材料科学基础复习参考材料!!

材料科学基础复习参考材料 一、名词解释 1. 刃位错和螺位错（Edge dislocation and screw dislocation） Edge Dislocation 刃位错 An extra portion of a plane of atoms, or half-plane, the edge of which terminates within the crystal. It is a linear defect that centers around the dislocation line. Screw Dislocation 螺旋位错 Formed by a shear stress that is applied to produce the distortion.For the screw dislocation, the Burgers vector is parallel to the disloction line. 2. 弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷 (Schottky defect and Frenkel defect) Frenkel defect 弗伦克尔缺陷 Formed by a cation leaving its normal position and moving into an interstitial site .Interstitial and vacancy forms in pairs and does not result in volume change. Schottky defect 肖特基缺陷 A Schottky defect is a cation vacancy-anion vacancy pair created by removing one cation and one anion from the interior of the crystal and then placing them both at an external surface.Formation of Schottky defect will lead to volume increase. 3. 间隙型固溶体和置换型固溶体(Interstitial solid solution and substitutional solid solution) 4. 连续固溶体(无限固溶体，完全互溶固溶体)与有限固溶体（不连续固溶体，部分互溶固溶体) (Limited solid solution and complete solid solution) 5. 稳定扩散与不稳定扩散(Steady-state diffusion and non-steady-state diffusion) 6. 一致转变（熔融）与不一致转变（熔融）(Congruent transformation and incongruent transformation) 同质多晶和类质同晶像(Polymorphism and Isomorphism) 7. 结晶态的与非晶态的 （Crystalline and amorphous） 8. 重建性转变和位移性转变 9. 晶子学说与无 规则 编码规则下载淘宝规则下载天猫规则下载麻将竞赛规则pdf麻将竞赛规则pdf 网络学说 10. 网络形成体，网络中间体和网络改变体 11. 自扩散与互扩散（ Self-diffusion and inter-diffusion） 12. 固相烧结与液相烧结 (Solid state sintering and liquid state sintering) 13. 初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶 14. 硼反常现象 15. 液相独立析晶 如果冷却速度不是快到使液相完全失去析晶能力，但也不是慢到足以使它能够和系统中其它晶相保持原有的相图关系，则此时液相犹如一个原始配料的高温熔体那样独立析晶，重新建立一个新的平衡体系，不受系统中已存在的其它晶相制约。 