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教你看懂内存编码 教你看懂内存编码! 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国(含台湾省)厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面就是内存识别资料,供大家参考:   主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:   现代电子HYUNDAI:HY[注:代号]   三星SAMSUNG:KM或M    NBM:AAA  西门子SIEMENS:HYB   高士达LG-SEMICON:GM HITSUBISHI:M5M   富士通FUJITSU:MB   摩托罗拉MOTOROL...

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教你看懂内存编码! 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国(含台湾省)厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面就是内存识别资料,供大家参考:   主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:   现代电子HYUNDAI:HY[注:代号]   三星SAMSUNG:KM或M    NBM:AAA  西门子SIEMENS:HYB   高士达LG-SEMICON:GM HITSUBISHI:M5M   富士通FUJITSU:MB   摩托罗拉MOTOROLA:MCM   MATSUSHITA:MN   OKI:MSM   美凯龙MICRON:MT   德州仪器TMS:TI   东芝TOSHIBA:TD或TC   日立HITACHI:HM  STI:TM 日电NEC:uPD   IBM:BM   NPNX:NN 一.日本产系列:   主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。   1.HITACHI[日立]。 1   日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外频,   HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   HM 52 XX XX 5 X X TT-XX   HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDO DRAM。   第1、2个X代表容量。   第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。   第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。   第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。   TT为TSOII封装。   最后XX代表速度:   75:7.5ns[133MHz]   80:8ns[125MHz]   A60:10ns[PC-100 CL2或3]   B60:10ns[PC-100 CL3]   例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。   2.NEC。   NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式:   μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX   μPD4代表是NEC的产品。   "5"代表是SDRAM。   第1、2个X代表容量。   第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。   第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。   第5个X,如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。   G5为TSOPII封装。   -A后的XX是代表速度:   80:8ns[125MHz]   10:10ns[PC100 CL 3]   10B:10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100 规范 编程规范下载gsp规范下载钢格栅规范下载警徽规范下载建设厅规范下载 。   12:12ns   70:[PC133]   75:[PC133]   速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。   -XXX:第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关:"NF"对应: 44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pin TSOPII;"JH"对应86-pin TSOP-II。   例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。   3.TOSHIBA东芝。   TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式:   TC59S XX XX X FT X-XX   TC代表是东芝的产品。   59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM,R为Rambus SDRAM,W为DDR SDRAM。   第1、2个X代表容量。64为64Mbit,M7为128Mbit。   第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。   FT为TSOPII封装。   FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。   最后的XX是代表速度:   75:7.5ns[133MHz]   80:8ns[125MHz]   10:10ns[100MHz CL=3]   例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。 二.韩国产系列:   韩国现在的SEC三星和HY(现代,它还将LGS给兼并了)占据了世界内存产量的多半份额,韩国产晶圆的特点是质量比较稳定,价格也较合理。   1.SEC[Samsung Electronics]三星。   三星的SDRAM芯片的标识为以下格式:   KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX   KM代表是三星的产品。   三星的SDRAM产品KM后均为4,后面的"S"代表普通的SDRAM,如为"H",则为DDR SDRAM。   "S"前两个XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字,得到的结果即为容量。   "0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank,3为难个Bank。   "0"后的第2个X,代表interface,1为SSTL,0为LVTTL。   "0"后的第3个X与版本有关,如B、C等,但每个字母下又有各个版本,在表面上并不能看得出来。   "T"为TSOP封装。   速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流,"F"需要的电流较"G"小,相当于一般的低功耗版。   "G/F"后的X代表速度:   7:7ns[143MHz]   8:8ns[125MHz]   H:10ns[PC100 CL2或3]   L:10ns[PC100 CL3]   10:10ns[100MHz]   例如:KM416S4031BT-GH,是64Mbit[16*4],16,4个Bank,在100MHZ时CL=2。   