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[解答]微电子所情况[解答]微电子所情况 微电子所情况 中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构,是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神,面向国家战略需求,承担重点科技攻关与产品开发任务;通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化,推动产业发展;拓展前沿技术与基础研究领域,发展交叉学科方向。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构,成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地,为促进国家微电子技术进步和自主创新,实现产业...

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[解答]微电子所情况 微电子所情况 中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构,是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神,面向国家战略需求,承担重点科技攻关与产品开发任务;通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化,推动产业发展;拓展前沿技术与基础研究领域,发展交叉学科方向。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构,成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地,为促进国家微电子技术进步和自主创新,实现产业的可持续发展做出贡献。 微电子研究所现有在职员工435人,科研与专业技术人员232人(科学院院士2名,高级研究人员95名)。设有博士学位和硕士学位授予点,导师37名(其中博士生导师22名),在读研究生197人。 主要研究方向:1. 硅器件及集成技术;?微细加工与新型纳米器件集成;3. 微波电路与化合物半导体器件;4.集成电路设计与系统应用(包括专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发)。 本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科,跨专业学习具有极大的发展前景与潜力,因此微电子所欢迎并鼓励通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。 ??博士学位授予权的专业 微电子学与固体电子学(080903) ? 硅器件及集成技术 ? 微细加工与新型纳米器件集成 ? 微波电路与化合物半导体器件 ? 集成电路设计与系统应用(专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发) 01.硅器件及集成技术 韩郑生/海潮和/徐秋霞 1英语/ 2半导体物理/ 3半导体器件 02.微细加工与新型纳米器件集成 马俊如 叶甜春/刘明/陈宝钦/陈大鹏/夏洋/王守国 1英语/2半导体物理或固体物理/3半导体器件或电子线路 03.微波电路与化合物半导体器件 吴德馨/钱 鹤/刘新宇/阎跃鹏/张海英/刘训春 1英语/2半导体物理或固体物理/3半导体器件或电子线路 04.集成电路设计与系统应用 周玉梅/叶 青/陈 杰/袁国顺/叶甜春/阎跃鹏/吕铁良 1英语/2模拟集成电路/3数字集成电路或信号与系统或通信原理或电子线路 共招30名 专业选题请与导师直接联系 招 生:每年一次(春季考试秋季入学) 报名时间:每年12月1日至1月20日 报名地点:中国科学院微电子研究所人教处 博士生培养方式(学制三年) 1. 修完现代科学技术与马克思主义、博士学位英语及第二外国语。 