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STM32硬件开发初级入门AN2586应用笔记STM32F10xxx硬件开发使用入门前言这份应用笔记是为系统设计者提供的,他们需要对开发板硬件实现的特性有个总体认识,如供电、时钟管理、复位控制、启动模式的设置和调试管理等该文档说明了STM32F10xxx系列的大容量和中容量产品使用方法,并描述了应用STM32F10xxx开发所需要的最小硬件资源详细的参考设计图也包含在这篇文档里,包括主要组件、接口、模式的说明译注:本译文的英文版下载地址为:http:wwwstcomstonlinproductslitraturan13675pdf参照200...

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AN2586应用笔记STM32F10xxx硬件开发使用入门前言这份应用笔记是为系统设计者提供的,他们需要对开发板硬件实现的特性有个总体认识,如供电、时钟管理、复位控制、启动模式的设置和调试管理等该文档说明了STM32F10xxx系列的大容量和中容量产品使用方法,并描述了应用STM32F10xxx开发所需要的最小硬件资源详细的参考设计图也包含在这篇文档里,包括主要组件、接口、模式的说明译注:本译文的英文版下载地址为:http:wwwstcomstonlinproductslitraturan13675pdf参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有 翻译 阿房宫赋翻译下载德汉翻译pdf阿房宫赋翻译下载阿房宫赋翻译下载翻译理论.doc 错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本目录STM32F10xxx硬件开发使用入门目录1供电311简介3111独立AD转换器供电以及参考电压3112备用电池3113电压调压器412供电方案413复位及电源管理4131上电复位(POR)掉电复位(PDR)4132可编程电压监测器(PVD)5133系统复位52时钟721HSE时钟8211外部时钟源(HSE旁路)8212外部晶体陶瓷谐振器(HSE晶体)822LSE时钟8221外部源(LSE旁路)8222外部晶体陶瓷谐振器(LSE晶体)923时钟输出能力924时钟安全系统(CSS)93启动配置1031启动模式选择1032启动引脚连接1033内嵌自举模式104调试管理1141简介1142SWJ调试端口(SERIALWIRE和JTAG)1143引脚分布和调试端口脚11431SWJ调试端口引脚11432灵活的SWJDP引脚分配11433JTAG引脚的内部上拉和下拉电阻12434与 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 JTAG连接器相连的SWJ调试端口135 建议 关于小区增设电动车充电建议给教师的建议PDF智慧城市建议书pdf给教师的36条建议下载税则修订调整建议表下载 1451印制电路板1452器件位置1453接地和供电(VSS,VDD)1454去耦合1455其它信号1456未用到的IO及其特性156参考设计1661描述16611时钟16612复位16613启动模式16614SWJ接口16615供电1662参考器件17219参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586供电1供电11简介该芯片要求2036V的操作电压(VDD),并采用嵌入式的调压器提供内部18V的数字电源当主电源VDD关闭时,实时时钟(RTC)和备用寄存器可以从VBAT供电图1电源供应一览注意:VDDA和VSSA必须分别连到VDD和VSS111独立AD转换器供电以及参考电压为提高转换精度,ADC有一个独立的电源供应,它可以被单独滤波和屏蔽以不受PCB噪音的干扰一个独立的VDDA引脚给ADC供电VSSA引脚提供一个隔离的接地输入若有VREF–(取决于封装)时,它必须连到VSSA100引脚和144引脚的封装为保证低电压输入时能得到更好的精度,用户可以连接一个独立的外部参考电压到VREF+,它的电压范围为24V到VDDA64引脚及更小的封装没有VREF+和VREF,它们在内部分别被连接到ADC的供电电源(VDDA)和ADC的地(VSSA)112备用电池为了在VDD关闭时仍能保持备份寄存器的内容,VBAT引脚可以有选择地连接到一个由电池或其它电源提供的备用电压319参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586供电VBAT引脚也给RTC单元供电,使得RTC在主数字电源(VDD)关闭时仍能正常运行VBAT的开关由复位模块内的掉电复位(PDR)电路控制如果应用中没有外部电池,VBAT必须在外部被连接到VDD113电压调压器复位后调压器始终开启根据应用模式的不同,它也有三种不同的工作模式在运行模式下,调压器以正常功耗模式提供18V电源(内核、内存和数字外设)在停止模式下,调压器以低功耗模式提供18V电源,以保存寄存器和SRAM的内容在待机模式下,调压器停止供电除了备用电路和备份域外,寄存器和SRAM的内容全部丢失12供电方案电路由稳定的电源VDD供电注意:─如果使用ADC,VDD的范围必须在24V到36V之间─如果没有使用ADC,VDD的范围为2V到36VVDD引脚必须连接到带外部稳定电容(11个100nF的陶瓷电容和一个钽电容(最小值47μF,典型值10μF))的VDD电源VBAT引脚必须被连接到外部电池(18V<VBAT<36V)如果没有外部电池,这个引脚必须和100nF的陶瓷电容一起连接到VDD电源上VDDA引脚必须连接到两个外部稳定电容(10nF陶瓷电容+1μF钽电容)VREF+引脚可以连接到VDDA外部电源如果在VREF+上使用单独的外部参考电压,必须在这个引脚上连接一个10nF和一个1μF的电容在所有情况下,VREF+必须在24V和VDDA之间图2供电方案1可选如果在VREF+上使用单独的外部参考电压,必须连接两个电容(10nF和1uF)2VREF+连接到VDDA或VREF+13复位及电源管理131上电复位(POR)掉电复位(PDR)STM32集成了一个上电复位(POR)和掉电复位(PDR)电路,当供电电压达到2V时系统就能正常工作只要VDD低于特定的阈值——VPORPDR,不需要外部复位电路,STM32就一直处于复位模式更多有关上电掉电复位阈值的细节,请参考STM32F101xx和STM32F103xx数据手册的电气性能部分419参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586供电图3上电复位掉电复位波形132可编程电压监测器(PVD)用户可以利用PVD对VDD电压与电源控制寄存器(PWRCR)中的PLS[2:0]位进行比较来监控电源,这几位选择监控电压的阀值通过设置PVDE位来使能PVD电源控制状态寄存器(PWRCSR)中的PVDO标志用来表明VDD是高于还是低于PVD的电压阈值该事件在内部连接到外部中断的第16线,若该中断在外部中断寄存器中被使能,该事件还将产生一个中断当VDD低于PVD阈值且或当VDD高于PVD阈值(根据外部中断第16线的上升下降沿触发配置)时产生PVD中断例如,这一特性在实际中可用作执行紧急关闭的任务图4PVD阀值133系统复位系统复位将复位除了时钟控制器CSR中的复位标志和备用域的寄存器以外的所有寄存器(图1)当下列事件有一个发生都将产生系统复位:1NRST引脚上出现低电平(外部复位)2窗口看门狗计数终止(WWDG复位)519参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586供电619参照2008年5月AN2586英文第2版3独立看门狗计数终止(IWDG复位)4软件复位(SW复位)5低功耗管理复位可通过查看控制状态寄存器(RCCCSR)中的复位标志来识别复位源图5复位电路本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586时钟2时钟三个不同的时钟源可以用来驱动系统时钟(SYSCLK):HSI晶振时钟(高速内部时钟信号)HSE晶振时钟(高速外部时钟信号)PLL时钟STM32有两个二级时钟源:40kHz的低速内部RC,它可以驱动独立看门狗,还可选择地通过程序选择驱动RTCRTC用于从停机待机模式下自动唤醒系统32768kHz的低速外部晶振,可选择它用来驱动RTC(RTCCLK)每个时钟源在不使用时都可以单独被打开或关闭,这样就可以优化系统功耗图6时钟树当使用HSI作为PLL时钟的输入时,所能达到的最大系统时钟为64MHz719参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