三星公布的 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 PC133芯片:   Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA   Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA   2.HYUNDAI现代   现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC,没有A的或B的,就不是PC 100内存。经测试,发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行,但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的,66841ET7K为PC100的。   现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX   HY代表是现代的产品。   5X表示芯片类型,57为一般的SDRAM,5D为DDR SDRAM。   第2个X代表工作电压,空白为5V,"V"为3.3V, "U"为2.5V。   第3-5个X代表容量和刷新速度,分别如下:   16:16Mbits,4K Ref。   64:64Mbits,8K Ref。   65:64Mbits,4K Ref。   128:128Mbits,8K Ref。   129:128Mbits,4K Ref。   256:256Mbits,16K Ref。   257:256Mbits,8K Ref。   第6、7个X代表芯片输出的数据位宽,40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成,1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。   第9个X一般为0,代表LVTTL[Low Voltage TTL]接口。   第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新。   第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片,如为空白则为普通芯片。   第12、13个X代表封装形式,分别如下:   JC:400mil SOJ   TC:400mil TSOP-II   TD:13mm TSOP-II   TG:16mm TSOP-II   最后几位为速度:   7:7ns[143MHz]   8:8ns[125MHz]   10p:10ns[PC-100 CL2或3]   10s:10ns[PC-100 CL3]   10:10ns[100MHz]   12:12ns[83MHz]   15:15ns[66MHz]   例如:常见的HY57V658010CTC-10s,HY是现代的芯片,57说明是SDRAM,65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms,下来的8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品,-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。   3.LGS[LG Semicon]   LGs早已被HY现代纳入麾下,但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的,速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM,7J和7K工作模式的速度参数不同,LGs 7J编号在1073222,LGs 7K编号是1072222,两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存,但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存,速度比7J和7K差很远,但因外型相差不大,所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较,7K比7J的更优秀,上133MHz时7K比7J更稳定,但7K的市面上不多见。   LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   GM72V XX XX X 1 X X T XX   GM代表为LGS的产品。   72代表SDRAM。   第1、2个X代表容量,类似现代,16为16Mbits,66为64Mbits。   第3、4个X表示数据位宽,一般为4、8、16等,不补0。   第5个X代表Bank,2对应2个Bank,4对应4个Bank,和现代的不一样,属于直接对应。   第6个X表示是第几人版本的内核,现在至少已经排到"E"了。   第7个X如果是字母"L",就是低功耗,空白则为普通。   "T"为常见的TSOPⅡ封装,现在还有一种BLP封装出现,为"I"。   最后的XX自然是代表速度:   7.5:7.5ns[133MHz]   8:8ns[125MHz]   7K:10ns[PC-100 CL2或3]   7J:10ns[100MHz]   10K:10ns[100MHz]   12:12ns[83MHz]   15:15ns[66MHz]   例如:GM72V661641CT7K,这是64Mbit,16位输出,4个Bank,刚达到PC-100的 要求 对教师党员的评价套管和固井爆破片与爆破装置仓库管理基本要求三甲医院都需要复审吗 (CL=3)SDRAM。   三.欧美生产系列及其它:   在欧美内存厂商中Micron,IBM,SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速,如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了,国产的晶圆的质量不错,价格也很便宜。   1.Micron。   Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式:   MT48 XX XX M XX AX TG-XX X   MT代表是Micron的产品。   48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。   Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘,得到的结果即为容量。   M后的XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   AX代表Write Recovery[Twr],如A2表示Twr=2clk。   TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。   最后的XX是代表速度:   7:7ns[143MHz]   75:7.5ns[133MHz]   8X:8ns[125MHz]   其中X为A~E,字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为:3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。   10:10ns[100MHz CL3]   速度后如有L则为低耗。   2.IBM。   PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。   IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   IBM03 XX XX X XT3X ---XXX   IBM代表为IBM的产品。   IBM的SDRAM产品均为03。   第1、2个X代表容量。   第3、4个X表示数据位宽,为40、80、16等。   一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号,如第4个X不为0而为B,则为TSOJ封装。   第5个X意义不详,16Mbit上多为9,64Mbit上多为4。   第6个X为P为低功耗,C为普通。   第7个X表示内核的版本。   最后的XXX代表速度:   68: 6.8ns[147MHz]   75A: 7.5NS[133MHz]   260或222:10ns[PC100 CL2或3]   360或322:10ns[PC100 CL3]在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为:135MHZ。   10:10NS[100MHz]   例如:IBM0316809CT3D-10,16Mbit,8位,不符合PC-100规范。   