qx6103 12 80v输入,9 10v=2.6a输出demo 设计报告qx6103 12 80v输入,9 10v=2.6a输出demo 设计报告
QX6103 DMEO测试
QX6103 12~80V输入，9~10V=2.6A输出DEMO 设计报告
? 目标输入输出要求 :
公司名称 联系方式 日期 2014/12/24 输入电压 12~80v 输出电压 10v 输出电流 2.6A 额外要求 低电压/欠压保护
? DEMO实物:
? 电路原理图:
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QX6103 D...
qx6103 12 80v输入,9 10v=2.6a输出demo 设计报告
QX6103 DMEO测试
QX6103 12~80V输入，9~10V=2.6A输出DEMO 设计报告
? 目标输入输出要求 :
公司名称 联系方式 日期 2014/12/24 输入电压 12~80v 输出电压 10v 输出电流 2.6A 额外要求 低电压/欠压保护
? DEMO实物:
? 电路原理图:
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QX6103 DMEO测试
? 物料BOM:
1 C1? 500 μF 100 2 C2 2.2 μF 10 3 C3? 133 μF 100V 高频低阻 4 C4 10 μF 50V 高频低阻 5 R1? 10 kΩ - 6 R2 0.050 Ω 7 R3? 1 kΩ 8 R4? 10 kΩ 9 Z1稳压管 5.6 V 10 D3(肖特基) SS10 A SMA 11 D4(肖特基) SS24*2 A SMA/SMB 12 L1 33 μH 0.6 mm 13 U1 QX6103 SOT25 IC
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QX6103 DMEO测试
简易测试数据:
11.97 2.462 10.32 2.66 93.1%
10.32 89.5% 15.01 2.042 2.659
10.32 90.9% 18.24 1.653 2.657
10.32 90.3% 24.22 1.252 2.652
10.32 89.8% 28.39 1.073 2.652
10V全电压输入已测试稳定，尝试测试9V输出，做宽电压输出验证
9.01 83.8% 40.25 0.70624 2.647
9.01 83.3% 50.03 0.5733 2.656
9.01 82.6% 60.03 0.48291 2.66
9.01 81.7% 70.044 0.41915 2.665
9.01 81.2% 75.05 0.39394 2.668
? 其他建议:
1. 当输入、输出压差较低时，则MOSFET的占空比会较高。如果输出电流很大(超过4A)，则
需要使用超低导通的MOSFET或降低输出电流。因为MOSFET的耗散功率为Pd=I*I*R。电流减
少1倍，MOS此时的耗散功率下降3/4。
2. 特别注意肖特基D4的耐压值应该为输入电压的最大值(包括峰值电压)。在MOSFET导通瞬
间，D4的反向耐压能力应大于输入电压峰值。
3. 压差越低，效率越高。输出电流越小，效率越高。所以，可以通过提升输出电压，降低输出电
流来提升整体效率。
@QXMD FAE034 2014-12-24
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