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N吸附SrTiO3(001)表面电子结构的第.docx

N吸附SrTiO3(001)表面电子结构的第

刘海田
2017-05-31 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《N吸附SrTiO3(001)表面电子结构的第docx》,可适用于经济金融领域

MaterialSciences材料科学,,(),PublishedOnlineJanuaryinHansInvestigationofElectronicStructuresofSrTiO()SurfacewithNAdsorptionbyFirstPrinciplesLiminFang,KelunZhao*DepartmentofPhysics,GuangdongUniversityofEducation,GuangzhouGuangdongSchoolofMechanicalandAutomotiveEngineering,SouthChinaUniversityofTechnology,GuangzhouGuangdongthththReceived:Nov,accepted:Dec,published:Dec,Copyright©byauthorsandHansPublishersIncThisworkislicensedundertheCreativeCommonsAttributionInternationalLicense(CCBY)OpenAccessAbstractItiswellknownthatNdopedSrTiOhasbeensuccessfullyusedtodevelopsemiconductordiodesinabluelightregion,transparentconductivefilmsandperovskiteoxidesheterojunctionopticalelectricdevicesThefirstprinciplesPlaneWavePseudoPotential(PWPP)calculationshavebeenperformedtoinvestigatetheatomicconfiguration,chemicalbondcharacteristics,andelectronicstructureofNatomicadsorptiononSrTiO()surfacewiththeexplanationsoftherelatedexperimentphenomenainthepresentstudyTheseresultsindicatedthatthestabilityoftheadsorbedNonthesurfacedependsontherelativepositionofNatomtothesurfacebyanalysisofadsorptionenergy,substitutionenergyanddensityofstatesKeywordsAdsorption,Surface,ElectronicStructure,AtomicConfiguration,ChemicalBondCharacteristics,FirstPrinciplesN吸附SrTiO()表面电子结构的第一性原理研究房丽敏赵可沦*通讯作者。文章引用:房丽敏,赵可沦N吸附SrTiO()表面电子结构的第一性原理研究J材料科学,,():房丽敏赵可沦广东省第二师范学院物理系广东广州华南理工大学机械与汽车工程学院广东广州收稿日期:年月日录用日期:年月日发布日期:年月日摘要N掺杂SrTiO材料已成功用于研制蓝光波段发光二极管、高透明导电薄膜和钙钛矿氧化物光电子器件。本文采用第一性原理平面波赝势方法对N吸附SrTiO()表面的原子构型、化学键特征和电子结构进行了计算研究并解释了In掺杂SrTiO导电薄膜的相关实验现象。通过吸附能、置换能和态密度的比较分析发现SrTiO()表面吸附N原子的稳定性与N原子相对表面层的位置密切相关。关键词吸附表面电子结构原子构型化学键特征第一性原理引言在众多氧化物催化剂中钙钛矿型SrTiO具有耐光化学腐蚀好性能稳定禁带宽度较为适合和导带电位比金红石型TiO更低的特点因此SrTiO是一种具有极大应用前景的光催化材料。纯SrTiO本身具有一定的光催化活性但其较大的光学带隙(eV)限制了其实际应用为了提高纯SrTiO的光催化活性人们参考掺杂TiO系列催化材料的方法探索各种SrTiO掺杂物的光催化功效以及微观机制。