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微电子重点整理微电子重点整理(通一) 注:考试共120分钟,填空题20分,画图(4选3)共30分,简答题(7选5,别选计算题)共50分。 考试范围:2-8章,第7章不考,填空题主要是PPT上的红字。 第二章 一、填空题 1、原子结合形式:共价键 形成的晶体结构: 构成一个正四面体,具有金刚石晶体结构 2、 电子的定义:带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子。 3、 空穴:带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位。 4、 重点掌握:...

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微电子重点整理(通一) 注:考试共120分钟,填空题20分,画图(4选3)共30分,简答题(7选5,别选计算题)共50分。 考试范围:2-8章,第7章不考,填空题主要是 ppt 关于艾滋病ppt课件精益管理ppt下载地图下载ppt可编辑假如ppt教学课件下载triz基础知识ppt 上的红字。 第二章 一、填空题 1、原子结合形式:共价键 形成的晶体结构: 构成一个正四面体,具有金刚石晶体结构 2、 电子的定义:带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子。 3、 空穴:带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位。 4、 重点掌握: P 型半导体: 掺入III族杂质元素(如硼)的半导体。在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成;自由电子是少数载流子, 由热激发形成。 N 型半导体: 掺入V族杂质元素(如磷)的半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子, 由热激发形成。 5、 价带:被电子填充的能量最高的能带 6、 导带:未被电子填充的能量最低的能带 7、 禁带:导带底与价带顶之间能带 8、 带隙:导带底与价带顶之间的能量差 9、 本征半导体:没有掺杂的半导体是本征半导体。 10、 热平衡时: (对非本征和本征都成立);本征情形:: ;非本征情形: N 型半导体: P 型半导体: 11、 漂移运动:载流子在电场驱使下运动。 12、 扩散运动:载流子在撞上晶体结构中的原子后,碰撞过程把载流子抛向不可预测的角度。经过几次碰撞后,载流子的运动成为了完完全全的随机状态。 (电子线路中的说法是:因浓度差引起载流子的定向运动称为扩散运动) 2、 简答题、填空题(重点:PN结) 1、PN结最基本的性质是其具有单向导电性 2、PN结的工作原理和正向特性的简述(请看 课件 超市陈列培训课件免费下载搭石ppt课件免费下载公安保密教育课件下载病媒生物防治课件 可下载高中数学必修四课件打包下载 上附的动画) 3、PN结电容分为势垒电容和扩散电容。 4、双极晶体管,即为BJT,又称三极管其电性取决于电子和空穴两种少数载流子的输运特性。两种类型: NPN型和PNP型。 5、电流分配关系: IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 请看课件上的动画。 6、 三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。 内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。 3、 简答题(MOS管) 为什么叫金属-氧化物-半导体场效应管?(即场效应管的基本结构): 2、 nMOS增强型场效应管的输出特性曲线(要分析为什么会形成各种区, 关于书的成语关于读书的排比句社区图书漂流公约怎么写关于读书的小报汉书pdf 上P61。转移特性曲线不要求) 3、 根据反型层的不同,MOS场效应管分为以下四类,简答题很有可能会抽一个类型出来讲其工作原理,并区分什么是增强型,什么是耗尽型。(详细描述请看书本P61-62) 第三章 1、 逻辑门电路的分类 2、 画图题(画出COMS反相器、与非门、或非门) 第四章 1、 填空题 1、氧化:在硅片表面生长氧化硅层的芯片制造工艺 2、SiO2的性质及其作用:掩蔽层,绝缘层,钝化层 二、图形题(绝对重点!也是样卷上的题) MOS集成电路工艺 流程 快递问题件怎么处理流程河南自建厂房流程下载关于规范招聘需求审批流程制作流程表下载邮件下载流程设计 :表明工艺步骤的时候只需写下面的大字标题 第五章 1、 简答题 1、 电子摆脱共价键而形成电子和空穴的过程,实际上就是电子从价带到导带的量子跃迁过程。 2、 能带论: a.说明了固体为什么会有导体、非导体的区别 b.能带论为分析半导体提供了理论基础,有力地推动了半导体技术的发展 c.大型高速计算机的发展, 使能带理论的研究从定性的普遍性规律发展到对具体材料复杂能带结构的计算 3、 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 绝缘体:原子中的电子是满壳层分布的,价电子刚好填满了许可的能带,形成满带,导带和价带之间存在一个很宽的禁带,在一般情况下,价带之上的能带没有电子,所以在电场的作用下没有电流产生。 导体:在一系列能带中除了电子填充满的能带(满带)以外,还有只是部分被电子填充的能带,后者起着导电作用。 半导体(Si:14、Ge:32):从能带结构来看与绝缘体的相似,但半导体禁带宽度较绝缘体的窄。所以依靠热激发即可以将满带中的电子激发到导带中,因而具有导电能力。 第六章 1、 填空题 1、 集成电路的设计思想:集成电路设计必须采用分层分级设计和模块化设计思想。 2、 集成电路的设计流程:功能设计,逻辑和电路设计,版图设计 2、 简答题 1、 集成电路有几种主要的设计方法?它们的概念和区别是什么? 答:有全定制设计方法、定制设计方法、半定制设计方法、可编程逻辑电路设计方法。。。由于本题涉及篇幅较长,笔者自料难以归纳齐全,具体特点及区别请参看书本P165-185或PPT相关章节,欢迎各位才子佳人自行归纳出参考答案并发给笔者一份,谢谢。 第八章 简答题:简述SOC的设计过程 1、确定系统设计要求,进行系统描述 2、设计高层次算法级模型,进行验证并改进 3、对系统进行软硬件划分,定义接口情况 4、进行软硬件协同仿真验证和性能估计 5、对硬件进一步划分成数个宏单元,并集成验证 6、最后进行系统集成,完成相关验证测试 � EMBED \* MERGEFORMAT ��� � EMBED \* MERGEFORMAT ��� � EMBED \* MERGEFORMAT ��� � EMBED \* MERGEFORMAT ��� � EMBED \* MERGEFORMAT ��� � EMBED PBrush \* MERGEFORMAT ��� _1234567891.unknown _1234567893.unknown _1234567894.unknown _1234567892.unknown _1234567890.unknown
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分类:工学
上传时间:2013-01-02
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