16. 均匀成核（核化）和非均匀成核（核化） (1) Homogeneous Nucleation均匀成核 晶核从均匀的单相熔体中产生的几率处处相同。 (2) Heterogeneous Nucleation非均匀成核 借助于 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面、界面、微粒裂纹、器壁以及各种催化位置等而形成晶核的过程 二、综合、简答题 1. 简述晶体结构与空间点阵区别与关系 答：晶体结构是指晶体中原子或分子的排列情况，由空间点阵+结构基元而构成，晶体结构的形式是无限多的。空间点阵是把晶体结构中原子或分子等结构基元抽象为周围环境相同的阵点之后，描述晶体结构的周期性和对称性的图像。空间点阵式从几何角度建立的一种空间构造，其结点周围的环境理所当然是相同的，晶体结构中质点周围的环境不一定是相同的。 2. 晶体的基本性质之一是各向异性，但为什么多晶材料往往是各向同性的？ （英） 3. 简述高岭石结构与蒙脱石结构及其与性能的关系 答：高岭石的基本结构单元是由硅氧层和水铝石层构成的单网层，单网层平行叠放便形成高岭石结构。结构与性质的关系：根据电价规则可以计算出单层网中O 的电价是平衡的，即理论上层内是电中性的，所以高岭石的层间只能靠物理键来结合，这就决定了高岭石也容易解离成片状的小晶体。但单网层在平行叠放时是水铝石层的OH 与硅氧层的O 相接触，故层间靠氢键来结合。由于氢键结合比分子间力强，所以水分子不容易进入单层网之间，晶体不会因为水量增加而膨胀。 蒙脱石具有复网层结构，由两层硅氧四面体层和夹在中间的水铝石层所组成。 结构与性质的关系：蒙脱石晶包c轴长度随水含量而变化，甚至空气湿度的波动也能导致c轴参数的变化，所以，晶体易于膨胀和压缩。加水膨胀，加热脱水并产生较大收缩，一直干燥到脱去结构水之前，其晶格结构不会被破坏。随层间水进入的正离子使复网层电价平衡，它们易于被交换，使矿物具有很高的阳离子交换能力。 4. 为什么石英不同系列变体之间的转化温度比同系列变体之间的转化温度要高的多？ 答： -石英和 -石英在573摄氏度的晶型转变属于位移性转变，由于位移性转变仅仅是键长和键角的调整，未涉及旧键破坏和新键形成，因而转变速度很快，常在一个确定温度下发生。 -石英和 -鳞石英之间的转变是重建性转变，因为破坏旧键并重新组成新键需要较大的能量，多以重建性转变的速度很慢。高温型的变体经常以介稳状态存在于室温条件下。 5. 硅酸盐晶体结构有何特点，怎样表征其化学式？ 答：特点： 1.结构中Si 离子位于O 形成的四面体中心，构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO ]四面体。Si-O-Si键是一条夹角不等的折线，一般在145°左右。 2. [SiO ]四面体的每个顶点，即O 最多只能为两个[SiO ]四面体所共用。 3.两个相邻的[SiO ]四面体之间只能共顶而不能共棱或共面连接。 4. [SiO ]四面体中心的Si 离子可部分地被Al 所取代，取代后结构本身不发生大的变化，即所谓同晶取代，但晶体的性质却可以发生很大的变化。这为材料的改性提供了可能。 在表征硅酸盐晶体的化学式时，通常有两种方法：一种是所谓的氧化物方法，即把构成硅酸盐晶体的所有氧化物按一定比例和顺序全部写出来，先是1价的碱金属氧化物，其次是2价，3价的金属氧化物，最后是SiO 。另一种是无机络盐表示法，是把构成硅酸盐晶体的所有离子按照一定比例和顺序全部写出来，再把相关的络阴离子用中括号【】括起来即可。先是1价，2价的金属离子，其次是Al 和Si 离子，最后是O 或OH 离子。 6. 硅酸盐晶体的分类依据是什么？可分为哪几类，每类的结构特点是什么？ 答：硅酸盐化学式中Si/O比例不同时，结构中德尔基本结构单元[SiO ]四面体之间的结合方式亦不相同，据此，可以对其结构进行分类。X射线结构分析表明，硅酸盐晶体中[SiO ]四面体的结合方式有岛状，组群状，链状，层状和架状等五种方式。 岛状结构：这类结构中[SiO ]四面体以孤岛装存在，它们之间通过其他正离子的配位多面体来连接。 组群状结构：组群状结构是2个，3个，4个或6个[SiO ]四面体通过共用氧相连接形成单独的硅氧络阴离子团。 