SILICON Probe Card Lift Time 实验计画201最新整理3

SILICON Probe Card Lift Time 实验计画201最新整理3 TOHO Silicon Probe Card量產實驗計畫 關於日本TOHO(東邦)Silicon Probe Card的實驗,先前Novatek已經做過一次,但是失敗了。原因為probe card扎到異物導致探針永久損壞。為了真正了解此種Probe Card的耐用情形,TOHO再次提供一片Probe Card供實驗用途。( 此片Probe Card為NT3992的Probe Card,在T6371上使用。) 實驗方法 使用此Probe Card進行NT3992的量產,並詳細紀錄使用過程,藉以分析了解此種Probe Card實際使用狀況及優缺點。 (1) Setup,首次Setup已在10月2日完成。(Apoll、Jerry、Lester、P-8 engineer) (2) Correlation,驗證此Probe Card。已在10月6日完成,結果為PASS。 (MH3S4#25) (3) Production, 1) 為了儘量避免異物導致探針損壞的情形再發生,請協助下列事項 : a. 要用vertical probe card測試的wafer,請清洗過才測試。 b. 該台Prober儘量不要有打開Test Head的動作,以減少Particle落入 的機會。 c. 也儘量不要有拆換Probe card的動作。 2) 此片Probe card的任何操作,請嚴格遵守附件一的說明,並由專人執行。 ( 建議限制由Apoll或是1~2名資深工程師進行。) 另外,請特別注意下列 限制事項,否則將導致Probe Card的永久損壞, a. Needle Alignment結束後,First Contact的高度請由TSETER測試結 果判定,不可由針痕判定。O.D.值(Over Drive)請設定在First Contact起40um以下。( 通常設定在20 ~30um即可 ) b. 請勿使用在沒有長Bump的Wafer,或是contact沒有Bump的wafer 邊緣Die。 c. 高溫測試時,為避免O.D.過大,到達First Contact到達後,Probe Card一定要先預熱5分鐘以上再調整O.D.值。 d. 絕對不可以用氣槍直接吹Probe Card,特別是探針部分。 e. 除非經過我的同意,不可以對探針部分做任何清潔動作。 3) 建議請生管單位優先將NT3992排給vertical probe card測試。 4) 開始量產前,請針對探針部分拍照留做紀錄。 5) 開始量產後,請依附件二 格式 pdf格式笔记格式下载页码格式下载公文格式下载简报格式下载 範例詳細紀錄各項數據。 6) 開始量產後,一旦發生連續Fail時,且增加O.D.仍無改善時或是懷疑是 Probe Card問題時,請先用顯微鏡檢查是否探針部分有任何異狀。若有, 不可做任何清潔動作,請用立即以電話通知我,並拍照存證後寄給我, 該片wafer扣留,同時暫停此Probe Card的使用。在日本TOHO提供處理 方式後,再繼續測試。 附件一:SILICON PROB的操作說明 (TEL / P-8) 本說明書是就一般操作說明書裡的SET UP的具體方法而加以說明的資料,請與一般操作說明書一起使用。 1. 設定(SET UP) 1) SILICON PROBE的針的辨識,可使用MPC 2或VPC 1的Algorithm。操 作方法2種皆同,依清潔方法的不同而區開始用。 ?MPC 2 : MEMBRANE CARD用的Algorithm ?不能用Cleaning Wafer來清潔。 ?VPC 1 :垂直探針用的Algorithm ?能用Cleaning Wafer來清潔。 2) 依PROBER 的指示進行針的Teaching。Teaching時的順序及注意事項如 下。 2-1) 在Micro image裡,將針對準針根部(Root of needle)的基板。 2-2) 在登錄的Bump裡,將游標對準該針的根部(Root of needle)。 2-3) 切換到Micro image,約1300 micron。將照相機移到下方。如同 ” 相 片2 ” 一般,在針尖有符合Pint的位置。在所登錄的Bump裡,將 游標對準該針尖加以登錄。 2-4) 重複4次這個操作,進行針的設定。 < 注意 > 在Micro image裡,因針尖與照相機的距離較短,如將照相機過於貼近針 時,有可能導致針損壞的危險。在Micro image裡用Pint來對準針的根部 (Root of needle) ,再將照相機移到下方。 在Micro image裡的針尖的影像,如 ”相片2” 所示一般。如果在與此不同 的畫面輸入時,則會有導致針破損的危險。 依針尖的明亮度。有時候可能亦無法辨識,這時請調整明暗及照度。 相片, 相片, 2. 清潔 1) 建議使用專用的Cleaning Wafer。 2) Contact時,往橫方向移動(Slide)的話,可能導致針的折斷。請勿做移動(Slide) 的設定。 3) Cleaning Wafer的厚度,請設定在 “ 自動測定 ” 。如果選擇數值輸入的話, 可能導致針的折斷。 4) Cleaning的頻度,大致以每1萬Contact/次,作為參考。 5) Cleaning的Over Drive,請輸入20 ~ 30um。 6) Cleaning的Contact次數,請輸入5 ~ 10。 7) Wafer的移動量,請輸入20 ~ 30um。 8) Cleaning Area Margin from Wafer Edge,數請輸入5 mm。 3. 其他注意事項 1) Needle Alignment結束後,First Contact的高度請用TSETER測試。OD(Over Drive)請設定在First Contact起40um以下,通常設定在20 ~30um即可 ?如果無法達到Contact時/即使增加OD也無法解決。 2) 請勿在沒有Bump的Wafer進行Contact,絕緣膜附著在針尖而導致Contact 不良的原因。 3) 高溫測定的時候,因溫度會造成Card Holder彎橈,而使針的高度產生變 化/依設定條件的不同,導致對針負荷過剩的OD,預熱機能或使用SOAK TIME機能,勿使負荷過剩的OD。 ?建議預熱在1分鐘以上 附件二、NT3992 TOHO Silicon Probe Card使用紀錄 First All Pin Touch 測試機台 OD 操作時間 操作人員 Contact Contact Down 操作原因 編號 (um) 高度 高度 累計次數 T6371-05 2003/8/8 Apoll 1400 1406 2 0 Setup 14:00 Contact不穩, 增加OD T6371-05 2003/8/11 Apoll 3 75000 09:00 改機取下Probe Card T6371-05 2003/8/11 Apoll 82000 17:00 T6371-05 2003/8/13 Apoll 1410 1416 2 82000 Setup 15:00