LED芯片来料检验规范

文件名稱：LED CHIP IQC檢驗規範 頁碼：1/5 文件編號：QGI0909 版 本：R5 擬案單位： 工程 路基工程安全技术交底工程项目施工成本控制工程量增项单年度零星工程技术标正投影法基本原理 部／ALLAN 1. 目的 1.1 制訂LED CHIP FQC檢驗規範。 1.2 訂定成品入庫批允收程序，以確保產品品質達一定水準。 2. 範圍 本公司生產之所有LED產品均屬之。 3. 內容 3.1 檢驗測試項目 3.1.1 光電性檢驗 3.1.2 外觀檢驗 3.1.3 數值標示檢驗。 3.2 抽樣計畫（片數定義：晶片片數） 3.2.1 依「產品檢驗抽樣計劃」(WI-20-0101) 抽片執行檢驗。 3.2.2 光電特性檢驗（VFH、VFL、IV） （1）抽樣位置：分頁片邊緣4顆，分頁片內圍6顆，均勻取樣。 （2）抽樣數量：每片10顆。 （3）每片抽樣數，每一顆不良，則列一個缺點。 3.2.3 外觀檢驗 （1）PS TYPE不良晶粒＞2ea／sheet，列入一個缺點。 （2）NS TYPE或PS TYPE分頁面積最長距離＜6.5 cm者，不良晶粒＞ 5ea／sheet，且＞10 ea／wafer 列入一個缺點。 （3）缺點項目之限樣標準由製造、FQC兩單位共同製作，作為人員檢驗之依據。 3.3 缺點等級代字 3.3.1 主要缺點代字：MA（Major）。 3.3.2 次要缺點代字：MI（Minor）。 3.4 參考文件 3.4.1 本公司產品目錄規格書 3.4.2 研發工程產品測試分類規格 3.4.3 其他相關之品質文件 4. 光電特性檢驗 4.1 順向電壓VFH 4.1.1 依特定之額定電流點測，須低於規格上限。 4.1.2 規格上限應參考測試分類規格及GaP、GaAsP、AlGaAs產品T/S前測站 作業指導書。 4.1.3 缺點等級：MA 4.2 順向電壓VFL 4.2.1 依特定之額定電流點測，須高於規格下限，低於上限。 4.2.2 規格：GaP≧1.5V，GaAsP≧1.3V，AlGaAs (1.25≦VFL≦1.5V)，IR (0.70~1.0 V)。 4.2.3 缺點等級：MI 4.3 亮度Iv / Po 4.3.1 依特定之額定電流點測，須高於規格下限。 4.3.2 規格下限應參考測試分類規格及各產品T/S前測站作業指導書判定。 4.3.3 缺點等級：MA 5. 外觀檢驗﹙共同標準﹚ 檢驗項目 說 明 圖 示 缺點等級 5.1 晶粒厚度 5.1.1 同一晶片晶粒厚度差≦2 mil 5.1.2 UR同一晶片晶粒厚度差≦3 mil MA 5.2 正面電極 5.2.1 電極中心點1/3半徑範圍內，不得有任何異常 (不含刮傷) 電極 R/3 MA 5.2.2 電極破損、鋁泡（金泡）、非化學藥水污染(沾膠 、雜物、矽膠粒、Ink…)、重工造成之金屬殘印子 (如殘鈦)面積應≦1/5原電極面積。 MA 5.2.3 電極刮傷自動用PS應≦1/5原電極面積 材質：AlGaInP適用 MA 5.2.4 電極擴大縮小：0.9倍＜原訂值φ＜1.1倍 MA 5.2.5 二道偏移應≦1.1倍 MI 5.2.6 電極偏移 a/b≦2/1 MA 5.2.7 電極不得有鋁黃、 藥水污染 MA 5.2.8 自動用PS電極不得有粗糙程度不一致影響機器辨視 MA 5.2.9 長腳電極斷裂應≦1隻腳面積 Power Chip(524,540相關產品)Pad不可形成掉腳 MA 5.2.10 長腳電極縮小寬度(B)應≦1/2原寬度(A) A B MA 5.3 正面晶粒 5.3.1 晶粒污染、沾膠、藥水殘需≦1/5 發光區面積 MA 5.3.2 全切晶粒未切穿者不作PS （半切晶粒及手動用NS之未切穿面積應≦1/5 原晶粒面積） MA 5.3.3 晶粒切割內斜需≦1/10 原晶粒面積 MA 5.3.4 晶粒不得為長方形 |b/a|≧90% b a MA 檢驗項目 說 明 圖 示 缺點等級 5.3 正面晶粒 