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电子工程师呕心力作——十说电容

paul
2010-01-13 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《电子工程师呕心力作——十说电容pdf》,可适用于IT/计算机领域

wwwcntronicscom十说电容话说电容之一:电容的作用作为无源元件之一的电容其作用不外乎以下几种:、应用于电源电路实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之:)旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件它能使稳压器的输出均匀化降低负载需求。就像小型可充电电池一样旁路电容能够被充电并向器件进行放电。为尽量减少阻抗旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。)去藕去藕又称解藕。从电路来说总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大驱动电路要把电容充电、放电才能完成信号的跳变在上升沿比较陡峭的时候电流比较大这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流由于电路中的电感电阻(特别是芯片管脚上的电感会产生反弹)这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声会影响前级的正常工作这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用满足驱动电路电流的变化避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的只是旁路电容一般是指高频旁路也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小根据谐振频率一般取µF、µF等wwwcntronicscomwwwcntronicscom而去耦合电容的容量一般较大可能是µF或者更大依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。)滤波从理论上(即假设电容为纯电容)说电容越大阻抗越小通过的频率也越高。但实际上超过µF的电容大多为电解电容有很大的电感成份所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容这时大电容通低频小电容通高频。电容的作用就是通高阻低通高频阻低频。电容越大低频越容易通过电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(µF)滤低频小电容(pF)滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变由此可知信号频率越高则衰减越大可很形象的说电容像个水塘不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化频率越高峰值电流就越大从而缓冲了电压。滤波就是充电放电的过程。)储能储能型电容器通过整流器收集电荷并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为~VDC、电容值在~µF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B或B)是较为常用的。根据不同的电源要求器件有时会采用串联、并联或其组合的形式对于功率级超过KW的电源通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。、应用于信号电路主要完成耦合、振荡同步及时间常数的作用:)耦合举个例子来讲晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合这个电阻就是产生了耦合的元件如果在这个电阻两端并联一个电容由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗这样就减小了电阻产生的耦合效应故称此电容为去耦电容。)振荡同步包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。wwwcntronicscomwwwcntronicscom)时间常数这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时电容(C)上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻(R)、电容(C)的特性通过下面的公式描述:i=(VR)e(tCR)话说电容之二:电容的选择通常应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢?笔者认为应基于以下几点考虑:、静电容量、额定耐压、容值误差、直流偏压下的电容变化量、噪声等级、电容的类型、电容的规格。那么是否有捷径可寻呢?其实电容作为器件的外围元件几乎每个器件的Datasheet或者Solutions都比较明确地指明了外围元件的选择参数也就是说据此可以获得基本的器件选择要求然后再进一步完善细化之。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装具体要看产品所使用环境特殊的电路必须用特殊的电容。wwwcntronicscomwwwcntronicscom下面是chipcapacitor根据电介质的介电常数分类介电常数直接影响电路的稳定性。NPorCH(K<):电气性能最稳定基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于K值较小所以在、、封装下很难有大容量的电容。如一般最大的nF以下。XRorYB(<K<):电气性能较稳定,在温度﹑电压与时间改变时性能的变化并不显著(∆C<±)。适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。YVorYF(K>):容量稳定性较XR差(∆C<~)容量﹑损耗对温度、电压等测试条件较敏感但由于其K值较大所以适用于一些容值要求较高的场合。话说电容之三:电容的分类电容的分类方式及种类很多基于电容的材料特性其可分为以下几大类:、铝电解电容电容容量范围为µF~µF高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选广泛应用于电源滤波、解藕等场合。、薄膜电容电容容量范围为pF~µF具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应因此是X、Y安全电容、EMIEMC的首选。