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霍尔传感器工作原理.doc

霍尔传感器工作原理.doc

上传者: 李福宽 2017-09-18 评分1 评论0 下载0 收藏0 阅读量893 暂无简介 简介 举报

简介:本文档为《霍尔传感器工作原理doc》,可适用于小学教育领域,主题内容包含霍尔传感器工作原理半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中磁场方向垂直于薄片如图所示。当有电流I流过薄片时在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH这种符等。

霍尔传感器工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,如图所示。 当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现 象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下:激励电流I从a、b端流入,磁场B由正上方作用于薄片,这 时电子e的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力FL的作用,向内侧偏移, 该侧形成电子的堆积,从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多, FE也越大,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电 势。 由图可以看出,流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越 强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传 感器能用于测量静态磁场或交变磁场。 半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,如图所示。 当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现 象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。 原理简述如下:激励电流I从a、b端流入,磁场B由正上方作用于薄片,这 时电子e的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力FL的作用, d方向产生电场E。向内侧偏移,该侧形成电子的堆积,从而在薄片的c、 电子积累得越多,FE也越大,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电 动势EH就是霍尔电势。 由图可以看出,流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越 强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传 感器能用于测量静态磁场或交变磁场。

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