5.3.5 電極周圍未粗化到的月眉形區域，最寬處須 ≦1 mil MA 5.3.6 發光區傷到面積 ‧自動用(PS)應≦1/5發光區面積 ‧手動用(NS)A/B≦2/1 A B MA 5.3.7 發光區金屬殘餘應≦1/5電極面積 MA 5.3.8 發光區刮傷應≦1/5原發光面積且刮傷寬度應 ≦10μm / line MA 5.3.9 SR, DR, UR氧化層膜脫落面積 ‧一般規格(NX、NL、PX)應≦1/2原發光區面積 · 均勻性規格及自動用(PS)應≦1/5原發光區面積 (PD、ND、PM) MA 5.3.10 脫離電極之鋁(金)線長度應(1/2電極長度 MA 5.3.11正崩 ‧正面損傷、暗傷面積應≦1/5單邊長界限內 ‧均勻性產品不得有暗傷 MA 5.4 背面電極 背面電極總面積需≧1/2 應有總面積 MA 5.5 背面晶粒 5.5.1 背面晶粒污染面積應≦1/2 原晶粒面積 MA 5.5.2 背面損傷面積應≦1/5 原晶粒面積 5.5.3 GaP產品8mil背崩面積應≦1/3原晶粒面積 5.5.4 TK508SRT,UYT背崩面積應≦1/2 原晶粒面積 MA 5.6 晶粒排列 5.6.1 同一排晶粒排列歪斜需≦1顆晶粒 MA 5.6.2 相鄰之晶粒，排列不齊需≦1/2 晶粒 MA 5.6.3 晶粒角度不正≦±30° MA 5.6.4 晶粒傾倒≦2ea/sheet MA 5.6.5 晶粒間距自動用PS不得超過 0.5 ~ 1.0 倍 晶粒寬，手動用NS不得超過 0.5~1.2 倍晶粒寬 MI 5.6.6 晶粒排列自動用PS · 空洞超過5 ea ×5 ea應≦2處/sheet (含晶片外圍有 凹洞者) ‧空洞率應≦20% · 補洞應單邊每顆補齊，不得歪斜。 · MA 5.7 分頁 5.7.1 自動用PS：分頁面積最長距離應≦ 8.5 cm MA 檢驗項目 說 明 圖 示 缺點等級 5.7 分頁 5.7.2 手動用NS ‧分頁面積最長距離應≦4.5 cm ‧8 mil SR、NR分頁面積最長距離應≦3.5 cm MA 5.7.3 分頁晶粒距TAPE邊緣應≧4.5 cm MA 5.7.4外圍眉形產品、次級品，可併片。 PS併片規格： 併片片數：應≦3片 每片間隔：14Mil以下應6+2mm 16Mil以上應7~9mm 單片數量：≦12Mil(每小片至少1000ea) ≧14Mil及112UR(每小片至少500ea) 116IRS≧0.5K 其它IR≧1K 晶粒方向：以平行為原則 併片限制：同片始可併片 編 碼：同一般 實施項目：YGS、HO、HY、UR、IR、四次元、RD、YG MA 5.7.5 手動用分頁片數量 ‧手動用（NS）≧1 Kea ‧四次元16 mil以上(含)應≧0.5 Kea 自動用分頁片數量 ‧IR系列、UR產品應≧1 Kea。 ‧四次元產品8~10 mil應≧2 Kea，11~14 mil 應≧1 Kea，16 mil以上(含)應≧0.5 Kea ‧其餘產品應≧3 Kea MA 5.7.6 外圍分頁片數量≧400 ea，PS≧1/4圓片 MA 5.8 TAPE 5.8.1 不得有毛屑、污漬、多餘之零散晶粒 MA 5.8.2 不得有破損、刮傷 MA 5.8.3 不得有明顯之晶粒、隔板痕跡 MA 5.8.4 晶粒與晶粒間不得有 tape 的膠絲殘餘 MA 5.9 對比 5.9.1 自動用(PS)晶粒，電極與發光區對比要明顯 5.9.2 四次元產品掉ITO者為良品 MA 5.10 MESA 5.10.1 自動用((PS)MESA晶粒，單邊邊長應≧7 mil 5.10.2 UR產品單邊邊長應≧5 mil MA 6. 數值標示檢驗 檢驗項目 說 明 缺點等級 6.1 標籤 6.1.1 品名、批號要與產品符合 MA 6.1.2 數量標籤，與品質標籤之標示值、片號要一致 MA 6.1.3 廠商特殊規格標示值檢驗 MA 6.2 計數包裝 6.2.1 計數每小盒應≦45片 MI 8.5 cm