2. 在导师指导下修完二至三门专业课。 3. 完成学位论文的实验研究工作并撰写论文。 4. 通过学位论文答辩。 ??硕士学位授予权的专业 微电子学与固体电子学(080903) ? 硅器件及集成技术 ? 微细加工与新型纳米器件集成 ? 微波电路与化合物半导体器件 ? 集成电路设计与系统应用(专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发) 01.硅器件及集成技术 韩郑生/杜 寰/海潮和/徐秋霞 02.微细加工与新型纳米器件集成 叶甜春 刘 明/陈大鹏/夏 洋/谢常青/王守国/陈宝钦/景玉鹏/欧 毅/贾 锐 03. 微波电路与化合物半导体器件 钱 鹤/刘新宇/阎跃鹏/张海英/刘 健/刘训春 04.集成电路设计与系统应用 周玉梅/叶 青/陈 杰/袁国顺/叶甜春/阎跃鹏/何文牧/黑 勇/程亚奇/马成炎 吕铁良/李力南/罗家俊/周 莉/何文牧/徐建华/冯炳军 1101政治理论/ 2201英语/ 3301数学(1) ?871信号与系统或888半导体物理、器件及集成电路或951电子线路 871、888、951任选一门 (注:有意从事集成电路设计与系统应用或微波电路研究方向的同学必须在“871信号与系 统”或951电子线路”中选择) 备 注:考试科目:123 为全国统考课。 考试科目:871、888、951是微电子研究所命题。 ? 特别说明:报考微电子研究所的硕士研究生,必须服从在本所不同的专业方向进行调剂,并且硕博连读。 ??学科专业研究方向及导师简介 专业代码: 080903 专业名称: 微电子学与固体电子学 ◎硅器件及集成技术 该方向为一室研究方向,主要从事SOI CMOS、功率器件等硅器件与集成电路的设计、制造与可靠性研究。该研究室早期一直致力于硅器件与集成电路主流工艺技术研究,具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力。曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOSFET”等国家重点攻关项目的研究。 韩郑生 男 1962年出生 研究员 博士生导师。 海潮和 男 1942年出生 研究员 博士生导师。 徐秋霞 女 1942年出生 研究员 博士生导师。 杜 寰 男 1963年出生 副研究员 硕士生导师。 ◎微细加工与新型纳米器件集成 该研究方向为三室研究方向,主要从事纳米微细加工技术(包括光学光刻掩模及分辨率增强、电子束光刻、下一代光刻及掩模、亚90nm加工工艺等)、纳米器件及集成(包括纳米电子器件模型、亚50nm CMOS新结构器件、硅基和化合物基半导体纳米器件、基于量子效应的纳米器件及其集成、基于新材料新原理的纳米器件如分子电子器件及其集成等)、新型MEMS器件及集成(包括非制冷红外焦平面阵列及集成系统、新型传感器及集成、新结构MEMS加工与集成技术等)三个方向的研究。该研究室是国内最早开展亚微米微细加工技术的研究室,在纳米微细加工技术方面一直保持着国内领先的地位和自主创新的特色。 马俊如 男 研究员 博士生导师 研究所顾问。 叶甜春 男 1965年出生 研究员 博士生导师。 刘 明 女 1964年出生 研究员 博士生导师。 陈宝钦 男 1942年出生 研究员 博士生导师。 陈大鹏 男 1968年出生 研究员 博士生导师。 夏 洋 男 1963年出生 研究员 博士生导师。 王守国 男 1963年出生 副研究员 博士生导师。 谢常青 男 1971年出生 副研究员 硕士生导师。 贾 锐 男 1974年出生 研究员 硕士生导师。 景玉鹏 男 1963年出生 副研究员 硕士生导师。 欧 毅 男 1975年出生 副研究员 硕士生导师。 ◎微波电路与化合物半导体器件 该方向为四室的研究方向。主要从事化合物半导体(GaN、GaAs、InP 等)新型器件研究与开发、微波单片集成电路(MMIC)设计与开发、小型微波电路模块与系统设计开发。拥有一条配套的4英寸化合物半导体器件研发线、微波设计软件和测试系统以及先进的模块平台。其研究领域覆盖射频、微波和毫米波器件、电路、模块及系统的设计和制造。