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RTS-8型四探针测试仪用户手册.doc

RTS-8型四探针测试仪用户手册.doc

上传者: shiguokang 2010-08-22 评分 5 0 103 14 467 暂无简介 简介 举报

简介:本文档为《RTS-8型四探针测试仪用户手册doc》,可适用于生产运营领域,主题内容包含RTS四探针测试仪用户手册目  录概述   技术指标  测量原理简介   仪器面板说明   使用方法关于低阻测量关于高阻测量附录A:脱机测量样品基本符等。

RTS四探针测试仪用户手册目  录概述   技术指标  测量原理简介   仪器面板说明   使用方法关于低阻测量关于高阻测量附录A:脱机测量样品基本操作流程附表B:直径修正系数F(DS)与DS值的关系附表C:厚度修正系数F(WS)与WS值的关系附录D:SA探针台探头更换指导感谢您使用我们的产品!如您是首次使用本仪器请先详读本说明书并妥善保留之以备查阅之用。如有问题欢迎致电:或登陆:httpwwwprobescom 概     述RTS型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国ASTM标准而设计的专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、探针测试台、四探针探头、计算机等部分组成测量数据既可由四探针测试仪主机直接显示亦可与计算机相连接通过四探针软件测试系统控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据把采集到的数据在计算机中加以分析然后把测试数据以表格图形直观地记录、显示出来。用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看还可以把采集到的数据输出到Excel中让用户对数据进行各种数据分析。仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。 技 术 指 标测量范围 电阻率:~Ωcm 方块电阻:~Ω电阻:~Ω电导率:~scm可测晶片直径:mmXmm(配SA型测试台)mmXmm(配SB型测试台)mmXmm(配SC型测试台)恒流源电流量程分为μA、μA、μA、mA、mA、mA六档各档电流连续可调数字电压表 量程及表示形式:~mV     分辨力:μV输入阻抗:>MΩ精度:显示:四位半红色发光管数字显示极性、超量程自动显示  四探针探头基本指标间距:mm针间绝缘电阻:MΩ机械游移率:%探针:碳化钨或高速钢材质探针直径Фmm探针压力:~牛顿(总力)四探针探头应用参数见探头附带的合格证合格证含三参数项:C:探针系数F:探针间距修正因子S:探针平均间距模拟电阻测量相对误差(按JJG进行)Ω、Ω、Ω、Ω、Ω、Ω、Ω%1字整机测量最大相对误差(用硅标样片:Ωcm测试)%整机测量标准不确定度%外型尺寸(大约)电气主机:mmmmmmSA型测试台:mmmmmmSB型测试台:mmmmmmSC型测试台:mmmmmm仪器重量(大约)电气主机:kgSA型测试台:kgSB型测试台:kgSC型测试台:kg标准使用环境温度::相对湿度:%无高频干扰无强光直射*注意:使用μA量程时允许有小于nA的空载电流最好在相对湿度小于时使用。.测量 原 理将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上在、探针间通以电流I(mA)、探针间就产生一定的电压V(mV)(如图)。测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同可分别按以下公式计算样品的电阻率、方块电阻、电阻:`薄圆片(厚度mm)电阻率:F(DS)F(WS)WFspΩcm…()其中:D样品直径单位:cm或mm注意与探针间距S单位一致S平均探针间距单位:cm或mm注意与样品直径D单位一致(四探针头合格证上的S值)W样品厚度单位:cm在F(WS)中注意与S单位一致Fsp探针间距修正系数(四探针头合格证上的F值)F(DS)样品直径修正因子。当D时F(DS)=有限直径下的F(DS)由附表B查出:F(WS)样品厚度修正因子。WS<时F(WS)=WS>时F(WS)值由附表C查出I、探针流过的电流值选值可参考表(第页表)V、探针间取出的电压值单位mV薄层方块电阻R:R=F(DS)F(WS)FspΩ…()其中:D样品直径单位:cm或mm注意与探针间距S单位一致S平均探针间距单位:cm或mm注意与样品直径D单位一致(四探针头合格证上的S值)W样品厚度单位:cm在F(WS)中注意与S单位一致Fsp探针间距修正系数(四探针头合格证上的F值)F(DS)样品直径修正因子。