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首页 《开关电源原理及其应用》1

《开关电源原理及其应用》1.doc

《开关电源原理及其应用》1

yufei
2018-09-06 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《《开关电源原理及其应用》1doc》,可适用于IT/计算机领域

开关电源原理及其应用第一部分:功率电子器件第一节:功率电子器件及其应用要求功率电子器件大量被应用于电源、伺服驱动、变频器、电机保护器等功率电子设备。这些设备都是自动化系统中必不可少的因此我们了解它们是必要的。近年来随着应用日益高速发展的需求推动了功率电子器件的制造工艺的研究和发展功率电子器件有了飞跃性的进步。器件的类型朝多元化发展性能也越来越改善。大致来讲功率器件的发展体现在如下方面:.器件能够快速恢复以满足越来越高的速度需要。以开关电源为例采用双极型晶体管时速度可以到几十千赫使用MOSFET和IGBT可以到几百千赫而采用了谐振技术的开关电源则可以达到兆赫以上。.通态压降(正向压降)降低。这可以减少器件损耗有利于提高速度减小器件体积。.电流控制能力增大。电流能力的增大和速度的提高是一对矛盾目前最大电流控制能力特别是在电力设备方面还没有器件能完全替代可控硅。.额定电压:耐压高。耐压和电流都是体现驱动能力的重要参数特别对电力系统这显得非常重要。.温度与功耗。这是一个综合性的参数它制约了电流能力、开关速度等能力的提高。目前有两个方向解决这个问题一是继续提高功率器件的品质二是改进控制技术来降低器件功耗比如谐振式开关电源。总体来讲从耐压、电流能力看可控硅目前仍然是最高的在某些特定场合仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT特别是IGBT获得了更多的使用开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件。第二节:功率电子器件概览.整流二极管:二极管是功率电子系统中不可或缺的器件用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择:高效快速恢复二极管。压降V适合小功率V左右电源。高效超快速二极管。V适合小功率V左右电源。肖特基势垒整流二极管SBD。V适合V等低压电源。缺点是其电阻和耐压的平方成正比所以耐压低(V以下)反向漏电流较大易热击穿。但速度比较快通态压降低。目前SBD的研究前沿已经超过万伏。二.大功率晶体管GTR分为:单管形式。电流系数:。双管形式达林顿管。电流倍数:。饱和压降大速度慢。下图虚线部分即是达林顿管。图:达林顿管应用实际比较常用的是达林顿模块它把GTR、续流二极管、辅助电路做到一个模块内。在较早期的功率电子设备中比较多地使用了这种器件。图是这种器件的内部典型结构。图:达林顿模块电路典型结构两个二极管左侧是加速。R提供基准电源及基极偏置电流。R、C用于芯片的相位补偿。Q集电极电位经过去耦电容(nF)及隔离二极管D送回整流桥前端正好形成负反馈达到稳压的目的。图:计算机电源的输出电路四.控制电路这个电路(图)使用了两个集成芯片TL和LM。TL是电源控制芯片LM为双比较器芯片。下面分解分析各单元的原理。图:计算机电源的控制电路(一)启动电路变压器T的输入电源为输入电路的输出直流Ui变压后从中心抽头引出经D整流送脚Vcc。同时VDC输出经过隔离二极管D、电容C去耦送回脚Vcc。T、D仅能提供电源启动时的芯片偏置。一旦开始工作电源将由VDC经D、C供电。因此这是一个自激型电源电路。(二)振荡电路通过芯片TL的脚外接电容C(nF)和脚外接电阻R(k)确定了该电源的振荡频率为:f=RTCT=(xxx)≈KHz。(三)电压反馈电路图:电压反馈电路根据局部电路加以整理得到上面的电压反馈电路。可以看出系统从V、V分别引回反馈信号做加法运算后送比较器的同相端作为反馈。补偿端和反相端之间外接了RC构成PI调节器。输出反馈电压越高上面电路的脚输出越高使得芯片输出死区越宽从而降低占空比进而降低电源电压反之亦然。这样就实现了电源电压的负反馈调节过程。(四)输出控制电路图:电压反馈电路TL的脚输出控制被直接接到芯片VDC参考电源输出电路工作在双管驱动方式。、脚为芯片两个输出的集电极接外部晶体管Q、Q的基极。R、R即作为Q、Q的基极偏置也是芯片输出晶体管的上拉电阻。Q、Q分别驱动脉冲变压器T的两个原边绕组对应的两个副边绕组T、T驱动变换器的两个半桥晶体管。Q、Q的两个并联二极管用于电路断电时的续流防止高压损坏晶体管。D、D构成直流通路是偏置电路的一部分并有电平移动作用由于发射极被垫高使得Q、Q可以可靠关断。C用于构成交流通路可提高交流增益同时对二极管两端有电压钳位作用避免损坏二极管。(五)过压保护电路图:过压保护电路图中V、V、V、V在左侧构成加法电路结构经D、D隔离后送三极管Q基极。ZD、ZD用来设置比较门槛。如果出现过压Q将饱和导通把Q基极拉到地电位Q饱和导通。此时一个高电平(约VDC)通过Q管被送到TL死区时间控制端(脚)TL输出因死去接近而被封锁。V经过D、D、R、D被送到Q基极前端当过压时Q饱和导通促使Q基极为低电平Q也饱和导通。这样V电源就通过Q送到TL死区时间控制端(脚)使芯片输出封锁。D、R把Q集电极电位引回Q基极有正反馈作用可以加快晶体管的翻转速度使电源在过压时快速反应。D被用于向PSON电路提供一个偏置。(六)第二电源电路图:第二电源电路第二电源无论整个电源是否开启只要市电有输入就处于工作状态。T的原边电路实际上是个振荡器其振荡经T变压器变压后输出。当送电时Q集电极通过T原边基极通过R、R获得偏置而进入导通状态。T辅助绕组电动势上正、下负电流(向下)逐步增加并经C、R、Q基极对C反向充电。Q进入饱和状态。随着T的电流达到最大值并开始减小大多数开始反向。这时T电动势上负下正和电容反向充电后的上负下正电压叠加加到Q基极使其截止。接着C开始向T辅助绕组放电T电流减小逐步过零电动势又变成上正下负Q基极电位重新抬高直至饱和导通。