小型、高频和大功率是其研究的主攻方向。无线通信、卫星导航定位、无线传感器、光纤通信等系统是其主要应用领域。 吴德馨 女 1936年出生 科学院院士 博士生导师。 刘训春 男 1943年出生 研究员 博士生导师。 刘新宇 男 1973年出生 研究员 博士生导师。 阎跃鹏 男 1963年出生 研究员 博士生导师。 张海英 女 1964年出生 研究员 博士生导师。 刘 健 男 1963年出生 研究员 硕士生导师。 ◎集成电路设计与系统应用 该方向包括专用集成电路与系统(二室)、通讯与多媒体系统芯片(五室)、集成电路设计与应用开发(杭州分部)等3个研究室的主要研究领域。依托中国第一个电子设计网络化公共平台,中国科学院EDA中心,拥有世界一流的电子系统与集成电路设计软件环境支持,可从事0.13um以下超大规模集成电路设计。 专用集成电路与系统研究室”主要从事超高速数字信号处理器(DSP)、射频电子标签(RFID)、深亚微米设计技术、新型电路设计、高性能模拟电路研究及系统应用开发。 “通讯与多媒体系统芯片研究室”主要有针对性地开展数字通信和多媒体等方面的高端芯片的研究和开发工作。包括高性能嵌入式DSP芯片、3G/B移动通信软件无线电芯片、UWB芯片、CMOS图像传感器、SOC设计方法学等方面的研究。 “集成电路设计与应用开发”是杭州分部的主要研究方向。杭州分部是微电子所集中力量建设的产业技术研发机构,是研究所科研成果应用与产品开发的平台。主要从事卫星导航定位芯片与系统、射频与模拟集成电路、系列MCU芯片等芯片产品与系统产品的设计开发与应用开发。 ? 专用集成电路与系统(二室) 周玉梅 女 1962年出生 研究员 博士生导师。 叶 青 男 1963年出生 研究员 博士生导师。 黑 勇 男 1974年出生 研究员 硕士生导师。 李力南 男 1969年出生 副研究员 硕士生导师。 罗家俊 男 1973年出生 副研究员 硕士生导师。 ? 通讯与多媒体系统芯片(五室) 陈 杰 男 1964年出生 研究员 博士生导师。 程亚奇 男 1958年出生 研究员 硕士生导师。 周 莉 女 1977年出生 副研究员 硕士生师。 ? 集成电路设计与应用开发(杭州分部) 叶甜春 男 1965年出生 研究员 博士生导师。 袁国顺 男 1966年出生 研究员 博士生导师。 陈 杰 男 1964年出生 研究员 博士生导师。 阎跃鹏 男 1963年出生 研究员 博士生导师。 吕铁良 男 1963年出生 研究员 博士生导师。 何文牧 男 1963年出生 研究员 硕士生导师。 马成炎 男 1963年出生 高级工程师 硕士生导师。 徐建华 男 1963年出生 高级工程师 硕士生导师。 冯炳军 男 1969年出生 高级工程师 硕士生导师。 ??博士生导师简介 钱 鹤 研究员,博士生导师 主要从事半导体集成技术研究,专业范围为半导体器件物理、微细加工及超大规模集成电路工艺技术。曾参加多项有关化合物半导体器件及微细加工方面国家、科学院的重大科技攻关项目,目前承担0.35微米CMOS集成电路关键技术研究项目,拟招收从事有关深亚微米集成技术方面研究生。 徐秋霞 研究员,博士生导师 从事半导体器件、大规模及超大规模集成电路的研究和开发。参加了多项国家重大攻关项目,并负责完成了院重大项目“1-1.5微米新工艺及新器件结构的探索性研究”,先后获中科院科技进步奖12项,发 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 论文33篇。专长微细加工工艺、器件结构及物理研究,学术工作有特色。在国家“八五”科技攻关中承担“高压及低压大电流VDMOS系列产品开发”,“BiCMOS IC工艺开发”等为主要负责人之一,并在“0.8微米全套工艺研究”中担任工艺负责人之一,此项目获得中科院科技进步一等奖。在国家“九五”科技攻关承担“0.1微米级CMOS器件结构和性能研究”,为课题负责人。拟令学生参加的研究工作为亚微米CMOS器件、器件物理及关键工艺技术研究为主要方向。 海潮和 研究员, 博士生导师 长期以来从事集成电路工艺研究工作。