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SM7012 SM7012 AC/DC PWM功率开关 - 1 - SM7012 特点  宽电压 85~265Vac 输入  待机功耗小于 120mW@220Vac  集成高压启动电路  集成高压功率开关  9V~38V 宽 VDD 工作电压  电流模式 PWM 控制方式  内置过温、过流、过压、欠压锁 定等保护功能  SM7012 兼容 VIPer12 管脚(不需 要修改电路走线及变压器)  封装形式:DIP8、SOP8 应用领...

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SM7012 AC/DC PWM功率开关 - 1 - SM7012 特点  宽电压 85~265Vac 输入  待机功耗小于 120mW@220Vac  集成高压启动电路  集成高压功率开关  9V~38V 宽 VDD 工作电压  电流模式 PWM 控制方式  内置过温、过流、过压、欠压锁 定等保护功能  SM7012 兼容 VIPer12 管脚(不需 要修改电路走线及变压器)  封装形式:DIP8、SOP8 应用领域  典型电磁炉 BUCK 电路应用 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载  小功率充电器  小功率适配器  待机电源  DVD、DVB 以及其他便携式设备 电源 概述 SM7012 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片,集成高压 启动电路和高压功率管,为低成本开关电源系统提供高性价比的解决 方案。 芯片 VDD 的工作电压范围宽,很方便的应用于充电器领域。芯片 提供了过温、过流、过压、欠压等保护功能,保证了系统的可靠性。 管脚图 DIP8 SOP8 输出功率 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 输出功率 8W 13W 注:输出功率 10W 以上,建议根据实际方案增加散热措施:  增加独立散热片;  其他散热措施。 典型示意电路图 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 2 - 内部方框图 内部电源 产生电路 -- +8V/14.5V 前沿消隐电路 -- + 振荡电路 S R1 R2 R3 0.23V S2 R1 Q Q GND DRAIN FB VDD 基准电路 LVDD VREF 过温保护电路 欠压保护电路 S1过压保护电路 VDD钳位电路 230ohm 1K ohm 驱动 管脚示意图 DIP8/SOP8 管脚说明 名称 管脚序号 管脚说明 GND 1,2 芯片地,同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口 FB 3 反馈输入端口 VDD 4 芯片电源端,工作电压范围可达 9V——38V DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN,同时芯片启动时,也做芯片的启动 SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 3 - 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时,DRAIN 脚最高耐压 -0.3~400 V VDD 芯片电源电压 -0.3~38 V Ivdd 嵌位电流 10 mA IFB 最大反馈电流 3 mA VESD ESD 电压 >4000 V TJ 结温 -40~150 ℃ TSTG 存储温度 -55~150 ℃ 热阻参数 符号 说明 SM7012 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注(1):芯片要焊接在有 200mm2铜箔散热的 PCB 板,铜箔厚度 35um,铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=18V) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 VFB=2V; ID=1mA 730V - - V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 19 - Ohm VDDON VDD 开启电压 13 14.5 16 V VDDOFF VDD 关闭电压 7 8 9 V VDDHYS VDD 迟滞阈值电压 - 6.5 - V VDDOVP VDD 过压保护阈值 - 39 - V IDD1 VDD 工作电流 IFB=2.0mA - 0.4 - mA IDD2 VDD 工作电流 IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz GID IFB/IDRAIN增益 - 320 - ILIMIT 峰值电流阈值 VFB=0V - 400 - mA IFBSD FB 关断电流 - 0.9 - mA RFB FB 输入电阻 ID=0mA - 1.23 - Kohm tLEB 前置消隐时间 - 300 - ns tON(min) 最小导通时间 - 700 - ns tOVT 过温保护温度 - 150 - ℃ tHYS 过温迟滞阈值温度 - 30 - ℃ SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 4 - 功能表述 D R A IN G N D FB V D D  电路图说明 上图中 D1-D4、C2 组成全波整流,D6、R1、C3 组成 RCD 吸收回路,消除变压器 T2 漏感产生的尖峰电压, 避免击穿 SM7012 内部的高压 MOS 管。 