D、C、R及D、C、R用于变压器绕组的释放回路稳压管用于抬高Q基极翻转电压以调节翻转周期。输出分两路:一路经过D整流后送TL做Vcc电源一旦T启动其本身VDC开始工作作为芯片所需要的V偏置。另一路经D送后面的三端电源器件L生成VDC电源。C用于保护二极管D。其后是标准的三端电源电路。辅助电源如果丢失计算机休眠后主板将无法唤醒电源重新启动。(七)PSON电路这部分用于计算机的唤醒。当主板休眠时PSON为V当主板唤醒时该点被主板继电器接地。图:PSON电路当计算机休眠时PSON信号为VQ、Q饱和导通TL的脚电位约为V。此时占空比接近于零输出被禁止。计算机要唤醒时PSON被接地。Q、Q截止。TL的死区时间控制端(脚)为地电位允许占空比接近最大值电源输出被开放。(八)POWERGOOD电路LM是一个双比较器电路。管脚排列::比较器输出。:比较器反相端。:比较器同相端。:接地Gnd。:比较器同相端。:比较器反相端。:比较器输出。:电源Vcc。图:POWERGOOD电路常规情况下PSON接地开环运放的输出被置为高电平。该高电平经R被引回比例放大器的同相输入端使其输出PSOK为高电平。这个高电平被送主板表示电源系统正常。在系统待机时主板PSON断开V信号使得放大器输出低电平该低电平送放大器的同相端放大器也输出低电平。PSOK为低主机停止工作并进入待命状态。如果是刚唤醒计算机系统C的作用是使PSOK的建立滞后于电源系统几百毫秒这样保证计算机系统在电源系统先工作正常后再接收到PSOK信号恢复工作。(九)其它辅助控制电路误差放大器的同相输入端被接地反相输入端接VREF(VDC)这样TL的误差放大器强制输出低电平。由于片内误差放大器输出端二极管的隔离作用误差放大器实际上不起作用。第三节:单片开关电源及其应用TOPSwitch单片电源电路是美国动力(PI)公司的产品在仪器仪表、笔记本电脑、移动电话、音像设备等系统中获得广泛应用。这个器件集成了功率开关管(MOSFET)、控制电路、振荡器等于一体。它仅采用三端器件以最简单的接线方式构成电源系统。从而极大地简化了W以下电源系统的设计。§.TOPSwitchI、TOPSwitchII系列单片电源一.TOPSwitchI、TOPSwitchII系列单片电源器件  单片开关电源具有单片集成化、最简外围电路、最佳性能指标、能构成无工频变压器开关电源等显著优点。美国动力公司在世界上率先研制成功的三端隔离式脉宽调制单片开关电源集成电路被誉为“顶级开关电源”。TOPSwitchI系列是美国动力公司年推出的第一代产品。包括:TOPTOP、TOPTOPTOP、TOPTOP。TOPSwitchII则是在年推出的第二代产品。第二代产品在电路性能特别是输出功率上获得大幅度的提高。这两个系列的封装是一致的实际上它是一个三端器件。三个脚分别是D、S、C即漏极、源极、控制极。封装形式有TO的三端器件式和DIP、SMD的八脚双列式两种基本形式。如左图。八脚封装的、通常并联后作为S所以也相当于三端器件。这三个脚的含义是:(a)TO-封装(b)DIP-封装和SMD-封装图:TOPSwitch的封装源极S:连接内部MOSFET的源极同时也是TOP开关及开关电源初级电路的公共接地点及基准点。漏极D:是内部MOSFET的漏极也是内部电流的检测点。该点内部有一电流源提供芯片偏置电流。控制极C:误差放大电路和反馈电流输入端。其作用是:)提供自动重启电容连接点并决定重启频率。)通过调节其输入电流可以调整占空比。)为芯片提供正常工作的偏置电流。)提供旁路和补偿功能的电容连接点。下面的介绍中我们以TOPSwitchII为主。二.TOPSwitchII产品的分类及特点(一)、产品分类TOPSwitch-Ⅱ与第一代产品相比它不仅在性能上进一步改进而且输出功率得到显著提高现已成为国际上开发中、小功率开关电源及电源模块的优选集成电路其产品分类见表。表:TOPSwitch-Ⅱ的产品分类及最大输出功率POM(单位:W)TO-封装(Y)DIP-封装(P)SMD-封装(G)产品型号固定输入(V,AC,±%)宽范围输入(V~V,AC)产品型号固定输入(V,AC,±%)宽范围输入(V~V,AC)TOPYTOPPGTOPYTOPPGTOPYTOPPGTOPYTOPPGTOPY   TOPY   TOPY   (二)、性能特点.将脉宽调制(PWM)控制系统的全部功能集成到三端芯片中。内含脉宽调制器、功率开关场效应管(MOSFET)、自动偏置电路、保护电路、高压启动电路和环路补偿电路通过高频变压器使输出端与电网完全隔离真正实现了无工频变压器、隔离式开关电源的单片集成化使用安全可靠。.输入交流电压和频率的范围极宽。作固定电压输入时可选V/V/V交流电允许变化±%在宽电压范围输入时适配V~V交流电但POM值要比前者降低%。.典型频率KHz允许值KHz占空比调节范围:。.TOPSwitch-Ⅱ只有个引出端可以同三端线性集成稳压器相媲美能以最简方式构成无工频变压器的反激式普通型或精密型开关电源。开关频率的典型值为kHz允许范围是kHz~kHz占空比调节范围是%~%。.外围电路简单成本低廉。芯片本身功耗很低温度范围摄氏度最高结温摄氏度。电源效率可达%左右,比线性集成稳压电源提高了近一倍。三.TOPSwitchII的工作原理TOPSwitch-Ⅱ的内部框图如图所示。主要包括部分:.控制电压源由控制电压UC向并联调整器和门驱动级提供偏压而控制端电流IC则能调节占空比。图:TOPSwitchII内部原理框图.带隙基准电压源给内部提供各种基准电压。.振荡器产生锯齿波(SAW)、最大占空比信号(Dmax)和时钟信号(CLOCK))。.并联调整器/误差放大器.脉宽调制器通过改变控制端电流IC的大小连续调节脉冲占空比实现脉宽调制并能滤掉开关噪声电压。.门驱动级和输出级内含耐压为V的功率开关管MOSFET。.过流保护电路利用MOSFET的漏-源通态电阻RDS(ON)来检测过电流当ID过大时令MOSFET关断起到过流保护作用。.过热保护及上电复位电路当芯片结温Tj>℃关断输出级。.关断/自动重启动电路当调节失控时立即使芯片在低占空比下工作。