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场效应管工作原理

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场效应管工作原理 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 场效应管工作原理(1) 场效应晶体管(Field Effect Transistor 缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管 是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶 体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电 压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易 于集成、没有...

场效应管工作原理
沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 场效应管工作原理(1) 场效应晶体管(Field Effect Transistor 缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管 是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶 体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电 压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易 于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管 的强大竞争者。 一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个 PN 结而得名,绝 缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管 中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET); 此外还有 PMOS、NMOS 和 VMOS 功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS 场效应管、VMOS 功率 模块等。 按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和 P 沟道两种。若按导电方式来划 分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有 耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和 MOS 场效应晶体管。而 MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型;P 沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母 J 代 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 结型场 效应管,O 代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D 是 P 型硅,反型层是 N 沟道;C 1 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 是 N 型硅 P 沟道。例如,3DJ6D 是结型 N 沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型 N 沟道场效 应三极管。 第二种命名方法是 CS××#,CS 代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母 代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G 等。 三、场效应管的参数 场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主 要参数: 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压 U GS=0 时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极 电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压 U GS — 对漏极电流 I D 的控制能力,即漏极电流 I D 变化量与栅源电压 UGS 变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压 UGS 一定时,场效应管正常工作所能承受的 最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 BUDS。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的 最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。 7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允 许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过 IDSM。 几种常用的场效应三极管的主要参数 四、场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以 容量较小,不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗 变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 2 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 五、场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电 极。将万用表置于 R×1k 档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管 脚间的正、反向电阻相等,均为数 KΩ时,则这两个管脚为漏极 D 和源极 S(可互换),余下 的一个管脚即为栅极 G。对于有 4 个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。 2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻 值都很小,说明均是正向电阻,该管属于 N 沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。 制造 工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所 以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效 应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量 的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到 R×100 档,红表笔接源极 S,黑表笔接漏极 D,相当于给场效应管加上 1.5V 的电源电压。这时表针指示出的是 D-S 极间电阻值。然后用手指捏栅极 G,将人体的感 应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS 和 ID 都将发生变化,也相当 于 D-S 极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小, 说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。 由于人体感应的 50Hz 交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能 不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子 RDS 减小,使表 针向右摆动,多数管子的 RDS 增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明 显地摆动,就说明管子具有放大能力。 本方法也适用于测 MOS 管。为了保护 MOS 场效应管, 必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上, 将管子损坏。 MOS 管每次测量完毕,G-S 结电容上会充有少量电荷,建立起电压 UGS,再接着测时表 针可能不动,此时将 G-S 极间短路一下即可。 目前常用的结型场效应管和 MOS 型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。 