成武、方霞琴 课题4、基于全太阳光谱利用的新型硅基薄膜吸收材料的基础研究 预期目标: 1)在衬底温度<220℃条件下,获得器件质量级微晶锗硅薄膜,缺陷态密度<1018/cm3,光敏性大于1000,单结微晶硅锗电池效率7%~9%。 2)探索合适的深能级掺杂材料,揭示在具有中间带结构硅材料中的光生载流子输运、复合机理;获得具有350nm-1500nm宽吸收光谱,1300nm光吸收>0.3,暗电导~10-8-10-7(-1cm-1,光电导~10-5(-1cm-1,((~1(10-6cm2V-1的中间带硅薄膜材料;研制出硅薄膜中间带原型电池。 3)获得带隙(2.0eV,缺陷态密度<1019/cm3,薄膜光敏性>103的宽带隙硅基薄膜材料。 4)在玻璃衬底上,研制出平均晶粒尺寸(1(m,扩散长度(1(m,缺陷态密度达到1016/cm3量级的晶硅薄膜材料。 研究内容: 1)研究杂质种类、掺杂工艺及后处理工艺对中间带硅基薄膜材料的光谱特性和电输运特性的影响。研究光生载流子的复合机制,建立中间带硅基薄膜的光吸收模型及载流子输运模型,探索抑制非辐射复合的技术路线,探索提高中间带电池光电转换效率的途径。 2)深刻认识微晶硅锗薄膜宏观沉积参数对材料性能的影响,建立低温多元合金微晶生长的物理模型。揭示Ge含量的加入以及对硅锗薄膜微结构的影响、进而带来光电特性变化的微观机制以及相应的表征体系,提出钝化和抑制各种缺陷态的技术路线。研制微晶硅锗底电池。 3)阐明金属诱导晶化过程机理,研究籽晶层、外延沉积参数对PECVD外延生长后续薄膜质量的影响,实现高质量大晶粒薄膜的高速沉积。在低于600oC温度条件下,研究固相晶化参数对薄膜多晶硅性能影响。揭示多晶硅薄膜内各类缺陷态产生与钝化机制,提出实现高效电池的途径。 4)研究硅氧、硅碳薄膜的沉积机理,实现硅氧、硅碳材料可控制备;探寻材料内部缺陷及杂质等成因与分布规律,提出抑制的有效途径。 经费比例:12.5% 承担单位:中国科学院研究生院、南开大学、保定天威集团有限公司 课题负责人:刘丰珍 学术骨干:张建军、麦耀华、周玉琴、许盛之 课题5、先进光管理设计及其实现的基础研究 预期目标: 1)建立基于高效全光谱硅基薄膜太阳电池用的光管理工程的理论模型,为提升器件效率提供理论指导; 2)获得适合硅基薄膜太阳电池用SiOx的复合背反射电极,电池短路电流密度提高10%以上; 3)获得迁移率大于30cm2/V.s、散射绒度大于30%、400nm-2000nm范围光透过率大于80%的宽光谱透过的透明导电薄膜。 研究内容: 1)建立全光谱硅基薄膜电池的光管理设计模型,研究有效延长光程、减小无谓反射或透射损失,可实现全太阳光谱高效吸收和转换的薄膜电池光管理的优化途径。 2)选择合适的高效掺杂源,实现TCO宽谱域透过。采用LPCVD、超声喷雾和溅射结合后腐蚀方法,研究宏观沉积参数与TCO材料特性间关系以及结构特性有效调制的方案,探寻多层可控直接生长宽光谱TCO途径。获得适于全光谱硅基薄膜电池的宽光谱TCO的制备技术。 3)研发低成本太阳电池表面减反射膜制备技术,减少太阳电池玻璃表面对阳光的反射损失;研发高反射复合背电极,进一步提高太阳光的利用率。 4)进行宽光谱红外光上转换为可见光的材料设计,探索宽光谱上转换材料可控制备技术,深入认识其转换机制,以及实际用于电池的相容技术。 5)研发纳米金属颗粒表面等离子激元生长技术,认识纳米金属颗粒表面等离子激元在纳米尺度上的光学调控与电学特性之间的内在联系,提出实用化技术。 经费比例:15.5% 承担单位:郑州大学、南开大学 课题负责人:张晓丹 学术骨干:耿新华、陈新亮、黄茜、陈永生 课题6、全光谱高效硅基薄膜电池的基础研究 预期目标: 1)建立基于全光谱的硅基薄膜叠层电池的高效器件设计模型。 2)制备出光学带隙从1.3eV-1.6eV范围的非晶硅锗材料,本征非晶硅锗材料的光暗电导比大于103,暗电导达到10-8S/cm;单结非晶硅锗电池效率大于9%。 3)利用具有自主知识产权的新型光伏材料,获得全光谱高效硅基薄膜电池,转换效率15.5%以上;提出可实现产业化的高效硅基薄膜叠层电池制备技术方案。 研究内容: 1)进行基于全光谱的三到四结硅基薄膜叠层电池的高效器件设计,通过拟合计算,绘出各层子电池之间能带匹配设计方案;模拟优化可提高电池效率,并减少串、并联损失的多种叠层连接方式,提出无损叠层结构模型。 2)在非晶/微晶硅过渡区非晶硅一侧,探寻制备高速沉积、低SiH2键密度的高稳定非晶硅基顶电池;认识氧、碳含量对宽带隙硅基薄膜材料带隙及其顶电池性能的调制作用。 