HL—1M装置第一壁锂—硅复合涂覆技术

HL—1M装置第一壁锂—硅复合涂覆技术 HL—1M装置第一壁锂—硅复合涂覆技术 的特点, 设计 领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计 方法.它已成功地用于HL-1M装 置上的汤姆逊散射实验的测量. l时序简介 (1)计算机指令脉冲铷玻璃激光器(以下简 称激光器)控制单元按予置电压充电,而后再回 令计算机充电完毕;计算机给出激光器控制单 元指令同时电发出工作指令让光电倍增管(PMT) 工作;计算机给出上述指令同时使本机也置于 等待触发状态. (2)HL-IM装置外垂场信号触发8脉冲发生 10,100Ills)发出8 器,使其按一定的时间间隔( 个脉冲信号. (3)HL-IM装置外垂场触发信号作为指令使 激光器按予置延迟时间点火. (4)取自激光器振荡级的信号经双D触发器 发出2个脉冲,其一去触发PMT,其二回令计 算机. (5)计算机接指令后经延时发信号让CAMAC 开始采集. (6)计算机给出指令使PMT断高压. (7)模数变换动作完成,计算机给出信号关 PMT门. (8)计算机处理数据,出图显示电子温度及 分布数据 工作状态的时序如图l所示. 打印机适配器用于连接带有并行接口的打 印机,电可作为与它I/O能力匹配的任何设备 或应用环境的通用I/O端口此并行接口采用 CENTRONIC 标准 excel标准偏差excel标准偏差函数exl标准差函数国标检验抽样标准表免费下载红头文件格式标准下载 ,接口有3大类端口——数据 端口,状态端口,控制端口,对打印机适配器 的编程只需对其3个端口地址读入或输出数据 即可根据HL-IM装置上汤姆逊散射实验的时 序要求,我们选取打印机适配器部分信号线, 如图2昕示.以实现时序控制要求 3结果 2时序控制方法在2000年的HL-IM装置实验中,这套时序 用PC机打印口实现.当主控PC机不将打控制成功地用于汤姆逊散射实验整体联 调中, 印口用于其它用途,此 方案 气瓶 现场处置方案 .pdf气瓶 现场处置方案 .doc见习基地管理方案.doc关于群访事件的化解方案建筑工地扬尘治理专项方案下载 是切实可行的.并取得了较满意的数据. 丁L6;fL} 丁/ 1.20HL一1M装置第一壁锂一硅复合涂覆技术? 崔成河梁雁刘永 盏. 化合物,因而具有良好的控制碳,氧杂质 的化学活性,很容易与碳,氧形成比较稳定的和氢再循环能力,该化合物对中性的H 抽速比 ?国家自然科学基金资助项目(19885003) O 较小,因此锂是一种非常有潜力的第一壁材料. 自1994年HL-IM装置建成以来,采用等离 子体辅助化学沉积法进行了第一壁原位硼化, 硅化和锂涂覆侣实验研究,并为LHCD,ICRH, ECRH,NBI.以及多发PI和MBI等高水平的物 理实验提供厂必要的壁条件.其中,锂涂覆后 获得r最低的碳,氧杂质浓度和氢再循环,但 是其效果电只能维持lO次左右的放电.为此, 在HL-IM装置上已开发出有效,长寿命的锂一 硅复合涂覆技术. l锂一硅复合涂覆技术 装置第一壁原位锂一硅复合涂覆与原锂涂覆 相似,在真空室内蒸发锂的同时充入适量比例 的氦气和硅烷(He+Sill)进行GDC辉光放电. 利用辉光等离子体将Li和Sill离解和电离,在 电场作用下将Li和Si,Si,H,离子弥散,均 匀地在第一壁上涂覆一层含有Li,Si,C,H的 复合涂层.其中少量的C主要来自于石墨部件 的溅射. 放在不锈钢坩锅内的锂由外面的加热丝加 热蒸发,坩锅温度用镍铬一康铜热电偶进行测 为 量,整个蒸发器外面用不锈钢套进行屏蔽.提高Li在装置环向的均匀性和成膜质量,在坩 锅上加'i,一个带有喷嘴的盖子,将Li蒸汽喷射 方向由原来直接向上蒸发改为向环向喷射,这 样既增加了Li蒸气在GDC等离子体中经过的路 程提高其电离率,又避免j,Li主要涂覆在蒸发 器上方的弊病.处理前,先将纯度为99.9%约2 g的锂在流动的高纯气保护下装入蒸发器坩 锅内,然后进行抽真空并与装置连通,用磁力 传送器将蒸发器送入真空室内.真空室内壁先 经约0.5,lh的HeGDC清洗,最大程度降低 器壁表面的C和O杂质及H浓度.然后,在He GDC放电的同时,将蒸发器加热至500,550oC 使锂蒸发,并通入少量的硅烷.装置真空室等 效氮压强在lOPa量级,GDC参数约为1.0A/ 500V,约经3O,40min待锂蒸发完毕,关闭硅 烷,再继续HeGDC辉光放电清洗10min,清除 涂层中多余的H,以降低氢再循环.至此,全 部处理过程完毕.这样处理的复合涂层厚度在 几十个纳米范围. 