链状结构：硅氧四面体通过共用的阳离子相连接，形成向一维方向无限延伸的链。依照硅氧四面体共用顶点数目的不同，分为单链和双链两类。 层状结构：层状结构是每个硅氧四面体通过3个桥氧连接，构成向二维方向伸展的六节环状的硅氧层（无限四面体群）。 7. 简述固溶体与化合物、机械混合物的区别。 固溶体 机械混合物 化合物 形成原因 以原子尺寸“溶解”生成 粉末混合 原子间相互反应生成 物系相数 均匀单相系统 多相系统 均匀单相系统 化学计量 不遵循定比定律 遵循定比定律 结构 与原始组分中主晶体（溶剂）相同 与原始组分均不相同 8. 影响置换型固溶体和间隙型固溶体形成的因素有哪些？ 答：形成置换型固溶剂的条件：1.原子或者离子的影响。2.晶体结构类型的影响。3.离子类型和键型。4.电价因素 形成间隙型固溶剂的条件：1.杂质质点的大小。2.晶体（基质）结构。3.电价因素 9. 非化学计量化合物有何特点？ 答：非化学计量化合物具有如下特点： 1. 非化学计量化合物的产生以及缺陷浓度与气氛性质，分压大小有关，这有别于其他缺陷； 2. 这种化合物可以看作是高价化合物与低价化合物的固溶体，即不等价置换是发生在同一种离子中的高价态与低价态间的相互置换； 3. 缺陷浓度与温度有关，这点也可以从平衡常数看出； 10. 如果增大周围氧气的分压，非化学计量化合物Fe1-xO和Zn1+xO的密度将会发生怎样的变化，为什么？ 11 . 一块金黄色人造黄玉，根据化学分析结果认为，是在Al2O3中添加了0.5 mol% NiO和0.02mol%Cr2O3。试写出缺陷方程反应及化学式。 12 硅酸盐晶体结构有何特点，怎样表征其化学式？ 13 硅酸盐晶体的分类依据是什么？可分为哪几类，每类的结构特点是什么？ 14. 影响熔体粘度的因素有哪些？试分析一价金属氧化物降低硅酸盐熔体粘度的原因。 答：影响熔体粘度的主要因素是温度和化学组成。 一价金属氧化物这些正离子由于电荷少，半径大，与O 的作用力较小，提供系统中的“自由氧”而使O/Si比值增加，导致原来硅氧负离子团解聚成较简单的结构单位，而使活化能减低，粘度变小。 15. 为什么极性共价键化合物的熔体冷却时容易形成玻璃？ 答：离子键向共价键过的的混合键称为极性共价键，它主要在于有s-p电子形成杂化轨道，并构成 键和 键。这种混合键既有共价键的方向性和饱和性，不易改变键长和键角的倾向，促进生成具有固定结构的配位多面体，构成玻璃的近程有序；又具有离子键易改变键角，易形成无对称变形的趋势，促进配位多面体不按一定方向连接的不对称变形，构成玻璃远程无序网络结构。因此极性共价键的物质比较容易形成玻璃态。 16. 液体的表面张力与表面能在数值上是一致的，而固体的表面张力与表面能在数值上常不同，为什么？ 答： 17. 固体表面与内部的结构存在一定差异，为什么？ 18. 在CaO-SiO2系统与中Al2O3-SiO2系统中SiO2的液相线都很陡，为什么在硅砖中可以掺入约2％的CaO作矿化剂而不会降低硅砖的耐火度，但在硅砖中要严格防止原料中混入Al2O3，否则会使硅砖的耐火度大大下降？ 19. 图1为一生成一个不一致熔融化合物的二元系统相 图。说明无变量点E、P的性质。用液、固相点的变化表示平衡冷却过程1、2、3、4熔体的结晶路程。 20．比较三元系统相图中各种三元无变量点（低共熔点，双升点，双降点，过渡点和多晶转变点）的特点，写出它们的相平衡关系。 21. 下图为生成一个二元化合物的三元相图。 判断二元化合物AmBn的性质。 标出边界线的降温方向（转熔线用双箭头）。 指出无变量点E、P的性质。 分析配料点1、2、3的结晶路程（表明液、固相组 成点的变化及结晶过程各阶段系统中发生的相变化）。 22.下图为生成一个三元化合物的三元相图。 · 判断三元化合物N的性质。 · 标出边界线的降温方向（转熔线用双箭头）。） · 指出无变量点K、L、M的性质。 · 分析点1、2的结晶路程（表明液、固相组成点的变化及结晶过程各阶段系统中发生的相变化）。 23. 