586时钟819参照2008年5月AN2586英文第2版21HSE时钟高速外部时钟信号(HSE)由以下两种时钟源产生:HSE外部晶体陶瓷谐振器(见图8)HSE用户外部时钟(见图1)图8晶体图7外部时钟1REXT的值由晶体特性决定典型值的范围在5至6倍的RS(谐振器串行阻抗)2负载电容CL遵循以下公式:CL=CL1xCL2(CL1+CL2)+Cstray这里,Cstray是引脚电容以及PCB相关的电容典型值在2pF到7pF之间请参阅第5章211外部时钟源(HSE旁路)在这种模式下,必须提供一个外部时钟源它的频率可高达25MHz外部时钟信号(占空比为50%的方波、正弦波或三角波)必须连到OSCIN引脚,同时保证OSCOUT引脚悬空(见图8和图1)212外部晶体陶瓷谐振器(HSE晶体)这个416MHz的外部晶振的优点在于能产生非常精确的主时钟图8显示了它需要的相关硬件配置谐振器和负载电容需要尽可能近地靠近振荡器的引脚,以减小输出失真和启动稳定时间负载电容值必须根据选定的晶振进行调节对于CL1和CL2,我们推荐使用高质量的典型值在5pF到25pF的陶瓷电容,这种电容是设计用于需要高频率的场合,并且可以满足晶体或谐振器的需求CL1和CL2通常具有相同的值晶体制造商通常指定一个负载电容值,该值为CL1和CL2的串联电容值当选择CL1和CL2时,PCB和MCU引脚的电容值也必须被计算进去(10pF可作为引脚和板电容的粗略估计)更多细节请参考STM32F101xx和STM32F103xx数据手册的电气特性部分22LSE时钟低速外部时钟源(LSE)可以由两个可能的时钟源来产生:LSE外部晶体陶瓷谐振器(见图10)LSE用户外部时钟(见221)221外部源(LSE旁路)在这种模式下,必须提供一个外部时钟源它的频率必须为32768kHz外部信号(占空比为50%的方波、正弦波或三角波)必须连到OSC32IN引脚,同时保证OSCOUT引脚悬空(见图10和221)本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586时钟222外部晶体陶瓷谐振器(LSE晶体)这个LSE晶体是一个32768kHz的低速外部晶体或陶瓷谐振器它的优点在于能为实时时钟部件(RTC)提供一个低速的,但高精确的时钟源RTC可以用于时钟日历或其它需要计时的场合谐振器和加载电容需要尽可能近地靠近晶振引脚,这样能使输出失真和启动稳定时间减到最小负载电容值必须根据选定的晶振进行调节图9外部时钟图10晶体陶瓷谐振器1.REXT的值由晶体特性决定2.OSC32IN和OSCOUT引脚可以用作GPIO,但是建议不要在同一个应用中同时使用该引脚的RTC和GPIO功能23时钟输出能力微控制器的时钟输出(MCO)功能允许在外部MCO引脚上输出时钟信号相应的GPIO端口必须设置为复用功能模式下面的四个信号中的任何一个都可以选作MCO时钟:SYSCLKHSIHSEPLL时钟除以224时钟安全系统(CSS)时钟安全系统可以通过软件来激活一旦其被激活,时钟监测器将在HSE振荡器启动延迟后被使能,在HSE时钟关闭后被关闭如果HSE时钟发生故障,HSE振荡器被自动关闭,时钟失效事件被送到TIM1高级控制定时器的刹车输入端,并将产生时钟安全中断CSSI,从而允许MCU完成营救操作此CSSI中断连到了Cortx™M3的NMI(非屏蔽中断)异常向量如果HSE被直接或间接用作系统时钟(间接是指它被用作PLL输入时钟,而PLL时钟被用作系统时钟),时钟故障将导致系统时钟被切换到HSI振荡器,并且禁止外部HSE晶振时钟失效时,如果HSE晶振时钟是用作系统时钟的PLL的时钟输入(无论是否被分频),那么PLL也被禁止更多细节请参考wwwstcom网站上的STM32参考手册919参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586启动配置3启动配置31启动模式选择在STM32F10xxx中,由BOOT[1:0]引脚决定了三种不同的启动模式,见表1表1启动模式BOOT模式选择引脚BOOT1BOOT0启动模式说明X0主闪存存储器主闪存存储器被选作启动区01系统存储器系统存储器被选作启动区11内嵌SRAM内嵌SRAM被选作启动区这些选择将每个启动模式下的物理存储区域映射到存储块0(启动存储区)BOOT引脚的值在复位后SYSCLK的第四个上升沿时被锁定由用户来