对半导体器件、微细加工及多种半导体集成电路工艺技术都有深入的了解。曾参加过“六五”、“七五”、“八五”国家科技攻关,并有多项研究成果获奖。是我国自主开发的“0.8微米CMOS集成电路制造技术”的主要负责人之一。目前主要从事深亚微米MOS器件及集成电路技术的研究。“九五”期间还将开展CMOS/SIMOX SOI领域的研究。学生可参加半导体器件、集成电路设计开发及VLSI工艺研究。学生应具有半导体器件物理、微电子及有关电路及计算机方面的知识。 韩郑生 研究员,博士生导师 曾在电子工业部878厂、北京燕东微电子联合公司从事集成电路工艺技术、电路设计、产品开发及生产管理工作。现在从事深亚微米集成电路的研发CMOS/SOI集成电路的研发、BICMOS集成电路的研发。参加了国家“九五”公关项目,主要负责光学STEPPER光刻机和电子束光刻机的匹配,CMOS/SOI—4KBIT SRAM电路的设计。现在负责的课题:大规模CMOS/SOI电路研制。将来的发展方向:CMOS/SOI集成电路的研究、智能功率集成的研发和光电集成电路的研发。希望招收从事半导体物理与器件、集成电路研究的研究生。 陈 杰 研究员 博士生导师 研究员,博士生导师, 1988年赴日留学,1991年,1994年分别获日本国立电气通信大学电子工程系工学硕士和工学博士学位。1994年至1997年在日本鹰山公司任高级项目主管,开发成功了十几种世界领先的W-CDMA基带信号处理低功耗数模混合芯片。1998年至2001年任日本国立电气通信大学信息系统学院副教授,从事W-CDMA,小波变换,图像压缩和集成电路设计的研究。2001年4月入选中国科学院百人 计划 项目进度计划表范例计划下载计划下载计划下载课程教学计划下载 ,任微电子中心研究员,博士生导师,从事移动通信,SOC设计,低功耗数模混合电路设计等方面的研究开发工作。在信息处理和低功耗数模混合集成电路设计方面发表了40多篇论文(其中8篇论文被SCI收录),合作出版《W-CDMA基带信号处理低功耗集成电路设计》一书(日文版),申请专利10多项。拟招收具有数字通信,信号处理,计算机科学,微电子专业背景的研究生。 仇玉林 研究员,博士生导师 长期从事集成电路及相关器件与工艺研究。专长集成电路设计。在MOS存储器、联想存储器、CMOS集成电路、BiCMOS集成电路、功率集成电路及各类专用集成电路的设计研究与开发方面做出了有成效的工作。目前从事的主要研究工作包括:低电压低功耗集成电路设计研究;高性能集成电路设计研究;专用集成电路设计与开发研究;深亚微米及SDICMOS集成电路设计研究。 袁国顺 研究员 博士生导师 主要从事多项专用集成电路设计与开发。负责完成了多种MCU、大容量MASK ROM,及基于IP模块、门阵列、 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 单元的多种专用集成电路的设计取得了突出的经济及社会效益。参加完成了“八五”公关课题“ASIC设计测试技术研究”,参加“九五”公关课题高性能、低电压低功耗电路设计研究。招收从事专用集成电路设计开发方面的研究生。 周玉梅 研究员 长期在微电子技术领域中从事半导体集成电路设计及工艺技术研究,参加及承担了照相机快门电路、VDMOS功率场效应晶体管、智能功率集成电路及多种专用集成电路的研究开发工作。拟招收从事专用集成电路、智能功率集成电路设计技术研究及集成电路开发研究方面的研究生。 叶甜春 研究员, 博士生导师,现任中科院微电子所副所长 1986年毕业于复旦大学、1992年去日本学习。主要从事等离子体刻蚀及薄膜淀积、干发府蚀、X射线光刻等微细加工技术和深亚微米化合物半导体器件的研制及器件物理的研究工作。完成国家公关、国防科研、科学院重大课题国家自然科学基金等多项课题并取得高水平成果,先后获得中科院进步二等奖两项,合作专利四项,发表论文四十五篇。招收研究生的专业方向为深亚微米及纳米微细加工技术及新器件研究。 陈宝钦 研究员, 博士生导师 陈宝钦同志多年来从事微细加工技术的研究与开发在光学掩膜的制作、图形合成、电子束制版与暴光技术等方面做出突出成绩。