倘若故障已排除就自动重新启动电源恢复正常工作。.高压电流源提供偏流用。事实上TOPSwitchI也包括这样的十个部分。  TOPSwitch-Ⅱ的工作原理是利用反馈电流IC来调节占空比D达到稳压目的。如:当输出电压UO↑时经过光耦反馈电路使得IC↑→D↓→UO↓,最终使UO不变。四.TOPSwitchII单片电源的应用下面这个图显示了单片开关电源的典型应用方法。图:WTOPSwitchII单片电源的应用该电路交流输入电压范围Ui=V~V,AC输入电网频率f=Hz~Hz电压调整率SV=±%,负载调整率SI=±%电源效率达%输出纹波电压的最大值为±mV。该电源采用带稳压管(VDZ)的光耦反馈工作方式。电路中共使用两片集成电路IC为TOPY型单片开关电源IC是日本产NEC-H型线性光耦合器。C与L构成交流输入端的电磁干扰(EMI)滤波器。C能滤除由初级脉动电流产生的串模干扰L可抑制初级绕组中产生的共模干扰。C和C为安全电容能滤除由初、次级绕组之间耦合电容所产生的共模干扰。宽范围电压输入时V~V交流电经过整流器BR、C整流滤波后获得直流输入电压Ui。由VDZ和VD构成的漏极钳位保护电路可将由高频变压器漏感产生的尖峰电压钳位到安全值以下并能减小振铃电压。VDZ选用PKE型瞬态电压抑制器(TVS)其钳位电压为V钳位时间仅ns峰值功率是W。VD需采用UF型AV的超快恢复二极管(FRD)其反向恢复时间trr=ns。次级电压经VDCLC整流滤波后产生+V的输出电压。R和VDZ与输出端并联构成开关电源的假负载可提高空载或轻载时的负载调整率。反馈绕组电压经过VD整流、C滤波后得到反馈电压再经过光敏三极管给TOPY提供一个偏置电压。VD选择UGBBT型超快恢复二极管为降低功耗还可选肖特基二极管。光耦合器IC和稳压管VDZ还构成了TOPY的外部误差放大器能提高稳压性能。当输出电压UO发生变化时由于VDZ具有稳压作用就使光耦中LED的工作电流IF发生变化进而改变TOPY的控制端电流IC再通过调节输出占空比使UO保持稳定这就是其稳压原理。R为LED的限流电阻并能决定控制环路的增益。C是控制端旁路电容除对环路进行补偿之外还决定着自动重启动频率。高频变压器选用EE型铁氧体磁芯初级电感量LP=μH±%漏感量LP≤μH。§.TOPSwitchFX系列单片电源一.芯片简介PowerIntegrations(PI)公司在年月发布了新的TOPSwitchFX开关电源IC系列它为设计高度集成的电源提供了更大的灵活性采用的EcoSmart节能技术可以帮助工程师生产出符合环保要求的更加“绿色”的电子产品。器件输出功率最高达W可广泛应用于手机充电器、PC待机电源、机顶盒、DVD和LCD显示器等不同领域。二.引脚:TOPSwitchFX在TOPSwitchII三个引脚的基础上增加了二个引脚其中一个是多功能引脚(M)另一个是频率引脚(F)。(一)多功能引脚(MultiFunction):TOPSwitchFX使多功能可以通过单一的可编程引脚(MultiFunction)来实现。.这个引脚可以利用一个电阻同时设置欠压、过压以及前馈的保护功能。当整流后的DC电压值超过了设置的过压阈值时将强迫TOPSwitchFX的功率MOSFET关断增加了对浪涌电压的防护能力。欠压检测可以防止关闭电源时出现瞬变的电压尖峰。执行电压前馈可以减少输出电压纹波。.这个引脚还可以允许用几种方式进行TOPSwitchFX的远程ONOFF控制。.此外这个引脚还可以用来在外部编程设置精确的电流限值。(二)频率引脚(FREQUENCY):只在TO封装下提供它与控制脚(CONTROL)短接时可使正常的开关频率kHz缩小到一半即kHz。这对于噪声敏感的视频应用或高效率待机工作模式都是有利的。三.器件的新功能TOPSwitchFX还集成了一些新的功能其中有:.新增多功能引脚保护功能加强。.新增频率引脚有利于控制噪声和提高待机效率。.软启动(SoftStart)可以降低启动时元器件的峰值电流与电压负荷。.频率抖动(FrequencyJitter)可降低电磁干扰。.滞后过热保护。.采用多方面的EcoSmart节能技术使能源得到更有效的利用可实现环保设计。例如遥控开关、省略周期(CycleSkipping)和频率减半等功能可以显著地降低能耗特别是在待机和空载的条件下。这种特性使得很多电子产品可以达到甚至超过如EnergyStar、BlueAngel、Energy之类的通用节能标准。这个芯片尽管增加了许多新的功能但仅仅个月即被新版本的TOPSwitchGX替代。因此该芯片不做课程重点我们这里重点介绍TOPSwitchGX芯片。§.TOPSwitchGX系列单片开关电源以往芯片存在一些不足:纹波电压较大、空载和轻载损耗大、高温工作时输出功率受限、启动时元件承受较大的尖峰电压和电流以及设计不够灵活等。针对这些不足之处PowerIntegrations公司优化了芯片的内部布局改进了电路功能于年月新推出了TOPSwitch家族的第四代芯片:TOPSwitchGX系列。TOPSwitchGX系列增加了许多新功能从而有效地降低了电源系统成本提高了电源性能改善了设计灵活性并扩展了电源输出功率。如其中的TOP型芯片最大输出功率可达W该芯片极大地扩展了开关电源芯片在大功率领域内的应用范围。一.TOPSwitchGX系列的功能特点TOPSwitchGX系列新增的主要功能及其优点如下:.更宽的输出功率范围最大可达W。.可减少外围器件的损耗。.在极低压或过压时能实现完全软启动进一步减小了器件在启动时的电压、电流应力。.外部可编程精确地设定限制电流减小了变压器铁芯体积提高了电源效率。.更大的占空比能提供更大的输出功率并减小了输入电容。.在Y、R、F型式封装中将电压检测管脚与限流管脚分开封装提高了设计的灵活性。.欠压保护不会造成误关断。.有过压保护可以限制浪涌电流。.采用线电压前馈,减小了低压时的输出电压纹波限制了高压时的最大占空比(Dmax)。.有±%的频率抖动减小了电磁干扰(EMI),并降低了EMI滤波器的损耗。.空载、轻载时可降低工作频率使输出电路无需加假负载从而显著地减少了能量损耗。.