当D时F(DS)=有限直径下的F(DS)由附表B查出:F(WS)样品厚度修正因子。WS<时F(WS)=WS>时F(WS)值由附表C查出I、探针流过的电流值选值可参考表(第页表)V、探针间取出的电压值单位mV双面扩散层方块电阻R可按无穷大直径处理此时F(DS)=由于扩散层厚度W远远小于探针间距故F(WS)=此时R=Fsp单面扩散层、离子注入层、反型外延层方块电阻此时F(DS)值应根据DS值从附表C中查出。另外由于扩散层、注入层厚度W远远小于探针间距故F(WS)=此时有R=F(DS)Fsp棒材或厚度大于mm的厚片电阻率ρ:当探头的任一探针到样品边缘的最近距离不小于S时测量区的电阻率为:Ωcm…()其中:C=πS为探针系数单位:cm(四探针头合格证上的C值)S的取值来源于:S=(SS–(SS)–(SS))S为()针、S为()针、S为()针的间距单位:cmI、探针流过的电流值单位mA,选值可参考表(第页表)V、探针间取出的电压值单位mV电阻的测量:应用恒流测试法电流由样品两端流入同时测量样品两端压降。样品的电阻为:Ω…()其中:I样品两端流过的电流值单位mA,选值可参考表(第页表)V样品两端取出的电压值单位mV仪器电气原理如下图所示.仪 器 面板 说 明RTS型四探针测试仪主要由主机(电气测量装置)、测试台、计算机组成三部分独立放置通过连接线联接。该四探针测试仪亦可脱离计算机单独使用。仪表前面板说明项目说明K,K,K,K,K,K测量电流量程选择按键共个量程,当按相应的量程时此量程按钮上方的指示灯会亮。K“Rρ”测量选择按键即是测量样品的方块电阻还是电阻率的选择按键开机时自动设置在“R”位。按下此按键会在这两种测量状态下切换按键上方的相应的指示灯会亮表示现处的测量类别。K“电流测量“方式选择按键开机时自动设置在“I”位按下此按键会在这两种模式下切换按键上方的相应的指示灯会亮表示现处的状态。即当处在“I”时表示数据显示屏显示的是样品测量电流值用户可根据测量样品调节量程按键或电位器获得适合样品测量的电流。当在“ρR”时表示现处于测量模式下数据显示屏显示的是方块电阻或电阻率的测量值。K电流换向按键按键上方的灯亮时表示反向。灭时表示正向。K低阻测试扩展按键(只在mA量程档有效),按键上方的灯指示开、关的状态。W,WW-电流粗调电位器W-电流细调电位器。P与计算机通讯的并口接口。L显示测试值的数据显示屏在不同的测试状态下分别用来显示样品的测试电流值、方块电阻测量值、电阻率测量值。U测试值的单位指示灯。备注:连机测量时用户只需对前面板电位器W、W进行操作(调节样品测试电流值)。前面板的其它按键用户不需在主机上操作在测量时完全由计算机控制。主机后面板安装情况如下图所示:项目说明电源开关四探针探头连接插座保险管电源插座输出控制端口 使 用 方 法RTS型四探针测试仪可以单独使用也可以跟计算机相连接使用。跟计算机相连接的使用方法请参考随机配带的《RTS型四探针测试仪软件测试系统》用户手册。以下介绍四探针测试仪主机单独使用(脱机使用)测试的方法。首先按后面板说明用连接电缆将四探针探头与主机连接好接上电源再按以下步骤进行操作:开启主机电源开关此时“R”和“I”指示灯亮。预热约分钟估计所测样品方块电阻或电阻率范围:按表和表选择适合的电流量程对样品进行测量按下K(uA)、K(uA)、K(uA)、K(mA)、K(mA)、K(mA)中相应的键选择量程(如无法估计样品方块电阻或电阻率的范围则可先以“μA”量程进行测量再以该测量值作为估计值按表和表选择电流量程得到精确的测量结果)方块电阻测量时电流量程选择表(推荐)方块电阻(Ω)电流量程<mA~mA~mA~uA~uA>uA电阻率测量时电流量程选择表(推荐)电阻率(Ωcm)电流量程<mA~mA~mA~uA~uA>uA表表确定样品测试电流值:放置样品压下探针使样品接通电流。主机此时显示电流数值。调节电位器W和W即可得到所需的测试电流值。推荐按以下方法根据不同的样品测试类别计算出样品的测试电流值然后调节主机电位器使测试电流为此电流值即可方便得到需要测试样品的精确测试结果。测试薄圆片(厚度mm)的电阻率:按以下公式:(详细说明见“测量原理简介”) ρ=VIF(DS)F(WS)WFspn(Ωcm)选取测试电流I:I=F(DS)F(WS)WFspn。(式中各参数按“测量原理简介”中的定义可分别得出n是整数与量程档有关)然后按此公式计算出测试电流数值。在仪器上调整电位器“W”和“W”使测试电流显示值为计算出来测试电流数值。按以上方法调整电流后,按“K”键选择“Rρ”,按“K”键选择“ρ”,仪器则直接显示测量结果(Ωcm)。然后按“K”键进行正反向测量正反向测量值的平均值即为此点的实际值。