LM386 中文资料 PDF
简介:LM386 中文资料 PDF 是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20,透过pin 1 和pin8
位间电容的搭配,增益最高可达200。LM386可使用电 ...
是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20,透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配,增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源,输入电压范围可由4V~12V,无作动时仅消耗4mA电流,且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示,
表
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1为其电气特性。
图1. 内部电路图
图2 引脚功能图
极限参数:
电源电压
(LM386N-1,-3,LM386M-1)15V
电源电压(LM386N-4)22V
封装耗散
(LM386N)1.25W
(LM386M)0.73W
(LM386MM-1)0.595W
输入电压±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度0℃至+70℃
结温+150℃
焊接信息
焊接(10秒)260℃
小外形封装(SOIC和MSOP)
气相(60秒)215℃
红外(15秒)220℃
热电阻
qJC (DIP)37℃/W
qJA (DIP)107℃/W
qJC (SO封装)35℃/W
qJA (SO封装)172℃/W
qJA (MSOP封装)210℃/W
qJC (MSOP封装)56℃/W
表1. LM386电气特性
Parameter 参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压
-
-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1
4
-
12
V
LM386N-4
5
-
18
V
Quiescent Current (IQ) 静态电流
VS = 6V, VIN =0
4
8
mA
Output Power (POUT) 输出功率
-
-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1
VS = 6V, RL =8W, THD = 10%
250
325
-
mW
LM386N-3
VS = 9V, RL =8W, THD = 10%
500
700
-
mW
LM386N-4
VS=16V, RL =32W, THD = 10%
700
1000
-
mW
Voltage Gain (AV) 电压增益
VS = 6V, f = 1 kHz
26
-
dB
10 μF from Pin 1 to 8
46
-
dB
Bandwidth (BW) 宽带
VS = 6V, Pins 1 and 8 Open
300
-
kHz
Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真
VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open
-
0.2
-
%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比
VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output
-
50
-
dB
Input Resistance (RIN) 输入电阻
-
-
50
-
kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流
VS = 6V, Pins 2 and 3 Open
-
250
-
nA
LM386低电压音频功率放大器的工作原理与典型应用电路图
概述(Description):
LM386是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器,主要应用于低电压消费类产品。为使外围元件最少,电压增益内置为20。但在1脚和8脚之间增加一只外接电阻和电容,便可将电压增益调为任意值,直至200。输入端以地位参考,同时输出端被自动偏置到电源电压的一半,在6V电源电压下,它的静态功耗仅为24mW,使得LM386特别适用于电池供电的场合。
LM386的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。
特性(Features):
* 静态功耗低,约为4mA,可用于电池供电。
* 工作电压范围宽,4-12V or 5-18V。
* 外围元件少。
* 电压增益可调,20-200。
* 低失真度。
典型应用电路图
LM386应用电路图之增益=20
LM386应用电路图之增益=200
LM386应用电路图之增益=50
LM386应用电路图之低频提升放大器
LM386作正弦波振荡器电路图