设置BOOT1和BOOT0引脚,选择在复位后需要的启动模式当退出待机模式时,也需要检测BOOT引脚的值因此在待机模式下BOOT引脚也应保持需要的启动模式配置即使被重映射到启动存储空间,仍可以在相关存储区(闪存或SRAM)的原来地址访问它们启动延迟过后,CPU从启动存储器的0x00000004指示的地址开始执行代码32启动引脚连接图11显示了STM32F10xxx选择启动存储器时所需的外部连接图11启动模式实现实例图中电阻值只作为典型值给出33内嵌自举模式内嵌的自举程序用于通过串行接口(通常是UART1)对闪存进行重新编程该程序位于系统存储器内,由ST在生产线上写入更多细节请参考wwwstcom网站上的应用笔记AN26061019参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586调试管理4调试管理41简介主机目标接口是用于将主机连接到目标板这个接口由三个部分组成:一个硬件调试工具,一个JTAG或SWD连接器和一根连接主机和调试工具的连线图12显示了主机和评估板(STM3210BEVAL板或STM3210EEVAL板)的连接图12主机与板的连接42SWJ调试端口(srialwir和JTAG)STM32F10xxx内核集成了串行线JTAG调试接口(SWJ–DP)这是标准的ARM®CorSight调试接口,包括JTAG–DP接口(5引脚)和SW–DP接口(2引脚)JTAG调试接口(JTAG–DP)为AHP–AP模块提供5针标准JTAG接口串行线调试接口(SW–DP)为AHP–AP模块提供2针(时钟+数据)接口在SWJ–DP接口中,SW–DP的2个引脚与JTAG接口的5个引脚中的一些是复用的43引脚分布和调试端口脚STM32F10xxx微控制器的不同封装有不同的引脚数目因此,某些与引脚相关的功能可能随封装而不同431SWJ调试端口引脚作为通用IO口的复用功能,STM32F10xxx的5个管脚可用作SWJDP接口引脚如表2所示,这些引脚在所有的封装里都存在表2调试端口引脚分配JTAG调试端口SWD调试端口SWJDP端口名称类型说明类型说明管脚分配JTMSSWDIO输入JTAG模式选择入出串行数据输入输出PA13JTCKSWCLK输入JTAG时钟输入串行时钟PA14JTDI输入JTAG数据输入——PA15JTDOTRACESWO输出JTAG数据输出跟踪时为TRACESWO信号PB3JNTRST输入JTAG模块复位——PB4432灵活的SWJDP引脚分配复位(SYSRESETn或PORESETn)后,属于SWJ–DP的5个引脚都被初始化为可被调试器使用的专用引脚(注意,跟踪输出脚并没有被初始化,除非调试器对其进行了定义)1119参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586调试管理然而,STM32F10xxx微控制器可通过一个寄存器来禁止SWJ–DP接口的部分或所有引脚的功能,这样就能释放这些专用引脚用于普通IO这个寄存器被映射到和Cortx™–M3系统总线相连接的APB桥上这个寄存器由用户进行设置而不是由调试器完成表3SWJIO引脚可用性SWJIO引脚分配调试端口PA13JTMSSWDIOPA14JTCKSWCLKPA15JTDIPB3JTDOPB4JNTRST所有的SWJ引脚SWJ(JTAGDP+SWDP)–复位状态专用专用专用专用专用所有的SWJ引脚SWJ(JTAGDP+SWDP)–除了JNTRST引脚专用专用专用专用禁止JTAGDP接口,允许SWDP接口专用专用禁止JTAGDP接口和SWDP接口可作为普通IO端口表3显示了不同情况下,释放的专用引脚更多细节请参考wwwstcom网站上的STM32F10xxx参考手册433JTAG引脚的内部上拉和下拉电阻由于JTAG的输入引脚直接连接到内部触发器来控制调试模式功能,所以JTAG的输入引脚一定不能是悬空必须特别注意SWCLKTCK引脚,因为它们直接连接到一些触发器的时钟端为了避免出现任何不受控制的IO电平,STM32F10xxx在JTAG输入引脚内部嵌入了上拉和下拉电阻:JNTRST:内部上拉JTDI:内部上拉JTMSSWDIO:内部上拉TCKSWCLK:内部下拉一旦JTAG的IO被用户代码释放,GPIO控制器就再次取得了控制权复位时这些IO口的状态被设置到相应的状态:JNTRST:带上拉的输入JTDI:带上拉的输入JTMSSWDIO:带上拉的