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华电MMC功率模块耐受温升及额定电流冲击性能测试报告(20121126)

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华电MMC功率模块耐受温升及额定电流冲击性能测试报告(20121126)PONOVO 试 验 报 告 试验名称: 测试华电MMC项目用功率模块MOS管的开关特性及温升情况 试品型号: 试品编号: 本报告共 8 页 报告编号: 试验日期: 环境温度:24℃ 环境湿度:22% 试验内容: 1、用自己搭建的简易Buck电路对华电MMC项目用功率模块的型号为IXTQ76N25T的N沟道增强型MOS管进行温升和开关特性测试。 试验结论: 1、被测MOS管在100A冲击电流下开关特性较理想,温升不超过40℃。 试验日期: 试验人员:a主要负责更接线及控制被测功率模块的供电、监视热电偶的读数和示波器...

华电MMC功率模块耐受温升及额定电流冲击性能测试报告(20121126)
PONOVO 试 验 报 告 试验名称: 测试华电MMC项目用功率模块MOS管的开关特性及温升情况 试品型号: 试品编号: 本报告共 8 页 报告编号: 试验日期: 环境温度:24℃ 环境湿度:22% 试验 内容 财务内部控制制度的内容财务内部控制制度的内容人员招聘与配置的内容项目成本控制的内容消防安全演练内容 : 1、用自己搭建的简易Buck电路对华电MMC项目用功率模块的型号为IXTQ76N25T的N沟道增强型MOS管进行温升和开关特性测试。 试验结论: 1、被测MOS管在100A冲击电流下开关特性较理想,温升不超过40℃。 试验日期: 试验人员:a主要负责更接线及控制被测功率模块的供电、监视热电偶的读数和示波器中的电压波形;b主要负责实验数据的记录与整理和协助孟宪文完成接线等工作。 负责人: (盖章签字) 1、试验背景 华电MMC功率模块样品已经组装完毕,急需对驱动板和MOS管的性能进行测试。 2、试验依据 SVG功率模块出厂试验规程和SVG功率模块装配工艺规程 3、试验条件 示波器:DPO2024,200MHZ,1GS/s;差分探头:TR1100;柔性探头:CWT30R;万用表:Fluke15B;MOS管模块:IXTQ76N25T;热电偶: 4、试验步骤 1、按图1、图2和图3所示分别接好线,并将示波器各通道设置好; 2、合上控制电源开关,待控制板正常工作后,合上触发脉冲(占空比5%,周期1mS和占空比15%,周期1mS)开关,用示波器普通探头测量MOS管G-S间的触发脉冲波形; 3、触发波形正常后,闭锁控制信号,通过调压器和整流桥将功率模块充电到40VDC左右,解闭锁发出控制信号并用示波器观察相应波形; 4、MOS管正常工作后,闭锁控制信号,将模块充电至100VDC左右,然后解闭锁发出控制信号,记录相关数据并用示波器观察相应的波形; 5、实验结束后对功率模块进行断电、放电,人员离开实验室前应检查所有电源是否已切断,确认无误后,关好门窗、锁上门后方可离开; 6、注意事项:a、实验人员接线前最好带上防静电手环或者想办法将身上积累的电荷放掉;b、严格按照电路图接线,并且接线端子要压接牢固,固定螺丝应拧紧;c、注意不要将螺钉、螺母、焊锡丝、铜线等导电金属掉进功率模块内,裸露的带电端子应用绝缘胶带缠好,防止短路和触电;d、实验间隔期间注意待功率模块断电、放电后再去接触相应带电部分;e、实验过程中,态度要严肃,尽量少做与试验无关的事情,不要打闹、谈笑,严格按照有关试验规程操作,做好绝缘、放电、防火等预防性工作,以便防止发生触电事故。 5、试验结果 见附图1~7 6 附件清单 图1 华电MMC功率模块测试电路1; 图2 华电MMC功率模块测试电路2; 图3 华电MMC功率模块测试电路实际接线图; 图4 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的Buck电路(半桥)对一电阻(1欧,200瓦)负载进行50A电流冲击时的波形图; 图5 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的Buck电路(半桥)对一电阻(1欧,200瓦)负载进行95A电流冲击时的波形图; 图6 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的半桥电路对一串联阻容(1欧,200瓦;40μF)负载进行85A电流冲击时的波形图; 图7 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的半桥电路对一串联阻容(1欧,200瓦;40μF)负载进行100A电流冲击时的波形图。 图1 华电MMC功率模块测试电路1 图2 华电MMC功率模块测试电路2 图3 华电MMC功率模块测试电路实际接线图 图4 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的Buck电路(半桥)对一电阻(1欧,200瓦)负载进行50A电流冲击时的波形图(青色曲线为MOS管两端的电压波形,紫色曲线为电阻两端的电压波形,蓝色曲线为MOS管G-S间的触发脉冲波形,占空比5%,周期1mS) 图5 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的Buck电路(半桥)对一电阻(1欧,200瓦)负载进行95A电流冲击时的波形图(青色曲线为MOS管两端的电压波形,紫色曲线为电阻两端的电压波形,蓝色曲线为MOS管G-S间的触发脉冲波形,占空比5%,周期1mS) 图6 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的半桥电路对一串联阻容(1欧,200瓦;40μF)负载进行85A电流冲击时的波形图(紫色曲线为电阻电容两端电压之和的波形,青色曲线为电容两端的电压波形,蓝色曲线为电阻两端的电压波形;MOS管G-S间的触发脉冲:占空比15%,周期1mS) 图7 为用IXYS的IXTQ76N25T增强型N沟道MOS管搭建的半桥电路对一串联阻容(1欧,200瓦;40μF)负载进行100A电流冲击时的波形图(紫色曲线为直流母线电压的波形,青色曲线为电容两端的电压波形,蓝色曲线为电阻两端的电压波形,探头方向反了;MOS管G-S间的触发脉冲:占空比15%,周期1mS)
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分类:建筑/施工
上传时间:2014-04-09
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