3)通过锗组分的添加比和硅锗材料的晶相调节,实现对硅基薄膜材料进行带隙调制;探索非晶硅锗材料组分、结构与性能之间的内在关系,掌握其制备中的生长动力学过程;研制非晶硅锗中间子电池。 4)开发低光学吸收、器件质量的硅基薄膜掺杂层材料;进行界面复合隧道结的设计,并采用缓变结减小界面晶格失配,利用组分缓变减小能带失配。从理论上深入研究载流子输运机制,界面缺陷态、能带失配等所起的作用;优化各子电池的光学和电学厚度。 5)设计出等离子体表面激元、上转换等光管理技术实用化的电池结构,提出实用化的工艺技术。 6)研究TCO表面形貌、散射角分布函数及绒度等参数对电池特性的影响,与模拟结果进行对照分析,提出高效电池提高光利用的结构设计和工艺技术方案。 经费比例:22% 承担单位:中国科学院半导体研究所、中国科学院电工研究所、南开大学 课题负责人:赵 颖 学术骨干:魏长春、侯国付、任慧志、周春兰 四、年度 计划 项目进度计划表范例计划下载计划下载计划下载课程教学计划下载 研究内容 预期目标 第 一 年 围绕材料光电性质计算需求,在已有软硬件基础上完善所需设备。结合已有现代量子化学计算方法,以已有高性能模型分子为基础,建立适合长程电子离域系统光电性质计算的理论模型。 结合已知化学结构模块,构建奇异的富电子给体、贫电子受体和具有高平面性、不同电子特性的芳杂环共轭单元,设计并合成窄能隙和高吸收率全有机染料;增大共轭性的同时引入合适辅助非电子功能基,调控染料极性、偶极及染料/纳晶表面的分子间作用;通过化学功能化修饰,调整钌基母体材料的对称性。 研究高效大面积电池中电极及活性区域的几何结构设计,分析组件的结构连接与输出功率的关系,关键技术研究,建立组件的等效电路模型;通过分子设计和材料改性角度出发,开发适用于染料敏化太阳电池的宽谱吸收材料;电池组件电学、光学、热等理论模型研究。 探索高浓度掺杂的方法,包括离子注入、共溅射、共生长等掺杂技术,在晶体硅和硅基薄膜上进行多种深能级杂质(Ti,V,Cr,硫系及铁磁性材料等)高浓度掺杂;研究微晶硅锗薄膜的生长条件及低温结晶机制,重点研究混合流量比和其它沉积条件(如衬底温度、反应气体浓度、反应气压等)对材料性能的影响;贯通金属诱导晶化籽晶层的工艺,研究硅薄膜沉积参数和结构、金属薄膜种类及制备条件和结构对金属诱导晶化籽晶层的影响。 采用几何光学与光子学相结合的方法,建立叠层薄膜太阳电池器件光学模型,并进行宏观光学设计;采用磁控溅射技术制备ZnO基透明导电前电极,通过不同掺杂源的引入及工艺调整,获得具有低电阻率的TCO材料;采用热蒸发制备工艺实现具有表面等离子激元特性的纳米金属结构的制备,并对其特性进行表征;采用细致平衡原理,对采用上转换器后硅基薄膜太阳电池的效率极限展开模拟。 进行基于全光谱的三至四结硅基薄膜叠层电池的高效器件设计,通过模拟计算,绘出各层子电池之间能带匹配设计方案;模拟优化可提高电池效率的减少串、并联损失的多种叠层的连接方式,提出无损叠层结构模型;采用PECVD进行非晶硅锗材料的初步制备,主要研究气体流量、温度、功率等参数对非晶硅锗材料性能的影响规律;开展基于全光谱高效叠层电池能带结构优化设计的各个子电池有源层材料的实验研究工作。开展采用窄带隙微晶硅中间电池研究。通过调节SiH4和H2稀释比、优化宏观沉积参数,采用高压、高功率沉积方式,在非晶/微晶硅过渡区靠近微晶一侧,获得带隙可控(1.1-1.3eV)器件质量微晶硅材料。 为精确合理描述吸收特性为长程电荷转移型材料的理论计算提供完善的软硬件资源,建立适合此类材料光电性质计算的方法系统。 建立敏化剂结构与其光电性质之间的关系,揭示其微观机理;获得不同结构特性的分子对器件性能的影响规律;实现宽光谱、高消光的钌基染料的制备。 完成相关设计及组件等效电路模型等的建立,初步获得优化的电池结构设计,获得对电池微观作用机理的初步认识;在液晶电解质、准固态电解质和对电极等关键材料方面取得突破,开发出DSC适用的电池宽谱吸收材料。 实现杂质浓度1018~1019cm-3,获得红外吸收好的具有中间带结构的晶体硅材料,确定合适的深能级杂质;在衬底温度<220ºC条件下,获得晶化率>60%的微晶硅锗薄膜;确定高质量多晶硅籽晶层的最佳硅薄膜沉积工艺;实现多晶硅籽晶层晶化的低温快速进行;实现籽晶层晶粒尺寸与厚度相当,具有<100>优先晶向。 进行全光谱硅基薄膜电池光管理模型的初步设计;获得低电阻率的ZnO基TCO材料;掌握可控制备金属纳米颗粒的技术途径;认识增加上转换器后,硅基薄膜电池效率提高的规律和范围。 