、钽电容电容容量范围为µF~µF低等效串联电阻(ESR)、低等效串联电感(ESL)。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容是高稳定电源的理想选择。wwwcntronicscomwwwcntronicscom、陶瓷电容电容容量范围为pF~µF独特的材料和薄膜技术的结晶迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。、超级电容电容容量范围为F~F极高的容值因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。主要特点是:超高容值、良好的充放电特性适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低工作温度范围较窄。话说电容之四:多层陶瓷电容(MLCC)对于电容而言小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中要数多层陶瓷电容(MLCC)的发展最快。多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。例如手机要求更高的传输速率和更高的性能基带处理器要求高速度、低电压LCD模块要求低厚度(mm)、大容量电容。而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求:首先是耐高温放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足℃的工作温度其次是在电池电路上需要短路失效保护设计。也就是说小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数因此需要从材料方面降低介电常数对电压的依赖优化直流偏置电压特性。应用中较为常见的是XR(XR)类多层陶瓷电容它的容量主要集中在pF以上该类电容器主要性能指标是等效串联电阻(ESR)在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。另一类多层陶瓷电容是CG类它的容量多在pF以下该类电容器主要性能指标是损耗角正切值tgδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的CG产品DF值范围是(~)×而技术创新型贱金属电极(BME)的wwwcntronicscomwwwcntronicscomCG产品DF值范围为(~)×约是前者的~。该类产品在载有TR模块电路的GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路如振荡同步器、定时器电路等。话说电容之五:钽电容替代电解电容的误区通常的看法是钽电容性能比铝电容好因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽它的介电能力(通常用ε表示)比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下钽电容的体积能比铝电容做得更小。(电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积在容量一定的情况下介电能力越高体积就可以做得越小反之体积就需要做得越大)再加上钽的性质比较稳定所以通常认为钽电容性能比铝电容好。但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极而在于电解质也就是阴极。因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同性能可以差距很大总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰那么它的性能其实也能提升不少。可以肯定ESR是衡量一个电容特性的主要参数之一。但是选择电容应避免ESR越低越好品质越高越好等误区。衡量一个产品一定要全方位、多角度的去考虑切不可把电容的作用有意无意的夸大。以上引用了部分网友的经验总结。普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质阳极是钝化铝阴极是纯铝所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。一般来说钽电解电容的ESR要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路(比如中心为Hz的带通滤波器)的话要注意容量变化后对滤波器性能(通带)的影响。wwwcntronicscomwwwcntronicscom话说电容之六:旁路电容的应用问题嵌入式设计中要求MCU从耗电量很大的处理密集型工作模式进入耗电量很少的空闲休眠模式。这些转换很容易引起线路损耗的急剧增加增加的速率很高达到Ams甚至更快。通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件它能使稳压器的输出均匀化降低负载需求。就像小型可充电电池一样旁路电容能够被充电并向器件进行放电。为尽量减少阻抗旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。应该明白大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。在负载变化非常剧烈的情况下则需要三个或更多不同容量的电容以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制中速的瞬态过程由低频大容量来抑制剩下则交给稳压器完成了。还应记住一点稳压器也要求电容尽量靠近电压输出端。话说电容之七:电容的等效串联电阻ESR普遍的观点是:一个等效串联电阻(ESR)很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值(纹波)电流。但是有时这样的选择容易引起稳压器(特别是线性稳压器LDO)的不稳定所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住稳压器就是一个放大器放大器可能出现的各种情况它都会出现。由于DCDC转换器的响应速度相对较慢输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用因此需要额外大容量的电容来减缓相对于DCDC转换器的快速转换同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。