根据下列数据制作一金属A和B 在600oC 和 1000oC间的完整相图: 1） A的熔点为 940oC； 2） B在A中的溶解度很小，可以忽略； 3） B的熔点为830oC； 4） 700oC时A在B中的溶解度达到最大，为l2 wt% A，固溶体为相； 5） 600oC时 A 在B中的溶解度为 8 wt% A. 6） 在700oC时，存在一个低共熔点，组成为75 wt%B—25 wt% A； 7） 在730oC时，存在第二个低共熔点，组成为60 wt% B—40 wt% A； 8） 在755oC时，存在第三个低共熔点，组成为40 wt% B—60 wt% A； 9） 组成为5l wt% B—49 wt% A的间金属化合物AB在780oC 时发生一致熔融； 10）组成为67 wt% B—33 wt% A的间金属化合物AB2在755oC 时发生一致熔融； 11）组成为20 wt% B—80 wt% A的间金属化合物A2B在830oC 时发生不一致熔融，形成固体A和组成为30 wt% B—70 wt% A的熔体。 分析组成为25 wt% B—75 wt% A的熔体M’从1000oC平衡冷却到600oC的结晶路程（表明液、固相组成点的变化及结晶过程各阶段系统中发生的相变化）。 24. 中文教材 习题 6.20 25. 中文教材 习题 6.21 26. 中文教材 习题 6.22 27. 根据CaO-Al2O3-SiO2三元系统相图，说明为什么在水泥生产中熟料要快速冷却。 28. 根据K2O-Al2O3-SiO2三元系统相图，说明日用陶瓷产品中莫来石量取决于配料中粘土量 29. 中文教材 习题 7.2 30. 中文教材 习题 7.19 31. 影响扩散的因素 (晶体结构和固溶体类型、温度、杂质、浓度、位错、晶界和表面） 33. 测得离子晶体KCl的扩散系数与温度的关系近似图所示KCl 的D-1/T关系。 · 为何图中直线出现转折？ · 如果在KCl晶体中加入少量CaCl2 (<0.01%)，转折点将发生什么变化？ · 从图可获得哪些有用数据？ 33. 简述下列因素对固相反应的影响： (1) 反应物化学组成与结构；(2) 反应物尺寸与分布； (3) 反应温度与压力 34. 如果要合成镁铝尖晶石，可供选择的原料有MgCO3、Mg(OH)2、MgO、Al2O3·3H2O、- Al2O3、－Al2O3，从提高反应速率的角度出发，选择什么样的原料较好？请说明原因。 35. 烧结过程中晶界遇到夹杂物会出现几种情况？从实现致密化的目的考虑，晶界应如何移动？怎样控制？ 36. 二次再结晶的推动力、原因、对性能影响、防止方法 37 影响烧结的因素 38. 用淬冷法研究相平衡时，如何确定试样是否有析晶？ 39. 用淬冷法研究相平衡有什么优缺点。 三、计算题 1. 在真空条件下氧化铝的表面张力为0.90 mN/m，液态铁的表面张力为1.72 mN/m，同样条件下的界面张力（液态铁－氧化铝）为2.30 mN/m，问接触角有多大？液态铁能否润湿氧化铝？ 2. 根据ZnS烧结的数据测定扩散系数。在450oC和563oC分别测得扩散系数为1.0×10-4cm2/s和3.0×10-4cm2/s。预测D随硫的分压而变化的关系。 3 设有粉料粒度为m，若经过2h烧结后，x/r = 0.1。如果不考虑晶粒生长，若烧结至x/r = 0.2，并分别通过蒸发-凝聚、体积扩散、粘性流动、溶解-沉淀传质，各需要多少时间？若总烧结时间延长为8 h，各个传质过程颈部增长x/r又是多少？ 4. (a) 在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6eV, 计算25oC和1600oC时热缺陷的浓度. (b) 如果MgO晶体中含有百万分之一的Al2O3杂质,则在1600oC时, MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势? 5. 对于具有面心立方结构和体心立方结构的同质多晶原子晶体，根据面心立方结构的原子半径Rf，计算转变成体心立方结构时的原子半径Rb。假设晶体的体积不变（即密度不变）。 6. 纯铁在912oC由体心里放结构转变为面心立方，晶体体积随之减小1.06%，根据面心立方的原子结构半径计算体心立方结构的原子半径。 7. 纯铁在833oC由六方结构转变为体心立方结构，体积随之减小0.55%，其原子半径是增大还是减小？ 