进行“全光谱”的三至四结硅基薄膜叠层电池高效器件的初步设计与模拟工作;制备出光学带隙在1.6eV左右,光暗电导比大于103,暗电导达到10-8S/cm的本征非晶硅锗材料;获得器件质量的微晶硅薄膜材料。 第 二 年 研究染料敏化剂基态及激发态所具有的电子结构,分析不同电子态分子轨道的分布情况以及它们在吸收过程中的跃迁机制,确定电子态间的跃迁本质。从微观尺度认知吸收和发射光谱的性质以及吸收和发射过程中的跃迁机制,探索材料组分、结构对其能级、电子跃迁、电荷转移等微观机制的影响规律。 基于宽光谱,高消光的敏化剂,通过器件工程优化,光物理探测等手段揭示器件中关键元件间的协同作用规律;通过在纳米线外面高质量包覆0.2-0.5纳米厚、致密的超宽带隙半导体金属氧化物或绝缘体来钝化半导体纳米线表面的电荷复合中心,并增加TiO2纳米线与氧化态染料和电解质中电子受体或空穴输运材料的电荷隧穿距离,抑制纳米尺度界面电荷复合,提高半导体纳米线中的电子寿命。 探索一维纳米材料、量子点材料等制备,通过在光阳极上增加上下转换材料,增强光利用效率;解决低电阻耐腐蚀电极材料的制备及成型过程中的物理问题,高透明低熔融温度低成本高分子密封材料的制备及改性,低成本有机无机复合密封材料的设计及制备,密封材料的各种极端条件下的老化实验研究。 在优良的硅基薄膜中进行深能级杂质掺杂。研究杂质种类、浓度与掺杂工艺对硅基薄膜红外光谱特性的影响。研究深能级杂质对薄膜光吸收、电输运特性的影响;研究SiGe薄膜微结构特征对其缺陷态的影响;解析薄膜中氟原子对材料生长及缺陷态的作用;比较氦稀释与氢稀释对材料中氢含量及材料光劣化的影响;优化金属诱导晶化过程参数,研究衬底材料及衬底表面形貌对金属诱导晶化过程以及籽晶层特性的影响,研究金属诱导晶化过程机理。 探索高浓度掺杂的方法,包括离子注入、共溅射、共生长等掺杂技术,在晶体硅和硅基薄膜上进行多种深能级杂质(Ti,V,Cr,硫系及铁磁性材料等)高浓度掺杂;研究微晶硅锗薄膜的生长条件及低温结晶机制,重点研究混合流量比和其它沉积条件(如衬底温度、反应气体浓度、反应气压等)对材料性能的影响;贯通金属诱导晶化籽晶层的工艺,研究硅薄膜沉积参数和结构、金属薄膜种类及制备条件和结构对金属诱导晶化籽晶层的影响。 在进一步深入分析宏观光学特性的同时,通过麦克斯韦方程,进行微观光学设计。从增加光子吸收的角度,通过光学模拟计算,实现光子在有源层中光程或有效途径的增加;采用磁控溅射、LPCVD及超声喷雾等制备技术,引入掺杂原子B、In、Ga、W等到ZnO、ITO和SnO2薄膜中,获得具有高迁移的TCO薄膜;在保证相同电导特性前提下,降低自由载流子数目,提高长波光透过率;采用磁控溅射或LPCVD技术制备ZnO背反射电极材料,采用沉积电池n层材料的PECVD技术制备SiOx背反射电极材料;并将上述材料与金属Al、Ag结合,实现复合背反射电极结构。拟采用水热技术合成NaYF4: Er, Yb, Tm, Ho等多稀土离子掺杂的宽光谱上转换材料;对掺杂BaCl2和NaYF4材料的特性进行比较,并探索新的基质材料。 优化设计叠层电池的能带匹配与各个子电池之间的连接方式,获得全光谱高效叠层电池的结构框架;研究宏观沉积参数对非晶硅氧材料特性的影响;在非晶/微晶硅过渡区靠近非晶硅一侧,采用高反应气压、高辉光功率的沉积条件,制备稳定非晶硅材料;深入研究PECVD制备工艺对非晶硅锗材料性能的影响规律,阐明硅锗薄膜沉积机理、制备工艺与薄膜微结构、薄膜光电性质之间的内在关系;开展非晶硅锗太阳电池制备工作。采用高压、高功率沉积方式,研制带隙可调的微晶硅中间子电池。 实现染料敏化剂分子结构与其光电性;子系统的认知,实现全光谱染料敏化剂的设计。 建立电池器件工作时各种关键元件间的协同作用规律。揭示各种添加剂影响器件性能的物理起源;实现转换效率达13%的小尺寸染料敏化太阳电池;获得高电子迁移率的TiO2纳米线阵列阳极材料;初步建立电池组件能量产生、损失与收集等的数学模型,为高效大面积电池组件制作提供理论指导;确定低电阻耐腐蚀电极材料制备及成型最佳条件,完成密封材料的制备及改性,完成低成本有机无机复合组件密封材料的设计及制备,确定密封材料老化机理。电池组件效率达到7%(300cm2)。 确定合适的硅基薄膜母体材料、深能级杂质和高浓度掺杂技术,实现杂质浓度>1019cm-3。将硅基薄膜的红外吸收谱延伸到>1200nm。揭示硅基薄膜中间带材料中光生载流子的输运、复合机理;制备出缺陷态密度<1018/cm3的微晶硅锗薄膜;在廉价衬底上实现具有优化结晶取向及大尺寸晶粒的籽晶层的低温高速高品质制备,初步阐明金属诱导晶化过程机理。 