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日本京都大学工程部电器工程系日本京都大学工程部电器工程系光机电售息Vo1.12.No.6.1995 j.}j.}j.}j.}j.}j.}誊 :机构介绍:习?s习?s习?s习?s习?s习?s习?sj 长春光机所激光加工中心中国科学院长春光学精密机械研究所是光,机,电综合技术研究所.1976年,光机所研制出第一台CO:激光数控切割机床.已在汽车工业中应用.最近又研制成功一台新型快速轴流CO激光数控切割机床.现已有产品对外出售,并建立了激光加工中心,对外承揽加工. 激光加工中心可完成多品种,小批量,形 ...

日本京都大学工程部电器工程系光机电售息Vo1.12.No.6.1995 j.}j.}j.}j.}j.}j.}誊 :机构介绍:习?s习?s习?s习?s习?s习?s习?sj 长春光机所激光加工中心中国科学院长春光学精密机械研究所是光,机,电综合技术研究所.1976年,光机所研制出第一台CO:激光数控切割机床.已在汽车工业中应用.最近又研制成功一台新型快速轴流CO激光数控切割机床.现已有产品对外出售,并建立了激光加工中心,对外承揽加工. 激光加工中心可完成多品种,小批量,形状复杂的零件的加工.无论形状有多么复杂. 只要能画出图,就能进行加工.这种激光加工机可加工各种仪器或设备用的零件.加工压制包装纸板用的钢制模,在纺织行业上可用于标准服装的剪裁,还可用来切制各种装饰板和显示板面上的各种文字和数字等等.尤其是可用于特硬,特软和脆性材料的加工,诸如陶瓷,玻璃,易碎塑料(CR一39)高温加热后的铜片等,这些材料用其他加工方法加工成品率很低,甚至无法进行,而用激光加工可以轻而易举的完成. 激光加工的优点很多,如激光切割速度快,热影响小,切口平整,激光焊接工件变形小,并可以直接把不同材料焊成一体.激光加工单位时间的工时费虽然高,但由于加工速度高,零件加工费并不高. 该中心可承担的加工范围: 1.激光切割可切割下列各种金属和非金属厚度<5mm(普通钢板) 厚度<3mm(普通钢板) 钛及钛合金板材,有机玻璃板,各种树脂板,纸板和胶合板等. 2.激光焊接 0.35,O.50mm厚的硅钢片的焊接; 0.5ram以下的炭钢板的焊接; 0.3ram以下的不锈钢板的焊接. 3.激光热处理对平面,外圆,内孔及端面等部位进行热处理.可提高其耐磨性与抗腐蚀性加工精度: 光洁度:12.5,O.6m 尺寸精度:?0.10mm/300m 切缝宽度:u.03ram 激光加工机的技术指标: 额定输出功率;5ooW~IOOOW 输出功率稳定度?5 激光光束模式:TEMo~ 光束发散角;<1.5mrad 连续工作时间:8h 机床X轴行程:1.4m 机床y轴行程:lm z轴最大提升距:250mm 最大加工速度;3m/min, 切割位置精度:?0.05mm/300mm 地址:长春工农大路27号 1024信箱电话:0431)5684692--2547 传真:(O431)5682346 联系单位:科技处日本京都大学工程部电器工程系日本东京大学工程部创建于明治3O年成立的京都帝国大学.明治39年创建了理工 ?34? 光机宅售直%L12.?6.1995 大学,而后,理工大学分为理科大学和工科大学,大正8年,工科大学成为京都帝国大学的工程部,昭和22年京都帝国大学改称为京都大学. 电器工程系主要是从事电器工程学基础,电能生成,传输及应用的研究和教学部门.该系除设有电磁学(卯本重郎教授),测量控制工程(西JlI一教授),电仪器(冈田隆夫教授,仁田丹助教授),电器应用工程(佐佐木昭夫教授),放电工程(藤田茂夫教授),通用电器工程(麻生武彦副教授),光学工程(藤田静雄副教授)等外,还开设了基础电气工程, 电测量工程,电仪器专论等讲座. ? 开发具有多功能的光学元件 1982年7月,佐佐木昭夫教授(生于昭和7年,毕业于京都大学研究院),藤田茂夫教授(生于昭和16年,毕业于京都大学研究院)等人开发了具有光开关,光存储,光增强功能的半导体多功能元件. 该元件是采用镓,砷,铟,磷I—V族元素构成的2—4元混合晶体的半导体形成6 层结构,厚度为10b~m.采用掺杂镉形成pn 结,被认为是技术上难以解决的层间界限划分问题.滕田教授研究开发了其制造方法,并于1982年春获得了研究数据. ? 作为新功能元件,提出了有效质量超晶格佐佐木昭夫教授于1985年1月首次提出了”有效质量超晶格”的新概念,这种利用有效质量周期变化的”有效质量超品格”,被认为是目前超品格种类的最新概念. ? 采用离子CVD法形成隔离保护膜获得成功 1985年1O月,佐佐木昭教授等研制成新的氮化硅膜,作为百万级VLSI用的高质量隔离保护膜应用. 采用离子CVD法,主要是以硅和氟混合气体为原料,尽管器件非常薄且结构微细, 但不会因氢原子的自旋引起误动. 作为离子CVD装置,是在1乇真空度状态下,置入反应气体,在两个电极间施加13. 56MHz的高频电压,对置于一侧电极上的 MOS器件基板进行蒸镀制成的,阈值电压变量与以往的方法相比低2个量级,可形成电阻率稳定的优质膜. ? 蓝绿激光振荡获得成功 . 91年3月,藤田茂夫教授等通过对具有 I一?族化合物三元系新构成的半导体超晶格照射氮分子激光,利用其激励作用,在超过室温状态的温度范围,使蓝绿激光振荡获得成功,为世界首创. 利用I一?族半导体元件直接使短波段半导体激光产生振荡成为可能.由此,为开发电流注入型蓝绿激光器奠定了基础,从而引起人们的关注. ? 获得专利的研究成果京都大学工程部电气工程系的专利研究成果有”半导体材料”(日本专利平成3年一 79088).’ 1989年4月1日经应用物理学会发表 , 同年8月22日被批准,研究人员为佐佐木昭夫教授和野田进助手(生于昭和35年,毕业于京都大学研究院),利求改善半导体材料的光功能和性能. 以往,作为发光元件用半导体材料,是采用砷化镓和多晶硅.单晶砷化镓具有直接迁移型能带结构,适于作发光材料用;多晶硅半导体的特点是具有很强的发光强度,适于作为发光元件用材料.不过,由于在红外光状态下,不能采用外延生长,.因此,制作需外延生长的元件有一定的难度.新开发的半导体材料,是能够外延生长的半导体材料,目的是提供适于作发光材料的半导体材料. ?35? 扬妹清编译 ,

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