ULED屏幕基板检测_测量设备的预对位装置及其使用方法[1]

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110446970A(43)申请公布日2019.11.12(21)申请号201880019226.2(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代(22)申请日2018.03.16理有限公司44334代理人郝家欢(30)优先权数据2017-0573582017.03.23JP(51)Int.Cl.G02F1/13(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日G02F1/1337(2006.01)2019.09.19G02F1/1343(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01Q3/34(2006.01)PCT/JP2018/0103872018.03.16H01Q3/44(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01Q13/22(2006.01)WO2018/173941JA2018.09.27H01Q21/06(2006.01)(71)申请人夏普株式会社地址日本国大阪府堺市堺区匠町1番地(72)发明人水崎真伸　箕浦洁　权利要求书2页说明书28页附图14页(54)发明名称液晶单位以及扫描天线(57)摘要本发明的液晶单位是一种排列有多个天线单元的液晶单位，具备：TFT电介质基板，具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支承的多个TFT、与所述TFT电连接的多个贴片电极、以及以覆盖所述贴片电极和位于相邻的所述贴片电极之间的插槽部的方式形成的第一配向膜；插槽基板，具有第二电介质基板、包括由所述第二电介质基板支承的多个插槽的插槽电极、以及以覆盖所述插槽电极的方式形成的第二配向膜；以及液晶层，夹在以所述贴片电极和所述插槽电极相互面对的方式配置的所述TFT基板与所述插槽基板之间，构成所述液晶层的液晶 材料 关于××同志的政审材料调查表环保先进个人材料国家普通话测试材料农民专业合作社注销四查四问剖析材料 的向列相的下限温度T1为-32℃以下，且所述液晶材料的向列相的上限温度T2为110℃以上。CN110446970ACN110446970A权　利　要　求　书1/2页1.一种排列有多个天线单元的液晶单位，其特征在于，具备：TFT基板，具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支承的多个TFT、与所述TFT电连接的多个贴片电极、以及以覆盖所述贴片电极和位于相邻的所述贴片电极之间的插槽部的方式形成的第一配向膜；插槽基板，具有第二电介质基板、包括由所述第二电介质基板支承的多个插槽的插槽电极、以及以覆盖所述插槽电极的方式形成的第二配向膜；以及液晶层，夹在以所述贴片电极和所述插槽电极相互面对的方式配置的所述TFT基板与所述插槽基板之间，构成所述液晶层的液晶材料的向列相的下限温度T1为-32℃以下，且所述液晶材料的向列相的上限温度T2为110℃以上。2.根据权利要求1所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶层具有位于所述贴片电极与所述插槽电极之间的厚度小的第一区域、和位于所述插槽部与所述插槽电极之间的厚度大的第二区域，所述第一区域的所述液晶层的厚度d与所述第二区域的所述液晶层的厚度D之差(D-d)为0.2μm以上且10.0μm以下。3.根据权利要求1或2所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶材料的向列相的温度范围为150℃以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶材料的向列相的温度范围为160℃以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶材料的介电常数各向异性(Δε)的绝对值为15以上且25以下。6.根据权利要求2～5中任一项所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶层具有位于所述贴片电极与所述插槽电极之间的厚度小的第一区域、和位于所述插槽部与所述插槽电极之间的厚度大的第二区域，所述第一区域的所述液晶层的厚度为2.5μm以上且5.5μm以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶材料含有具有异氰酸酯基的液晶化合物。8.根据权利要求7所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶化合物由下述化学式(1)表示的含异氰酸酯基液晶化合物形成，[化1]上述化学式(1)中，n1为1～5的整数，亚苯基中的H任选地被F或Cl取代。9.根据权利要求1～8中任一项所述的液晶单位，其特征在于，所述第一配向膜以及所述第二配向膜由聚酰亚胺系树脂构成。10.根据权利要求9所述的液晶单位，其特征在于，所述聚酰亚胺系树脂的酰亚胺化率为40％以上且95％以下。2CN110446970A权　利　要　求　书2/2页11.根据权利要求1～10中任一项所述的液晶单位，其特征在于，所述液晶层具有位于所述贴片电极与所述插槽电极之间的厚度小的第一区域、和位于所述插槽部与所述插槽电极之间的厚度大的第二区域，与所述第二区域的所述液晶层接触的所述第一配向膜的厚度是与所述第一区域的所述液晶层接触的所述第一配向膜的厚度的2倍以上且10倍以下。12.一种扫描天线，其特征在于，具备：根据权利要求1～11中任一项所述的液晶单位；以及反射导电板，以隔着电介质层对置的方式配置在所述液晶单位的第二电介质基板的外侧的主面。3CN110446970A说　明　书1/28页液晶单位以及扫描天线技术领域[0001]本发明涉及液晶单位以及扫描天线。