并多次获得科技进步奖和个人单项奖负责和承担国家及科学院的重要项目。拟招收从事微电子学微细加工方面的研究生。 刘 明 研究员 , 博士生导师 刘明博士主要从事电子束微细加工技术的研究和开发工作,在光掩模制造、缩微图形合成、移项掩模、电子束曝光和电子束光刻技术等方面作出突出贡献,并多次获科技进步奖和个人单项奖,负责和承担国家和科学院的重要研究项目。拟招收从事微电子深亚微米及纳米微细加工技术方面的研究生。 吴德馨 中科院院士,研究员,博士生导师 主要从事半导体器件与集成电路的研究,专业范围为半导体器件物理、器件与集成电路、物理新结构与新工艺研究。先后研究成功MOS 4K位、16K位和64K位动态随机存储器、CMOS专用集成电路、VDMOS场效应功率以及砷化镓异质结高电子迁移率晶体管和锗硅双极型高频晶体管等。承担新型高速异质结器件与集成电路的研究。拟招从事半导体器件与集成电路方面的研究生。 刘训春 研究员,博士生导师 曾长期从事硅双极高速集成电路的研究。研制成功当时在国内领先的肖特基TTL和ECL等电路及等平面隔离等技术。近几年来,从事CaAs器件的研究。首次报导了在高温退火时砷蒸汽对难溶金属Au/WSiN栅的影响并研究成功高跨导、亚微米Au/WSiN 栅自对准GaAs器件。圆满完成了"七五"和“八五”攻关课题研究。其中深亚微米相移光刻技术在国内首获成功。提出了双应变富铟道膺配高电子迁移率晶体管新结构以及用金属侧壁制备纳米宽X射线掩模图形的新方法并获得成功。研制成功多功能磁增强反应离子刻蚀机及感应耦合等离子体刻蚀机。所招研究生拟定研究方向为新型半导体器件及纳米加工技术。 夏 洋 研究员 , 博士生导师 夏洋同志主要从事半导体集成技术研究,专业范围是半导体器件物理、微细加工及超大规模集成电路工艺技术。目前承担国家重点攻关项目“深亚微米集成电路关键技术、国家自然基金重点项目及VLSI中CU布线技术”研究,拟招收有关深亚微米集成技术方面的研究。 顾文琪 研究员, 博士生导师 长期在电子光学领域从事圆形束和可变束电子曝光系统的研究和开发工作,在电子束曝光领域有较高的造诣,目前承担下一代光刻技术中的电子束投影光刻系统的科研公关项目的研究工作。拟招收从事微电子深亚微米及纳米微细加工技术方面的研究生。 888 半导体物理、器件及集成电路 《半导体物理学》 要求掌握“半导体中的电子状态,半导体中载流子的分布,半导体的导电性,非平衡载流子,PN结,金属与半导体的接触,导体表面和MIS结构”方面的全部内容;要求了解“半导体中杂质和缺陷能级,异质结,半导体的光电、热电、磁和压阻效应等”方面的基本概念。 《微电子技术基础》 第一至第五章的全部内容,要求对书中所涉及的半导体器件类型有足够的理解,掌握相关 的器件物理知识,并能用来分析和解决有关问题。 《半导体集成电路》 第一至第二十二章的全部内容,要求掌握基本的集成电路设计方法,版图设计方法和基本的 集成电路制造工艺,能设计简单的电路以及分析电路中的寄生效应。 参考书: 《半导体物理学》刘恩科、朱秉升、罗晋生等编。 西安交通大学出版社或(国防(国防工业出版社) 《微电子技术基础,双极场效应晶体管原理》曹培栋编著,电子工业出版社 《半导体集成电路》朱正涌编著,清华大学出版社 951 电子线路 电子线路基础 《模拟电子技术基础》电子线路中的基本概念、原理和分析方法。掌握双极和MOS的主要电路形式、原理、特性及应用。 《数字电子技术基础》逻辑代数基础,门电路、触发器的电路结构、工作原理及特性,组合和时序电路的分析和设计,脉冲的产生和整形,半导体存储器、可编程逻辑器件的原理及应用,数/模、模/数转换。 参考书: 《电子线路基础》高文焕、刘润生编,高等教育出版社 《模拟电子技术基础》(第三版)童诗白、华成英主编,高等教育出版社 《数字电子技术基础》(第四版)阎石主编,高等教育出版社 871 信号与系统 信号与系统 连续时间和离散时间信号与系统(包括在输入输出描述方式和状态描述方式下,以及时域、频域和复频域)的一整套概念、理论和方法,及其在通信、信号处理中的主要应用。 数字信号处理数字信号与数字系统,离散傅氏变换DFT,数字滤波器 的结构与设计,快速傅氏变换FFT。 