高达kHz的工作频率减小了变压器和电源的体积。.在视频应用时可选择半频(kHz)运行(只限于Y、R、F封装)有利于控制噪声。.温度范围更宽的滞后热关断允许电源在高温下输出更大的功率并有效地防止装置过热。TOPSwitchGX系列的这些优点使其可广泛地应用于手提电脑、PDA、集线器、交换器、路由器、台式电脑、小型服务器、机顶盒、数码电视、打印机、DVD、UPS、电视游戏机、音频放大器等装置中。二.器件管脚功能描述(一)管脚排列TOPSwitchGX系列有TOPTOP的种不同容量型号又分为Y、P、G、R、F等种封装形式。根据封装形式不同TOPSwitchGX系列芯片新增的管脚数也不同。P、G型封装与第三代芯片TOPSwitchFX系列一样只有D、S、C、M四个管脚而Y、R、F型封装则有六个管脚:D、S、C、F、X、L。图为YRF型封装芯片引脚图Y、R、F型封装的管脚功能如下。图:TOPSwitchGX引脚图(二)管脚功能说明器件的六个引脚说明如下:.漏极管脚(D):高压功率MOSFET漏极输出。通过此脚从高压开关电流源输入内部启动偏置电流。.控制管脚(C):用于调节占空比的误差放大器电流输入脚。在正常操作期间通过连接至内部分流调节器来提供内部偏置电流也可以作为电源的旁路和自动重启补偿电容的连接点。.源极管脚(S):内部MOSFET的源极。将其连接至输出MOSFET源极时可得到高压功率回馈。.电压检测管脚(L):作为欠压保护(UV)、过压保护(OV)、减少Dmax的线性前馈及远程开关等项功能的控制脚。)当脚L与脚S短接时各项功能均不起作用)当L脚串联电阻接至电源母线时可实现UV、OV及随母线电压减少Dmax的项功能)当脚L通过电阻与脚C相连并外接一级开关信号放大电路时可以实现远程控制开关的作用。.外部限流管脚(X):用于外部电流限制值设置的输入脚。)当串联电阻接至地线时为外部可编程精确设定限流值)当串电阻接至电源母线时可随母线电压调节限流值。.频率管脚(F):用于选择开关频率的输入脚。在多数应用场合下将脚F连接至源极管脚S此时开关频率为kHz。在一些特殊应用场合如对噪音敏感的音频设备中将脚F连接至控制管脚C时开关频率降为kHz以减小干扰。三.器件类型及参数下表是GX系列的器件类型及相关数据。输出功率表产品固定输入VAC±宽范围输入VAC密封式敞开式密封式敞开式TOPP或GTOPRTOPY或FWWWWWWWWWWWWTOPP或GTOPRTOPY或FWWWWWWWWWWWWTOPP或GTOPRTOPY或FWWWWWWWWWWWWTOPP或GTOPRTOPY或FWWWWWWWWWWWWTOPP或GTOPRTOPY或FWWWWWWWWWWWWTOPRTOPY或FWWWWWWWWTOPRTOPY或FWWWWWWWWTOPRTOPY或FWWWWWWWWTOPRTOPY或FWWWWWWWW可以看出GX系列从W到W有比较宽的功率选择范围。总体分类:按输入:固定输入为VAC宽输入为:VAC。按模块外形:密封式和敞开式后者功率相对更高。按封装形式:有Y、P、G、R、F等种封装形式。其它更具体的模块使用特性及应用要领需要时我们可以查阅相关手册。由于许多新的特性和宽的选择范围这个系列的器件目前是PI公司推广的主流开关电源器件。四.内部功能原理:下图是器件的内部原理框图。图:TOPSwitchGX的内部原理框图电路主要包含部分:.控制电压源。.带隙基准电压源。.频率抖动振荡器。.并联调整器误差放大器。.脉宽调制器含PWM比较器和触发器。.过流保护电路。.门极驱动和输出极。.具有滞后特性的过热保护电路。.高压电流源。.软启动电路。.关断自动重启电路。.欠压比较器。.电流极限比较器。.线路比较器。.线路检测端和极限电流设定端的内部电路。.轻载时自动降低开关频率的电路。.停止逻辑。.开启电压为V的电压比较器。五.TOPSwitchGX的典型应用图给出了GX模块的典型应用实例。图:TOPSwitchGX应用电路所示电路为单端反激式开关电源利用了TOPSwitchGX的某些特性来降低系统成本减小电源尺寸提高效率。此电路采用通用的~V交流输入输出V直流电压功率W。考虑到密封适配器的工作环境选用热损耗最小的TOPY。电阻R和R从外部将限流值设定为仅略高于低电压工作时的满载峰值电流从而允许使用更小的变压器磁芯同时可以避免启动和输出负载瞬态的磁芯饱和。电阻R和R还能使限流值随电压升高而降低从而限制高输入电压时的最大过载功率并使次级无需任何保护电路。电阻R实现欠压和过压检测。当R=MΩ时电源在直流电压达到V之后才开始工作。在关断交流输入时欠压检测防止C放电时的输出干扰并在输入直流电压降到V以下时关断TOPSwitchGX。过压门限值被设定为DCV当超过此值时例如发生电涌时器件在电涌期间停止工作从而使器件可以经受V高压的冲击。电容C与VR并联以降低齐纳箝位损耗VR、D组成缓冲吸收电路吸收功率器件在关断过程中由于变压器漏感产生的电压尖峰过冲。电路的工作频率为kHz可用PQ磁芯提供W功率。为了调节输出用光耦(U)和次级基准一起通过电阻分压网络(URRR)检测输出电压。D和C对偏置绕组的输出进行整流和滤波R实现漏感尖峰滤波使偏置电压在输出负载变化很大时仍能保持恒定为了改善抵抗共摸电涌的能力偏置绕组的共摸电路直接与直流大电容(C)相连。输入电容能提供TOPSwitchGX所需的最小直流电压以保证最低额定输入电压和最大输出功率条件下电压受控。由于GX的DCmax比TOPSwitchⅡ的高它可以使用更小的输入电容。对TOPSwitchGX而言通常输入电容可按μFW来选取。**********其它的典型开关电源芯片还有很多读者可以查阅相关资料。第五部分:开关电源其它相关技术及应用第一节:开关电源的电压基准器件.开关电源基准的获得方式基准电源器件在开关电源中是一个重要的器件它主要用于作为反馈的比较基准。开关电源的比较基准一般有如下三种获得方式:)使用芯片内部基准电源。)使用稳压管。)使用基准电源器件。第一种方式比较方便但灵活性往往受到限制第二种则控制精度比较差。要达到比较精密的控制调节效果建议采用基准电源器件作为误差比较基准。二.