背景技术[0002]用于移动通信、卫星广播等的天线需要能改变波束方向的波束扫描功能。作为具有这种功能的天线，提出了一种使用液晶材料(包括向列液晶、聚合物分散液晶)的大介电常数各向异性(双折射率)的扫描天线(例如，专利文献1～4)。这种扫描天线具备在一对带电极的基板间隔着液晶层的构成(就是说，扫描天线用的液晶单位)。需要说明的是，在所述液晶单位的所述基板的液晶层侧设有用于控制液晶化合物的配向方向的配向膜。现有技术文献专利文献[0003]专利文献1：日本专利公开2013-539949号公报专利文献2：日本专利公开2016-512408号公报专利文献3：日本专利公开2009-538565号公报专利文献4：国际公开第2015/126550号发明内容本发明所要解决的技术问 题 快递公司问题件快递公司问题件货款处理关于圆的周长面积重点题型关于解方程组的题及答案关于南海问题 [0004]在扫描天线中，需要的是在千兆赫波段中具有足够等级的介电常数各向异性(Δε)液晶材料。因此，作为扫描天线用的液晶材料，具备高介电常数各向异性的含异氰酸酯基液晶化合物的使用实质上处于必不可少的状态。异氰酸酯基的极性较高，是相对亲水性的。[0005]另一方面，与液晶层接触的配向膜主要由聚酰亚胺形成。聚酰亚胺是相对疏水性的，也可以说液晶层与配向膜的亲和性低。在构成液晶层的液晶材料中，无法视觉确认但潜在地含有气体成分。这种气体成分(潜在气泡)容易集中在彼此亲和性低的液晶层与配向膜的界面上。[0006]在扫描天线用的液晶单位中，为了确保天线特性等，因为将电极的厚度设定得很大(例如，电极的厚度为1.5μm以上)，所以电极构造的凹凸变大。因此，在液晶单位内，在液晶层侧最突出的部分与最凹陷的部分之差(间隔差)变大(例如，差约为1.5μm以上)。在这种液晶单位内，形成有与配向膜接触的液晶材料的比例相对较高，且容易受配向膜影响的液晶层的区域(就是说，液晶层的厚度小的区域)、和与配向膜接触的液晶材料的比例相对较低，且不容易受配向膜影响的液晶层的区域(就是说，液晶层的厚度大的区域)。[0007]液晶层中存在的潜在气泡虽无法视觉确认，但特别容易聚集在与配向膜接触的液晶材料的比例相对较高的区域(液晶层的厚度小的区域)的液晶层与配向膜的界面上。[0008]当对这种液晶单位进行低温-高温循环试验(例如，低温：-40℃，高温：90℃)时，在低温时，液晶材料容易硬化，从而液晶层容易喷出潜在气泡，此外，在高温时，构成潜在气泡的气体成分(气体分子)会膨胀。在交替地重复低温和高温的环境下，从液晶层喷出的潜在4CN110446970A说　明　书2/28页气泡(气体分子)在液晶层的厚度小的区域附近因膨胀而变大，从而产生可视觉确认程度的气泡。存在这种液晶单位中的气泡可能会妨碍扫描天线的正常工作的问题。[0009]本发明的目的在于提供抑制气泡的产生的扫描天线用的液晶单位以及使用该液晶单位的扫描天线。解决问题的 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 [0010]本发明的液晶单位是一种排列有多个天线单元的液晶单位，其特征在于，具备：TFT基板，具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支承的多个TFT、与所述TFT电连接的多个贴片电极、以及以覆盖所述贴片电极和位于相邻的所述贴片电极之间的插槽部的方式形成的第一配向膜；插槽基板，具有第二电介质基板、包括由所述第二电介质基板支承的多个插槽的插槽电极、以及以覆盖所述插槽电极的方式形成的第二配向膜；以及液晶层，夹在以所述贴片电极和所述插槽电极相互面对的方式配置的所述TFT基板与所述插槽基板之间，构成所述液晶层的液晶材料的向列相的下限温度T1为-32℃以下，且所述液晶材料的向列相的上限温度T2为110℃以上。[0011]在所述液晶单位中，所述液晶层具有位于所述贴片电极与所述插槽电极之间的厚度小的第一区域和位于所述插槽部与所述插槽电极之间的厚度大的第二区域，所述第一区域的所述液晶层的厚度d与所述第二区域的所述液晶层的厚度D之差(D-d)优选为0.2μm以上且10.0μm以下。[0012]在所述液晶单位中，所述液晶材料的向列相的温度范围优选为150℃以上。[0013]在所述液晶单位中，所述液晶材料的向列相的温度范围优选为160℃以上。[0014]在所述液晶单位中，所述液晶材料的介电常数各向异性(Δε)的绝对值优选为15以上且25以下。[0015]在所述液晶单位中，所述第一区域的所述液晶层的厚度优选为2.5μm以上且5.5μm以下。[0016]在所述液晶单位中，所述液晶材料优选含有具有异氰酸酯基的液晶化合物。[0017]在所述液晶单位中，所述液晶化合物优选由下述化学式(1)所示的含异氰酸酯基液晶化合物形成。[化1][0018]在上述化学式(1)中，n1为1～5的整数，亚苯基中的H任选地被F或Cl取代。[0019]在所述液晶单位中，所述第一配向膜以及所述第二配向膜优选由聚酰亚胺系树脂构成。[0020]在所述液晶单位中，所述聚酰亚胺系树脂的酰亚胺化率优选为40％以上且95％以下。[0021]在所述液晶单位中,与所述第二区域的所述液晶层接触的所述第一配向膜的厚度优选为与所述第一区域的所述液晶层接触的所述第一配向膜的厚度的2倍以上且10倍以下。5CN110446970A说　明　书3/28页[0022]此外，本发明的扫描天线在所述液晶单位具备：上述任一项所述的液晶单位；以及反射导电板，以隔着电介质层的方式配置在所述液晶单位的第二电介质基板的外侧的主面。发明效果[0023]根据本发明，能够提供一种抑制气泡的产生的扫描天线用的液晶单位以及使用该液晶单位的扫描天线。附图说明[0024]图1是示意地表示实施例1的扫描天线的一部分的剖视图。图2是示意地表示扫描天线所具备的TFT基板俯视图。图3是示意地表示扫描天线所具备的插槽基板的俯视图。图4是示意地表示TFT基板的天线单元区域的剖视图。图5是示意地表示TFT基板的天线单元区域的俯视图。图6是示意地表示插槽基板的天线单元区域的剖视图。图7是示意地表示构成扫描天线的天线单元的TFT基板、液晶层以及插槽基板的剖视图。图8是示意地表示液晶单位的构成的剖视图。