因此N掺杂SrTiO材料光催化性质和电子结构的微观机制引起了人们的广泛研究。首先Wang等运用机械化学法制备了单相N掺杂SrTiO光催化剂为制备单相掺杂SrTiO光催化剂提供了一种简单而有效的方法。Mi等利用X射线光电子发射谱和第一性原理方法分析了N掺杂效应对SrTiO薄膜电子结构和光学性质的影响位于Op价带边上方的局域Np价带电子态导致新的带隙形成。Liu等运用离子注入技术制备了N掺杂SrTiO单晶材料分析了N掺杂前后的样品晶格属性与光学性质。Marozau等运用PRCLA和RFPLD两种方法分别制备了沉积在SrTiO()LaAlO()和MgO()衬底表面的N掺杂SrTiO薄膜研究发现利用PRCLA方法生成的NSrTiO薄膜中N原子的掺杂浓度高于RFPLD方法且N原子掺杂浓度可通过调整沉积参数进行适当调节。由于大多数光催化性能的材料涉及到表面处理而且光催化材料的表面掺杂可能会影响某些材料表面的某些性质。例如对SrTiO表面相关性质的研究发现表面缺陷以及表面吸附效应将直接导致其表面原子结构畸变和电学性能以及化学反应微观机制的变化因此分析N吸附SrTiO表面的原子结构变化与电子结构特征具有重要的实际意义。所谓第一性原理平面波赝势方法就是在求解单电子薛定锷方程时用平面波展开电子的波函数ψn(k,r)对有效势VH(r)采取赝势近似。第一性原理平面波赝势方法目前已经成为固体能带计算中最成熟、应用最广泛的方法之一并且已成功用于研究SrTiO表面界面材料的原子结构和化学吸附现象。本文采用第一性原理平面波赝势方法讨论分析了N原子在SrTiO()表面不同位置的吸附能和置换能以及吸附N原子的稳定性并系统研究了N原子吸附SrTiO()表面的原子构型及其化学键特征的变化。实验本文采用第一性原理方法来研究N吸附SrTiO()表面的结构特征和电子结构。理论计算程序采用房丽敏赵可沦基于密度泛函理论平面波赝势(PWPP)方法的CASTEP程序包。交换关联相互作用采用CAPZ参数化形式的局域密度近似(LDA)方法来处理而对于Sr、Ti、O、N等原子的赝势则采用Vanderbilt形式的超软赝势。在计算过程中平面波的截止能量设为eV(Ry)它反映了基于平面波基矢各计算特性的收敛度。对于整个布里渊区的积分计算采用MonkhorstPack形式的特殊k点方法选取k点的数目也可以经过优化以保证系统能量收敛。通过共轭梯度法使基于平面波基矢的体系总能达到最小值。自洽场(SCF)计算采用基于Pulay算法的混合密度方案。SCF的容许误差设定为×−eVatom。为了计算研究N原子在SrTiO()表面的吸附效应我们建立了图所示三维周期性的SrTiO()表面薄层超胞模型。图(a)是以TiO原子层截止的×SrTiO()表面薄层超胞示意图其中包括个TiO以及个SrO原子层共含有个原子图(b)是以SrO原子层截止的×SrTiO()表面薄层超胞其中共包括个SrO以及个TiO原子层共含有个原子。二者都是选用了包含个原子层的薄层结构并含有两层对称且厚度为Å的真空层这足以满足计算结果收敛性并避免顶部和底部的相互作用并且此模型具有以中间层为镜面的周期对称性。其中I,II,III(,,)分别代表薄层超胞内(图(a)和图((b)所示)的表面层、次表面层和第三原子层。在此基础上我们建立了×SrTiO()表面薄层模型来分析N原子吸附后SrTiO()表面结构特征和电学性质的变化规律其中包括N直接吸附在表面层上和N置换表面薄层中O原子两种情况。对于N原子直接吸附的表面模型图(c)中逐个标明了对应N原子在表面层的不同吸附位置即表面层原子Tis(I),Os(I),Srs()和Os()以及间隙位置A和B。对于N原子置换吸附表面模型N原子分别置换位于表面层、次表面层和第三原子层上的Os(I)、Osub(II)和Ord(III)(Os(),Osub(),Ord())原子。在对SrTiO()表面薄层超胞模型的几何优化过程中所有结构参数都不受空间群对称性的限制因此经过连续迭代过程就可以使超胞几何结构优化以获得一个稳定的结构从而调节原子坐标和一些可能的超胞参数降低结构总能。Tis(I)AOs(I)Os(I)Tis(I)SurfaceSubsurfaceThirdMiddleOs()Srs()Srs()Os()B(a)(b)(c)FigureSchematicsofthecomputationalmodelsoftheSrTiO()surfaceinpresentstudyThe×supercellsoftheslabmodelwith(a)TiOterminatedand(b)SrOterminatedSrTiO()surface,respectively(c)Topviewofthesurfaceatomiclayerofthe×supercells,inwhichweillustratethedifferentadsorptionsitesforNonthesurfacelayer图本文理论计算的表面模型示意图。