建立基于光管理工程的高效全光谱硅基薄膜太阳电池理论模型,为提升器件效率提供理论指导;获得低长波吸收的宽谱域TCO薄膜材料,将400nm-1500nm范围光透过率提高到75%以上;获得适合硅基薄膜太阳电池用SiOx的复合背反射电极,电池短路电流密度提高5%以上;选择出1~2种具有特色的新基质上转换材料。 完成基于全光谱的三到四结硅基薄膜叠层电池的高效器件设计工作;非晶硅氧材料的光学带隙大于2.0eV;暗电导低于10-10S·cm-1;光电导大于10-7 S·cm-1;制备出光学带隙在1.5eV左右,光暗电导比大于103,暗电导达到10-8S/cm的非晶硅锗材料;单结非晶硅锗电池效率大于6.5%;获得效率7%以上单结微晶硅电池。 第 三 年 基于密度泛函理论和非绝热分子动力学方法,发展时域从头算电子动力学方法,考虑分子间相互作用和环境介质效应,模拟染料分子在半导体表面的姿态以及染料/纳晶组装体的电子态分布,探索染料分子在半导体表面自组装姿态、染料分子的能级变化及介质环境等对半导体陷阱态影响的微观图像。 采用斜式透明纳米管阵列做光阳极,提高纳米结构无机半导体薄膜中电子迁移率和纳米受限环境中有机输运材料的空穴迁移率;基于具有自主知识产权的“共熔离子液体”新概念,合成以咪唑啉、吡咯啉等为阳离子,以四氰基硼酸根、双氟磺酰胺等为阴离子的新型离子液体;将高比表面、并具有特定功能原子的纳米团簇外源植入到短程有序、长程无序具有丰富纳米结构的离子液体中,制备固态快离子导体。 利用光电调制阻抗和光电瞬态等技术系统研究不同条件下高性能电池纳米界面的电荷复合动力学及微尺度下载流子浓度、寿命等电子特性。 优化后处理等工艺,改善材料光电性质;研究抑制非辐射复合的技术途径;进行中间带电池结构模拟计算;优化微晶硅锗薄膜结构和光电特性;系统分析锗含量和成膜参数对材料结构、带隙及光电特性的影响;确定适于电池应用的高性能微晶硅锗的制备工艺;单结微晶硅锗太阳电池初步研究;在金属诱导籽晶层上,采用PECVD进行多晶硅薄膜的外延生长,研究沉积参数对结晶效果的影响;对玻璃衬底上的非晶、微晶硅薄膜,采用(600oC固相晶化,获得较大尺寸晶粒。 结合基于第一性原理计算与实验的初步结果,探寻Mg展宽ZnO带隙的机制,提出宽谱域ZnO基TCO材料的制备方案,并开展宽带隙ZnO薄膜材料的制备工艺研究;基于对薄膜沉积机理的认识,提出获得低吸收掺杂层的制备方案,从调整材料结构特性的角度,实现掺杂层材料的高电导和低吸收;采用LPCVD和超声喷雾技术,通过调节宏观沉积参数,控制ZnO晶粒尺寸、成核密度和结晶取向与形貌,经多层生长,直接可控制备高散射绒度和适当散射角度分布的TCO;采用化学溶液法制备PdS等IV-VI族化合物半导体量子点。研究工艺参数的变化对材料结构和光致发光性能的影响。 认识氧含量的变化对全光谱高效叠层电池中宽带隙顶电池性能的调制作用;探究高速沉积、低SiH2键密度的稳定高效非晶硅中间电池;进一步研究非晶硅锗材料中锗组分和氢含量等与材料微结构及光电性质之间的关系,并研究其在光照以及退火条件下的稳定性。提出抑制非晶硅锗材料内部缺陷和杂质的有效途径。进一步优化非晶硅锗太阳电池制备工艺,提升太阳电池转换效率。 获得染料分子/纳晶表面的电子态微观图像,获得光电材料结构特征与器件性能参数的影响规律。 获得具有光吸收强,电子扩散长度长,阻挡层薄,可以正面光入射等优点的纳米管阳极材料;获得高空穴迁移率的无挥发快离子导体材料;利用纳米团簇获得高离子迁移率的软物质,并实现实用化染料敏化太阳电池性能大幅度提升。实现基于凝胶薄膜转换效率达11%的高稳定小尺寸染料敏化太阳电池。 建立染料敏化太阳电池微观尺度界面电荷转移、复合及传输的完整动力学模型,为提升器件效率提供理论指导。电池组件效率达到8.2%(300cm2)。 将中间带硅基薄膜材料的吸收谱延伸到1400nm,光电性能优良,光敏性>102。提出抑制非辐射复合的技术途径。提出合理的中间带硅薄膜电池结构;制备出光敏性大于1000 ,能隙0.9-1.1eV 连续可调的微晶硅锗薄膜;微晶硅锗薄膜电池效率>5%;实现多晶硅薄膜的高质量快速生长;初步阐明多晶硅PECVD外延生长和固相晶化机理。 争取获得具有一定散射绒度和适当散射角度的宽带隙ZnO薄膜材料;获得具有高电导、低吸收特性的掺杂层材料;确定将PdS等IV-VI族化合物半导体量子点用于上转换器的具体技术途径。 获得“全光谱”高效叠层电池中宽带隙顶电池和中间电池的技术路线;制备出光学带隙在1.4eV左右,光暗电导比大于103,暗电导达到10-8S/cm的非晶硅锗材料;单结非晶硅锗电池效率大于7%。 