输出部分 U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8 组成采样反馈电路,R5、R6 决定系统的输出电压,输出电压 VOUT 等于: 2.5V R6 6R5 VOUT    R R3、R4 限制 U2 光耦 PC817B 的电流,避免影响反馈回路。C8 的加入使得系统反馈更加稳定,避免振荡。  VDD 电压部分 SM7012 芯片工作电压范围宽,达到 9V——38V,此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域,比如电池充 电器等。 当开关电源启动后,C2 电容上的电压会通过 T2 原边线圈、芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 VDD 电容 C4 充电。当 C4 电容电压达到 16V,内部高压启动 MOS 管关闭,同时 PWM 开启,系统开始工作。 当 C4 电容电压下降到 9V 以下,关闭 PWM 信号,同时芯片将会产生复位信号,使系统重新启动。这就是 欠压保护。 SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 5 -  FB 部分 DRAIN R2 GND + - 0.23V PWM control R1 FB VDD ID IS IFB 通过高压 MOS 的电流 ID分成两个部分,其中一部分为 IS,这部分电流为芯片采样电流。IS与 ID成比例关系: SIDD I•G=I 通过上图可知: VRII FBS 23.02)(  ,由此可以得到:- FBS I-2R V230 =I . 以上公式合并,可得到: ) . ( FBIDD I-2R V230 •G=I SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 6 - 如果将 FB 脚对地短接,此时 IFB 的电流等于: 1R V230 -=IFB . 再将上式合并,最终得到 IDLIM: )(. 2R 1 + 1R 1 •V230•G=I IDDLIM 然而在实际应用中,FB 脚是上拉的方式接入到 VDD,不可能对地短路。当系统启动或者短路时,此时 FB 脚的电压比较接近于 0V,通过内部高压 MOS 管漏极电流则为最大值 IDLIM。 FB D ID IΔ IΔ =G 1R V230 -=IFB . 从上图可以看出,IFB 电流大,ID 的电流就小;IFB 电流小,ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于 IFBSD 时, 芯片会关闭 PWM,此时的 ID 的值大约为 85mA,同时芯片会自动进入突发模式。这对于系统工作在空载或者轻 载至关重要。  过压保护 当芯片 VDD 的电压超过 VDDOVP 时,会触发内部复位信号,导致系统重新启动。 SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 7 -  典型应用方案  BUCK 电路—电磁炉应用方案 原理图: BOM 表: 位号 参数 位号 参数 D1 BYV26C C1 220uF/25V D2 BYV26C C2 104 D3 UF4007 C3 4.7uF/50V D4 1N4007 C4 4.7uF/400V D5 1N4007 C5 103 D6 1N4007 C6 104 D7 1N4007 C7 220uF/25V R1 22Ω F1 1A/250V L1 EE13 U1 SM7012 变压器参数: 1)骨架EE13(4+4)普通磁芯 N2 2)电感量L为:2.2mH 3)N1:0.25mm线径为绕150匝 N1 4)N2:0.25mm线径为绕64匝 SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 8 -  12V/500mA 反激电源应用方案 原理图: BOM 清单: 位号 参数 位号 参数 位号 参数 C1 4.7uF/400V R3 0R D3、D4 1N4007 C2 10uF/400V R4 15Ω/1W D5、D6 FR107 C3、C6 102/1KV R5 120R/1/2W D7 SR2100 C4、C11 103/50V R6 1K RT1 5D-9 C5 4.7uF/50V R7 47K CX1 0.1UF/275V C7 470 uF/25V R9 33K CY1 222/250V C8 220 uF/25V R10 5.1K F1 1A/250V C9、C10 104/50V LT 40mH U1 SM7012 R1 100KΩ/1W L1 3UH U2 光耦 R2 9.1K D1、D2 1N4007 U3 TL431 变压器参数: SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn - 9 - 封装形式 DIP8 SOP8 SM7012 AC/DC PWM功率开关 深圳市钲铭科电子有限公司 GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD v1.5 业务电话:400-033-6518 www.linkage66.com sale@sz-ledpower.cn
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