(a)和(b)分别代表TiO和SrO原子层截止SrTiO()表面的×薄层超胞模型(c)则是×表面薄层超胞模型的俯视图其中标明了N原子在表面层的不同吸附位置房丽敏赵可沦结果与讨论表面原子结构为了比较SrTiO()表面上不同吸附位置N原子的相对稳定性在每个表面模型结构优化完成后分别求出相应N原子的吸附能和置换能并仔细分析N原子吸附效应对SrTiO()表面原子结构的影响。N原子直接吸附SrTiO()表面N对于N直接吸附的表面模型N原子的吸附能Ead可以表示为:NadsEads=Esurf−Eperfect−E(N)()ads式中:Esurf和Eperfect分别表示N吸附表面模型和理想表面模型结构优化的总能。E(N)则代表一个孤立N分子的自旋极化总能。为了进行比较我们也计算了一个孤立N原子的吸附能即在公式()中用E(N)代替E(N)而E(N)则代表一个孤立N原子(p电子态)的自旋极化总能。根据公式()得到的吸附能若为负值则表示SrTiO()表面和N原子之间相互吸引因此由公式()定义的吸附能反映了表面不同位置对N原子的吸附强度。我们在表以及相应的讨论过程中采用了吸附能的绝对值这也意味着N原子吸附能量值越大则相应表面位置吸附的N原子更为稳定。据我们所知:DFTLDA方法易于高估材料的结合能(Bindingenergy)而结合能的精确度主要取决于交换关联泛函(exchangecorrelationfunctional)的选取形式即不同的交换关联泛函都会导致其计算结果与结合能绝对值(实验值)存在一定的差异。关于SrTiO表面吸附的理论研究发现:交换关联泛函即使是分别选取LDA近似和GGA近似相应结合能计算结果之间仅仅存在定性的差异而这两种方法的数值结果具有相同的变化趋势和结论。本文工作主要考虑N原子吸附能和置换能的相对变化趋势而不是其绝对值的大小因此本文研究的主要结论不会因为选择算法的差异而受到干扰。表给出了N在SrTiO()表面不同吸附位置的吸附能以及N原子与吸附位置的距离。由表可以看出相对于孤立N原子而言以N分子作为参考时计算所得的吸附能明显减小这说明表面吸附的孤立N原子更为稳定也意味着随着表面吸附N原子的数量逐渐增多则形成N分子脱离表面的可能性就越大。这是因为NN之间化学键强度要高于N和O所以SrTiO粉体和薄膜中NO键的热稳定性较低。其次对于TiO原子层截止的SrTiO()表面而言N原子位于其间隙位置A上方时其相应的吸附能量值和原子间距离最小从而使得吸附在此表面上的N原子最为稳定。同理SrO原子层截止SrTiO()表面上的间隙位置B使得吸附在表面上的N原子最为稳定。这证实了实验检测到N掺杂SrTiO薄膜中形成间隙原子NO化学键。图分别给出了对应N原子不同表面吸附位置的SrTiO()超胞模型的几何优化结构。为了清晰简洁地显示表面层各原子相对位置的变化趋势在图中只给出了结构优化后每个模型近表面(仅仅包括两层原子)的原子构型。对于TiO原子层截止的SrTiO()表面由于N原子的吸附引起了不同程度的表面结构畸变。当N原子吸附在Os(I)上方时如图(a)所示相对于表面层上其它氧原子Os(I)原子沿方向向下移动进入表面层内部导致吸附N原子不仅与Os(I)原子而且和两个邻近Tis(I)原子形成了共价相互作用。当N原子吸附在Tis(I)上方时如图(b)所示尽管Tis(I)原子沿方向向外移动稍微偏离出表面层但是N和Tis(I)原子间距(Å)远大于N和Os(I)原子间距(Å)(图(a)所示)。当N原子吸附在间隙位置A上方时如图(c)所示尽管表面层的原子结构形变显著但是由于间隙位置A紧邻的四个表面层Os(I)原子同时束缚N原子因此使得N原子几乎完全占据表面间隙位置“融入(incorporate)”表面层即吸附于此位置的N原子比表面层上其它位置更为稳定。