例:测厚度为mm、直径为mm的硅片巳知F=由于探针平均间距S=mm故DS=从附表B中查得F(DS)=附表C中查得F(WS)=故I=n=n显示器显示电流数为例:测厚度为mm、直径为mm的硅片巳知F=由于探针平均间距S=mm故DS=从附表B中查得F(DS)=附表C中查得F(WS)=故I=n=n显示器显示电流数为例:测厚度为mm、直径为mm的硅片巳知F=由于探针平均间距S=mm故DS=从附表B中查得F(DS)=附表C中查得F(WS)=故I=n=n显示器显示电流数为测试薄层方块电阻R:按以下公式:(详细说明见“测量原理简介”) R=VIF(DS)F(WS)Fspn(Ω)选取测试电流I:I=F(DS)F(WS)Fspn。(式中各参数按“测量原理简介”中的定义可分别得出n是整数与量程档有关)然后计算出测试电流值。在仪器上调整电位器“W”和“W”使测试电流显示值为计算出来测试电流数值。按以上方法调整电流后,按“K”键选择“Rρ”,按“K”键选择“R”,仪器则直接显示测量结果(Ω)。然后按“K”键进行正反向测量正反向测量值的平均值即为此点的实际值。例:测单面扩散层的硅片方块电阻。巳知D=mmF=从附表B中查得F(DS)=故I=n=n显示器显示电流数为例:测双面扩散层的硅片方块电阻。巳知F=从附表B中查得F(DS)=F(WS)=故I=n=n显示器显示电流数为例:测离子注入层的硅片方块电阻。已知D=mmF=从附表B中查得F(DS)=故I=n=n显示器显示电流数为。测试棒材或厚度大于mm的厚片电阻率ρ:按以下公式:(详细说明见“测量原理简介”) ρ=VICn(Ωcm)选取测试电流I:I=Cn。(式中参数C的说明见“测量原理简介”,n是整数与量程档有关)然后得出测试电流值。在仪器上调整电位器“W”和“W”使测试电流显示值为计算出来测试电流数值。按以上方法调整电流后,按“K“键选择“Rρ”,按“K”键选择“ρ”,仪器则直接显示测量结果(Ωcm)。然后按“K”键进行正反向测量正反向测量值的平均值即为此点的实际值。例:巳知某一四探针头C=故I=n显示器显示电流数为。测试电阻R:按以下公式:(详细说明见“测量原理简介”) R=VIn(Ω)选取测试电流I:I=n。显示器显示电流数为。在仪器上调整电位器“W”和“W”使测试电流显示值为计算出来测试电流数值。按以上方法调整电流后,按“K”键选择“Rρ”,按“K”键选择“ρ”,仪器则直接显示测量结果(Ω)。然后按“K”键进行正反向测量正反向测量值的平均值即为此点的实际值。关于低阻测量当样品电阻率Ωcm或方块电阻Ω或电阻Ω时,为提高测量的准确性请使用低阻扩展按键“SPOH(K键)“。测试步骤(假设低阻扩展按键未按下此时SPOH上方指示灯灭如该指示灯亮则为低阻扩展测试)计算电流。按照“使用方法”四种测试类别的测试电流计算公式得出样品测试电流值调整电流。仪器选择“mA“电流档放置样品并使探头接触之调整电流使电流数为计算电流值测量取数。在仪器选择“Rρ“测量位如仪器显示值仅为位或位有效数字此时可把低阻测量按键按下获得样品的电阻率或方块电阻值说明:低阻测量按键只对mA量程档有效。关于高阻测量当样品电阻率kΩcm或方块电阻kΩ或电阻kΩ时,定义为高阻。测试步骤:计算电流。按照“使用方法”四种测试类别的测试电流计算公式得出样品测试电流值调整电流。如按以上计算出的电流数为:****。则在仪器上选择“uA“电流档放置样品并使探头接触之按电流减小方向调整电流为***(μA)测量取数。在仪器上选择“Rρ”测量位这时仪器显示值乘以为本次测试的样品电阻率或方块电阻或电阻值说明:以上方法是在理想情况下推出的仪器使用方法。如有实际问题不能符合请与我们联系。附录A:脱机测量样品基本操作流程附表B:直径修正系数F(DS)与DS值的关系位置F(DS)值DS值中心点半径中点距边缘mm处>附表C:厚度修正系数F(WS)与WS值的关系WS值F(WS)WS值F(WS)WS值F(WS)WS值F(WS)<,WWLUPKKKKKKKKKKV图1直线四探针法测试原理图并行通讯接口计算机V电源滤波(一)滤波稳压(二)恒流电流选档换向控制样品测试AD转换显示显示器打印机INPUTPORTFUSEVONOFF按“K”键进行正反向测量正反向测量值的平均值即为此点的实际值估计测试样品的测量范围确定测试的电流量程(KK键)根据不同的测试类别切换“K”键获是样品的电阻率、方块电阻、电阻切换“K”按键到“ρR”测量状态“K”键在“I”电流状态下调节主机电位器使测试电流为算出的电流值根据四种测试类别各自的测试电流计算公式得出测试电流值测试薄层方块电阻测试电阻测试棒材或厚度大于mm的厚片电阻率测试薄圆片(厚度mm)电阻率将四探针测试仪主机、测试台、四探针探头连接接通电源开启主机放置样品于测试台操作探针台压下四探针头使样品接通电流PAGEunknownunknownunknownunknownunknownunknown

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