图9是示意地表示通过真空注入法注入了液晶材料的液晶单位的注入口部以及密封部附近的放大图。图10是示意地表示液晶单位的构成的放大剖视图。图11是示意地表示实施例1的液晶单位的构成的剖视图。图12是示意地表示在低温环境下，在比较例1的液晶单位中产生了气泡的状态的剖视图。图13是示意地表示在比较例1的液晶单位中，气泡在高温环境下膨胀、凝聚的状态的剖视图。图14是示意地表示实施例5的液晶单位的构成的剖视图。图15是示意地表示实施例6的液晶单位的构成的剖视图。图16是示意地表示实施例16的液晶单位的构成的剖视图。图17是示意地表示实施例20的液晶单位的构成的剖视图。具体实施方式[0025]〔实施例1〕(扫描天线的基本构造)扫描天线具备能够改变波束方向的波束扫描功能，具有具备多个天线单元的构造，所述多个天线单元使用液晶材料的大电介质常数M(εM)的各向异性(双折射率)。扫描天线对施加于各天线单元的液晶层的电压进行控制，并使各天线单元的液晶层的有效电介质常数M(εM)发生变化，由此在静电电容不同的多个天线单元中形成二维图案。需要说明的是，液晶材料的电介质常数具有频散，因此，在本说明书中，将微波的频带中的电介质常数特别标记为“电介质常数M(εM)”。6CN110446970A说　明　书4/28页[0026]对从扫描天线射出或由扫描天线接收的电磁波(例如，微波)给出对应各天线单元的静电电容的相位差，从而根据由静电电容不同的多个天线单元形成的二维图案而在特定方向上具有很强的指向性(波束扫描)。例如，从扫描天线射出的电磁波可以通过以下方式得到：输入电磁波射入各天线单元，并且考虑由各天线单元给出的相位差来对在各天线单元散射而得到的球面波进行积分。[0027]在此，一边参照图1等，一边对本发明的一个实施例的扫描天线的基本构造进行说明。图1是示意地表示实施例1的扫描天线1000的一部分的剖视图。本实施例的扫描天线1000是将插槽57排列成同心圆状的径向线插槽天线。在图1中示意地示出了从馈电销72开始沿着半径方向的截面的一部分，所述馈电销72设置于排列成同心圆状的插槽的中心附近。需要说明的是，在其他实施例中，插槽的排列也可以是公知的各种排列(例如，螺旋状、矩阵状)。[0028]扫描天线1000主要具备TFT基板101(第一基板的一个示例)、插槽基板201(第二基板的一个示例)、配置在它们之间的液晶层LC以及反射导电板65。扫描天线1000构成为从TFT基板101侧收发微波。TFT基板101以及插槽基板201配置为隔着液晶层LC相互对置。[0029]TFT基板101(第一基板的一个示例)具备：玻璃基板等电介质基板(第一电介质基板的一个示例)1；形成于电介质基板1的液晶层LC侧的多个贴片电极15以及多个TFT(thin fil m transistor)10；以及形成于液晶层LC侧的最表面的配向膜(第一配向膜的一个示例)OM1。各TFT10中连接有在图1中未图示的栅极总线以及源极总线。[0030]插槽基板201(第二基板的一个示例)具备：玻璃基板等电介质基板(第二电介质基板的一个示例)51；形成于电介质基板51的液晶层LC侧的插槽电极55；以及形成于液晶层LC侧的最表面的配向膜(第二配向膜的一个示例)OM2。插槽电极55具备多个插槽57。需要说明的是，将电介质基板51的液晶层LC侧的面称为第一主面，将其相反侧的面称为第二主面。[0031]作为用于TFT基板101以及插槽基板201的电介质基板1、51，优选微波的电介质损失小，可以使用除了玻璃基板以外的塑料基板。电介质基板1、51的厚度没有特别限制，但例如优选为400μm以下，更优选为300μm以下。需要说明的是，电介质基板1、51的厚度的下限没有特别限制，只要在制造工艺等中具备耐久强度即可。[0032]反射导电板65配置为相对于插槽基板201隔着空气层54对置。就是说，反射导电板65配置为在插槽基板201的电介质基板(第二电介质基板的一个示例)51的第二主面隔着空气层(电介质层)54对置。需要说明的是，在其他实施例中，可以使用由微波的电介质常数M小的电介质体(例如，PTFE等氟树脂)形成的层来代替空气层54。在本实施例的扫描天线1000中，插槽电极55、反射导电板65、它们之间的电介质基板51以及空气层54作为波导管301来发挥功能。[0033]贴片电极15、包括插槽57的插槽电极55的部分(以下，有时也称为“插槽电极单元57U”)以及它们之间的液晶层LC构成天线单元U。在各个天线单元U中，以一个岛状的贴片电极15与一个孔状的插槽57(插槽电极单元57U)对置的方式隔着液晶层LC对置，分别构成液晶电容。在本实施例的扫描天线1000中，同心圆状地排列有多个天线单元U。需要说明的是，天线单元U具备辅助电容，所述辅助电容与液晶电容并列地电连接。[0034]插槽电极55在各插槽电极单元57U中构成天线单元U，并且还作为波导管301的壁来发挥功能。因此，在插槽电极55中，需要抑制微波透射的功能，由相对较厚的金属层构成。7CN110446970A说　明　书5/28页作为这种金属层，例如可以举出Cu层、Al层等。例如，为了使10G Hz的微波降低至1/150，Cu层的厚度设为3.3μm以上，Al层的厚度设为4.0μm以上。此外，为了使30GHz的微波降低至1/150，Cu层的厚度设为1.9μm以上，Al层的厚度设为2.3μm以上。构成插槽电极55的金属层的厚度的上限没有特别限制，但当考虑到配向膜OM2的形成时，可以说越薄越优选。需要说明的是，当将Cu层用作金属层时，具有比Al层更薄的优点。作为插槽电极55的形成 方法 快递客服问题件处理详细方法山木方法pdf计算方法pdf华与华方法下载八字理论方法下载 ，可以使用在以往的液晶显示装置技术中使用的薄膜沉积法、将金属箔(例如，Cu箔、Al箔)贴合在基板上等的其他方法。插槽电极55的厚度例如设为1.5μm以上且30μm以下，优选设为1.5μm以上且5μm。此外，在使用薄膜沉积法来形成金属层的情况下，插槽电极55的厚度例如设为5μm以下。反射导电板65例如可以使用厚度为数mm的铝板、铜板等。[0035]贴片电极15并不像插槽电极55那样构成波导管301，因此，只要不破坏本发明的目的，也可以由厚度比插槽电极55小的金属层构成。