对于SrO原子层截止的SrTiO()表面模型吸附N原子的出现也同样引起了不同程度的表面结构房丽敏赵可沦TableTheadsorptionenergies(eV)ofN,andtheatomicdistances(Å)betweentheadsorbedNanddifferentadsorptionsitesonSrTiO()surfaceafterstructureoptimizations表结构优化完成后N在不同吸附位置的吸附能以及N原子与吸附位置的距离SrTiO()表面不同吸附位置Os(I)TiO原子层截止Tis(I)IntersticeAOs()SrO原子层截止Srs()IntersticeB原子间距(Å)(betweenNand#)(#:Os(I))(#:Tis(I))(#:A)(#:Os())(#:Srs())(#:B)N(eV)EadE(N)E(N)是否弛豫优化YesYesYesYesYesYesNTis(I)NOs()Srs()Os(I)(a)NTis(I)Os(I)(d)NSrs()Os()(b)Tis(I)NOs(I)Srs()(e)NOs()(c)(f)FigureOptimizedstructuresofNdirectlyadsorbedSrTiO()surfacesupercells,inwhichtheunitcellsareonlyshownintwoatomiclayersWithrespecttothedifferentsites,(a),(b)and(c)standforNadsorbedonOs(I),Tis(I)andintersticeAonTiOterminatedsurfacelayer,respectively(d),(e)and(f)arecorrespondingtoNadsorbedonOs(),Srs()andintersticeBontheSrOterminatedsurfacelayer,respectively(wherethelargelightgraysphereisNatomthesmalllightgrayspheresareSratomsthedarkgrayspheresareTiatomsandtheblackspheresareOatoms,respectively)图原子直接吸附的SrTiO()表面模型优化结构示意图(在每个超胞模型中只给出了两层原子构型)。(a)(b)和(c)表示N吸附位置分别对应TiO截止SrTiO()表面层Tis(I)Os(I)和间隙位置A。(d)(e)和(f)则表示NOs()和间隙位置B吸附位置分别对应SrO截止SrTiO()表面层的Srs()(其中较大浅灰色球表示N原子较小浅灰色球代表Sr原子深灰色球体表示Ti原子黑色球体代表O原子)房丽敏赵可沦畸变。当N原子吸附在Os()上方时如图(d)所示相对于其它表面层O原子Os()原子沿方向稍微进入表面层内部N原子与Os()原子形成了共价相互作用。当N原子吸附在Srs()上方时如图(e)所示N和Srs()原子间距(Å)远大于N和Os()的原子间距(Å)(图(d)所示)与此同时我们没有看到类似于N和Tis(I)原子间共价相互作用(图(b)所示)。当N原子吸附在间隙位置B上方时如图(f)所示表面层原子结构同样发现显著地晶格畸变:两个邻近的Os()原子明显的偏离出表面层趋向于靠近N原子而两个邻近的Srs()原子偏离程度非常微弱。由于间隙位置B附近有两个Os()原子同时束缚N原子因此使得吸附于此位置的N原子比其它位置更为稳定。N原子置换吸附SrTiO()表面N对于N置换吸附的表面模型N原子的置换能Esub可由下式求出:NsubEsub=Esurf−Eperfect−E(N)E(O)()sub式中:Esurf与Eperfect分别表示N置换吸附表面和理想表面模型结构优化的总能。E(N)(E(O))则表示一个孤立N(O)分子的自旋极化总能。考虑孤立原子时则在公式()中分别用E(N)(E(O))代替E(N)(E(O))。表列出了N原子置换表面模型中不同位置O原子所需的能量。相对孤立的N原子而言当以N分子作为参考时置换过程所需能量有所提高即形成N替位原子的可能性有所降低。对于TiO原子层截止的SrTiO()表面模型N原子置换Os(I)原子所需能量相对较小这意味着N原子易于置换表面层Os(I)原子。对于SrO原子层截止SrTiO()表面也发生了类似现象即表面层Os()原子最有可能被N原子所替代。通过分析N置换吸附表面优化结构的特征(文中暂未给出具体示意图)可以发现N原子稍稍向外偏离出表面层。这不仅与N原子掺杂TiO表面体系的理论观点一致并与TiN化学键长度大于SrTiO晶体材料中TiO键长的实验结果完全相符。为了比较N原子置换SrTiO材料内部和表面氧原子的相关能量我们建立了××的SrTiO超胞模型并进行几何结构优化然后仿照公式()求出N原子的置换能。当N原子置换SrTiO内部O原子时其所需能量为eV稍大于N原子置换SrTiO()表面层Os(I)或Os()原子所需的能量(eV或eV)二者差距非常微小(<eV)。