8. 在制造透明Al2O3材料时，原始粉料粒度为2 m，在无添加剂时烧结至最高温度保温0.5 h，测得晶粒尺寸10 m。试问若保温时间为2 h，晶粒尺寸为多大？假如为抑制晶粒生长加入0.1%MgO，在最高温度保温0.5 h后测得晶粒尺寸为5 m。此时保温时间为2 h，晶粒尺寸为多大？ 9. What point defects are possible for MgO as an impurity in Al2O3? How many Mg2+ ions must be added to form each of these defects? （You can get a bonus of two scores if you can give a correct answer in English.） 10.The activation energy for the diffusion of carbon in chromium is 111,000 J/mol. Calculate the diffusion coefficient at 1100 K(827oC), given that D at l400 K (1127oC) is 6.25 × 10-11 m2/s. 11 Calculate the energy for vacancy formation in silver, given that the equillbrium number of vacancies at 800oC (l073 K) is 3.6 × l023m-3. The atomic weight and density (at 800oC) for silver are, respectively, l07.9 g/mol and 9.5 g/cm3 12 测得1653oC和1716oC时Al3+在Al2O3中的扩散系数分别为7.02×10-12cm2/s和2.42×10-11cm2/s。确定扩散激活能Q和D0。 13 某假想金属单位晶胞的几个不同晶面上原子排列如下图所示。: （001） （110） （101） 问：（a）该单位晶胞属于何种晶系? (b) 属于何种晶体结构? (c) 如该金属的理论密度为 17.9g/cm3, 计算其原子质量。 14. 如果在过冷溶体中析出边长为a的正方体晶核，请推导临界晶核边长ac和临界成核势垒Gc各为多少？已知单位体积中母相和新相之间的自由能差(G新－G母)为GV，新相与母相间的界面能为。 15. 甲乙两种玻璃的摩尔百分组成（mol％）如下表所示。计算两种玻璃的结构参数，并比较两种玻璃热膨胀系数的大小。 玻璃种类 Na2O Al2O3 SiO2 甲 10 13 77 乙 20 7 73 16．为提高钢齿轮表面硬度，在高温富碳气氛中对其进行渗碳处理。在850oC时处理10 min，表面下1.0mm处的碳含量提高了0.9 wt%。如果渗碳处理温度改为650oC，则要使表面下1.0mm处的碳含量同样提高0.9 wt%需要多少时间？假如两种情况下钢齿轮表面的碳含量均相等且保持恒定。已知碳在－Fe中的扩散系数D=6.2×10-7exp(-Qd/RT)，其中Qd为80kJ/mol。 17. 碳酸钠和二氧化硅在高温下进行固相反应： 根据实验结果按杨德方程求得800oC和850oC时该反应的速度常数KJ分别为1.83×10-4和3.63×10-4，求反应活化能。 18 英文教材习题 3.5；3.53，3.58；3.69；3.76；3.77；5.1；5.3；5.10；5.11；6.13, 6.19, 6.20, 6.30, 10.48； 19. 如果在过冷溶体中析出边长为a的正方体晶核，请推导临界晶核边长ac和临界成核势垒Gc各为多少？已知单位体积中母相和新相之间的自由能差(G新－G母)为GV，新相与母相间的界面能为。 四、判断题、选择题、填空题复习范围 第二章 晶体结构 1. 晶体与非晶体的本质区别 晶体结构是指晶体中的原子或分子的排列情况，由空间点阵+结构基元构成，晶体结构的形式是无限多的，空间点阵是把晶体结构中的原子或分子结构基元抽象为与环境相同的阵点之后，描述晶体结构的周期性和对称性的图像。 