需要说明的是，为了避免插槽电极55的插槽57附近的自由电子的振动在引起贴片电极15内的自由电子的振动时转化为热的损耗，优选电阻低。从批量生产率等观点来看，与Cu层相比，优选使用Al层。贴片电极15的厚度例如优选为0.5μm以上且10μm以下，更优选为1.5μm以上5μm以下。[0036]如专利文献1所述，当将微波的波长设为λ时，天线单元U的排列间距例如设为λ/4以下和/或λ/5以下。波长λ例如为25mm，此时的排列间距例如设为6.25mm以下和/或5mm以下。[0037]扫描天线1000通过使天线单元U所具有的液晶电容的静电电容值发生变化，来使由各贴片电极15激励(再辐射)的微波的相位发生变化。因此，作为液晶层LC，优选微波的电介质常数M(εM)的各向异性(ΔεM)大，此外，优选tanδM(微波的电介质正接)小。[0038]液晶材料的电介质常数通常具有频散，但微波的介电常数各向异性ΔεM与可见光的折射率各向异性Δn正相关。因此，可以说微波的天线单元用的液晶材料优选可见光的折射率各向异性Δn大的材料。液晶层LC的厚度例如设为1μm以上且500μm以下，优选2μm以上且10μm以下，更有选的是2.5μm以上且5.5μm以下。需要说明的是，此处的液晶层LC的厚度是插槽电极55与贴片电极15之间的液晶层LC的厚度(在后文加以记述的第一区域S1的液晶层LC的厚度)。[0039]图2是示意地表示扫描天线1000所具备的TFT基板101的俯视图，图3是示意地表示扫描天线1000所具备的插槽基板201的俯视图。需要说明的是，为了方便说明，将与天线单元U对应的TFT基板101的区域以及插槽基板201的区域一同称为“天线单元区域”，并将与天线单元相同的参考符号作为它们的参考符号。此外，如图2以及图3所示，在TFT基板101以及插槽基板201中，将由二维排列的多个天线单元区域U划定的区域称为“收发区域R1”，将收发区域R1以外的区域称为“非收发区域R2”。在非收发区域R2中配设有端子部、驱动 电路 模拟电路李宁答案12数字电路仿真实验电路与电子学第1章单片机复位电路图组合逻辑电路课后答案 等。[0040]以俯视视角观察时，收发区域R1呈圆环状。非收发区域R2包括位于收发区域R1的中心部的第一非收发区域R2a和配置于收发区域R1的周缘的第二非收发区域R2b。收发区域R1的外径例如为200mm以上且1，500mm以下，根据通信量等来进行适当设定。[0041]在TFT基板101的收发区域R1中设有由电介质基板1支承的多个栅极总线GL以及多个源极总线SL，利用这些配线来控制各天线单元区域U的驱动。各个天线单元区域U包括TFT10和与TFT10电连接的贴片电极15。TFT10的源极电极与源极总线SL电连接，栅极电极与栅极总线GL电连接。此外，TFT10的漏极电极与贴片电极15电连接。8CN110446970A说　明　书6/28页[0042]在非收发区域R2(第一非收发区域R2a、第二非收发区域R2b)中配置有以包围收发区域R1的方式形成有密封件(未图示)的密封区域Rs。密封件具有使TFT基板101以及插槽基板201相互粘接，并且在这些基板101、201之间密封液晶材料(液晶层LC)的功能等。[0043]在非收发区域R2中的密封区域R2的外侧配设有栅极端子部GT、栅极驱动器GD、源极端子部ST以及源极驱动器SD。各个栅极总线GL经由栅极端子部GT与栅极驱动器GD连接，此外，各个源极总线SL经由源极端子部ST与源极驱动器SD连接。需要说明的是，在本实施例中，源极驱动器SD以及栅极驱动器GD双方形成在TFT基板101的电介质基板1上，但这些驱动器的一方或双方可以形成在插槽基板201的电介质基板51上。[0044]此外，在非收发区域R2中设有多个传输端子部PT。传输端子部PT与插槽基板201的插槽电极55电连接。在本实施例中，在第一非收发区域R2a以及第二非收发区域R2b双方配设有传输端子部PT。在其他实施例中，也可以是仅在任一方的区域配设传输端子部PT的构成。此外，在本实施例的情况下，传输端子部PT配设在密封区域Rs内。因此，作为密封件，可以使用含有导电性粒子(导电珠)的导电性树脂。[0045]如图3所示，在插槽基板201中，在电介质基板51上以横跨收发区域R1以及非收发区域R2的方式形成有插槽电极55。需要说明的是，在图3中示出了从液晶层LC侧观察的插槽基板201的表面，为了方便说明，去掉了形成在最表面的配向膜OM2。[0046]在插槽基板201的收发区域R1中，在插槽电极55中配设有多个插槽57。这些插槽57分别被一个一个地分配给TFT基板101的天线单元区域U。在本实施例的情况下，多个插槽57中的沿相互大致正交的方向延伸的一对插槽57被配置成同心圆状，以便形成径向线插槽天线。因为具有这样的一对插槽57，所以扫描天线1000能够收发偏振波。[0047]在插槽基板201的非收发区域R2中设有多个插槽电极55的端子部IT。端子部IT与TFT基板101的传输端子部PT电连接。在本实施例的情况下，端子部IT配设在密封区域Rs内，如上所述，通过由含有导电性粒子(导电珠)的导电性树脂形成的密封件来与对应的传输端子部PT电连接。[0048]此外，在第一非收发区域R2a中设有馈电销72，所述馈电销72配置于插槽57所形成的同心圆的中心。通过该馈电销72，来将微波供给至由插槽电极55、反射导电板65以及电介质基板51构成的波导管301。需要说明的是，馈电销72与馈电装置70连接。需要说明的是，作为馈电方式，可以是直接馈电方式以及电磁结合方式中的任一种，也可以采用公知的馈电构造。[0049]以下，对TFT基板101、插槽基板201以及波导管301进行详细说明。[0050](TFT基板101的构造)图4是示意地表示TFT基板101的天线单元区域U的剖视图，图5是示意地表示TFT基板101的天线单元区域U的俯视图。在图4以及图5中，分别示出了收发区域R1的一部分的截面构成。[0051]TFT基板101的各个天线单元区域U分别具备：电介质基板(第一电介质基板)1；由电介质基板1支承的TFT10；覆盖TFT10的第一绝缘层11；形成在第一绝缘层11上并与TFT10电连接的贴片电极15；覆盖贴片电极15的第二绝缘层17；以及覆盖第二绝缘层17的配向膜OM1。