因此N原子是易于置换SrTiO材料内部还是SrTiO()表面层的氧原子还需要进一步考虑其它因素的影响如热力学效应等。表面电子结构为了能够更好地理解N吸附SrTiO()表面的电学性质和结构特征我们分析N原子吸附表面模型(包括直接吸附和间接吸附)结构优化后表面层上各原子的投影态密度。N原子直接吸附SrTiO()表面图给出了N原子吸附前后TiO原子层截止的SrTiO()表面层各原子的投影态密度。对于理想表面模型如图(a)所示Tis(I)d和Os(I)p轨道电子的态密度分布情况与SrTiO晶体材料的电子结构完全相符。但是如图(b)所示对于N吸附在Tis(I)上方的表面模型与理想表面进行比较可知Os(I)原子的价带结构变化较小但是Tis(I)d轨道电子态在价带顶的结构显著改变。恰恰是因为Tis(I)d和Np轨道电子之间的杂化相互作用导致Tis(I)原子偏离表面层向外移动(如图(b)所示)。对于N吸附在间隙位置A上方的表面模型如图(c)所示与吸附在Tis(I)上方N原子比较Np轨道电子价带宽度明显增大此外Np轨道电子态在Tis(I)导带顶上方产生了具有扩展尾翼的附加狭窄宽化峰。对于N吸附在Os(I)上方的表面模型如图(d)所示Tis(I)d和Os(I)p轨道电子态的尾翼扩展延伸过费米能级房丽敏赵可沦TableSubstitutionenergies(eV)atdifferentNsubstitutionsitesafterstructureoptimizations表表面模型结构优化后求得的N原子位于不同位置的置换能SrTiO()表面不同置换位置Os(I)TiO原子层截止Osub(II)Ord(III)Os()SrO原子层截止Osub()Ord()N(eV)EsubE(N)E(N)是否弛豫优化YesYesYesYesYesYesFigureProjecteddensityofstates(PDOSs)ofdifferentatomsonthesurfacelayerinNdirectlyadsorbedTiOterminatedSrTiO()surface图N直接吸附在TiO截止的SrTiO()表面层上时各原子的投影态密度EF而且在能量范围−~−eV之间形成了一些附加狭窄宽化峰从而导致二者的价带宽度明显增大。此外Np轨道电子态在能量范围−~−eV之间也形成了一些附加的狭窄宽化峰与吸附在间隙位置A上方N原子比较其导带和价带宽度进一步展宽。综上所述我们发现N和Os(I)原子的杂化相互作用强度对应不同吸附位置将按照从Tis(I)→间隙位置A→Os(I)即按图中从(b)→(c)→(d)的先后顺序逐渐增强。必须强调指出:虽然吸附在间隙位置A上方的N原子与其邻近Os(I)原子的距离(Å)要大于N原子吸附在Os(I)上方时的距离(Å)但是吸附于间隙位置A上方的N原子相对更为稳定(详见表中吸附能及原子间距)。这是因为间隙位置A紧邻的四个Os(I)原子(如图(c)所示)通过Os(I)和Np轨道电子之间的杂化效应同时对N原子产生束缚效应从而使得N原子几乎占据了表面间隙位置。图给出了N吸附前后SrO原子层截止的表面层各原子的投影态密度。通过比较可知SrO原子层截止SrTiO()表面层上各原子的投影态密度的变化趋势与TiO截止SrTiO()(如图所示)完全相房丽敏赵可沦FigureProjecteddensityofstates(PDOSs)ofdifferentatomsonthesurfacelayerinNdirectlyadsorbedSrOterminatedSrTiO()surface图N直接吸附在SrO原子层截止的SrTiO()表面层上时各原子的投影态密度似即N和Os()之间的电子杂化相互作用强度对应不同的吸附位置将按照从Srs()→间隙位置B→Os()即按图中从(b)→(c)→(d)的先后顺序逐渐增强。同样值得注意的是N原子吸附在间隙位置B上方时的表面模型最为稳定尽管此时N与Os()的距离(Å)大于N原子吸附在Os()上方时二者距离(Å)。这是因为N原子同间隙位置B紧邻的两个Os()原子通过分享p轨道电子形成杂化相互作用使得接近表面层间隙位置的N原子稳定性增强。综上所述表面层各原子投影态密度的变化趋势完全符合表面模型优化结构特征即吸附N原子的表面层上各原子相对位置的变化趋势(如图所示)很好地解释了表中不同吸附位置对应N原子的相对稳定性(即吸附位置的束缚强度)。具体来讲N原子束缚在表面层间隙位置更加稳定而表面层O原子和吸附N原子的p轨道电子态的相互杂化效应使得其对N的束缚强度高于Ti或Sr。