4. 7个晶系与14种布拉维格子 5. 晶面指数与晶向指数的确定方法。E 3.53，3.58； C 2.8，2.9 6. 晶体原子堆积系数APF和理论密度、晶胞体积的计算 [例题2.8] C 2.11 . C2.32 8. 配位数和配位多面体的概念、 配位数:一个原子或离子周围同种原子或异号 离子的数目（CN） 9. 晶体结构中的四面体间隙和八面体间隙 10. 配位数与离子半径比的关系 ( 不必记临界值具体数据) 比值可以确定正离子的配位数和配位多面体的结构。 E 3.26 12. NaCl、CsCl、立方ZnS、CaF2结构 13. 离子晶体的结构规则-- Pauling规则的应用1负离子配位多面体规则在离子晶体中，正离子的周围形成一个负离子配位多面体，正负离子间的平衡距离取决于离子半径之和，而正离子的配位数则取决于正负离子的半径比。2静电价规则在一个稳定的离子晶体中，每个负离子的电价Z－等于或接近等于与之邻接的各正离子静电键强度 S 的总和 。3关于负离子多面体共用点、棱与面的规则在一配位结构中，共用棱特别是共用面的存在，会降低这个结构的稳定性。对于电价高、配位数低的正离子来说，这个效应尤为显著。 4在一个含有不同阳离子晶体中，电价高而配位数小的那些阳离子，不趋向于相互共有配位多面体的要素。5节约规则在一个晶体中，本质不同的结构组元的种类，倾向于为数最少。 14. 硅酸盐晶体结构类型与Si/O比的关系（表） .C2. 26 15. 高岭石结构与蒙脱石结构及其与性能的关系 石英晶体的岭石的基本结构单元是由硅氧层和水铝石层构成的单网层，单网层平行叠放便形成高岭石结构。结构与性质的关系：根据电价规则可以计算出单层网中O 的电价是平衡的，即理论上层内是电中性的，所以高岭石的层间只能靠物理键来结合，这就决定了高岭石也容易解离成片状的小晶体。但单网层在平行叠放时是水铝石层的OH 与硅氧层的O 相接触，故层间靠氢键来结合。由于氢键结合比分子间力强，所以水分子不容易进入单层网之间，晶体不会因为水量增加而膨胀。 蒙脱石具有复网层结构，由两层硅氧四面体层和夹在中间的水铝石层所组成。 结构与性质的关系：蒙脱石晶包c轴长度随水含量而变化，甚至空气湿度的波动也能导致c轴参数的变化，所以，晶体易于膨胀和压缩。加水膨胀，加热脱水并产生较大收缩，一直干燥到脱去结构水之前，其晶格结构不会被破坏。随层间水进入的正离子使复网层电价平衡，它们易于被交换，使矿物具有很高的阳离子交换能力。 多晶转变 第三章 晶体结构缺陷 1. 晶体缺陷分类几何状况：点线面体缺陷；产生原因：杂质、非化学计量、电荷、辐照缺陷 2. （点）缺陷反应式 （杂质缺陷反应方程式，热缺陷反应方程式） E5.11 C3.7 3. 热缺陷浓度的计算 E 5.1， 5.2. C 3.10 4. 固溶体与化合物、机械混合物的区别 C3.19 5. 形成置换型固溶体和间隙型固溶体的条件及缺陷反应式 C3.29 6. 非化学计量化合物的特点 7. 非化学计量化合物产生的缺陷化学反应式 8. 非化学计量化合物缺陷浓度与气氛性质和分压大小的关系 3.12，3.13 第四章 非晶态结构与性质 1. 熔体粘度与温度关系 2. 熔体粘度与组成关系 3. 硼反常 4. 玻璃的通性 5. 形成玻璃的热力学条件 6. 玻璃形成的动力学手段 7. 玻璃形成结晶化学条件 8. 玻璃网络形成体、网络变性体、中间体 9. 晶子学说和无规则网络假说要点 10. 表示硅酸盐网络结构特征的四个基本结构参数 11. 结构参数计算，Y与玻璃性能 第五章 1. 造成表面层与内部结构差异的原因 2. 液体及固体的表面能与表面张力 3. 液体能润湿固体的条件（铺展润湿） 第六章 1. 硅酸盐系统中的相律 2. SiO2系统相图及其应用（体积变化、硅砖生产） 3. 生成化合物的二元系统相图 4. 一致熔化合物与不一致熔化合物 5. 杠杆规则 6. 低共熔点、转熔点（回吸点） 7. 析晶过程表示法 8. 具有多晶转变的二元系统相图 9. 形成(连续\有限)固溶体的二元系统相图 10. 具有液相分成的二元系统相图 11. CaO-SiO2系统相图 13. Al2O3-SiO2系统相图 15. 三元相图的组成表示方法 16. 浓度三角形的性质 17. 