第 四 年 模拟染料分子/半导体组装体及其电解质介质环境下光诱导电荷转移动力学,结合瞬态吸收光谱实验结果,分析染料敏化太阳电池光诱导电荷转移微观机理。 通过对有机空穴输运材料的结构修饰进行精细的能级调控,结合密度泛函计算,发展先进的固态离子型有机空穴输运材料;以实验室的研究成果为基础,设计适合规模化生产的合成路线,合成高纯度的高性能关键材料。 组件关键材料及组件实用化性能研究;组件的批量快速连接及封装技术,组件规模化制备过程中的关键设备研制及规模化制备过程中的在线检测技术。 进一步改善中间带硅基薄膜光电性质。根据优化的中间带电池结构,启动中间硅薄膜电池的制备;研究锗含量对带隙的调节作用及对电池效率和光谱响应的影响;研究微晶硅锗薄膜的晶化率及氢、氟含量对电池稳定性的影响;研究微晶硅锗薄膜电池带隙匹配及特性的优化。 研究晶化参数和薄膜初始结构对结晶效果的影响。研究后处理工艺(例如Defect annealing、SiNx钝化和氢化钝化等)对晶粒边界及内部缺陷态的钝化作用,提升大晶粒多晶硅薄膜的电学性质。 深刻认识LPCVD和超声喷雾技术制备高散射绒度和适当散射角分布TCO材料的内在规律;尝试采用溅射结合后腐蚀的方法,获得合适散射绒度和角度分布的ZnO;采用低成本的超声喷雾法连续制备SiO2和TiO2薄膜,通过对谐振频率和其它沉积参数的调控,认识薄膜厚度和折射率的规律变化,获得能够至少降低5%反射的增透薄膜;将PdS等IV-VI族化合物半导体量子点与上转换器相结合,研究宽光谱红外光(1100~1500nm)上转换特性。 开发低光学吸收、器件质量的硅基薄膜掺杂层材料;进行全光谱高效叠层电池中各个子电池连接界面处的复合隧道结的优化研究;进行全光谱高效叠层电池中的顶、底电池结构及其性能的调控研究;深入研究非晶硅锗材料中载流子的输运特性和迁移路径。对材料的光暗电导特性及其变温曲线等进行详细分析,结合有效的材料微结构分析及组分检测手段,探明材料输运特性与材料微结构之间的关系。找到抑制暗电导的有效途径。进一步优化非晶硅锗太阳电池制备工艺,提升太阳电池转换效率;开展等离子体表面激元、上转换等光管理技术实用化的电池结构设计与实现研究,提出实用化的工艺技术。 获得染料分子/纳晶表面的光诱导电 荷转移微观机理,获得光电材料与器 件性能的内在本质关联。 获得成新型能级匹配、高迁移率及具有微尺度自组装、高介电的固态离子型有机空穴输运材料;实现基于有机空穴传输材料转换效率达7%小面积全固态染料敏化太阳电池;获得低成本、低能耗、高安全、绿色化工合成的高性能关键材料的批量生产工艺;获得在大尺寸光伏组件中的应用。 完成电池组件制备中关键设备研制,获得具有自主知识产权的高效组件规模化制备的全套关键技术。组件效率达9%(300cm2)。 获得具有350-1500nm宽吸收光谱,薄膜光敏性>102的优质中间带硅基薄膜材料。研制出红外吸收强的中间带原型太阳电池;实现微晶硅锗薄膜太阳电池效率>6%;实现多晶硅薄膜晶化率接近100%。平均晶粒尺寸大于1(m。扩散长度大于1(m。缺陷态密度~1016/cm3。 获得迁移率达到20cm2/Vs、散射绒度大于20%、400nm-2000nm范围光透过率大于75%的宽光谱透过的透明导电薄膜;获得能够至少降低5%反射的增透薄膜;通过应用PdS等IV-VI族化合物半导体量子点,改善宽光谱红外光(1100~1500nm)上转换特性。 制备出光学带隙在1.35 eV 左右,光暗电导比大于103,暗电导达到10-8S/cm的非晶硅锗材料;单结非晶硅锗电池效率大于8%;实现“全光谱”高效叠层电池中底电池的可控制备;获得转换效率12%以上的“全光谱”高效硅基薄膜电池;提出可实现高效硅基薄膜叠层电池制备技术方案。 第 五 年 结合染料敏化剂等关键材料的结构特性对器件性能的影响微观本质,结合实验条件,合理设计高性能染料。 利用开发的高性能关键材料,通过器件工程优化,全面实现项目的总体目标。 组件关键材料及组件实用化研究,高温高热条件下光伏组件的输出特性与电路模型,极端条件下与光伏组件工作稳定性关联机制。 进一步优化材料特性,优化电池结构和界面特性,提高电池效率;高效率薄膜微晶硅锗电池的结构设计与实现技术,微晶硅锗电池最佳制备参数的确立。 采用理论模型研究薄膜多晶硅材料性质对太阳电池性能的影响;研究多晶硅薄膜制备过程中增强陷光效应的工艺方法;实现多晶硅薄膜在太阳电池的应用。 利用表面等离子激元的作用,在周围形成强散射中心,在纳米尺度上实现对光的调控,形成纳米陷光结构。 系统研究磁控溅射、LPCVD及超声喷雾技术宏观沉积参数与TCO材料特性间关系以及结构特性有效调制的方案,探寻多层可控直接生长宽光谱TCO途径。