N原子置换吸附SrTiO()表面为了相对一致的比较分析根据表所列出的N原子置换不同位置氧原子对应的能量选取N置换TiO截止SrTiO()表面层和第三层上的氧原子即Os(I)和Ord(I)两种情形来分析N置换吸附SrTiO()表面的电子结构。图分别给出N原子置换前后TiO原子层截止的SrTiO()结构优化模型中表面层和第三层上各原子的投影态密度。如图(a)所示在N置换O原子之前相对Tird(I)和Ord(I)而言Tis(I)d和Os(I)p轨道电子之间的杂化相互作用强度较弱。理论研究结果表明结构优化后SrTiO()表面层原子结构畸变使表面层Tis(I)和Os(I)原子的相对位置明显改变而距离中心原子层越近的原子层面其原子结构畸变程度则显著减弱从而导致表面层原子间相互作用强度差异显著。因此这意味着N原子倾向于置换表面层Os(I)原子。如图(b)所示在N置换Os(I)或Ord(I)之后Np轨道电子与Tis(I)d轨道电子的杂化相互作用同N与Tird(I)原子十分相似Np价带电子态在费米能级EF附近形成较为明显的狭窄宽化峰并且其尾翼扩展延伸过费米能级EF。房丽敏赵可沦FigurePDOSsofdifferentatomsonthesurfacelayerandthethirdlaterintheTiOterminatedSrTiO()surface(a)beforeNsubstitution,and(b)afterNsubstitution,respectively图TiO截止SrTiO()表面层和第三层上各原子投影态密度。(a)和(b)则分别对应置换前和置换后两种情形结论本文采用第一性原理平面波赝势计算方法对N吸附SrTiO()表面模型的原子构型与电子结构进行了系统地研究讨论分析了N原子相对表面位置的变化对其电子结构的影响得出如下结论:)N原子吸附SrTiO()表面的稳定性与N原子相对表面的位置密切相关。对于直接吸附的N原子SrTiO()表面层上的间隙位置相对其它表面层位置更为稳定对于置换吸附的N原子在不考虑其它影响因素的情况下SrTiO()表面层上O原子更容易被N原子所替代。)对于N置换吸附的SrTiO()表面N原子的p轨道电子态主要贡献于表面体系的价带电子态并且最靠近表面层O原子的p轨道电子价带的上边缘。这一结果不仅与N掺杂TiO体系的理论分析十分相似而且和N掺杂SrTiO薄膜的实验研究完全相符。目前已有关于N掺杂TiO材料研究发现:不仅N原子和O空位缺陷经常在TiO材料内部(表面)共存并且N原子和O空位缺陷之间的相互作用对N掺杂TiO表面材料的电子结构影响显著导致N掺杂TiO表面吸附Au原子的电学性质和催化性能明显改善。同时Shkabko等研究发现在SrTiOxNySrTiOδ层状结构材料中N原子和O空位缺陷同时存在并对其电子输运性能的影响非常显著。因此本文工作有助于进一步研究N原子和O空位缺陷复合效应对SrTiO材料光电性能的影响从而指导设计N掺杂SrTiO材料相关的电子元器件。房丽敏赵可沦基金项目本研究工作获得国家自然科学基金资助:钡锌铌系微波材料微观晶体缺陷与结构和性能相互作用的机理研究(No)。参考文献(References)Wagner,FTandSomorjai,GA()PhotocatalyticHydrogenProductionfromWateronPtFreeSrTiOinAlkaliHydroxideSolutionsNature,,Wang,JS,Yin,S,etal()PhotoOxidationPropertiesofNitrogenDopedSrTiOMadebyMechanicalActivationAppliedCatalysisB:Environmental,,Mi,YY,Wang,SJ,etal()EffectofNitrogenDopingonOpticalPropertiesandElectronicStructuresofSrTiOFilmAppliedPhysicsLetters,,ArticleID:Liu,CM,Zu,XTandZhou,WL()PhotoluminescenceofNitrogenDopedSrTiOJournalofPhysicsD:AppliedPhysics,,Marozau,I,Shkabko,A,Dinescu,G,etal()PulsedLaserDepositionandCharacterizationofNitrogenSubstitutedSrTiOThinFilmsAppliedSurfaceScience,,Herger,R,Willmott,PR,Bunk,O,etal