杠杆规则 18. 重心原理 19. 生成一个一致熔融的二元化合物的三元系统相图 20. 生成一个不一致熔融的二元化合物的三元系统相图 21. 生成一个固相分解的二元化合物的三元系统相图 22.具有一个一致熔融的三元化合物的三元系统相图 23.具有一个不一致熔融的三元化合物的三元系统相图 24. 初晶区、副三角形、 25. 连线规则、切线规则、重心规则、 三角形规则 26 单转熔点、双转熔点、转熔线、双升点， 双降点 27. 结晶过程表示 28. CaO- Al2O3-SiO2系统相图在水泥生产中的应用 30. K2O- Al2O3-SiO2系统相图配料三角形与产物三角形 第七章 1. 菲克第一定律的应用 2. 稳定扩散不稳定扩散 3. 菲克第二定律的应用（第一类边界条件） 4. 扩散的一般推动力 5. 本征扩散与分本征扩散 6. 非化学计量氧化物中的扩散 7. 扩散系数与扩散活化能 8. 金属离子空位型 9. 氧离子空位型 10. 影响扩散的因素( 晶体结构、温度、杂质） 第九章 11. 转化率 12. 抛物线型速度方程 13. 杨德尔方程与金斯特林格方程（比较） 14. 影响固相反应的因素（反应物化学组成与结构、反应物颗粒尺寸、反应温度、压力与气氛、矿化剂） 第十章 1. 烧结的基本概念宏观现象:一种或多种固体粉末经过成型，在加热到一定温度后开始收缩，在低于熔点温度下变成致密、坚硬的烧结体的过程。宏观现象:一种或多种固体粉末经过成型，在加热到一定温度后开始收缩，在低于熔点温度下变成致密、坚硬的烧结体的过程。 2. 烧结过程的推动力烧结是一自发的不可逆过程，系统表面能降低是推动烧结进行的基本动力。 3. 粉状物料的表面能大于多晶烧结体的晶界能是烧结的推动力;粉体烧结后，晶界能代替了表面能，这是多晶材料稳定存在的 原因。 4. 烧结模型 5. 烧结程度的表示 x/r，L/L 6. 蒸发-凝聚传质，x/r∝r/3t1/3，L/L=? 7. 扩散传质 x/r∝r-3/5t1/5，L/L=? 8. 液相参与的烧结与固相烧结的异同共同点： 推动力都是表面能; 烧结过程：颗粒重排、气孔填充、晶粒生长 不同点： 流动传质速率比扩散快，液相烧结致密化速率高，可使坯体在比固态烧结温度低得多的情况 9. 流动传质 粘性流动 x/r∝r-1/2t1/2，DL/L=? 烧结速率公式 9. 溶解-沉淀传质 x/r∝r-4/3t1/3，DL/L=? 10. 晶粒生长与二次再结晶的区别 晶粒生长 坯体内晶粒尺寸均匀地生长 Dl(d/f 晶粒生长是平均尺寸增长，不存在晶核，晶面处于平衡状态，界面上无应力 晶粒生长时气孔都维持在晶界或晶界交汇处 二次再结晶 个别晶粒异常生长 不服从 大晶粒界面上有应力存在 气孔被包裹到晶粒内部 11.晶粒生长速度与晶粒曲率半径和温度的关系 12. 晶粒生长定律 13. 晶界遇到夹杂物的的几种情况。 14. 二次再结晶 推动力 原因 对性能影响 防止方法 采用晶界迁移抑制剂时晶粒生长公式 15 晶界在烧结中的作用 16. 影响烧结的因素 第八章 1. 相变的分类 2. 相变过程的温度条件 3. 临界晶核 4. 均态核化速率与非均态核化速率 5. 晶体生长速率 6. 总的结晶速率 JMA方程 7. 影响结晶速率的因素 实验部分具体操作。 � � EMBED Origin50.Graph ��� � 图1 图2 � EMBED Equation.3 ��� � EMBED Equation.3 ��� � EMBED PBrush ��� _1323358349.unknown _1323358596.unknown _1323359364.unknown _1323360061.unknown _1323361015.unknown _1323361702.unknown _1323364753.unknown _1323420503.unknown _1323420534.unknown _1323364727.unknown _1323361423.unknown _1323360211.unknown _1323359432.unknown _1194375800.unknown _1145470129.bin