基准电源器件的类型及其工作原理这种基准器件分为串联型和并联型两种。图:并联基准与串联基准.并联基准如上左图并联基准与负载是并联的。UREF=UinIFRS=Uin(IQIL)RS当负载电流发生变化时通过调节IQ来保持UREF稳定。这类器件有:LM、AD等。.串联基准如上右图串联基准与负载是串联的。UREF=UinIFRS=Uin(IQIL)RS当负载电流发生变化时通过调节RS来保持UREF稳定。这类器件有:AD、REF、TL等。三.TL基准电源器件这个器件在电源中使用率最高这里简单介绍该器件。(一)TL简介图:TL结构及原理德州仪器公司(TI)生产的TL是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref(V)到V范围内的任何值(如图)。该器件的典型动态阻抗为Ω。图左图是该器件的符号。个引脚分别为:阴极(CATHODE)、阳极(ANODE)和参考端(REF)。由图可以看到VI是一个内部的V基准源接在运放的反相输入端。由运放的特性可知只有当REF端(同相端)的电压非常接近VI(V)时三极管中才会有一个稳定的非饱和电流通过而且随着REF端电压的微小变化通过三极管的电流将从到mA变化。当然该图绝不是TL的实际内部结构所以不能简单地用这种组合来代替它。但如果在设计、分析应用TL的电路时这个模块图对开启思路理解电路都是很有帮助的。(二)TL的应用前面提到TL的内部含有一个V的基准电压所以当在REF端引入输出反馈时器件可以通过从阴极到阳极很宽范围的分流控制输出电压。如图所示的电路当R和R的阻值确定时两者对Vo的分压引入反馈若Vo增大反馈量增大TL的分流也就增加从而又导致Vo下降。显见这个深度的负反馈电路必然在VI等于基准电压处稳定此时Vo=(RR)Vref。选择不同的R和R的值可以得到从V到V范围内的任意电压输出特别地当R=R时Vo=V。需要注意的是在选择电阻时必须保证TL工作的必要条件就是通过阴极的电流要大于mA。当然这个电路并不太实用但它很清晰地展示了该器件在应用中的方法。将这个电路稍加改动就可以得到在很多实用的电源电路如图。一般地在阴极和参考端之间可以引进R、C串联网络以做相位补偿。图:推荐的应用电路及电压输出图是一个最简单的VDC稳压电路。作为基准器件TL可以在恒压源、恒流源等电路中广泛采用。我们前面讲到的开关电源就广泛地使用这个器件作为比较基准。  图:精密V稳压器 第二节:光电耦合器在数字开关电源中的应用一关于光电耦合器对于开关电源隔离技术和抗干扰技术是至关重要的随着电子元器件的迅速发展光电耦合器的线性度越来越高是目前在单片机和开关电源中用得最多隔离抗干扰器件。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线受光器接受光线之后就产生光电流从输出端流出从而实现了“电光电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器由于它具有体积小、寿命长、无触点抗干扰能力强输出和输入之间绝缘单向传输信号等优点在数字电路上获得广泛的应用。图:光电耦合器及其典型用法实际上光电耦合器有晶体管、达林顿、可控硅、磁效应管等多种输出形式。通常的光电耦合器由于它的非线性因此在模拟电路中的应用只限于对较高频率的小信号的隔离传送。普通光耦合器只能传输数字(开关)信号不适合传输模拟信号。近年来问世的线性光耦合器能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号使其应用领域大为拓宽。二.光耦合器的性能特点及其抗干扰作用光耦合器的主要优点是单向传输信号输入端与输出端完全实现了电气隔离抗干扰能力强使用寿命长传输效率高。它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小它所能提供的电流并不大不易使半导体二极管发光。光电耦合器的外壳是密封的它不受外部光的影响。光电耦合器的隔离电阻很大、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。线性方式工作的光电耦合器是在光电耦合器的输入端加控制电压在输出端会成比例地产生一个用于进一步控制下一级的电路的电压。它由发光二极管和光敏三极管组成当发光二极管接通而发光光敏三级管导通。光电耦合器是电流驱动型需要一定的电流才能使发光二极管导通如果输入信号太小发光二极管不会导通其输出信号将失真。在开关电源中利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路通过调节控制端电流来改变占空比达到精密稳压目的。在开关电源中我们是采用电压环进行闭环调节实现输出电压的稳定输出的光电耦合器作为输入采样、反馈信号、输出驱动的隔离器件。一方面光电耦合器可以起到隔离两个系统地线的作用使两个系统的电源相互独立消除地电位不同所产生的影响。另一方面光电耦合器的发光二极管是电流驱动器件可以形成电流环路的传送形式电流环路是低阻抗电路对噪音的敏感度低提高了系统的抗干扰能力起到了电磁兼容和隔离抗干扰的作用不会因为电路中的高频电流的电磁干扰对控制电路产生干扰。三.光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极发射极饱和压降VCE(sat)。此外在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间等参数。电流传输比CTR是光耦合器的重要参数通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。其公式为:CTR=(IOIF)X采用一只光敏三极管的光耦合器CTR的范围大多为~(如N)而PC则为~达林顿型光耦合器(如N)可达~。这表明欲获得同样的输出电流后者只需较小的输入电流。因此CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。