[0052]TFT10具备栅极电极3、岛状的半导体层5、配置于栅极电极3与半导体层5之间的栅9CN110446970A说　明　书7/28页极绝缘层4、源极电极7S以及漏极电极7D。本实施例的TFT10是具有底部栅极构造的沟道蚀刻型。需要说明的是，在其他实施例中，也可以是其他构造的TFT。[0053]栅极电极3与栅极总线GL电连接，从栅极总线GL供给扫描信号。源极电极7S与源极总线SL电连接，从源极总线SL供给数字信号。栅极电极3以及栅极总线GL可以由相同的导电膜(栅极用导电膜)形成。此外，源极电极7S、漏极电极7D以及源极总线SL可以由相同的导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜以及源极用导电膜例如由金属膜形成。需要说明的是，有时将使用栅极用导电膜形成的层称为“栅极金属层”，将使用源极用导电膜形成的层称为“源极金属层”。[0054]半导体层5配置为隔着栅极绝缘层4与栅极电极3重叠。如图4所示，在半导体层5上形成有源极接触层6S以及漏极接触层6D。源极接触层6S以及漏极接触层6D分别配置为在半导体层5中的形成有沟道的区域(沟道区域)的两侧对置。在本实施例的情况下，半导体层5由本征非晶硅(i-a-Si)层形成，源极接触层6S以及漏极接触层6D由n+型非晶硅(n+-a-Si)层形成。需要说明的是，在其他实施例中，可以由多晶硅层、氧化物半导体层等构成半导体层5。[0055]源极电极7S设置为与源极接触层6S接触，经由源极接触层6S与半导体层5连接。漏极电极7D设置为与漏极接触层6D接触，经由漏极接触层6D与半导体层5连接。[0056]第一绝缘层11具备到达TFT10的漏极电极7D的接触孔CH1。[0057]贴片电极15设置在第一绝缘层11上以及接触孔CH1内，在接触孔CH1内与漏极电极7D接触。贴片电极15主要由金属层构成。需要说明的是，贴片电极15可以是仅由金属层构成的金属电极。贴片电极15的材料可以与源极电极7S以及漏极电极7D相同。贴片电极15的金属层的厚度(在贴片电极15为金属电极的情况下，贴片电极15的厚度)可以与源极电极7S以及漏极电极7D的厚度相同，但优选比它们大。当贴片电极15的厚度大时，电磁波的透射率被抑制得很低，贴片电极的薄膜电阻降低，贴片电极内的自由电子的振动转化为热的损耗降低。[0058]此外，可以使用与栅极总线GL相同的导电膜来设置CS总线CL。CS总线CL可以配置为隔着栅极绝缘层4与漏极电极7D(或漏极电极7D的延长部分)重叠，并构成以栅极绝缘层4为电介质层的辅助电容CS。[0059]在本实施例中，在与源极金属层不同的层内形成有贴片电极15。因此，成为能够相互独立地控制源极金属层的厚度和贴片电极15的厚度的构成。[0060]贴片电极15可以包括Cu层或Al层来作为主层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻相关，主层的厚度设定为能够得到所期望的电阻。贴片电极15优选为不阻碍电子振动的程度的低电阻。贴片电极15的厚度例如优选为0.5μm以上且10μm以下，更优选为1.5μm以上且5μm以下。需要说明的是，从提高天线特性等的观点来看，贴片电极15的厚度优选为1.5μm以上。[0061]配向膜OM1由聚酰亚胺系树脂形成。在后文将对配向膜OM1的详细情况加以记述。[0062]例如，通过以下所示的方法来制造TFT基板101。首先，准备电介质基板1。作为电介质基板1，例如可以使用玻璃基板、具有耐热性的塑料基板等。在这样的电介质基板1上形成包括栅极电极3以及栅极总线GL的栅极金属层。[0063]栅极电极3可以与栅极总线GL一体形成。在此，通过溅射法等在电介质基板1上形10CN110446970A说　明　书8/28页成栅极用导电膜(厚度：例如50nm以上且500nm以下)。接着，通过对栅极用导电膜进行构图，形成栅极电极3以及栅极总线GL。栅极用导电膜的材料没有特别限定，但例如可以适当地使用铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或者含有其金属氮化物的膜。在此，作为栅极用导电膜，形成依次层叠有MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如200nm)以及MoN(厚度：例如50nm)的层叠膜。[0064]接着，以覆盖栅极金属层的方式形成栅极绝缘层4。栅极绝缘层4可以通过CVD法等来形成。作为栅极绝缘层4，可以适当地使用氧化硅(SiO2)层、氮化硅(SiNx)层、氧氮化硅(SiOxNy、x＞y)层、氮氧化硅(SiNxOy、x＞y)层等。栅极绝缘层4可以具有层叠构造。在此，作为栅极绝缘层4，形成SiNx层(厚度：例如410nm)。[0065]接着，在栅极绝缘层4上形成半导体层5以及接触层。在此，依次形成本征非晶硅膜(厚度：例如125nm)以及n+型非晶硅膜(厚度：例如65nm)，通过构图，得到岛状的半导体层5以及接触层。需要说明的是，用于半导体层5的半导体膜并不限于非晶硅膜。例如，作为半导体层5，可以形成氧化物半导体层。在该情况下，在半导体层5与源极·漏极电极之间可以不设置接触层。[0066]接着，在栅极绝缘层4上以及接触层上形成源极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)，通过对其进行构图，形成包括源极电极7S、漏极电极7D以及源极总线SL的源极金属层。此时，接触层也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6S和漏极接触层6D。[0067]源极用导电膜的材料没有特别限定，例如可以适当地使用铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或者含有其金属氮化物的膜。在此，作为源极用导电膜，形成依次层叠有MoN(厚度：例如30nm)、Al(厚度：例如200nm)以及MoN(厚度：例如50nm)的层叠膜。[0068]在此，例如，通过溅射法形成源极用导电膜，并通过湿蚀刻来进行源极用导电膜的构图(源极·漏极分离)。