获得适于“全光谱”硅基薄膜电池的宽光谱TCO的制备技术;对复合背电极结构进行材料及结构优化,获得适合硅基薄膜太阳电池用具有高散射特性的复合背反射电极,将电池短路电流密度提高10%以上;优化上转换器,使之应用于硅基薄膜太阳电池。 深入开展TCO表面形貌、散射角分布函数及绒度等对电池特性影响研究,与模拟结果进行对照分析,优化电池性能。采用缓变结技术减小界面晶格失配,利用组分缓变减小能带失配,进行全光谱高效叠层电池中各个子电池性能的优化研究;进一步优化非晶硅锗材料制备工艺,并提升非晶硅锗薄膜太阳电池转换效率;基于“全光谱”的硅基薄膜叠层电池的高效器件实现研究。 设计出3~5种高性能有机染料,具有突出的光电流和光电压特性,推动染料敏化太阳电池器件性能突破。 利用自主知识产权的纳米结构和有机光电功能材料实现转换效率达15%的小尺寸染料敏化太阳电池;实现基于凝胶薄膜转换效率达13%的高稳定小尺寸染料敏化太阳电池;实现基于有机空穴传输材料转换效率达8%小面积全固态染料敏化太阳电池。 获得等效使用寿命20年以上,工业制作成本低于0.5美元/峰瓦的染料敏化太阳电池组件,组件效率达10%(300cm2)。 获得具有350-1500nm宽吸收光谱,1300nm光吸收>0.3,光敏性>102,((~1(10-6cm2V-1的中间带硅基薄膜材料;研制出硅基薄膜中间带原型电池;提出提高中间带电池光电转换效率的途径。 微晶硅锗薄膜太阳电池效率达到7-9%,完成全部指标;揭示晶粒尺寸、晶粒边界复合速率、错位缺陷密度、杂质浓度分布等对薄膜质量和电池性能的影响。掌握多晶硅薄膜有效陷光工艺;贯通薄膜多晶硅太阳电池相关工艺。 获得迁移率大于30cm2/Vs、散射绒度大于30%、400nm-2000nm范围光透过率大于80%的宽光谱透过的透明导电薄膜;获得适合硅基薄膜太阳电池用SiOx的复合背反射电极,电池短路电流密度提高10%以上;硅基薄膜太阳电池和上转换器集成后,使得电池的短路电流密度有所提高。 制备出光学带隙在1.3eV左右,光暗电导比大于103,暗电导达到10-8S/cm的非晶硅锗材料;单结非晶硅锗太阳电池效率大于9%;完成优化各子电池的光学和电学厚度以及载流子输运机制研究;提出高效电池用TCO工艺技术方案;获得转换效率15.5%以上“全光谱”高效硅基薄膜电池;提出可实现产业化的高效硅基薄膜叠层电池制备技术方案 一、研究内容 硅基薄膜太阳电池在“十五”973项目中开展“宽谱域”太阳电池研究,在硅基薄膜电池中引入“微晶硅”材料,对太阳光谱的长波吸收限拓展到1100nm,使非晶硅/微晶硅叠成电池效率达到11.8%。然而此阶段为达到器件质量级微晶硅材料生长,沉积速率较低(仅为1~2Å/s),难于实现低成本的要求。“十一五”期间,重点开展了“高速高效”非晶硅/微晶硅叠层电池的研究,在“高沉积速率”下获得电池的“高效率”,以便取得统一的协调平衡发展。在沉积速率提高近10倍的情况下,非晶硅/微晶硅叠层电池效率仍可达到11.14%,并开发了平方米级沉积硅基薄膜材料的装备和技术,研究向实用化推进一步。“十二五”期间,拟将光能在电池内有效传播与利用的“光管理工程”与材料特性设计的“薄膜带隙工程”以及子电池连接的“器件设计”优化相结合,提出综合匹配器件设计概念,以获得“高效低成本”薄膜材料与太阳电池性能指标的突破性进展。 染料敏化太阳电池在“十五”973项目中从零起步,通过五年的研究全面掌握电池的材料制备和器件制备技术,确立在国际上的地位。“十一五”期间集中解决大面积电池制备过程中的相关关键技术,获得电池走向实用化的工艺技术,研发出一批自主知识产权的高性能材料,并确立我国在该领域的国际领先地位。 “十二五”期间将从材料设计和理论计算出发,获得宽谱吸收高性能电池材料,从微观角度来获得电池光吸收、电荷分离和电荷收集信息并实现精确调控,通过新型器件结构设计和优化获得高效电池,并向实用化迈进一步。 本次申请围绕进一步提高器件和实用化组件效率这一中心问题,广泛开展太阳电池新材料、新结构和电池性能研究。经过多年研究,强烈地认识到,薄膜材料能带的可剪裁性和与其它薄膜材料良好的相容性,为构建高效电池结构,充分利用太阳光谱提供多方面的可能性。因此,本项目需要解决的关键科学问题有: (1)新型宽光谱吸收层材料的设计与研制。提供实现高效“宽光谱”薄膜电池用优质吸收层材料体系。 (2)先进的光管理设计及其实现研究。实现电池有源层的“电薄”而“光厚”,在提高电池转换效率的同时,降低电池制造成本。 (3)多结无损层叠技术的设计与“全光谱”硅基薄膜叠层太阳电池实现研究。