普通光耦合器的CTRIF特性曲线呈非线性在IF较小时的非线性失真尤为严重因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTRIF特性曲线具有良好的线性度特别是在传输小信号时其交流电流传输比(ΔCTR=ΔICΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此它适合传输模拟电压或电流信号能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。四.线性光耦合器的产品及选取原则使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离在设计电路时必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的N××系列(如N、N、N)光耦合器目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性其线性度差适宜传输数字信号(高、低电平)可以用于单片机的输出隔离所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。开关电源则应该选择线性光电耦合器上表给出了常见的线性光电耦合器及主要数据。其次必须正确选择线性光耦合器的型号及参数。第三除了必须遵循普通光耦的选取原则外还必须考虑合理选择CTR值。光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是~。这是因为当CTR<时光耦中的LED就需要较大的工作电流(IF>mA)才能正常控制单片开关电源IC的占空比这会增大光耦的功耗。若CTR>在启动电路或者当负载发生突变时有可能将单片开关电源误触发影响正常输出。第三节:电磁兼容技术与噪声一.开关电源的电磁干扰    开关电源因具有体积小、重量轻、效率高、工作可靠、可远程监控等优点而广泛应用于工业、通讯、军事、民用、航空等各个领域。在很多场合开关电源特别是通信开关电源要有很强的抗电磁干扰能力如对浪涌、电网电压波动的适应能力对静电干扰、电场、磁场及电磁波等的抗干扰能力保证自身能够正常工作以及对设备供电的稳定性。一方面因开关电源内部的功率开关管、整流或续流二极管及主功率变压器是在高频开关的方式下工作其电压电流波形多为方波。在高压大电流的方波切换过程中将产生严重的谐波电压及电流。这些谐波电压及电流一方面通过电源输入线或开关电源的输出线传出对与电源在同一电网上供电的其它设备及电网产生干扰使设备不能正常工作另一方面严重的谐波电压电流在开关电源内部产生电磁干扰从而造成开关电源内部工作的不稳定使电源的性能降低。还有部分电磁场通过开关电源机壳的缝隙向周围空间辐射与通过电源线、直流输出线产生的辐射电磁场一起通过空间传播的方式对其它高频设备及对电磁场比较敏感的设备造成干扰引起其它设备工作异常。因此对开关电源要限制由负载线、电源线产生的传导干扰及有辐射传播的电磁场干扰使处于同一电磁环境中的设备均能够正常工作互不干扰。二.国内外电磁兼容性标准电磁兼容性是指设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中的任何设备构成不能承受的电磁干扰的能力。要彻底消除设备的电磁干扰及对外部一切电磁干扰信号是不可能的。只能通过系统地制定设备与设备之间的相互允许产生的电磁干扰大小及抵抗电磁干扰的能力的标准才能使电气设备及系统间达到电磁兼容的要求。国内外大量的电磁兼容性标准为系统内的设备相互达到电磁兼容性制订了约束条件。国际无线电干扰特别委员会(CISPR)是国际电工委员会(IEC)下属的一个电磁兼容标准化组织设六个分会。早在年就开展EMC标准的研究。其中第六分会(SCC)主要负责制定关于干扰测量接收机及测量方法的标准。CISPR《无线电干扰和抗干扰度测量设备规范》对电磁兼容性测量接收机、辅助设备的性能以及校准方法给出了详细的要求。CISPR《无线电干扰滤波器及抑制元件的抑制特性测量》制订了滤波器的测量方法。CISPR《信息技术设备无线电干扰限值和测量方法》规定了信息技术设备在~MHz频率范围内产生的电磁干扰限值。CISPR《信息技术设备抗扰度限值和测量方法》规定了信息技术设备对外部干扰信号的时域及频域的抗干扰性能要求。其中CISPR、CISPR及CISPR构成了信息技术设备包括通信开关电源设备的电磁兼容性测试内容及测试方法要求是目前通信开关电源电磁兼容性设计的最基本要求。IEC最近也出版了大量的基础性电磁兼容性标准其中最有代表性的是IEC系列标准。它规定电子电气设备的雷击、浪涌(SURGE)、静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)、电流谐波、电压跌落、电压瞬变及短时中断、电压起伏和闪烁、辐射电磁场、由射频电磁场引起的传导干扰抗扰度、传导干扰及辐射干扰等的电磁兼容性要求。另外美国联邦委员会制定的FCC、德国电气工程师协会制订的VDE、A、VDE、A、VDE都对通信设备的电磁兼容性提出了要求。我国对电磁兼容性标准的研究比较晚采取的最主要的办法是引进、消化、吸收洋为中用是国内电磁兼容性标准制订的最主要方法。年信息产业部根据CISPR、IEC系列标准及ITUT标准制定了YDT《通信电源设备电磁兼容性限值及测量方法》详尽规定了通信电源设备包括通信开关电源的电磁兼容性的具体测试项目、要求及测试方法为通信电源电磁兼容性的检验、达标并通过入网检测明确了设计目标。国标也等同采用了相应的国际标准。如GBT~系列标准等同采用了IEC系列标准GB《信息技术设备的无线电干扰限值及测量方法》等同采用CISPRGBT《信息技术设备抗扰度限值和测量方法》等同采用CISPR。三.开关电源的电磁兼容性问题电磁兼容产生的三个要素为:干扰源、传播途径及受干扰体。开关电源因工作在开关状态下其引起的电磁兼容性问题是相当复杂的。从整机的电磁兼容性讲主要有共阻抗耦合、线间耦合、电场耦合、磁场耦合和电磁波耦合几种。.共阻抗耦合主要是干扰源与受干扰体在电气上存在共同阻抗通过该阻抗使干扰信号进入受干扰对象。.