之后，例如通过干蚀刻，去掉接触层中的位于作为半导体层5的沟道区域的区域上的部分来形成间隔部，并分离为源极接触层6S以及漏极接触层6D。此时，在间隔部中，半导体层5的表面附近也被蚀刻(过蚀刻)。[0069]接着，以覆盖TFT10的方式形成第一绝缘层11。在该示例中，第一绝缘层11配置为与半导体层5的沟道区域接触。此外，通过公知的光刻技术，在第一绝缘层11形成到达漏极电极7D的接触孔CH1。[0070]第一绝缘层11例如可以是氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜，氧氮化硅(SiOxNy、x＞y)膜、氮氧化硅(SiNxOy、x＞y)膜等无机绝缘层。在此，作为第一绝缘层11，例如通过CVD法形成厚度例如为330nm的SiNx层。[0071]接着，在第一绝缘层11上以及接触孔CH1内形成贴片用导电膜，并对其进行构图。由此，在收发区域R1形成贴片电极15。需要说明的是，在非收发区域R2形成由与贴片电极15相同的导电膜(贴片用导电膜)构成的贴片连接部。贴片电极15在接触孔CH1内与漏极电极7D接触。[0072]作为贴片用导电膜的材料，可以使用与栅极用导电膜或源极用导电膜同样的材料。不过，贴片用导电膜优选设定为比栅极用导电膜以及源极用导电膜厚。[0073]在此，作为贴片用导电膜，形成依次层叠有MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如1000nm)以及MoN(厚度：例如50nm)的层叠膜(MoN/Al/MoN)。11CN110446970A说　明　书9/28页[0074]接着，在贴片电极15以及第一绝缘层11上形成第二绝缘层(厚度：例如100nm以上且300nm以下)17。作为第二绝缘层17，没有特别限定，例如可以适当地使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy、x＞y)膜、氮氧化硅(SiNxOy、x＞y)膜等。在此，作为第二绝缘层17，形成例如厚度为200nm的SiNx层。[0075]之后，通过使用了例如氟系气体的干蚀刻，来将无机绝缘膜(第二绝缘层17、第一绝缘层11以及栅极绝缘层4)一并蚀刻。在蚀刻过程中，贴片电极15、源极总线SL以及栅极总线GL作为停蚀来发挥功能。由此，在第二绝缘层17、第一绝缘层11以及栅极绝缘层4形成到达栅极总线GL的第二接触孔，在第二绝缘层17以及第一绝缘层11形成到达源极总线SL的第三接触孔。此外，在第二绝缘层17形成到达上述贴片连接部的第四接触孔。[0076]接着，在第二绝缘层17上的第二接触孔、第三接触孔以及第四接触孔内通过例如溅射法来形成导电膜(厚度：50nm以上且200nm以下)。作为导电膜，例如可以使用ITO(铟·锡氧化物)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等透明导电膜。在此，作为导电膜，使用厚度例如为100nm的ITO膜。[0077]接着，通过对上述透明导电膜进行构图，来形成栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部以及传输端子用上部连接部。栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部以及传输端子用上部连接部用于保护在各端子部露出的电极或配线。如此一来，得到栅极端子部GT、源极端子部ST以及传输端子部PT。[0078]接着，以覆盖第二絶縁膜17等的方式形成配向膜OM1。配向膜OM1的详细情况将在后文加以记述。如此一来，能够制造TFT基板101。[0079](插槽基板201的构造)接着，对插槽基板201的构造进行更具体的说明。图6是示意地表示插槽基板201的天线单元区域U的剖视图。[0080]插槽基板201主要具备电介质基板(第二电介质基板)51、形成在电介质基板51的一方的板面(朝向液晶层侧的板面、朝向TFT基板101侧的板面)51a上的插槽电极55、覆盖插槽电极55的第三绝缘层58、以及覆盖第三绝缘层58的配向膜OM2。[0081]在插槽基板201的收发区域R1中，在插槽电极55中形成有多个插槽57(参照图2)。插槽57是贯通插槽电极55的开口(插槽部)。在该实施例中，对各天线单元区域U分配有一个插槽57。[0082]插槽电极55包括Cu层、Al层等主层55M。插槽电极55可以具有包括主层55M和以隔着主层55M的方式配置的上层55U以及下层55L的层叠构造。主层55M的厚度可以根据材料，考虑表皮效应来进行设定，例如为2μm以上且30μm以下。主层55M的厚度典型地设定为比上层55U以及下层55L的厚度大。[0083]在该示例中，主层55M由Cu层形成，上层55U以及下层55L由Ti层形成。通过在主层55M与电介质基板51之间配置下层55L，能够提高插槽电极55与电介质基板51的密合性。此外，通过设置上层55U，能够抑制主层55M(例如Cu层)的腐蚀。[0084]第三绝缘层58形成在插槽电极55上以及插槽57内。作为第三绝缘层58的材料并没有特别限定，但例如可以适当地使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy、x＞y)膜、氮氧化硅(SiNxOy、x＞y)膜等。[0085]配向膜OM2与TFT基板101的配向膜OM1同样地由聚酰亚胺系树脂形成。配向膜OM212CN110446970A说　明　书10/28页的详细情况将在后文加以记述。[0086]需要说明的是，在插槽基板201的非收发区域R2中设有端子部IT(参照图3)。端子部IT具备插槽电极55的一部分、覆盖插槽电极55的一部分的第三绝缘层58以及上部连接部。第三绝缘层58具有到达插槽电极55的一部分的开口(接触孔)。上部连接部在所述开口内与插槽电极55的一部分接触。在本实施例中，端子部IT由ITO膜、IZO膜等导电层形成，配置在密封区域Rs内，通过含有导电性粒子(例如Au珠等导电珠)的密封树脂与TFT基板101的传输端子部PT连接。[0087]通过以下所示的方式来制造插槽基板201。首先，准备电介质基板51。作为电介质基板51，可以使用电磁波的透射率高(电介质常数εM以及电介质损失tanδM小)的基板，例如玻璃基板、树脂基板等。