2Ij—si复合涂层对装置残余气体的影响 四极质谱测量的数据表明:在Li-Si复合涂 覆处理前后的HeGDC中,CH下降84%,H2O 下降55%,CO下降96%以上;而单一的原位Li 化前后的HeGDC中,CO仅下降j--28%;原位 硅化前后的HeGDC中,H2O下降53%,CO下 降59%.与原位硅化处理比较,Li_Si复合处理 后的HeGDC中CH和H:O组分分别比硅化后 的HeGDC中的降低50%左右,CO降低80%. Li-Si涂覆后残余气体中CH,H!O和CO峰是最 低的,H处于硅化和锂涂覆之间,说明了Li—Si 涂层比单一的硅化和锂涂层固化碳,氧杂质和 氢原子能力更强,而其对H的抽气效应处于单 一 硅化和锂涂覆之间.在托卡马克装置中,为 避免原位涂层因吸附H而导致氢再循环过大. 加强器壁的稳定性,同时节省氢气,因此要求 器壁对中性的H的抽气效应越小越好. 3Ij—Si复合涂层对等离子体性能的影响 HL-IM装置在Li-Si涂覆处理后的托卡马克 200 150 > 100 量 5O O 23456 nJ1O.(2111 O12345 nJ1O'(2111 罔lHL-1M装置经Li-Si复合溶处理后的托卡马 克放电的过程中C?和OVI的线发射随等离 子体密度的关系 Br=2''I,=110,125kA,=400—500e,, 47 ? O 放电中,由于涂层阻止等离子体与金属和石墨 壁的直接作用,因而几乎全部抑制了重金属杂 质.加之碳,氧杂质与涂层中的Li和Si生成 LiC,SiC,Li:0和SiO2等高结合能的,稳定 的固态化合物,从物理和化学两方面抑制r石 墨壁的腐蚀,有效地降低了等离子体中的杂质 浓度(图1).Li-Si涂层与硅化涂层比较.OVI 线辐射平均降低30%,与单一锂涂覆壁保持在 同一水平;Cm的辐射较硅化壁下降得比较明 显,而且等离子体电子密度越高C?下降越显 着,无疑这对于高参数放电是非常有益的;等 离子体环电压较硅化平均下降30%50%.辐 射损失比单一的硅化处理降低约25%,接近单 一 的锂涂覆后的水平.Li-Si复合涂层对H:具 有较小的抽速,但对H.,H有类似u涂层的 强抽气效应,抑制j,氢的再循环,大大提高了 器壁的稳定性,等离子体密度控制较硅化更加 容易.在普通送气情况下,氢等离子体电子密 度即达5.0XI(YIn,,而且密度上升平稳.在 同等参数的等离子体放电下,等离子体边缘温 度和电子密度下降,表明等离子体内部约束性 能得到进一步的改善. Li-Si复合涂层最大的特点是综合rLi和Si 的特点,在保持了Li壁的低碳,氧杂质浓度的 氢再循环情况下.大大增强r涂层耐等离子体 腐蚀能力.HI广lM第一壁在首次Li-Si复合涂覆 后维持了lo0余次重复性,稳定性良好的高品 质的托卡马克放电,比原单一Li涂层的使用寿 命提高了一个数量级.在多发弹丸注入与分子 柬注入混合实验中表现出良好的控制碳,氧杂 质和氢再循环的能力,并且在41次放电后还保 持着良好的壁特性,如果装置不停止运行,高 水平的放电将继续进行下去. 感谢邓中朝,施明亮,李可华,杨进蔚, 洪文玉研究员,以及罗俊林,严龙文,王全 民,周艳,崔正英副研究员提供了等离子体 诊断实验数据,并给予有益的建议,同时得到 装置运行室和计算中心全体同志的大力支持. 1.21弹丸速度测量和弹丸飞行照片拍摄 f T『/6jj,T 一 >U李波李立肖正贵郑银甲冯震 关键词毽逵厶.堕托置,苌.;夏 卡马克聚变装置的j单丸力口料物理实行穿越锃或光束发生散在托卡马克聚变装置的弹丸加料物理实验"丸飞行穿越激束时',手遮光或光束发生散 中,弹丸的注入速度是研究弹丸穿透及约束特射引起光纤接收到的激光光强变化,测量该变 性所必不可少的数据…; 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 弹丸飞行过程中的化的光信号可判断弹丸飞过光斑的时刻.由于 照片,可以研究和判断弹丸尺寸大小.在工程两路激光的距离是已知的,准确测量弹丸飞过 调试实验中,对弹丸速度的准确测量及照片的两道激光所用的时间,就可以计算弹丸的平均 拍摄已成为分析弹丸生成情况及破碎与否的有速度. 力诊断手段,电是摸索制丸条件和发射规律必光源采用半导体均匀准直连续光激光器. 不可少的测量工具.经透镜扩柬为平行光束覆盖弹丸的飞行轨迹. 用石英玻璃光纤作为光的接收及传输媒介,使 1弹丸速度测量测量仪器远离装置,减少空间干扰,提高系统 测量弹丸的速度采用遮光法.在弹丸飞行的抗干扰能力.单根光纤芯径为0.4toni,均匀 必经轨迹的垂直方向,安装两路平行光激光光排列成7toni和10mm的两路光纤线阵,相邻两 源,平行光束完全垂直覆盖弹丸的飞行轨迹,根光纤间最大盲区距离为0.33IYllll,对于最小直 在轨迹的另一侧,装有两组光纤线阵列.当弹径1.0mm的弹丸,只要其飞越光栅就能引起光 48