如何计算MOSFET管的驱动电流?加入收藏字号:
MOS管一般只计算驱动功率.
P=V×Q×f
V——驱动电压
Q——栅极电荷
f——频率
怎么,我发现这个公司前面有个0.5的系数呢?哪位兄弟解释解释.
驱动功率:
P=WF=0.5C F=0.5* *F*Q/U =0.5*F*QU
Q-----栅源电荷
U-----栅源电压
F-----驱动信号频率
因此得出结论: 驱动信号相同的情况下,驱动功率取决于Q.
驱动电流的计算,我查到的资料是这样的,我也计算过,下面是转贴,我不确定到底是否正确.
在计算栅极驱动电流时,最常犯的一个错误就是将MOSFET的输入电容(CISS)和CEI混为一谈,于是会使用下面这个公式去计算峰值栅极电流.
I = C(dv/dt)
实际上,CEI的值比CISS高很多,必须要根据MOSFET生产商提供的栅极电荷(QG)指标计算.
QG是MOSFET栅极电容的一部分,计算公式如下:
QG = QGS + QGD + QOD
其中:
QG--总的栅极电荷 140
QGS--栅极-源极电荷 28
QGD--栅极-漏极电荷(Miller)74
QOD--Miller电容充满后的过充电荷
可以看到,为了保证MOSFET导通,用来对CGS充电的VGS要比额定值高一些,而且CGS也要比VTH高.栅极电荷除以VGS等于CEI,栅极电荷除以导通时间等于所需的驱动电流(在规定的时间内导通).
用公式
表
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示如下:
QG = (CEI)(VGS)
IG = QG/t导通 t导通=86+16=102ns QG=140nc
则IG = QG/t导通=140/102=1.37A(IRFP250)(IR公司的)
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疑惑------MOS管栅极驱动电流计算
MOS管型号-infineon SPW47N60C3
SPW47N60C3.pdf
Ciss=6800PF,Crss-145PF,tr=27ns
应用场合:
410V PFC电路,Vgs=12V
根据《开关电源设计第三版》第9章9.2.3节中所述栅极电流的计算公式,计算得:
I1=Ciss*Vgs/tr=3.022A
I2=Crss*(410+Vgs)/tr=2.266A
感觉也太大了,是不是我计算的有遗漏啊?还请大家帮忙分析一下,谢谢!
一是上升时间没有那么快,二是驱动电流确实也不小,三是因为这个驱动电流时瞬时值电容充满就没有了。
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