为了抑制电磁波的衰减，电介质基板51优选厚度薄。例如，通过在后文加以记述的工艺来在玻璃基板的表面形成插槽电极55等构成要素后，可以从背面侧开始将玻璃基板薄板化。由此，可以将玻璃基板的厚度例如设定为500μm以下。需要说明的是，通常，与玻璃相比，树脂的电介质常数εM以及电介质损失tanδM较小。在电介质基板51由树脂基板形成的情况下，其厚度例如为3μm以上且300μm以下。作为树脂基材的材料可以使用聚酰亚胺等。[0088]在电介质基板51上形成金属膜，通过对其进行构图，得到具有多个插槽57的插槽电极55。作为金属膜，也可以使用厚度为1.5μm以上且5μm以下的Cu膜(或Al膜)。在此，使用依次层叠有Ti膜、Cu膜以及Ti膜的层叠膜。[0089]接着，在插槽电极55上以及插槽57内形成第三绝缘层(厚度：例如100nm以上且200nm以下)58。此处的第三绝缘层58由氧化硅(SiO2)膜构成。[0090]之后，在非收发区域R2的第三绝缘层58中形成到达插槽电极55的一部分的开口(接触孔)。[0091]接着，在第三绝缘层58上以及第三绝缘层58的上述开口内形成透明导电膜，通过对其进行构图，在开口内形成与插槽电极55的一部分接触的上部连接部，得到用于与TFT基板101的传输端子部PT连接的端子部IT。[0092]之后，以覆盖第三绝缘层58的方式形成配向膜OM2。配向膜OM2的详细情况将在后文加以记述。如此一来，能够制造插槽基板201。[0093](波导管301的构成)波导管301构成为反射导电板65隔着电介质基板51与插槽电极55对置。反射导电板65配设为以隔着空气层54的方式与电介质基板51的背面对置。反射导电板65构成波导管301的壁，因此，优选具有表皮深度的3倍以上、优选为5倍以上的厚度。反射导电板65例如可以使用通过切削制成的、厚度为数mm的铝板、铜板等。[0094]例如，当扫描天线1000发送信号时，波导管301以朝外侧放射状扩散的方式引导微波，所述微波由配置在排列成同心圆状的多个天线单元U的中心的馈电销72供给。当微波在波导管301中移动时，被天线单元U的各插槽57切断，由此根据所谓的插槽天线的原理来产生电场，并通过该电场的作用，在插槽电极55诱发电荷(就是说，微波被转换成插槽电极55内的自由电子的振动)。在各天线单元U，通过液晶的配向控制来使液晶电容的静电电容值发生变化，由此抑制在贴片电极15诱发的自由电子的振动的相位。当在贴片电极15诱发电荷时，产生电场(就是说，插槽电极55内的自由电子的振动向贴片电极15内的自由电子的振13CN110446970A说　明　书11/28页动移动)，从各天线单元U的贴片电极15朝向TFT基板101的外侧振荡微波(电波)。通过将由各天线单元U振荡的相位不同的的微波(电波)相加，来控制波束的方位角。[0095]需要说明的是，在其他实施例中，可以采用将波导管分为上层和下层的2层构造。在该情况下，由馈电销供给的微波首先以在下层内从中心朝向外侧放射状扩散的方式移动之后，在下层的外壁部分以在上层上升而在上层从外侧向中心集中的方式移动。通过采用这种2层构造，容易使微波均匀地遍布各天线单元U。[0096](液晶层LC(液晶化合物))作为构成液晶层的液晶材料(液晶化合物)，可以使用具有大介电常数各向异性(Δε)的含异氰酸酯基液晶化合物。作为含异氰酸酯基液晶化合物，例如可以使用由下述化学式(1)表示的化合物。[0097][化2][0098]在上述化学式(1)中，n1是1～5的整数，亚苯基中的H任选地被F或Cl取代。[0099]需要说明的是，作为液晶材料，只要不损害本发明的目的，便可以含有除上述含异氰酸酯基液晶化合物以外的液晶化合物。[0100]构成液晶层的液晶材料的介电常数各向异性(Δε)的绝对值优选为15以上且25以下。当液晶材料的介电常数各向异性(Δε)在这种范围内时，能使液晶材料(液晶化合物)为低极性或为疏水性，不损害天线特性(确保指向性的同时)，提高液晶层LC与配向膜OM的亲和性。[0101]此外，构成液晶层LC的液晶材料的向列相的下限温度T1为-32℃以下(优选为-35℃以下)，且构成液晶层LC的液晶材料的向列相的上限温度T1为110℃以上。当液晶材料的所述下限温度T1以及所述上限温度T2在这种范围内时，能够抑制液晶层LC中的潜在气泡变为可视觉确认的大小的气泡。[0102]此外，构成液晶层LC的液晶材料的向列相的温度范围(温度区间)优选为150℃以上，更优选为160℃以上。当液晶材料的所述温度范围(温度区间)在这种范围内时，容易抑制液晶层LC中的潜在气泡变为可视觉确认的大小的气泡。[0103](配向膜OM(OM1、OM2))作为用于本实施例的TFT基板101以及插槽基板201的配向膜OM1、OM2(以下，有时也将它们统一标记为“配向膜OM”)，例如，由对以下述化学式(3)所示的方式来对由下述化学式(2)所示的聚酰胺酸进行亚胺化而得到的物质实施摩擦处理等配向处理而得到的物质形成。通过实施配向处理，配向膜OM体现出使液晶化合物在规定方向配向的功能。[0104][化3]14CN110446970A说　明　书12/28页[0105][化4][0106]在上述化学式(2)以及化学式(3)中，p为任意自然数。此外，在化学式(2)以及化学式(3)中，X具有由下述化学式(4-1)～化学式(4-16)所示的构造。[0107][化5]15CN110446970A说　明　书13/28页[0108]此外，在化学式(2)以及化学式(3)中，Y具有由下述化学式(5-1)～化学式(5-24)所示的构造。[0109][化6]16CN110446970A说　明　书14/28页[0110]此外，在化学式(2)以及化学式(3)中，Z表示侧链。只要不损害本发明的目的，Z的构造没有特别限定。需要说明的是，也可以不存在Z。在化学式(2)以及化学式(3)中，在不存在Z的情况下，上述化学式(5-1)～化学式(5-24)的键合基有任意两处即可。[0111]由上述化学式(2)所示的聚酰胺酸的亚胺化例如可以通过在高温(例如，200～250℃)下对聚酰胺酸进行加热处理来进行。此外，例如，可以采用将乙酸酐等用作脱水剂，并将吡啶等用作催化剂的化学亚胺化法。