内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流
方案
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南京拓微集成电路有限公司
内置MOS管TP8350、TP8356升压芯片驱动大电流方案 典型应用电路:
一、输入电源为锂电池(3.2v?Vin?4.2v)
1. 驱动负载100mA?Io?500mA时
(1)TP8350:
建议各器件
参数
转速和进给参数表a氧化沟运行参数高温蒸汽处理医疗废物pid参数自整定算法口腔医院集中消毒供应
L=110uH(内阻<0.1ohm)，Cin=47uF，Diode=1N5817\1N5818\1N5819，Cout为100uF
电解电容和0.1uF陶瓷电容并联。
(2)TP8356:
建议各器件参数 L=330uH(内阻<0.1ohm)，Cin=47uF，Diode=1N5817\1N5818\1N5819，Cout为300uF
电解电容和0.1uF陶瓷电容并联。
2( 驱动负载Io<100mA时
TP8350、TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。 二、输入电源为两节干电池(2.2v?Vin?3v)
1( 驱动负载100mA?Io?300mA时
TP8350、TP8356器件参数L=110uH(内阻<0.1ohm)，Cin=47uF，Diode=1N5817\1N5818\1N5819，Cout
为100uF电解电容和0.1uF陶瓷电容并联。
2( 驱动负载Io<100mA时
TP8350、TP8356外围器件参数参照TP83规格书中典型应用电路的参数。
注意:
1)建议客户参数的选取参照上述的情况，驱动大负载并输入电源为锂电池时，电感值不能小，否则芯片可能会产生过冲，输出电压值过高。
2)输出电容的耐压值必须>16V以上，耐压过小电容可能会烧;并且容值不能低于100uF，否则输出电压纹波太大，有可能出现过冲。容值越大，输出电压纹波越小。
3)应用中陶瓷电容0.1uF最好接上，并与芯片距离越小越好，连线越短越好。
3)外置驱动管芯片的外围器件参数，无特别要求可参照TP83规格书中典型应用电路的参数。
附:TP8356测试数据，
L=330uH(内阻<0.1ohm)，Cin=47uF，Cout为300uF电解电容和0.1uF陶瓷电容并联。
Vin(V) Iin(A) Vout(V) 效率
RL=10ohm 4.1 1.12 5.42 64.0%
3.6 1.12 5.01 62.3%
3.2 1.12 4.67 60.9% 若输出电容换为100uF的电解电容，在同样的输出电阻下，输出电压会比接300uF电解电容时的电压小200mV左右。所以驱动大负载下，输出电容小，输出电压纹波大，则输出电压的平均值会低些。
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