【doc】微密封真空微电子二极管阵列【doc】微密封真空微电子二极管阵列
微密封真空微电子二极管阵列 第17卷第3期
1994年9月
电子器件
JournalofBectrorlDevi0?
Vo1.17.N0,3
September.1994
(
微密封真空微电子二极管阵列?
连
(西北工业大学)(西安电子科技大学)
摘要车文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结皋. 关键词:堕堂,塞皇堂皇王墨,三墼笪,薪夏二/
一
,引言
实现真空微电子器件的真空封装,是其得以广泛应用的重要先决条件.未密封的真空微
电子...
【doc】微密封真空微电子二极管阵列
微密封真空微电子二极管阵列 第17卷第3期
1994年9月
电子器件
JournalofBectrorlDevi0?
Vo1.17.N0,3
September.1994
(
微密封真空微电子二极管阵列?
连
(西北工业大学)(西安电子科技大学)
摘要车文介绍了一种微密封真空微电子二极管阵列的工艺及实验结皋. 关键词:堕堂,塞皇堂皇王墨,三墼笪,薪夏二/
一
,引言
实现真空微电子器件的真空封装,是其得以广泛应用的重要先决条件.未密封的真空微
电子器件的长期稳定工作及各项性能测试,往往需要庞大的真空系统,这限制了它的许多应
用方面工作的开展.目前实现真空密封主要有两种方法:一种是密封制作有器件的大面积基
片,典型的饲子是场发射平板显示器,压力传感器,光源等,这已由R.M~yer等人在场发射
微尖平板显示屏中应用0.另一种方法是微加工小真空室,内含发射体,收集极和门极.显然
这更具广泛实用意义.这方面的工作主要有Q+M~i等人采用磷硅玻璃(eso)牺牲层腐蚀技
术实现的平面型二,三板管的真空封装,据最近的文献报道,真空度达10托.C.T.Sane
等人用光敏抗蚀层作牺牲层,以较简单的工艺实现了纵向结构Spindt型三极管的封装,真空
度达到10托左右.另外,M.Asltu~等人用电子束淀积u一硅对他们制作的Spindt型多
晶硅场发射阴极阵列进行封闭,实现了封闭式微二极管阵列.
下面将介绍我们在封闭式真空微电子管方面的研究工作.
二,工艺及制作结果
根据我们对真空微电子二极管结构与性能关系的研究,阳极为负曲率,即为凹面时,
器件的二极管特性最佳.在总结过去加工真空微电子器件经验的基础上e.-,设计了下面的
工艺流程(如图1所示);
(一)在高电导n型(100)硅衬底上氧化一层{m厚的SiO:,再淀积一层约{m厚的11 Si?;
(二)在Si:dq~层上,光刻出lvma左右的图形,并用等离子体干法刻蚀刻出小圆孔} (三)继续刻蚀SiOz层,直到硅衬底(如图1(a)所示);
(四)垂直方向溅射Mo,封闭小孔,最后结果如图1(b)所示.
?国隶自然科学基金资肪项目
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