通常大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的Dasheet规定之内。wwwcntronicscomwwwcntronicscom高频转换中小容量电容在µF到µF量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容(MLCC)具有更小的ESR。另外在这些容值下它们的体积和BOM成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。用ESR大的电容并联比用ESR恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而,这需要你在PCB面积、器件数目与成本之间寻求折衷。话说电容之八:电解电容的电参数这里的电解电容器主要指铝电解电容器其基本的电参数包括下列五点:、电容值电解电容器的容值取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值也就是交流电容值随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为Hz最大交流电压为VrmsDCbias电压为~V的条件下进行。可以断言铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。、损耗角正切值Tanδ在电容器的等效电路中串联等效电阻ESR同容抗ωC之比称之为Tanδ这里的ESR是在Hz下计算获得的值。显然Tanδ随着测量频率的增加而变大随测量温度的下降而增大。、阻抗Z在特定的频率下阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗(Z)。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关且与ESR也有关系。Z=√ESR(XLXC)wwwcntronicscomwwwcntronicscom式中XC=ωC=πfCXL=ωL=πfL电容的容抗(XC)在低频率范围内随着频率的增加逐步减小频率继续增加达到中频范围时电抗(XL)降至ESR的值。当频率达到高频范围时感抗(XL)变为主导所以阻抗是随着频率的增加而增加。、漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而由于铝氧化膜介质上浸有电解液在施加电压时重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常漏电流会随着温度和电压的升高而增大。、纹波电流和纹波电压在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”其实就是ripplecurrentripplevoltage。含义即为电容器所能耐受纹波电流电压值。它们和ESR之间的关系密切可以用下面的式子表示:Urms=Irms×R式中Vrms表示纹波电压Irms表示纹波电流R表示电容的ESR由上可见当纹波电流增大的时候即使在ESR保持不变的情况下涟波电压也会成倍提高。换言之当纹波电压增大时纹波电流也随之增大这也是要求电容具备更低ESR值的原因。叠加入纹波电流后由于电容内部的等效串连电阻(ESR)引起发热从而影响到电容器的使用寿命。一般的纹波电流与频率成正比因此低频时纹波电流也比较低。话说电容之九:电容器参数的基本公式、容量(法拉)英制:C=(×K·A)TD公制:C=(×K·A)TDwwwcntronicscomwwwcntronicscom、电容器中存储的能量E=½CV、电容器的线性充电量I=C(dVdt)、电容的总阻抗(欧姆)Z=√RS(XC–XL)、容性电抗(欧姆)XC=(πfC)、相位角Ф理想电容器:超前当前电压º理想电感器:滞后当前电压º理想电阻器:与当前电压的相位相同、耗散系数()DF=tanδ(损耗角)=ESRXC=(πfC)(ESR)、品质因素Q=cotanδ=DF、等效串联电阻ESR(欧姆)ESR=(DF)XC=DFπfCwwwcntronicscomwwwcntronicscom、功率消耗PowerLoss=(πfCV)(DF)、功率因数PF=sinδ(lossangle)–cosФ(相位角)、均方根rms=×Vp、千伏安KVA(千瓦)KVA=πfCV×、电容器的温度系数TC=(Ct–C)C(Tt–)×、容量损耗()CD=(C–C)C×、陶瓷电容的可靠性LLt=(VtV)X(TtT)Y、串联时的容值n个电容串联:CT=CC…Cn两个电容串联:CT=C·C(CC)、并联时的容值CT=CC…Cnwwwcntronicscomwwwcntronicscom、重复次数(AgaingRate)AR=∆Cdecadeoftime上述公式中的符号说明如下:K=介电常数A=面积TD=绝缘层厚度V=电压t=时间RS=串联电阻f=频率L=电感感性系数δ=损耗角Ф=相位角L=使用寿命Lt=试验寿命Vt=测试电压V=工作电压Tt=测试温度T=工作温度X,Y=电压与温度的效应指数。话说电容之十:电源输入端的X,Y安全电容在交流电源输入端一般需要增加三个电容来抑制EMI传导干扰。交流电源的输入一般可分为三根线:火线(L)零线(N)地线(G)。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容一般称之为Y电容。这两个Y电容连接的位置比较关键必须需要符合相关安全标准以防引起电子设备漏电或机壳带电容易危及人身安全及生命所以它们都属于安全电容要求电容值不能偏大而耐压必须较高。一般地工作在亚热带的机器要求对地漏电电流不能超过mA工作在温带机器要求对地漏电电流不能超过mA。因此Y电容的总容量一般都不能超过pF。wwwcntronicscomwwwcntronicscom特别提示:Y电容为安全电容必须取得安全检测机构的认证。Y电容的耐压一般都标有安全认证标志和ACV或ACV字样但其真正的直流耐压高达V以上。因此Y电容不能随意使用标称耐压ACV或DCV之类的普通电容来代用。在火线和零线抑制之间并联的电容一般称之为X电容。由于这个电容连接的位置也比较关键同样需要符合安全标准。因此X电容同样也属于安全电容之一。X电容的容值允许比Y电容大但必须在X电容的两端并联一个安全电阻用于防止电源线拔插时由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时间带电。安全标准规定当正在工作之中的机器电源线被拔掉时在两秒钟内电源线插头两端带电的电压(或对地电位)必须小于原来额定工作电压的。同理X电容也是安全电容必须取得安全检测机构的认证。X电容的耐压一般都标有安全认证标志和ACV或ACV字样但其真正的直流耐压高达V以上使用的时候不要随意使用标称耐压ACV或DCV之类的的普通电容来代用。