()SurfaceStructureofSrTiO()PhysicalReviewB,,ArticleID:Kareev,M,Prosandeev,S,Liu,J,Gan,C,Kareev,A,Freeland,JW,Xiao,MandChakhalian,J()AtomicControlandCharacterizationofSurfaceDefectStatesofTiOTerminatedSrTiOSingleCrystalsAppliedPhysicsLetters,,ArticleID:Radovic,M,Lampis,N,Granozio,FM,etal()GrowthandCharacterizationofStableSrOTerminatedSrTiOSurfacesAppliedPhysicsLetters,,ArticleID:Enterkin,JA,Subramanian,AK,Russell,BC,etal()AHomologousSeriesofStructuresontheSurfaceofSrTiO()NatureMaterials,,Baniecki,JD,Ishii,M,Kurihara,K,Yamanaka,K,Yano,T,Shinozaki,K,Imada,T,Nozaki,KandKin,N()PhotoemissionandQuantumChemicalStudyofSrTiO()SurfacesandTheirInteractionwithCOPhysicalReviewB,,ArticleID:Lin,F,Wang,S,Zheng,F,etal()HydrogenInducedMetallicityofSrTiO()SurfacesPhysicalReviewB,,ArticleID:房丽敏,赵可沦In掺杂SrTiO导电薄膜光学性质的第一性原理研究J材料科学,():Carrasco,J,Illas,F,Lopez,N,etal()FirstPrinciplesCalculationsoftheAtomicandElectronicStructureofFCentersintheBulkandonthe()SurfaceofSrTiOPhysicalReviewB,,ArticleID:Payne,MC,Teter,MP,Arias,TAandJoannopoulos,JD()IterativeMinimizationTechniquesforabInitioTotalEnergyCalculations:MolecularDynamicsandConjugateGradientsReviewModernPhysics,,Segall,MD,Lindan,PJD,Probert,MJ,etal()FirstPrinciplesSimulation:Ideas,IllustrationsandtheCASTEPCodeJournalofPhysics:CondensedMatter,,Hohenberg,PandKohn,W()InhomogeneousElectronGasPhysicalReviewB,,Kohn,WandSham,LJ()SelfConsistentEquationsIncludingExchangeandCorrelationEffectsPhysicsReviewA,,Casek,P,Finocchi,FandNoguera,C()FirstPrinciplesStudyofOxygenDeficientSrTiOandMgO()InterfacesPhysicalReviewB,,ArticleID:Chen,QL,Tang,CQandZheng,G()FirstPrinciplesStudyofTiOAnatase()SurfacesDopedwithNPhysicaB,,Ricci,D,Bano,G,Pacchioni,GandIllas,F()ElectronicStructureofaNeutralOxygenVacancyinSrTiOPhysicalReviewB,,ArticleID:Baranov,AN,Stepanyuk,VS,Hergert,W,etal()FullPotentialKKRCalculationsforMgOandDivalentImpuritiesinMgOPhysicalReviewB,,ArticleID:

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