柴氏法坩埚在微重力状态下之非稳定流流场分析

柴氏法坩埚在微重力状态下之非稳定流流场 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 重力對柴氏法坩堝內暫態流流場之影響分析 1*12詹益聚 阮岱珈 陳進茂 1 國立虎尾科技大學動力機械工程系 副教授 2國立虎尾科技大學動力機械工程系 學生 摘 要 本研究以數值模擬方法,針對矽溶液在柴氏法(Czochralski method)坩鍋內之暫態流及溫度場,隨時間變化之情形加以方之對流減弱得最為明顯,若加入適當之晶棒旋轉則可加強晶棒下方之對流但會稍微延後達到穩定之時間。 關鍵詞:數值模擬、柴氏法、暫態流及溫度場、重力效應。 *國立虎尾科技大學機械工程系,雲林縣虎尾鎮文化路64號。 Tel: +886-5-6311234 Fax: +886-5-6312222 E-mail: lxxx@nfu.edu.tw 應,另外也有一些學者探討坩鍋內之溫度分佈對晶壹、前言 體生長截面越接近平的狀態、坩鍋之對流速度越慢 近年來隨著科技進步,資訊發達日新月異,電或是晶棒下方之對流越平緩則可得較佳之晶棒的腦已是不可或缺的必要工具,而電腦最主要核心生長狀態。 CPU及其週邊諸多零組件很多是半導體產品,而無論如何,上述的研究均未針對坩鍋之非穩這些都是由晶圓加工而來,因此晶圓生長製程顯得定之流場及及溫度場之變化,討論之變數並擴及晶格外重要,因之所以在諸多元素或化合物半導體材棒和坩鍋之旋轉,期能增進吾人對坩鍋內部對流情料中脫穎而出,成為超大型積體電路(ULSI)之基形與溫度分佈之控制能力,進而得到較佳之晶圓生材,其原因大致可歸納為以下兩項: 長條件。 (1)矽元素乃地球表面存量最豐富的元素之一,價 格相對較為便宜,而其本身的無毒性,以及具貳、本文 有較寬的能階差,即是早期半導體界轉向矽的 重要考量得到一穩定品質之重要變數,而在高 由於晶體成長之邊界條件、坩鍋之形狀及加熱頻需求的元件設計上,矽材料則沒有如化合物件均為軸對稱之形式,故本分析模型採用二維軸對半導體砷化鎵般的具有高電子游動性而受到青稱配合旋轉成一圓桶之條件加以分析,並假設流場睞。 為之不可壓縮層流,即流體密度僅隨溫度發生變(2)從製造成本的考量上,矽晶圓之製造成本較為化,其他物理性質均視為常數。研究之模型尺寸如便宜,且由於晶圓,在晶圓的量產上具有相當圖(一) 所示。坩鍋內矽溶液之物理性質如表(一) 大之優勢。 所示。晶棒之溫度維持在矽之結晶溫度1683 K, 目前生產大尺寸矽晶圓之主要技術為柴氏法坩鍋壁面之1692 K往上線性遞減至上方的1690 (Czochralski method),此方法是由科學家Polish和K,晶棒及坩鍋之旋轉則加入Z方向之切線速度加冶金學家J. Czochralski以及一些化學家於1902年以呈現,自由液面設定壓力自由度為零。 發展出來。在1916 Jan Czochralski創立公司生產金 本文採用數值分析軟體ANSYS進行數值解之屬結晶,發展生斷裂現象,故能大量生產。柴氏法主要架構,以分析坩鍋內晶棒長晶之溫度場及流場之作用原理為首先對坩鍋加熱,使內部矽熔液保持隨時間、重力、晶棒及坩鍋之旋轉等變數之影響。液態然後在液面,控制晶棒的提拉速率以配合結晶加入控制坩鍋形狀、坩鍋底部及垂直壁面溫度分佈速率,以完成長成晶體之動作。 及坩鍋與晶棒旋轉部分之程式設計,採用數值方法 -6柴氏法過程會失敗之主要原因在於坩鍋內之為有限元素法,容許之最大誤差定為1×10,所建溫度分佈及流場控制不當,使坩鍋內的矽沒有完全構成功流場及溫度場之變化。 熔解,或是初長點,故如何控制坩鍋內之流場及溫本研究在前處理方面,以半徑3.7 cm、高3.6 度分佈成為以柴氏法製造晶圓能否成功的主要因cm之基本尺寸加以分析,此尺寸乃根據 Sabhapa素。 生變化,其它如比熱、重力加速度、外界溫度、出 最近幾年,已有許多研究針對坩鍋內矽溶液口之壓力自由度、熔點、熱傳導係數、黏度、膨脹之流場加以分析 [1-10],這些研究大大的幫助了我率等性質設為常數,在執行上設定其收斂條件為 -6們對坩鍋內流場的了解。 Sabhapathy and 1×10。研究之初始條件設定為熔液溫度1690 K,Salcudean [2] 以及 Watanabe, Yi, Hibiya & 在時間t=0時,晶棒溫度為1683 K,且壁面溫度如Kakimoto[4] 曾以實驗方法探討坩鍋之流場的變前所述開始進行數值分析之求解過程。 