输入JTCKSWCLK:带下拉的输入JTDO:浮空输入软件可以把这些IO引脚用作普通的IO注意:JTAG的IEEE标准推荐对TDI,TMS和nTRST上拉,但是对TCK没有特别建议然而,在STM32F10xxx中JTCK引脚有下拉电阻有了嵌入的上拉和下拉电阻,就不需要加外部电阻了1219参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586调试管理1319参照2008年5月AN2586英文第2版434与标准JTAG连接器相连的SWJ调试端口图13显示了STM32F10xxx和一个标准JTAG连接器的连接图13JTAG连接器的实现本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586建议5建议51印制电路板出于技术的考虑,最好使用有专门独立的接地层(VSS)和专门独立的供电层(VDD)的多层印制电路板,这样能提供好的耦合性能和屏蔽效果很多应用中,受经济条件限制不能使用这样的印制电路板,那么就需要保证一个好的接地和供电的结构52器件位置为了减少PCB上的交叉耦合,设计版图时就需要根据各自对EMI影响的不同,而把不同的电路分开比如,大电流电路、低电压电路以及数字器件等53接地和供电(VSS,VDD)每个模块(噪声电路、敏感度低的电路、数字电路)都应该单独接地,所有的地最终都应在一个点上连到一起尽量避免或者减小路的区域为了减少供电路的区域,电源应该尽量靠近地线,这是因为,供电路就像个天线,成为EMI的发射器和接收器PCB上没有器件的区域,需要填充为地,以提供好的屏蔽效果(特别是对单层PCB,尤其如此)54去耦合所有的引脚都需要适当地连接到电源这些连接,包括焊盘、连线和过孔应该具备尽量小的阻抗通常采用增加连线宽度的办法,包括在多层PCB中使用单独的供电层同时,STM3210xxx上每个电源引脚应该并联去耦合的滤波陶瓷电容C(100nF)和化学电容C(10μF)这些电容应该尽可能的靠近电源地引脚;或者在PCB另一层,处于电源地引脚之下典型值一般从10nF到100nF,具体的容值取决于实际应用的需要图14显示了这样的电源地引脚的典型布局图14VDDVSS引脚的典型布局55其它信号实际应用中,关注以下几点可以提高EMC性能:那些受暂时的干扰会影响运行结果的信号(比如中断或者握手抖动信号,而不是LED命令之类的信号)对于这些信号,信号线周围铺地,缩短走线距离,消除邻近的噪声和敏感的连线都可以提高EMC性能对于数字信号,为有效地区别2种逻辑状态,必须能够达到最佳可能的信号特性余量(译注:1419参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586建议1519参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本尽可能抬高逻辑’1’的高电平,拉低逻辑’0’的低电平)推荐使用慢速施密特触发器来消除寄生状态噪声信号(时钟等)敏感信号(高阻等)56未用到的IO及其特性所有微控制器都为各种应用而设计,而通常的应用都不会用到所有的微控制器资源为了提高EMC性能,不用的时钟、计数器或者IO管脚,需要做相应处理,比如,IO端口应该被设置为’0’或’1’(对不用到的IO引脚上拉或者下拉);没有用到的模块应该禁止或者“冻结”AN2586参考设计6参考设计61描述图15显示的参考设计是基于STM32F103ZE(T6)的,是一个工作在72MHz的高度集成的微控制器,它集成了Cortx™M3的32位RISCCPU内核、512K字节的嵌入式闪存及高达64K字节的高速SRAM根据表6中给出的引脚对应关系,该参考设计可以裁减到不同封装的任意一款STM32芯片611时钟两个时钟源被用于这个微控制器:LSE:X1–用于嵌入式RTC的32768kHz晶振HSE:X2–用于STM32F10xxx微控制器的8MHz晶振参考第2章:时钟612复位图15的复位信号是低有效,复位源包括:复位按钮(B1)连在连接器CN1的调试工具参考第13节:复位及电源管理613启动模式启动选项由开关SW2(Boot0)和SW1(Boot1)来配置参考第3章:启动配置注意:低功耗模式下(尤其是待机模式),启动引脚一定要能够和工具连接(需要从SRAM启动)614SWJ接口参考设计显示了STM32F10xxx和一个标准JTAG连接器的连接参考第4章:调试管理注意:推