线间耦合主要是产生干扰电压及干扰电流的导线或PCB线因并行布线而产生的相互耦合。.电场耦合主要是由于电位差的存在产生的感应电场对受干扰体产生的耦合。.磁场耦合主要是大电流的脉冲电源线附近产生的低频磁场对干扰对象产生的耦合。.而电磁波耦合主要是由于脉动的电压或电流产生的高频电磁波通过空间向外辐射对相应的受干扰体产生的耦合。实际上每一种耦合方式是不能严格区分的只是侧重点不同而已。在开关电源中主功率开关管在很高的电压下以高频开关方式工作开关电压及开关电流均为方波该方波所含的高次谐波的频谱可达方波频率的次以上。同时由于电源变压器的漏电感及分布电容以及主功率开关器件的工作状态并非理想在高频开或关时常常产生高频高压的尖峰谐波振荡。该谐波振荡产生的高次谐波通过开关管与散热器间的分布电容传入内部电路或通过散热器及变压器向空间辐射。用于整流及续流的开关二极管也是产生高频干扰的一个重要原因。因整流及续流二极管工作在高频开关状态由于二极管的引线寄生电感、结电容的存在以及反向恢复电流的影响使之工作在很高的电压及电流变化率下而产生高频振荡。因整流及续流二极管一般离电源输出线较近其产生的高频干扰最容易通过直流输出线传出。开关电源为了提高功率因数均采用了有源功率因数校正电路。同时为了提高电路的效率及可靠性减小功率器件的电应力大量采用了软开关技术。其中零电压、零电流或零电压零电流开关技术应用最为广泛。该技术极大地降低了开关器件所产生的电磁干扰。但是软开关无损吸收电路多利用L、C进行能量转移利用二极管的单向导电性能实现能量的单向转换因而该谐振电路中的二极管成为电磁干扰的一大干扰源。开关电源中一般利用储能电感及电容器组成L、C滤波电路实现对差模及共模干扰信号的滤波以及交流方波信号转换为平滑的直流信号。由于电感线圈分布电容导致了电感线圈的自谐振频率降低从而使大量的高频干扰信号穿过电感线圈沿交流电源线或直流输出线向外传播。滤波电容器随着干扰信号频率的上升由于引线电感的作用导致电容量及滤波效果不断下降直至达到谐振频率以上时完全失去电容器的作用而变为感性。不正确地使用滤波电容及引线过长也是产生电磁干扰的一个原因。开关电源PCB布线不合理、结构设计不合理、电源线输入滤波不合理、输入输出电源线布线不合理、检测电路的设计不合理均会导致系统工作的不稳定或降低对静电放电、电快速瞬变脉冲群、雷击、浪涌及传导干扰、辐射干扰及辐射电磁场等的抗扰性能力。四.电磁兼容性研究及解决方法电磁兼容性的研究。一般运用CISPR及IEC中规定的电磁场检测仪器及各种干扰信号模拟器、附助设备在标准测试场地或实验室内部通过详尽的测试分析、结合对电路性能的理解来进行分析研究。从电磁兼容性的三要素讲要解决开关电源的电磁兼容性可从三个方面入手。)减小干扰源产生的干扰信号)切断干扰信号的传播途径)增强受干扰体的抗干扰能力。在解决开关电源内部的电磁兼容性时可以综合运用上述三个方法以成本效益比及实施的难易性为前提。对开关电源产生的对外干扰如电源线谐波电流、电源线传导干扰、电磁场辐射干扰等只能用减小干扰源的方法来解决。一方面可以增强输入输出滤波电路的设计改善有源功率因数校正(APFC)电路的性能减少开关管及整流续流二极管的电压电流变化率采用各种软开关电路拓扑及控制方式等。另一方面加强机壳的屏蔽效果改善机壳的缝隙泄漏并进行良好的接地处理。而对外部的抗干扰能力如浪涌、雷击应优化交流输入及直流输出端口的防雷能力。通常对µs开路电压及µs短路电流的组合雷击波形因能量较小可采用氧化锌压敏电阻与气体放电管等的组合方法来解决。对于静电放电通常在通信端口及控制端口的小信号电路中采用TVS管及相应的接地保护、加大小信号电路与机壳等的电距离或选用具有抗静电干扰的器件来解决。快速瞬变信号含有很宽的频谱很容易以共模的方式传入控制电路内采用防静电相同的方法并减小共模电感的分布电容、加强输入电路的共模信号滤波(如加共模电容或插入损耗型的铁氧体磁环等)来提高系统的抗扰性能。减小开关电源的内部干扰实现其自身的电磁兼容性提高开关电源的稳定性及可靠性应从以下几个方面入手:注意数字电路与模拟电路PCB布线的正确区分、数字电路与模拟电路电源的正确去耦注意数字电路与模拟电路单点接地、大电流电路与小电流特别是电流电压取样电路的单点接地以减小共阻干扰、减小地环的影响布线时注意相邻线间的间距及信号性质避免产生串扰减小地线阻抗减小高压大电流线路特别是变压器原边与开关管、电源滤波电容电路所包围的面积减小输出整流电路及续流二极管电路与直流滤波电路所包围的面积减小变压器的漏电感、滤波电感的分布电容采用谐振频率高的滤波电容器等。关于传播途径有如下问题值得注意。MCU与液晶显示器的数据线、地址线工作频率较高是产生辐射的主要干扰源小信号电路是抗外界干扰的最薄弱环节适当地增加高抗干扰能力的TVS及高频电容、铁氧体磁珠等元器件以提高小信号电路的抗干扰能力与机壳距离较近的小信号电路应加适当的绝缘耐压处理等。功率器件的散热器、主变压器的电磁屏蔽层要适当接地综合考虑各种接地措施有助于提高整机的电磁兼容性。各控制单元间的大面积接地用接地板屏蔽可以改善开关电源内部工作的稳定性。在整流器的机架上要考虑各整流器间电磁耦合、整机地线布置、交流输入中线、地线及直流地线、防雷地线间的正确关系、电磁兼容量级的正确分配等。第四节:功率因素校正技术简述对开关电源来讲功率因素校正技术是一门新兴的技术它对提高开关电源效率发挥了重要的作用。这里我们只简单介绍其概念和基本原理不对实际电路进行介绍。感兴趣的读者可以自行查阅相关资料。一.校正技术的提出和标准传统的开关电源功率因素为效率极低而且高次谐波含量高。采用了功率因素校正技术的电源功率因素可以提高到。开关电源校正的概念起源于年在年代末和年代获得重视和推广。欧洲和日本相继对开关电源的谐波提出了控制标准目前有两个沿用的标准:IEC和IEC。由于对电源效率品质和电磁兼容性要求的日益提高开关电源功率因素校正技术成为开关电源的研究热点之一。二.功率因素校正的基本原理如果输入整流电路之后直接接电阻性负载则整流后的波形为正弦波功率因素基本为高次谐波成分很低。