VASP计算Partial charge density　

VASP计算Partial charge density　VASP计算Partial charge density 　(2010-02-04 00:02) · 标签： - 　分类： Vasp Partial charge density计算或称为Band decomposed charge density计算，即计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。特别是用在 STM的计算中，以及分析特定能量范围内或能量点的化学键特征(或atomic characteristic)。下面以计算金刚石...

VASP计算Partial charge density 　(2010-02-04 00:02) · 标签： - 　分类： Vasp Partial charge density计算或称为Band decomposed charge density计算，即计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。特别是用在 STM的计算中，以及分析特定能量范围内或能量点的化学键特征(或atomic characteristic)。下面以计算金刚石结构Si(晶格常数为5.40 angstrom)的VBM(价带顶)为例：一、先自洽计算得到收敛的电荷密度(CHGCAR和CHG)和波函数(W***ECAR). %%%%%%%%%%%%%%%%%% INCAR输入文件如下： SYSTEM = Si ENCUT = 400 ISTART = 0 ICHARG = 2 ISMEAR = -5 EDIFF = 1E-5 PREC = Accurate %%%%%%%%%%%%%%%%%% KPOINTS输入文件： auto 0 M 11 11 11 0.0 0.0 0.0 %%%%%%%%%%%%%%%%%% 二、Gamma点的第4条能带(Si的价态顶在Gamma点，且Si原胞中的总价电子数是计算完后得到PARCHG.0004.0001，这个就是第四条能带在Gamma点对应的电荷密度文件。下面的图是根据这个文件画出在(110)面分布情况（等高线从0 e/A^3到0.215 e/A^3，间隔为0.01 e/A^3)：最后对下面的几个关键词进行解释： LPARD:可赋予的值为.TRUE.或.FALSE.，它的默认值是.FALSE.，当为.TRUE.时，表示读入自洽收敛的CHGCAR和W***ECAR并进行Band decomposed charge density计算。 IBAND：它的赋值就是你想要计算的第几条能带或哪几条能带(比如要计算第4、5、6条能带,那么就设置IBAND = 4 5 6)。此时NBMOD的值就是所要计算的能带的条数（本例中，只计算一条能带，那么设置为1)。它和EINT不能一起用。 EINT：另一种指定所要计算能带的方式，它是指定计算某能量范围的Band decomposed charge density，一般是设置为两个实数，比如EINT= 4.00 5.00，此时 NBOMD的值设置为-2。如果只设置了一个数，那么表示计算从EINT到费米能级这个范围内的，此时NBOMD的值为-3. NBOMD: 它的某些赋值情况在前面有介绍，下面补充：当设置0时，表示计算全部的电荷密度（并包括了未占据的能带）；如果设置-1，就是通常的电荷密度计算，这也是它的默认值。 KPUSE：指定所要计算的k点(哪个或哪几个)，比如本例中，要计算一个，并相应的在KPOINTS设置所要计算的k点。如果要计算好几个，那么设置KPUSE的值为这些k点在KPOINTS中的序号。 LSEPB：指定是不是要把计算的partial charge density按每个带分别写到各自对应的文件PARCHG.nb.(设置为.TRUE.)中，还是把它们合并写到一个文件中(相当于把各个带对应的partial charge density加起来，设置为.FALSE.)。默认值为.FALSE.。 LSEPK：指定是不是把要计算的partial charge density按每个k分别写到各自对应的文件PARCHG.nk. google_protectAndRun("ads_core.google_render_ad", google_handleError, google_render_ad); VN:F [1.8.0_1031] please wait... Rating: 0.0/5 (0 votes cast) VN:F [1.8.0_1031] Rating: 0 (from 0 votes) · Related posts: 1. VASP计算Gamma点的振动频率一般在INCAR中设置NSW（设置一个较大的数没有关系，VASP会自动根据体系来确定的，但是不能设置小于或等于0的数，或者不设置NSW）, IBRION=50, NFREE = 2; POTIM （值合适）。例子： SYSTEM =... 2. 用VASP计算态密度（DOS）时遇到的问题在单机上计算态密度好像不会出问题。我先谈一下我的看法：第一个WARNING，可以在INCAR文件中设置NGX,NGY和NGZ的值，设置的值要足够大，就可以消除这个warning。设置多大合适呢？这就要用到编译vasp时，同时也编译得到的 makeparam小程序，makeparam可以帮助你预先检查你设置的文件是否正确，以及某些参数的值是否合适。要得到合适的NGX,NGY,NGZ以及NBANDS,先在INCAR中不设置这些参数的值，然后运行makeparam >param.inc，其中param.inc是包含了输出结果的文件，在param.inc文件中你可以看到这些参数的值，以及计算大概需要多少的内存。然后把 param.inc文件中的NGX,NGY,NGZ和NBANDS的值拷贝到INCAR文件中。... 3. Calculate DOS 计算材料的电子态密度可以包括总态密度和分波态密度，步骤为（以计算fcc结构Al的态密度为例子进行说明）： * 准备好KPOINTS文件，增加k点网格 Automatic generation 0 Mohkorst-Pack 19 19 19... 4. 用VASP4.6计算晶体硅能带实例 VASP Version : 4.6 在此文中，我将用硅晶体作为实例，来说明如何用VASP4.6来计算固体的能带结构。首先我们要了解晶体硅的结构，它是两个嵌套在一起的FCC布拉菲晶格，相对的位置为 (a/4,a/4,a/4), 其中a=5.4A是大的正方晶格的晶格常数。在计算中，我们采用FCC的原胞，每个原胞里有两个硅原子。 VASP计算需要以下的四个文件：INCAR（控制参数）, KPOINTS（倒空间撒点）, POSCAR（原子坐标）,... 5. STM模拟 It works like this: 1) Relax. 2) Calculate CHGCAR and...

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