3 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 六、常用场效用管 1、MOS 场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二 氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达 1015Ω)。它也分 N 沟道管和 P 沟道管, 符号如图 1所示。通常是将衬底(基板)与源极 S 接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET 又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当 VGS=0 时管子是呈截止状态,加上正确的 VGS 后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则 是指,当 VGS=0 时即形成沟道,加上正确的 VGS 时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽” 了载流子,使管子转向截止。 以 N 沟道为例,它是在 P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区 N+和漏扩散区 N+, 再分别引出源极 S 和漏极 D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。图 1(a)符号中 的前头方向是从外向电,表示从 P型材料(衬底)指身 N型沟道。当漏接电源正极,源极接 电源负极并使 VGS=0 时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着 VGS 逐渐升高,受栅极正电压 的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的 N 型沟道, 当 VGS 大于管子的开启电压 VTN(一般约为+2V)时,N 沟道管开始导通,形成漏极电流 ID。 国产 N 沟道 MOSFET 的典型产品有 3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅 管)。它们的管脚排列(底视图)见图 2。 MOS 场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小, 极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压 (U=Q/C),将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使 G 极与 S 极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并 采取相应的防静电感措施。 MOS 场效应管的检测方法: (1).准备工作。测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触 MOSFET 的管脚。最好在 手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。 (2).判定电极。将万用表拨于 R×100 档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都 是无穷大,证明此脚就是栅极 G。交换表笔重测量,S-D 之间的电阻值应为几百欧至几千欧, 其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为 D 极,红表笔接的是 S极。日本生产的 3SK 系列产品, S 极与管壳接通,据此很容易确定 S极。 4 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com (3).检查放大能力(跨导)。将 G 极悬空,黑表笔接 D 极,红表笔接 S 极,然后用手 指触摸 G 极,表针应有较大的偏转。双栅 MOS 场效应管有两个栅极 G1、G2。为区分之,可 用手分别触摸 G1、G2 极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为 G2 极。 目前有的 MOSFET 管在 G-S 极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。 MOS 场效应晶体管使用注意事项: MOS 场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS 场效应晶体管由于输入阻 抗高(包括 MOS 集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则: (1)MOS 器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。 也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装。 (2)取出的 MOS 器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。 (3)焊接用的电烙铁必须良好接地。 (4)在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再 MOS 器件焊接完成后在分开。 (5)MOS 器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 (6)电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子,再把电路板 接上去。 (7)MOS 场效应晶体管的栅极在允许条件下,最好接入保护二极管。在检修电路时应 注意查证原有的保护二极管是否损坏。 2、VMOS 场效应管 VMOS 场效应管(VMOSFET)简称 VMOS 管或功率场效应管,其全称为 V 型槽 MOS 场效应 管。它是继 MOSFET 之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了 MOS 场效应管输 入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右 0.1μA 左右),还具有耐压高(最高可耐压 1200V)、 工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特 性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数 可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知,传统的 MOS 场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上, 其工作电流基本上是沿水平方向流动。 从左下图上可以看出其 VMOS 管两大结构特点: 第一, 金属栅极采用 V 型槽结构; 第二, 具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以 ID 不是沿芯片水平流动, 而是自重掺杂 N+区(源极 S)出发,经过 P 沟道流入轻掺杂 N-漂移区,最后垂 直向下到达漏极 D。电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能 通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅 型 MOS 场效应管。 5 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com VMOS 场效应管的检测方法 (1).判定栅极 G 将万用表拨至 R×1k 档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电 阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为 G 极,因为它和另外两个管脚是 绝缘的。 (2).判定源极 S、漏极 D 由图 1可见,在源-漏之间有一个 PN 结,因此根据 PN 结正、反向电阻存在差异, 可识别 S 极与 D 极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧) 的一次为正向电阻,此时黑表笔的是 S 极,红表笔接 D 极。 (3).测量漏-源通态电阻 RDS(on) 将 G-S 极短路,选择万用表的 R×1 档,黑表笔接 S 极,红表笔接 D极,阻值应为 几欧至十几欧。 由于测试条件不同,测出的 RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。 例如用 500 型万用表 R×1 档实测一只 IRFPC50 型 VMOS 管,RDS(on)=3.2W,大于 0.58W(典 型值)。 (4).检查跨导 将万用表置于 R×1k(或 R×100)档,红表笔接 S 极,黑表笔接 D 极,手持螺丝刀 去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。 注意事项: (1)VMOS 管亦分 N 沟道管与 P 沟道管,但绝大多数产品属于 N 沟道管。对于 P 沟道管, 测量时应交换表笔的位置。 (2)有少数 VMOS 管在 G-S 之间并有保护二极管,本检测方法中的 1、2 项不再适用。 (3)目前市场上还有一种 VMOS 管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如 美国 IR 公司生产的 IRFT001 型模块,内部有 N 沟道、P 沟道管各三只,构成三相桥式结构。 (4)现在市售 VNF 系列(N 沟道)产品,是美国 Supertex 公司生产的超高频功率场效 应管,其最高工作频率 fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导 gm=2000μS。 适用于高速开关电路和广播、通信设备中。 (5)使用 VMOS 管时必须加合适的散热器后。以 VNF306 为例,该管子加装 140×140× 4(mm)的散热器后,最大功率才能达到 30W 6 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 七、场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电 流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下, 应选用晶体管。 (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管 是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 (3)有些场效应管的 源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。 (4)场效应管能在很小 电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块 硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 场效应管工作原理(2) 1.什么叫场效应管? Fffect Transistor 的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子, 即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为 双极型晶体管,而 FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 FET 应用范围很广,但不能说现在普及的双极 型晶体管都可以用 FET 替代。然而,由于 FET 的特性与双极型晶体管的特性完全不同,能构 成技术性能非常好的电路。 2. 场效应管的特征: (a) JFET 的概念图 7 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com (b) JFET 的符号 图 1 JFET 的概念图、符号 图 1(b)门极的箭头指向为 p 指向 n 方向,分别表示内向为 n 沟道 JFET,外向为 p沟道 JFET。 图 1(a)表示 n 沟道 JFET 的特性例。以此图为基础看看 JFET 的电气特性的特点。 首先,门极-源极间电压以 0V 时考虑(VGS =0)。在此状态下漏极-源极间电压 VDS 从 0V 增加,漏电流 ID 几乎与 VDS 成比例增加,将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏 电流 ID 的变化变小,几乎达到一定值。此时的 ID 称为饱和漏电流(有时也称漏电流用 IDSS 表示。与此 IDSS 对应的 VDS 称为夹断电压 VP ,此区域称为饱和区。 其次,在漏极-源极间加一定的电压 VDS (例如 0.8V),VGS 值从 0 开始向负方向增加, ID 的值从 IDSS 开始慢慢地减少,对某 VGS 值 ID =0。将此时的 VGS 称为门极-源极间遮断 电压或者截止电压,用 VGS (off)示。n 沟道 JFET 的情况则 VGS (off) 值带有负的符号,测 量实际的 JFET 对应 ID =0 的 VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号 JFET 时,将达到 ID =0.1-10μA 的 VGS 定义为 VGS (off) 的情况多些。 关于 JFET 为什么表示这样的特性,用 图作以下简单的说明。 8 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com JFET 的工作原理用一句话说,就是"漏极-源极间流经沟道的 ID ,用以门极与沟道间的 pn 结形成的反偏的门极电压控制 ID "。更正确地说,ID 流经通路的宽度,即沟道截面积, 它是由 pn 结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 在 VGS =0 的非饱和区域,图 10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源 极间所加 VDS 的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流 ID 流动。 达到饱和区域如图 10.4.2(a)所示,从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞 型,ID 饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被 切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流 也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近, 由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。 如图 10.4.1(b)所示的那样,即便再增加 VDS ,因漂移电场的强度几乎不变产生 ID 的 饱和现象。 其次,如图 10.4.2(c)所示,VGS 向负的方向变化,让 VGS =VGS (off) ,此时过渡层 大致成为覆盖全区域的状态。而且 VDS 的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向 的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。 3.场效应管的分类和结构: FET 根据门极结构分为如下两大类。其结构如图 3 所示: 面结型 FET(简化为 JFET) 门极绝缘型 FET(简化为 MOS FET) 9 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 图 3. FET 的结构 各种结构的 FET 均有门极、源极、漏极 3 个端子,将这些与双极性晶体管的各端子对应 如表 1 所示。 FET 双极性晶体管 漏极 集电极 门极 基极 源极 发射极 JFET 是由漏极与源极间形成电流通道(channel)的 p 型或 n 型半导体,与门极形成 pn 结的结构。 另外,门极绝缘型 FET 是通道部分(Semicoductor)上形成薄的氧化膜(Oxide), 并且在其上形成门极用金属薄膜(Metal)的结构。从制造门极结构材质按其字头顺序称为 MOS FET。 根据 JFET、MOS FET 的通道部分的半导体是 p 型或是 n 型分别有 p 沟道元件,n 沟道元件两种类型。 图 3 均为 n 沟道型结构图。 10 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 4.场效应管的传输特性和输出特性 图 4 JFET 的特性例(n 沟道) 从图 4 所示的 n 沟道 JFET 的特性例来看,让 VGS 有很小的变化就可控制 ID 很大变化 的情况是可以理解的。采用 JFET 设计放大器电路中,VGS 与 ID 的关系即传输特性是最重 要的,其次将就传输特性以怎样方式表示加以说明。 图 5 传输特性 11 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 www.symcukf.com 这个传输特性包括 JFET 本身的结构参数,例如沟道部分的杂质浓度和载体移动性,以 致形状、尺寸等,作为很麻烦的解析结果可导出如下公式(公式的推导略去) 10.4.1 作为放大器的通常用法是 VGS 、VGS (off) < 0(n 沟道),VGS 、VGS (off) >0(p 沟 道)。式(10.4.1)用起来比较困难,多用近似的公式表示如下: 10.4.2 将此式就 VGS 改写则得下式: 10.4.3 若说式(10.4.2)是作为 JFET 的解析结果推导出来的,不如说与实际的 JFET 的特性或者 式(10.4.1)很一致的作为实验公式来考虑好些。图 5 表示式(10.4.1)、式(10.4.2)及实际的 JFET 的正规化传输特性,即以 ID /IDSS 为纵坐标,VGS /VGS (off) 为横坐标的传输特性。 n 沟道的 JFET 在 VGS < 0 的范围使用时,因 VGS(off) < 0,VGS /VGS(off) >0,但在图 5 上考虑与实际的传输特性比较方便起见,将原点向左方向作为正方向。但在设计半导体电路 时,需要使用方便且尽可能简单的近似式或实验式。 传输特性相当于双极性晶体管的 VBE -IE 特性,但 VBE -IE 特性是与高频用、低频用、功率放大用等用途及品种无关几乎是同一 的。与此相反,JFET 时,例如即使同一品种 IDSS、VGS(off)的数值有很大差异,传输特性 按各产品也不同。 12
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