荐连接复位引脚,这样就可以使用调试工具来复位应用程序了615供电参考第1章供电1619参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586参考设计1719参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本62参考器件表4必需器件序号器件名称参考数量说明1微控制器STM32F103ZE(T6)1144引脚封装2电容100nF11陶瓷电容(去藕电容)3电容10μF1陶瓷电容(去藕电容)表5可选器件序号器件名称参考数量说明1电阻10KΩ5JTAG和启动模式的上拉和下拉电阻2电阻390Ω1供HSE使用:电阻值取决于晶振特性该电阻值只是一个典型例子3电阻0Ω1供LSE使用:电阻值取决于晶振特性该电阻值只是一个典型例子4电容100nF1陶瓷电容5电容10pF2供LSE使用:电容值取决于晶振特性6电容20pF2供HSE使用:电容值取决于晶振特性7晶振8MHz1供HSE使用8晶振32kHz1供LSE使用9JTAG连接器HE10110电池3V31如果应用中没有电池,VBAT必须连到VDD11开关3V32用于选择启动模式12按钮B11AN2586参考设计图15STM32F10xxx微控制器参考方案1如果应用中没有外部电池,VBAT必须连接到VDD2为了能从工具复位芯片,该电阻需要保留1819参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本AN2586参考设计表6所有封装的参考连接LQFP封装的管脚编号BGA封装的管脚编号VFQFPN封装的管脚编号管脚名称144脚100脚64脚48脚144脚100脚36脚OSCIN231255D1C12OSCOUT241366E1D13PC15OSC32OUT9944C1B1PC14OSC32IN8833B1A1BOOT0138946044D5D535PB2BOOT148372820J5G517NRST251477F1E14PA13105724634A12A1025PA14109764837A11A928PA15110775038A10A829PB4134905640A6A631PB3133895539A7A730VSS171493123H7E718VSS2107744735G9E626VSS3143996347E5E536VSS4382718G4E4VSS51610D2C2VSS651H5VSS761H6VSS883G8VSS994G10VSS10120E7VSS11130E6VDD172503224G7F719VDD2108754836F927VDD31441006448F5F51VDD4392819F4F4VDD51711D3D2VDD652G5VDD762G6VDD884F8VDD995F10VDD10121F7VDD11131F6VREF+3221L1J1VREF3120K1H1VSSA3019128J1G1VDDA3322139M1K1VBAT6611C2B21919参照2008年5月AN2586英文第2版本译文仅供参考,如有翻译错误,请以英文原稿为准请读者随时注意在ST网站下载更新版本 前言 目录 1供电 11简介 100引脚和144引脚的封装 64引脚及更小的封装 12供电方案 13复位及电源管理 132可编程电压监测器(PVD) 133系统复位 2时钟 21HSE时钟 211外部时钟源(HSE旁路) 212外部晶体陶瓷谐振器(HSE晶体) 22LSE时钟 221外部源(LSE旁路) 222外部晶体陶瓷谐振器(LSE晶体) 23时钟输出能力 24时钟安全系统(CSS) 3启动配置 31启动模式选择 32启动引脚连接 33内嵌自举模式 4调试管理 41简介 42SWJ调试端口(srialwir和JTAG) 43引脚分布和调试端口脚 431SWJ调试端口引脚 432灵活的SWJDP引脚分配 433JTAG引脚的内部上拉和下拉电阻 434与标准JTAG连接器相连的SWJ调试端口 5建议 51印制电路板 52器件位置 53接地和供电(VSS,VDD) 54去耦合 55其它信号 56未用到的IO及其特性 6参考设计 61描述 611时钟 612复位 613启动模式 614SWJ接口 615供电 62参考器件
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