X电容一般都选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容这种电容体积一般都很大但其允许瞬间充放电的电流也很大而其内阻相应较小。普通电容纹波电流的指标都很低动态内阻较高。用普通电容代替X电容除了耐压条件不能满足以外一般纹波电流指标也是难以满足要求的。实际上仅仅依赖于Y电容和X电容来完全滤除掉传导干扰信号是不太可能的。因为干扰信号的频谱非常宽基本覆盖了几十KHz到几百MHz甚至上千MHz的频率范围。通常对低端干扰信号的滤除需要很大容量的滤波电容但受到安全条件的限制Y电容和X电容的容量都不能用大对高端干扰信号的滤除大容量电容的滤波性能又极差特别是聚脂薄膜电容的高频性能一般都比较差因为它是用卷绕工艺生产的并且聚脂薄膜介质高频响应特性与陶瓷或云母相比相差很远一般聚脂薄膜介质都具有吸附效应它会降低电容器的工作频率聚脂薄膜电容工作频率范围大约都在MHz左右超过MHz其阻抗将显著增加。因此为抑制电子设备产生的传导干扰除了选用Y电容和X电容之外还要同时选用多个类型的电感滤波器组合起来一起滤除干扰。电感滤波器多属于低通滤波器但电感滤波器也有很多规格类型例如有:差模、共模以及高频、低频等。每种电感主要都是针对某一小段频率的干扰信号滤除而起作用对其它频率的干扰信号的滤除效果不大。通常电感量很大的电感其线圈匝数较多那么电感的分布电容也很大。高频干扰信号将通过分布电容旁路掉。而且导磁率很高的磁芯其工作频率则较低。目前大量使用的电感滤波器磁芯的工作频率大多数都在MHz以下。对于工作频率要求比较高的场合必须选用高频环形磁芯高频环形磁芯导磁率一般都不高但漏感特别小比如非晶合金磁芯坡莫合金等。wwwcntronicscom<<ASCIIEncodePagesfalseAllowTransparencyfalseAutoPositionEPSFilestrueAutoRotatePagesNoneBindingLeftCalGrayProfile(DotGain)CalRGBProfile(sRGBIEC)CalCMYKProfile(USWebCoatedSWOPv)sRGBProfile(sRGBIEC)CannotEmbedFontPolicyErrorCompatibilityLevelCompressObjectsTagsCompressPagestrueConvertImagesToIndexedtruePassThroughJPEGImagestrueCreateJDFFilefalseCreateJobTicketfalseDefaultRenderingIntentDefaultDetectBlendstrueColorConversionStrategyLeaveColorUnchangedDoThumbnailsfalseEmbedAllFontstrueEmbedJobOptionstrueDSCReportingLevelSyntheticBoldnessEmitDSCWarningsfalseEndPageImageMemoryLockDistillerParamsfalseMaxSubsetPctOptimizetrueOPMParseDSCCommentstrueParseDSCCommentsForDocInfotruePreserveCopyPagetruePreserveEPSInfotruePreserveHalftoneInfofalsePreserveOPICommentsfalsePreserveOverprintSettingstrueStartPageSubsetFontstrueTransferFunctionInfoApplyUCRandBGInfoPreserveUseProloguefalseColorSettingsFile()AlwaysEmbedtrueNeverEmbedtrueAntiAliasColorImagesfalseDownsampleColorImagestrueColorImageDownsampleTypeBicubicColorImageResolutionColorImageDepthColorImageDownsampleThresholdEncodeColorImagestrueColorImageFilterDCTEncodeAutoFilterColorImagestrueColorImageAutoFilterStrategyJPEGColorACSImageDict<<QFactorHSamplesVSamples>>ColorImageDict<<QFactorHSamplesVSamples>>JPEGColorACSImageDict<<TileWidthTileHeightQuality>>JPEGColorImageDict<<TileWidthTileHeightQuality>>AntiAliasGrayImagesfalseDownsampleGrayImagestrueGrayImageDownsampleTypeBicubicGrayImageResolutionGrayImageDepthGrayImageDownsampleThresholdEncodeGrayImagestrueGrayImageFilterDCTEncodeAutoFilterGrayImagestrueGrayImageAutoFilterStrategyJPEGGrayACSImageDict<<QFactorHSamplesVSamples>>GrayImageDict<<QFactorHSamplesVSamples>>JPEGGrayACSImageDict<<TileWidthTileHeightQuality>>JPEGGrayImageDict<<TileWidthTileHeightQuality>>AntiAliasMonoImagesfalseDownsampleMonoImagestrueMonoImageDownsampleTypeBicubicMonoImageResolutionMonoImageDepthMonoImageDownsampleThresholdEncodeMonoImagestrueMonoImageFilterCCITTFaxEncodeMonoImageDict<<K>>AllowPSXObjectsfalsePDFXaCheckfalsePDFXCheckfalsePDFXCompliantPDFOnlyfalsePDFXNoTrimBoxErrortruePDFXTrimBoxToMediaBoxOffsetPDFXSetBleedBoxToMediaBoxtruePDFXBleedBoxToTrimBoxOffsetPDFXOutputIntentProfile()PDFXOutpu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