3.SIEMENS[西门子]   芯片标识:HYB39S xx xx0 x T x -xx   前两个xx为容量,最后两位xx是速度:   6—166MHz   7—143MHz   7.5—133MHz   8—125MHz   8B—100MHz[CL3]   10—100MHz[PC66规格] 教你看懂内存编码! 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日,韩厂家,欧美及中国(含台湾省)厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法,下面就是内存识别资料,供大家参考:   主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下:   现代电子HYUNDAI:HY[注:代号]   三星SAMSUNG:KM或M    NBM:AAA  西门子SIEMENS:HYB   高士达LG-SEMICON:GM HITSUBISHI:M5M   富士通FUJITSU:MB   摩托罗拉MOTOROLA:MCM   MATSUSHITA:MN   OKI:MSM   美凯龙MICRON:MT   德州仪器TMS:TI   东芝TOSHIBA:TD或TC   日立HITACHI:HM  STI:TM 日电NEC:uPD   IBM:BM   NPNX:NN 一.日本产系列:   主要厂家有Hitachi[日立],Toshiba[东芝],NEC[日电],Mitsubishi[三菱]等等,日产晶圆的特点是品质不错,价格稍高。   1.HITACHI[日立]。 1   日立内存质量不错,许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好,做工精细,日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2,B60的CL是3。市面上B60的多,但完全可超133MHz外频,   HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   HM 52 XX XX 5 X X TT-XX   HM代表是日立的产品,52是SDRAM,如为51则为EDO DRAM。   第1、2个X代表容量。   第3、4个X表示数据位宽,40、80、16分别代表4位、8位、16位。   第5个X表示是第几个版本的内核,现在至少已经排到"F"了。   第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。   TT为TSOII封装。   最后XX代表速度:   75:7.5ns[133MHz]   80:8ns[125MHz]   A60:10ns[PC-100 CL2或3]   B60:10ns[PC-100 CL3]   例如:HM5264805F-B60,是64Mbit,8位输出,100MHZ时CL是3。   2.NEC。   NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式:   μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX   μPD4代表是NEC的产品。   "5"代表是SDRAM。   第1、2个X代表容量。   第3或4个X表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时,使用两位,即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定,这会对下面的数字造成影响。   第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank,在16位和32位时代表2个Bank;"2"代表2个Bank。   第5个X,如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片,第5个X已被占用,则第5个X有双重含义,如"1"代表2个Bank和LVTTL,"3"代表4个Bank和LVTTL。   G5为TSOPII封装。   -A后的XX是代表速度:   80:8ns[125MHz]   10:10ns[PC100 CL 3]   10B:10ns较10慢,Tac为7,不完全符合PC100规范。   12:12ns   70:[PC133]   75:[PC133]   速度后的X如果是字母"L"就是低功耗,空白则为普通。   -XXX:第一人X通常为数字,如64Mbit芯片上常为准,16Mbit芯片上常为7,规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关:"NF"对应: 44-pinTSOP-II;"JF"对应54-pin TSOPII;"JH"对应86-pin TSOP-II。   例如:μPD4564841G5-A80-9JF,64Mbit,8位,4个Bank,在CL=3时可工作在125MHZ下,在100MHZ时CL可设为2。   3.TOSHIBA东芝。   TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式:   TC59S XX XX X FT X-XX   TC代表是东芝的产品。   59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM,R为Rambus SDRAM,W为DDR SDRAM。   第1、2个X代表容量。64为64Mbit,M7为128Mbit。   第3、4个X表示数据位宽,04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。   FT为TSOPII封装。   FT后如果有字母"L"就是低功耗,空白则为普通。   最后的XX是代表速度:   75:7.5ns[133MHz]   80:8ns[125MHz]   10:10ns[100MHz CL=3]   例如:TC59S6408BFTL-80,64Mbit,8位,可正常工作在125MHz,且为低功耗型号。 二.韩国产系列:   韩国现在的SEC三星和HY(现代,它还将LGS给兼并了)占据了世界内存产量的多半份额,韩国产晶圆的特点是质量比较稳定,价格也较合理。   1.SEC[Samsung Electronics]三星。   三星的SDRAM芯片的标识为以下格式:   KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX   KM代表是三星的产品。   三星的SDRAM产品KM后均为4,后面的"S"代表普通的SDRAM,如为"H",则为DDR SDRAM。   "S"前两个XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字,得到的结果即为容量。   "0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank,3为难个Bank。   "0"后的第2个X,代表interface,1为SSTL,0为LVTTL。   "0"后的第3个X与版本有关,如B、C等,但每个字母下又有各个版本,在表面上并不能看得出来。   "T"为TSOP封装。   速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流,"F"需要的电流较"G"小,相当于一般的低功耗版。   "G/F"后的X代表速度:   7:7ns[143MHz]   8:8ns[125MHz]   H:10ns[PC100 CL2或3]   L:10ns[PC100 CL3]   10:10ns[100MHz]   例如:KM416S4031BT-GH,是64Mbit[16*4],16,4个Bank,在100MHZ时CL=2。   三星公布的标准PC133芯片:   Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA   Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA   2.HYUNDAI现代   现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC,没有A的或B的,就不是PC 100内存。