null第七章 半导体存储器 *第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器第七章 半导体存储器7.1 概述
能存储大量二值信息的器件
一、一般结构形式！单元数庞大
！输入/输出引脚数目有限null二、分类
1、从存/取功能分：
①只读存储器
(Read-Only-Memory）
②随机读/写
（Random-Access-Memory）
2、从工艺分：
①双极型
②MOS型
null7.2 ROM
7.2.1 掩模ROM
一、结构
null二、举例
nullD0
Dmnull两个概念：
存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”
存储器的容量：“字数 x 位数”null掩模ROM的特点：
出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产
简单，便宜，非易失性7.2.2 可编程ROM（PROM）7.2.2 可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同7.2.2 可编程ROM（PROM）7.2.2 可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同写入时，要使用编程器7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）
nullnullnull二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）
总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
nullnull三、快闪存储器（Flash Memory）
为提高集成度，省去T2（选通管）
改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）7.3 随机存储器RAM7.3 随机存储器RAM7.3.1 静态随机存储器（SRAM）
一、结构与工作原理
nullnull二、SRAM的存储单元
六管N沟道增强型MOS管null7.3.2* 动态随机存储器（DRAM）
动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理
7.4 存储器容量的扩展7.4 存储器容量的扩展7.4.1 位扩展方式
适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时
接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可
例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM7.4.2 字扩展方式7.4.2 字扩展方式适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAMnullnullnullnull7.5 用存储器实现组合逻辑函数7.5 用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理
从ROM的数据表可见：
若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数7.5 用存储器实现组合逻辑函数7.5 用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理
从ROM的数据表可见：
若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数null二、举例二、举例null
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