高效吸收和拓宽利用太阳光谱,提高电池转换效率。 (4)电池机理和界面电荷输运机理及动力学问题。提高电池中电子传输速度,减少界面电子的复合是提高电池性能的关键所在。 针对上述关键科学问题,染料敏化太阳电池拟在前期关键材料和电池性能研究基础上,探索新型高效、稳定宽光谱吸收关键材料,研究光电转换的微观动力学机理,进一步提高电池的光电转换效率,重点研究染料敏化太阳电池光伏组件的关键技术,阐明实际应用环境对组件性能的影响机制。硅基薄膜太阳电池重点进行基于全光谱利用的 “薄膜能带工程”及其新型硅基薄膜吸收层材料体系的研究,开展基于先进光管理的设计及其相关材料的研究,探索新型宽光谱TCO的制备技术及其沉积机理,阐明全光谱高效硅基薄膜电池的器件设计与技术途径。通过对薄膜太阳电池中上述若干关键科学问题的解决,使染料敏化太阳电池和高效硅基薄膜太阳电池尽快实现低成本光伏发电。主要研究内容如下: 1 宽光谱吸收、高效电荷输运材料的研究 以设计和合成高吸收系数、宽光谱响应、能级匹配敏化剂为重点,主要进行:1)全光谱吸收材料设计和理论计算。探索材料组分、结构对其能级、电子跃迁、电荷转移等微观机制的影响规律,为材料设计提供理论指导,缩短材料研发周期。2)全光谱染料合成与开发。通过使用具有特定电子性质的分子构建模块,并调控其连接方式,获得对太阳光具有更高吸收效率的金属配合物与全有机染料。3)探索研究高效量子点敏化剂。利用量子点自身的量子尺寸效应、量子限域效应、宏观量子隧道效应和表面效应,将半导体量子点作为光吸收介质。4)多种光吸收材料协同敏化及敏化剂的辅助材料开发。 提高无机纳米半导体薄膜中电子迁移率,通过抑制纳米尺度界面电荷复合,提高载流子寿命,改善载流子扩散长度。主要进行:1)高电子收集效率纳米结构薄膜研究。对薄膜网络结构进行优化设计、加快电子传输、减少电子复合和提高电子收集效率。2)能级结构合理、低复合中心的多孔薄膜。研究金属与非金属共掺杂拓展TiO2光阳极的光谱响应范围。3)通过表面修饰光阳极以降低电荷复合,在纳米TiO2多孔薄膜内表面修饰一层更高导带位置的半导体或者绝缘层形成具有核壳结构的阻挡层,即所谓的能量势垒阻碍电子背反应过程,提高电池的光电转换效率。 通过新型电解质体系的研究,提高电荷在电解质体系中的传输。重点研究:1)具有内陷光结构的高效准固态液晶电解质。2)高效稳定的有机小分子凝胶电解质。3)高空穴迁移率的无挥发快离子导体材料。基于自主知识产权的“共熔离子液体”和“纳米团簇离子导体”体系,发展新型低粘度、高电导率、高稳定的离子液体电解质。将高比表面、并具有特定功能原子的纳米团簇外源植入到短程有序、长程无序具有丰富纳米结构的离子液体中,会引发系统微结构、宏观流体动力学和离子输运特性的扰动或巨变,从而获得高离子迁移率的软物质,实现电池性能大幅度提升。4)全固态电解质的研究。从能级匹配和高空穴迁移率出发,结合密度泛函计算,发展先进固态离子型有机空穴输运材料,实现高性能固态染料敏化太阳电池。 2 染料敏化太阳电池机理和界面动力学的研究 系统研究电池界面电荷转移动力学和微尺度载流子浓度、寿命、迁移率与扩散长度等电子特性;通过实验参数和结果,结合模拟计算,描绘其物理微观图像,为进一步更合理的材料和器件设计提供理论指导。重点研究:1)电池界面光诱导电荷转移机理。通过瞬态吸收光谱和时间分辨单光子计数研究电池体系中纳米材料/敏化剂/电解质界面间光诱导电荷转移动力学。2)载流子输运机理。利用电/光调制阻抗和光电瞬态等技术分析电池内部微观过程和载流子输运机理。3)高性能多孔薄膜半导体/染料组装体的电子结构、界面间电荷转移物理图像模拟。4)分体系研究DSC的光电稳定性。研究电池光电化学体系中涉及到的各种反应、光化学、电化学、热力学、电极反应动力学等,为实用化作铺垫。 3 高效电池和组件结构的设计与优化计算 通过不同结构材料的设计和优化,获得高性能电池。主要包括:1)基于低维纳米材料的染料敏化太阳电池:TiO2纳米线/管/阵列、碳纳米管和量子点等有序结构可以引入到光阳极中,以期实现一维纳米材料作为电子转移高速通道即所谓的“电子高速公路概念”。2)叠层染料敏化太阳电池:以设计和合成高性能的新型近红外吸收染料及组装新型叠层结构的染料敏化太阳电池为切入点,探索能够大幅度提高太阳电池光电转换效率的新途径,如利用上/下光转换提高光谱吸收,或采用阴极敏化技术,获得双吸收层电池结构。3)基于结构设计与优化计算的电池组件研究:兼顾电池及组件的制作、效率、工艺技术、成本等一系列因素,优化组件结构,提高电池对光的利用、提高电子收集效率、减少电池内部能量损耗从而提高电池的光电转化效率,满足未来实用化要求。 