但由于实际电路中L、C滤波等的作用电流、电压造成相差而且电容的充放电电流、电感的电压等都会造成尖脉冲从而造成高次谐波的产生和功率因素的明显下降。我们假想如果在整流电路和变换器之间插入一级隔离电路使得输入电路的综合负载接近于电阻性则功率因素可望得到提高。三.功率因素校正电路(PFC)实际的功率因素校正电路有两类:无源校正电路依靠无源元件电路改善功率因素减小电流谐波其电路简单但体积庞大现在很少采用。有源校正电路在输入电路和DCDC变换器之间插入一个变换器通过特定控制电路使得电流跟随电压并反馈输出电压使之稳定从而使DCDC变换器实现预稳。这个方案电路复杂但体积明显减小因而成为PFC技术的主要研究方向。对有源PFC技术原来采用两级变换器第一级专门作为PFC前置级第二级用于DCDC变换。现在开始研究单级变换器即把相关可以合并的部分做到同一级中形式上雷同于一级变换器电路。四.集成PFC控制器针对PFC技术的研究日益成熟后陆续又开发了一系列PFC集成控制电路。UC、UC、TDA、FAP、FAP等都是这类控制芯片。可以说从控制技术上来将软开关技术、PFC技术是提高电源品质的双刃剑有关研究方兴未艾。<全文完>LXSFDSSDCSSMTLVDCRRLMPSONA第二电源VRVCRTLVDCPSOK去主板RRRRDQQPSON信号辅助电源VDC过压保护电路的过压保护信号来自过压保护电路CCRRRRRRRTL死区时间控制VTL主板Vi去PSON电路去POWERGOOD电路去TLVcc去PSON电路来自V电路VTL去TL死区时间控制(脚)DDQQRRTCDRCVccARRTLVDC基准CRVDC反馈VDC反馈RRRRV反馈V反馈DCGndBA电压反馈信号CCTUoNNNRLSSUiCTTUiT图个人计算机电源电路原理图VQ死区封锁时间VCK振荡器脚信号脚电位ttt反相输入同相输入输出控制CECVTVTVVmAVDCUV封锁≥≥死区时间比较器DQCKQVDC补偿PWM比较输入反相输入VccRTVREF同相输入CTGND死区时间控制≥振荡器PWM比较器E基准稳压器ECVcc输出控制EVREF反向输入同相输入CGNDRTCT死区时间控制补偿PWM比较输入反向输入同相输入TLCOMPUFBRTCTVREFVccGndOUTISENSEVDCGndVDCGndVDCLLLVDVDVDVDVDVDRRRRRTRRRCCCCCCCCCCTCCCCRCRRVACRViUCVDCRRUVLOUREFOUTPUTISENSECOMPUFBCTRTGNDUccTVref振荡器误差放大器PWM锁存电流取样�比较器SR内部偏置V基准VccREFGndOUTPUTRTCTISENSEUFBCOMPUCTCRRRCRTCTCvRmRaCRRRCVDCVDVDLCCTMLrCrRVDVoutViRTCTZEROOUTPGndVccOUTFAULTSVREFCvRmRaSGndUrVUC误差放大器SGndVOUTUccPGndOUTRTCTZEROCvRmRaUrSVREFFAULTVV零点比较器故障比较器VDC电压发生器欠压锁定电路输出级控制逻辑器延时定时器压控振荡器故障锁存器和延时锁存器RTCTZEROOUTPGndVccOUTFAULTSVREFCvRmRaSGndUrVUCSCCUiNNCCUoRRRTVDVDL,,k光电光电uF,VuF,VSSCMCCVccVccknFnF去反馈电路ViGnd**ONOFFKKCCLMCLMDETk第三绕组A去启动电路kC,去电流极限电路去MOSFET驱动VoutKVFkΩΩΩ从输出从输出光电Vcc光电GndOVP过压保护*VoVV光电GndkRoffkRonCFnFkC,去电流极限电路kkCV,uFGndTRSDTRkkkkkVcc去反馈电路,A去MOSFET的D极CV,uFTHJGnFGndCCSSLCCNV,AGCCCV,uFTH,ΩJGNLkkkuFVcc光电光电VccOVPONOFFkkkHeatSinkFBDETVoutCECTCLMCLMVFToffTonCFGnd去输出电路VccVinFkkkCV,uFGndTRSDTRkkkkkVcc,,nF,,k光电光电uF,VuF,VSSCMCCGViGndCCSSLCCNV,ACCCV,uFTH,ΩJGNLkkkuFGVOUTVCCCCSCCCLLKVDVDCCSSSSRViCrLrLRLSCbVDVDVDVDCCCCSSSSRUosICSSRCRLRVDSVDCRUinSCLLRVDSVDCRUosIRCRSLRCSSRCCLMUosVDVDILRSSRCSLLVDVDCRUosCRVDCSRSUinVDLLSLRILRIVDSIttttttttttVCVSiLSONONVCVSiLSttttttttVCSRLCLLVDVDViiVCSRLCLLVDVDViVDCLSVDCLSCLSCLSVDCLSVDCLSoffonTsUsSToffTonTsIsSVDCrLrSUiIcVDCrLrSUiIcVDVDLTUoUiNNNNRCSSVDVDVDNNTUoUiNNNNRCSSCLUiVDNSUoRLCTCNUiVDVDNSUoNRLCNTSSTUoNNNRLSSUiCCCTUoNNNRLSSUiCTUoUiNNNNRCLSSUiSLVDUoRLCTCNLCIDVDVDIDSIDUoIDUiIDCIDLIDVDIDSIDUoIDUiIDCIDLIDVDIDSIDUoIDPM电路(类型PFM)控制电路输出电路变换电路输入电路浪涌抑制整流滤波功率因素校正保护电路滤波整流变压器开关器件基极驱动震荡器VF转换基准电源比较放大采样电路UCEMICM安全工作区UCEICMOSFETIGBTVONIICIDVGEVCEUGEICEGEGCCRONPCMCIDMVDSMVDSIDQGVGSVGSVDSIDIDUGSIDRRCRCCRDRRRVRDUUC高压电流源过流比较器前沿闭锁电路轻载频率降低并联调整器误差放大器过热滞后保护分频门驱动板并联基准RSRLRLRS串联基准VREFVREFIQILILIQIFIFPAG

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