参考书: 《信号与系统》(第二版)(上,下),郑君里、应启珩、杨为理等著,高等教育出版社 《信号与系统:理论、方法和应用》中国科学技术大学出版社,徐守时,修订版,2003.2, 或第一版1999.9 《数字信号处理》(修订版)北京理工大学出版社 ,王世一,1997,3—5章 说明:以上专业课全部由微电子所命题。 单位代码:80159 通信地址:北京市朝阳区北土城西路3号 邮政编码:100029 电子信箱:cj@ime.ac.cn 电 话010) 62008497 62007217 传 真:(010) 62049837 联系部门:微电子研究所 人教处研究生部 联 系 人:崔 京 罗明雄 更多信息请至 中 国 科 学 院 微 电 子 研 究 所 2005年硕士研究生入学考试复试须知 同学:你好~ 根据教育部学生司制定的复试基本要求和录取原则,结合我所情况确 定复试基本分数线如下: 专业门类 政治 外语 数学(一) 专业课 总分 微电子学与固体电子学 60 50 90 90 340 凡符合上述分数线的考生可以进入差额复试。凡收到复试通知的考生请将是否来复试的回执立即用E,mail发送到cj@ime.ac.cn,以便我们作具体安排。 特别提示:4月初教育部将公布全国初试分数线,如果国家分数线高于我所划定的分数线,那么未能达到国家分数线的考生复试成绩将自动失效。所有达到国家分数线而不能参加复试或复试后未能录取的考生,请自行尽早联系调剂其它单位,我所研招办将按照调剂接收单位的来函协助调剂,没有调剂接收函的考生将视作放弃调剂。 复试安排: 复试安排: 4月5日(星期二) 时 间:下午16:30前 内 容:报 到 地 点:中国科学院微电子研究所研究生部 住宿地址:北京市朝阳区华严里2号楼4层微电子所研究生宿舍(健德门桥向东200米,国恒大厦后面) 备 注:外地考生协助解决住宿,考生复试所需路费自理 4月6日(星期三) 时 间:上午 8:00 内 容:体 检(早晨空腹) 地 点:北京冶金医院(北京市朝阳区安外小关路51号,即亚运村东南侧)大门口集合 备 注:体检费用考生自理(约:120元/人) 4月7日(星期四)至4月8日(星期五) 时 间:上午8:10,11:30,下午13:30,17:00 内 容:专业基础课(四门)综合考试(考试形式:口试问答) 地 点:微电子研究所 科研楼一层会议室 复试内容: 1、专业知识复试 重点考查考生大学学习情况及对专业知识掌握的深度和广度,对知识灵活运用的程度以及考生的实验技能和实际动手能力等,了解考生从事科研工作的潜力和创造性。专业课复试(口试)范围:考核《半导体物理》、《半导体集成电路》、《信号与系统》、《电子线路》等方面的综合基础知识,注重基本概念和知识面。具体内容:可参见硕士研究生招生简介所列的相关参考书。 2、外语听力,口语(见附件1:研究生复试英语口语和听力测试办法); 3、综合素质考核; 为了较全面地考核考生的综合素质,考生在复试时提交如下材料: (1)本科毕业学校教务部门(或院系)出具并加盖公章的考生大学本科课程成绩单; (2)考生 个人简历 个人简历模版下载个人简历ppt模板免费下载个人简历表格下载下载个人简历直接填写考博个人简历模板下载 ;(见附件2) (3)反映考生英语水平的成绩证明或证书; (4)考生在公开发行的学术刊物或全国性学术会议上发表的学术论文,所获专利、科研成 果及其它原创性工作成果的证明材料原件或复印件; (5)考生的各种获奖证书; (6)考生个人自述(自述本人的专业学习情况、学术背景、在所申请的专业曾经作过的研 究工作、个人学术研究兴趣,以及攻读研究生阶段的学习和研究计划、研究生毕业后 的就业目标等,字数1000字左右。)(示范 表格 关于规范使用各类表格的通知入职表格免费下载关于主播时间做一个表格详细英语字母大小写表格下载简历表格模板下载 见附件2,考生可在研究生院招生主页 下载); (7)其它有参考价值的材料。 综合素质面试采用百分制,满分为100分。 4、体检。 录 取:录取成绩,(初试成绩?5)×50,,复试成绩×50, 德、智、体全面考查,择优录取。 