4 组件关键材料与环境稳定性的关联机制 开发高耐候性的宽谱吸收电池关键材料和低溶度高透明的有机/无机复合密封材料,是提高电池室外自然环境稳定运行的关键所在。通过闭环反馈系统控制温度和辐照度等技术,系统研究不同温度、不同波长辐照光下组件关键材料的微结构和物理化学特性变化规律等;通过电化学、光电化学等技术系统地研究极端环境下工作的组件电池界面电荷传输和界面复合的微观过程。重点研究:1)性能稳定的组件关键材料研究。重点考虑组件关键材料的耐光性和耐热性。2)组件电池稳定性机理研究。从材料、机理和性能表征等方面综合考虑,并从光、热、电等方面分析其演绎过程。3)电池实用化研究。通过已有的示范系统和实验结果,结合本项研究,从材料、机理和表征全方位考虑与系统设计。 5 基于全太阳光谱利用的新型全硅基薄膜吸收材料体系的基础研究 开发新的优质电池吸收层材料,为进行合理叠层电池结构设计和提高电池效率提供材料基础。在考虑工艺相容性、易于连续自动沉积和降低成本因素,采用PECVD技术,以硅基薄膜材料为主,通过沉积参数和掺杂量的调控,构建满足太阳光谱的多种硅基合金薄膜材料体系。拟重点研究:1)从双原子键合能的角度,对硅基材料掺以原子序数小的O、N、C元素,以加宽带隙;掺以原子序数大的Ge、Sn元素,以窄化带隙。形成从SiC(~2.2eV)等宽带隙材料、a-Si(~1.7eV)、a-SiGe(1.6-1.3eV)、μc-Si(~1.1eV)直至μc-SiGe(1-0.8eV)窄带隙材料的适于全光谱硅基叠层薄膜电池的材料体系。2)研究宏观沉积参数对硅基合金薄膜光、电和微结构特性的影响,获得满足全光谱硅基薄膜电池能带结构的器件质量级材料体系。3)开展新型中间带硅基薄膜材料研究。在单一材料价带、导带能隙之中引入一个中间能带,为光子提供多个吸收通道,大幅提高太阳电池长波方向的光响应,增加电流输出。4)开展薄膜多晶硅材料研究,采用低温衬底制备高质量薄膜多晶硅材料,为实现高效薄膜多晶硅电池乃至新型叠层电池的研制奠定基础。 6 先进的光管理设计及其实现研究 针对硅基薄膜电池的工作原理,通过高效光管理设计,使光在器件中尽可能地被充分吸收和利用,提高电池效率。拟进行:1)结合光学软件平台,建立全光谱“光管理工程”理论模型。该模型包含能够有效延长光程、分波段的选择利用、以及减小无谓反射或透射损失的途径和方案等;结合电池结构与光传播特性,建立提高电池效率的正向设计规则,掌握基础理论与获得关键技术的有效结合,为产业化提供基础。2)开展宽光谱透明导电薄膜研究。研发具有高绒度、适当散射角度分布、在近红外具有高透过率的透明导电薄膜;研发可减少太阳电池玻璃表面光反射损失的低成本表面减反技术;研制高反射复合背反射结构,使其和前电极组合形成优化的陷光结构,增加光在电池内的传播行程。3)实现太阳光在电池中高效利用的新途径。探寻可实现宽光谱上转换的材料,并且在器件中证明它们的有效性;利用表面等离子激元独特的电光特性,开展纳米金属颗粒表面等离子体激元的制备及其光管理作用机制的研究,提出在电池中有效利用其特性的结构设计与实现方案。 7 全光谱硅基薄膜叠层太阳电池的设计与实现研究 将前述研发的新型吸收材料应用于全光谱硅基薄膜叠层电池中,获得高效全光谱硅基薄膜叠层太阳电池优化结构设计、制备技术和实现途径。为此进行:1)构建三到四结子电池的“器件设计”研究,实现“全光谱”吸收;研究减小反射、透射损失,并设计减少串、并联损失的多种叠层连接 架构 酒店人事架构图下载公司架构图下载企业应用架构模式pdf监理组织架构图免费下载银行管理与it架构pdf ,以提高电池效率与成品率,相应降低成本。2)在带隙工程和器件设计的指导下,开展高效宽带隙顶电池、中间带隙子电池和窄带隙底电池的研究;探寻不同锗、氧、碳含量对带隙的调节作用及对电池效率和光谱响应的影响;认识宏观沉积参数对宽、中间、窄带隙薄膜电池特性的影响;掌握薄膜的晶化率及氢、氟含量对电池稳定性的影响。3)与光管理工程研究有机结合,进行各子层光伏材料吸收光谱利用的合理匹配,有效构建各p/i/n子区内场以及相互的匹配。研发高复合、低阻抗的适于多结叠层电池的隧穿过渡或其它无损串接的结过渡机制,以及低光学吸收、器件质量的硅基薄膜掺杂层材料。4)开展光管理技术在电池中实用化研究。优化全光谱高效叠层电池的结构,实现高效全光谱三到四结硅基薄膜叠层电池。 先进光管理和界面动力学 组件材料与稳定性 高效电池结构设计 宽谱吸收关键材料 全光谱高效薄膜电池
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