经测试,发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行,但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的,66841ET7K为PC100的。   现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX   HY代表是现代的产品。   5X表示芯片类型,57为一般的SDRAM,5D为DDR SDRAM。   第2个X代表工作电压,空白为5V,"V"为3.3V, "U"为2.5V。   第3-5个X代表容量和刷新速度,分别如下:   16:16Mbits,4K Ref。   64:64Mbits,8K Ref。   65:64Mbits,4K Ref。   128:128Mbits,8K Ref。   129:128Mbits,4K Ref。   256:256Mbits,16K Ref。   257:256Mbits,8K Ref。   第6、7个X代表芯片输出的数据位宽,40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成,1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。   第9个X一般为0,代表LVTTL[Low Voltage TTL]接口。   第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新。   第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片,如为空白则为普通芯片。   第12、13个X代表封装形式,分别如下:   JC:400mil SOJ   TC:400mil TSOP-II   TD:13mm TSOP-II   TG:16mm TSOP-II   最后几位为速度:   7:7ns[143MHz]   8:8ns[125MHz]   10p:10ns[PC-100 CL2或3]   10s:10ns[PC-100 CL3]   10:10ns[100MHz]   12:12ns[83MHz]   15:15ns[66MHz]   例如:常见的HY57V658010CTC-10s,HY是现代的芯片,57说明是SDRAM,65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms,下来的8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品,-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。   3.LGS[LG Semicon]   LGs早已被HY现代纳入麾下,但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的,速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM,7J和7K工作模式的速度参数不同,LGs 7J编号在1073222,LGs 7K编号是1072222,两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存,但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存,速度比7J和7K差很远,但因外型相差不大,所以不少*商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较,7K比7J的更优秀,上133MHz时7K比7J更稳定,但7K的市面上不多见。   LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   GM72V XX XX X 1 X X T XX   GM代表为LGS的产品。   72代表SDRAM。   第1、2个X代表容量,类似现代,16为16Mbits,66为64Mbits。   第3、4个X表示数据位宽,一般为4、8、16等,不补0。   第5个X代表Bank,2对应2个Bank,4对应4个Bank,和现代的不一样,属于直接对应。   第6个X表示是第几人版本的内核,现在至少已经排到"E"了。   第7个X如果是字母"L",就是低功耗,空白则为普通。   "T"为常见的TSOPⅡ封装,现在还有一种BLP封装出现,为"I"。   最后的XX自然是代表速度:   7.5:7.5ns[133MHz]   8:8ns[125MHz]   7K:10ns[PC-100 CL2或3]   7J:10ns[100MHz]   10K:10ns[100MHz]   12:12ns[83MHz]   15:15ns[66MHz]   例如:GM72V661641CT7K,这是64Mbit,16位输出,4个Bank,刚达到PC-100的要求(CL=3)SDRAM。   三.欧美生产系列及其它:   在欧美内存厂商中Micron,IBM,SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速,如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了,国产的晶圆的质量不错,价格也很便宜。   1.Micron。   Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式:   MT48 XX XX M XX AX TG-XX X   MT代表是Micron的产品。   48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。   Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘,得到的结果即为容量。   M后的XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。   AX代表Write Recovery[Twr],如A2表示Twr=2clk。   TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。   最后的XX是代表速度:   7:7ns[143MHz]   75:7.5ns[133MHz]   8X:8ns[125MHz]   其中X为A~E,字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为:3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。   10:10ns[100MHz CL3]   速度后如有L则为低耗。   2.IBM。   PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。   IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式:   IBM03 XX XX X XT3X ---XXX   IBM代表为IBM的产品。   IBM的SDRAM产品均为03。   第1、2个X代表容量。   第3、4个X表示数据位宽,为40、80、16等。   一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号,如第4个X不为0而为B,则为TSOJ封装。   第5个X意义不详,16Mbit上多为9,64Mbit上多为4。   第6个X为P为低功耗,C为普通。   第7个X表示内核的版本。   最后的XXX代表速度:   68: 6.8ns[147MHz]   75A: 7.5NS[133MHz]   260或222:10ns[PC100 CL2或3]   360或322:10ns[PC100 CL3]在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标定速度为:135MHZ。   10:10NS[100MHz]   例如:IBM0316809CT3D-10,16Mbit,8位,不符合PC-100规范。   3.SIEMENS[西门子]   芯片标识:HYB39S xx xx0 x T x -xx   前两个xx为容量,最后两位xx是速度:   6—166MHz   7—143MHz   7.5—133MHz   8—125MHz   8B—100MHz[CL3]   10—100MHz[PC66规格] PAGE 12
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