17CN110446970A说　明　书15/28页[0112]构成配向膜OM的聚酰亚胺系树脂(例如，上述化学式(3)的聚酰亚胺等)的酰亚胺化率例如优选为40％以上且95％以下，更优选为40％以上且60％以下。当由聚酰亚胺系树脂形成的配向膜OM的酰亚胺化率在这种范围内时，配向膜OM有效地吸收液晶材料LC中的潜在气泡，由此能够抑制可视觉确认的大小的气泡的产生。[0113]配向膜OM可以是配向方向与基板面水平的水平配向膜，也可以是配向方向与基板面垂直的垂直配向膜。[0114]聚酰胺酸的聚合方法没有特别限制，可以使用公知的方法。此外，聚酰胺酸适当地溶解于有机溶剂，而制备成具备流动性的液体状或溶胶状的组合物(配向剂)。[0115]当形成配向膜OM时，首先，使用涂布机将配向剂涂布在各基板101/102的面上，所述配向剂具备含有由上述化学式(2)所示的聚酰胺酸的未硬化状态的流动性。首先对该涂布物进行临时烧成(例如，在80℃下加热处理2分钟)，接着，进行正式烧成(例如，在210℃下加热处理10分钟)。之后，通过对正式烧成后的涂布物进行摩擦处理，得到具备使液晶化合物在规定方向配向的配向性的配向膜OM。需要说明的是，聚酰胺酸主要在正式烧成时被亚胺化。[0116]需要说明的是，如后述那样，配向膜OM1的厚度设定为：与位于相邻的贴片电极15之间的插槽部V与插槽电极55之间的厚度大的液晶层LC的第二区域S2接触的部分比与位于贴片电极15与插槽电极55之间的厚度小的液晶层LC的第一区域S1接触的部分大(厚)。对此，插槽电极55上的配向膜OM2的厚度被均匀地设定。[0117](天线单元U)图7是示意地表示构成扫描天线1000的天线单元U的TFT基板101、液晶层LC以及插槽基板201的剖视图。如图7所示，在天线单元U中，TFT基板101的岛状的贴片电极15和插槽基板201的插槽电极55所具备的孔状(插槽状)的插槽57(插槽电极单元57U)以隔着液晶层LC的方式对置。这种扫描天线1000具备液晶单位C，所述液晶单位C具有液晶层LC、和隔着液晶层LC，并且在各个液晶层LC侧的表面包括配向膜OM1、OM2的一对TFT基板101以及插槽基板201。需要说明的是，在本说明书中，天线单元U构成为包括一个贴片电极15和配置有至少一个与该贴片电极15对应的插槽57的插槽电极55(插槽电极单元57U)。[0118](密封件)图8是示意性的表示液晶单位C的构成的剖视图。在构成液晶单位C的一对基板即TFT基板101(第一基板的一个示例)与插槽基板201(第二基板的一个示例)之间以包围液晶层LC的周围的方式配置有密封件S。密封件S分别粘接于TFT基板101以及插槽基板201，并具备使TFT基板101和插槽基板201彼此贴合的功能。需要说明的是，TFT基板101以及插槽基板201形成隔着液晶层LC，并且相互面对的一对基板。[0119]密封件S由含有硬化性树脂的密封件组合物的硬化物构成。密封件组合物基本上使用无溶剂系的材料。作为硬化性树脂，可以使用具备由光(例如，紫外线、可见光等)硬化的光硬化性和/或由热硬化的热硬化性的树脂。密封件S的种类可以根据液晶材料的注入方法来适当选择。例如，在通过滴加注入法(ODF法)来将液晶材料注入液晶单位C内的情况下，作为硬化性树脂，由于将硬化分为临时硬化和正式硬化这两个阶段而容易进行控制等的理由，可以使用具备光硬化性(例如，可见光硬化性)以及热硬化性的硬化性树脂。作为这种硬化性树脂，例如可以举出由环氧系树脂与丙烯酸系树脂的混合物构成的硬化性树脂(商品18CN110446970A说　明　书16/28页名“UVAC1561”(DAICEL UCB公司制造))等。此外，在通过真空注入法来将液晶材料注入液晶单位C内的情况下，作为硬化性树脂，可以使用光硬化性树脂或热硬化性树脂。[0120]需要说明的是，在通过真空注入法将液晶材料注入液晶单位C内的情况下，如图9所示，在密封件S中设有注入口部Sb，所述注入口部包括在预先注入液晶材料时使用的孔部。注入口部Sb是密封件S的一部分，形成为与外侧和液晶层LC侧连通。在真空注入法中使用的密封件S具备包围液晶层LC的周围，并且包括注入口部Sb的密封主体部Sa。在使用注入口部Sb将液晶材料注入密封主体部Sa的内侧的空间后，注入口部Sb的孔部被密封件密封。将由密封注入口部Sb的密封件构成的部分称为密封部Sc。在本说明书中，密封部Sc构成包围液晶层LC的周围的密封件S的一部分。[0121](液晶单位C的详细构造)在此，一边参照图10，一边对液晶单位C内的液晶层LC的厚度、配向膜OM1、OM2的厚度等进行说明。图10是示意地表示液晶单位C的构成的放大剖视图。需要说明的是，在图10中，为了方便说明，作为TFT基板100，示出了形成在电介质基板1上的多个贴片电极15和以覆盖它们的方式形成在电介质基板1上的配向膜OM1，此外，作为插槽基板201，示出了形成在电介质基板51上的插槽电极55和以覆盖插槽电极55的方式形成的配向膜OM2。在图10中，为了方便说明，省略了插槽电极55的插槽、贴片电极15与配向膜OM1之间的绝缘层、插槽电极55与配向膜OM2之间的绝缘层等。需要说明的是，在以后示出的各图中也适当地省略构成来进行描述。[0122]在液晶单位C内，TFT基板101的内侧的表面中的在液晶层LC侧最突出的部分是形成有贴片电极15的部分。此外，相反地，TFT基板101的内侧的表面中的最凹陷的部分是形成在相邻的贴片电极15之间的插槽部V。[0123]此外，液晶单位C内的液晶层LC具备：第一区域S1，位于贴片电极15与插槽电极55之间(严格来说，贴片电极15上的配向膜OM1(OM1a)与插槽电极55上的配向膜OM2之间)，且厚度小；以及第二区域S2，位于插槽部V与插槽电极55之间(严格地说，插槽部V上的配向膜OM1(OM1b)与插槽电极55上的配向膜OM2之间)，且厚度大。[0124]厚度小的第一区域S1的液晶层LC的与配向膜OM接触的液晶材料的比例相对较高，容易受配向膜OM的影响。另一方面，厚度大的第二区域S2的液晶层LC的与配向膜OM接触的液晶材料的比例相对较低，不容易受配向膜OM影响。需要说明的是，容易受配向膜OM影响的第一区域S1的液晶层LC与形成在贴片电极15上的配向膜OM1(OM1a)接触