求解完成後,最後進入後處理階段,使用最後化情形, Kinney and Brown[5] 和 Muhe et al [6] 則分析柴氏法坩鍋內之對流、傳導與輻射之熱傳效的結果,利用此結果畫出流場溫度圖和流線圖,對 22 2,則其於某些流場,吾人使用流體軌跡的方式,針對坩鍋 現若再將重力加速度降至0.00981 m/s 2現象與g = 0.0981 m/s類似,其收斂時間仍為t = 內的渦流所產生的流場附近作放大觀察,可看出流 21,下方渦旋較上方渦旋之範圍明顯擴大如圖五 體分子之流動軌跡。 2所示,若與g = 9.81 m/s相較,重力減為1/1000, 將本研究所得之結果與Sabhapathy and 下方渦旋強度減為1/490,上方渦旋強度減為Salcudean[2] 之結果作一比較,發現本文以數值模 1/1600,可見重力對上方渦旋之強度有較大之影擬方法的結果和其誤差均在 5, 以內,為一可接 響。 在溫度場之變化上,若仔細觀察在三個不同受之不同之變數加以分析比較,以求得所需之結 重力下,其收斂之分佈較為均勻,且在晶棒下方之果。 等溫線近乎與晶棒底部平行之情形,此一現象對長参、結果與討論 晶顯然較為有利。 本研究首先針對柴氏法在非穩定態之發展加 接著本研究針對晶棒之旋轉對坩堝內部之溫以分析。圖三( a、b、c、d) 分別代表在重力為9.81 度場及流場的影響加以分析。圖六(a、b、c、d) 為22m/s之狀態下在t = 1、10、20及達到穩定狀態t = 重力加速度為0.0981 m/s晶棒旋轉15 rpm時,坩61之流場及溫度場。由圖三(a) 可知在t = 1時,堝內之流場及溫度場隨時間變化之情形,圖六a為由於坩堝壁加熱方形成一很大之溫度梯度,在靠近t = 5之等溫線與流線圖,由圖可知,由於受到晶棒垂直壁面處,則有一近乎平行於垂直壁面之溫度分旋轉之影響,在晶棒附近形成了一個大的渦旋,此佈。 一大渦旋隨著時間的增加有漸次外移的現象,此一 隨著時間的推移在t =10時晶棒下方之溫度梯外移亦壓縮小下方渦旋使其漸漸縮小如圖六(b),度漸次降低,而在流線圖則呈現上方之渦流漸次擴且隨著時間的增加,晶棒下方之溫度梯度亦隨之減大,下方之逆時針渦旋則漸漸縮小之趨勢,此一現少,在當t = 20時之圖六(c),上方之渦旋已經佔據象在t = 20時已形一上下兩渦旋分庭抗禮之現象,了整個上半部之空間,此時可明顯的看出上下二渦 2旋之消時針渦旋的成長,使其強度只剩原有的一cms上方渦旋之流線函數已由t = 10之0.382 22半,但反觀g = 9.81 m/s之情形,此一晶棒旋轉之cms增至t = 20之1.223 ,下方渦旋之流線函 2數則由t = 10 /s時,其達到穩態之時間為t = 61,效應則不甚明顯,比較圖七(a)與圖三(d)就可知二若仔細觀察溫度場之變化,可發現其收斂之時間較者之差異不大。 流場快,t = 20和t = 61之溫度場幾乎是相同的可 綜觀上述針對晶棒旋轉對流場影響之分析,可 2見在t = 20時溫度場即已接近收斂。 明顯的看出,當g = 9.81 m/s時,由於因重力影響 2 現若吾人將重力加速度縮小至0.0981 m/s以而產生之對流強度大,故晶棒的旋轉對其流場之影研究在微小重力下之流場及溫度場之變化情形,圖響並不明顯,但當重力之影響減弱時,由於其本身四(a、b、c、d) 分別代表其t = 1、10、20及達到之對流強度亦隨之減弱,故此時所加入晶棒之旋穩定態之t = 21的流場及溫度場之變化圖。則可發轉,即可有效的控制其流場的變化,明顯的加強其現在t = 1之流場及溫度場如圖四(a) 與g = 9.81 接觸面處之對流強度,而此一晶棒之擾動對流場由22m/s,t = 1其中心點漸往外移,不過與g = 9.81 m/s暫態至穩態之時間有明顯的影響。 相較,上方渦旋之發展顯然較為緩慢,且在整個過 程當中,上方渦旋之發展並未為1/40,而上方渦旋肆、結論 強度則減弱為1/123,可見重力加速度之降低,大 幅降低晶棒下方流場的流動,其達穩定狀態之時間本文以數值模擬方法,使用ANSYS軟體,針 2則為t = 21,此一時間較g = 9.81 m/s提早許多如對以柴氏法生產矽晶圓之坩鍋內部矽溶液的非穩圖四(d) 所示。 定對流場及溫度場加以分析,研究變數包含重力加 表一:矽的性質表 速度之大小及晶棒轉速。 kg研究結果顯示,加熱初期,首先產生一逆時針密度 2530 3m旋轉之渦旋,但隨著時間的增加,晶棒下方產生之 :C1683 順時針渦旋之兩個不同方向的渦旋,加入晶棒之旋 轉則可加大上方之對流效應。尤以在微重力狀態下W熱傳導係數 64.0 m,K最為明顯,但晶棒之旋轉會拉長非穩定流之時間。 ,8N,S黏度 7.0 ，102 m ,1,4膨脹率 1.5 K，10參考文獻 J1. N. Kobayashi, J., Oxygen transport under an axial 1000 比熱 kg,Kmagnetic field in Czochralski silicon growth, Crystal Growth, Vol.108, pp.240-199. 2. P. Sabhapathy, M. E. Salcudean, Numerical study of Czochralski growth of silicon in an axisymmetric magnetic field, J. Crystal Growth, Vol.113, pp.164, 1991. 3. H. Hirata, K. Hoshikawa, Three-dimensional numerical analyses of the effects of a cusp magnetic field on the flows, oxygen transport and heat transfer in a Czochralski silicon melt, J. Crystal Growth,Vol.125, pp.181, 1992. n, Oxygen distribution in silicon melt during a standard Czochralski process studied by sensor measurements and comparison to numerical simulation, J. Crystal Growth, Vol.198-199, pp.409, 1999. 9. 余礎宇, Czochralski 長晶爐流場之數值模擬分 析,國立清華大學動力機械研究所,碩士論 文,2002。 圖一 微重力柴氏法坩堝模型尺寸示意圖(單位:10. 詹益聚、李龍育、徐健祥、彭耀松,矽溶液在 cm) 柴氏法坩堝內之流場分析,第二十八屆全國力 學會議,2004。 圖二 計算格點分佈圖(單位:cm) 24 2圖三a 矽晶棒和坩堝皆不轉動,重力9.81 m/s,圖三d 矽晶棒和坩堝皆不轉動,重力9.81 2時間1秒之等溫線圖(左)及流線函數圖(右) m/s,時間61秒之等溫線圖(左)及流線函數圖 (右) 2圖三, 矽晶棒和坩堝皆不轉動,重力9.81 m/s,圖四a 矽晶棒和坩堝皆不轉動,重力0.0981 2時間10秒之等溫線圖(左)及流線函數圖(右) m/s,時間1秒之等溫線圖(左)及流線函數圖(右) 2圖三c 矽晶棒和坩堝皆不轉動,重力9.81 m/s,圖四b 矽晶棒和坩堝皆不轉動,重力0.0981 2時間20秒之等溫線圖(左)及流線函數圖(右) m/s,時間10秒之等溫線圖(左)及流線函數圖 (右) The gravity effect on unsteady convection of Czochralski crucible 1*12Chan I-Chu Juan Dai-Jia Chen Jin-Mao 1 Association professor, Department of Power Mechanical Engineering, National Formosa University 2College student,Department of Power Mechanical Engineering, National Formosa University Abstract The numerical methods are used to analyze flow field and temperature field change by time in the Czochralski If the rotation of the crystal in the crucible is joined, the convection below crystal will be strengthened but steady time will postpone. Keywords: Numerical、 Czochralski method、 unsteady convection、 gravity effect. *Department of Power Mechanical Engineering, National Formosa University, 64, Wen-Hua Road, Hu Wei, Yun Lin, 63208, Taiwan. Tel: +886-5-6311234 Fax: +886-5-6312222 E-mail: lxxx@nfu.edu.tw 26