注意事项: 往届生需携带毕业证及学位证原件;在职考生需提供所在单位人事部门出具的同意报考的证明(需所在单位人事部门盖章);考生在复试期间的食宿全部自理,不参加体检者、不服从本所不同专业方向调剂的和不愿硕博连读的考生取消录取资格。 有关问题通知如下: 考虑到外埠考生的住宿问题,我所研究生部为本次复试准备了一些住房(研究生宿舍电话:62008490找郭师傅联系),但只能满足部分考生的需求,仅限复试期间住宿,考生来京往返路费及在京期间的食宿费用自理。 通信地址:北京市朝阳区北土城西路3号 联 系 人:中国科学院微电子研究所 研招办 崔 京 邮 编:100029 电话:010,62008497 传真:010,62021601 E-mail:cj@ime.ac.cn 乘车线路:北京西客站下车乘21路公共汽车到北辰路站下车;北京站下车乘地铁到鼓楼大街换乘380路到北辰路站下车,向北(前)走到熊猫环岛再向西200米。 附件1 中国科学院研究生院招收攻读硕士学位 研究生复试英语口语和听力测试办法(试行) 一、测试目的和要求 硕士研究生入学考试非外语专业考生英语听力、口语测试主要考核考生运用英语知识与技能进行听说交际的能力。 听力要求考生能听懂日常生活中的通知、讲话、一般性谈话或讨论等,还应能听懂所熟悉领域的广播电视节目、讲座、演讲和论述等。在听说或对话过程中,考生应能理解说话者的意图、观点或态度,理解明确或隐含表达的概念性含义,获取事实性的具体信息,进行有关的判断、推理和引申。 口语要求考生能用英语回答有关日常生活、家庭、工作、学习等方面的问题,并能就某个话题进行连续性的英语表达,从发音的正确性,使用语言的准确性、流利程度以及得体性几个方面测试考生的口头表达能力。 二、测试方式与内容 测试分为三部分,由两名测试教师参加。一名测试教师随时与考生交谈并评分;另一名测试教师专事评分,不参与交谈。两名测试教师所给的分数各占测试成绩的50%。 第一部分:测试教师用英语与考生对话,交谈有关日常生活、家庭、工作、学习等的话题。 该部分约需3分钟。 第二部分:测试老师读一段英文文字(或让考生听一段英语录音材料)并提问,由考生用英语回答。 该部分约需3分钟。 第三部分:考生从所给的问题或话题中选择一个话题,并就此话题用英语表达自己的看法,或让考生读一段英文文字,并就其中的话题用英语进行发挥或阐述。 该部分约需4分钟。 三、评分标准 英语口语和听力测试计分采用百分制,60分为及格。第一部分约占40%,第二部分约占30%,第三部分约占30%。 附件2 中国科学院研究生院 年招收攻读硕士学位研究生考生个人简历及自述 填表日期: 年 月 日 姓名 出生日期 年 月 日 照 片 近期一寸免冠正面照片 性别 政治面貌 民族 身份证号 通讯地址 及邮政编码 联 系 电 话 E-mail地址 报考培养单位 (院、所、中心、园、台、站)及专业 本科就读学校、院系 入学时间 本科学习专业 毕业时间 计算机等级及成绩 英语等级及成绩 (四级或六级) 社会工作 特长爱好 英语水平 何时获得何种奖励或处分 参加科研工作、课外科技活动情况: 本科毕业论文/设计题目及主要内容: 发表论文、申请专利或其它研究成果情况: 考生个人陈述 请介绍你的学术背景、曾参与过的科研工作、科研学术兴趣、读研究生阶段的学习和研究计划、其它特长以及你认为对于申请有参考价值的内容。个人陈述应由考生本人独立完成。(如此页不够填写,可附页) 本人保证,以上所填一切内容(包括本人所提供的所有材料)均经过本人认真思考和审核,而且符合本人真实情况,本人对此承担一切责任。 考生本人签字: 年 月 日 本人保证,以上所填一切内容(包括本人所提供的所有材料)均经过本人认真思考和审核,而且符合本人真实情况,本人对此承担一切责任。
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软件:Word
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分类:生活休闲
上传时间:2018-09-20
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