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材化学院本科论文终稿.doc

材化学院本科论文终稿

Brady内利
2017-11-01 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《材化学院本科论文终稿doc》,可适用于高等教育领域

材化学院本科论文终稿哈尔滨工程大学本科生毕业论文摘要随着集成电路工艺技术的不断发展Cu逐渐取代传统的金属互连材料Al而使器件获得了更高的运算速度和可靠性但也不可避免地带来了Cu的扩散污染等问题。寻找合适的抑制Cu扩散的阻挡层材料多年来已成为Cu互连工艺研究中的热点课题。在综述了互连的优势及面临的挑战、扩散阻挡层的制备工艺和发展趋势之后作者在改变氮气流量、沉积偏压和沉积温度的条件下采用磁控溅射技术在Si衬底上制备了nm厚的ZrN膜在真空条件下对CuZrNSi样品进行了温度下的退火处理。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、SEM和AES等分析测试方法对样品的形貌、结构与阻挡性能进行了分析。分析结果表明随着沉积温度的升高ZrN薄膜的结构由非晶态向晶态转变晶粒的尺寸增大。退火后的FPP、XRD、AES对比结果说明沉积温度的升高有利于提高ZrN薄膜的扩散阻挡性能下制备的ZrN薄膜有很好的阻挡性能可以稳定到。N分压从增加到电阻率快速增高溅射偏压不同ZrN的结构可由非晶态结构转变为纳米晶。纳米晶ZrN阻挡层退火小时后仍能有效地阻止Cu的扩散。关键词:Cu互连阻挡层ZrN薄膜射频反应磁控溅射纳米晶I哈尔滨工程大学本科生毕业论文ABSTRACTWiththedevelopmentofICprocessingtechnology,coppermetallizationistakingtheplaceofclassicalaluminuminterconnectAlthoughcoppermetallizationhaspromotedoperationspeedandreliabilityofdevice,contaminationofCudiffusionisinevitableOnecrucialproblemtosolveinCumetallizationtofindouttheapplicablediffusionbarrierInthisstudy,ourinvestigationfocusesontheperformanceofZrNfilmsasthebarrierzirconiumnitride(ZrN)thinfilmwithnmthicknesswasgrownonSi()substratesundervarioussubstratetemperatur一方面则是为了保证有高可靠的电学接触作为导电阻挡层材料,要求具有:()保形的通孔和沟槽淀积性能()好的势垒性能()低的通孔电阻()与Cu有好的粘附性()与Cu的CMP工艺兼容。阻挡层分类阻挡层如果按其阻挡机理进行分类的话常见的有惰性阻挡层(passivebarrier)、损耗阻挡层(sacrificialbarrier)、填充阻挡层(stuffedbarrier)等。隋性阻挡层所表现出的化学惰性足以保证其与上下层物质之间不发生任何反哈尔滨工程大学本科生毕业论文应而且它们之间的互溶度小到足以忽略的地步。当然这样的阻档层通常难以获得而且即使存在由于实际薄膜淀积过程中造成的大量的缺陷及其中的晶粒间界使之不具备期望的阻挡特性。损耗阻挡层也就是与上下层物质形成化合物的阻挡层。对于这一阻挡层概念我们首先明确一个观点:任何阻挡层都不能无限期地履行其职责。因此我们所关心的应是阻挡层的阻挡特性能维持多久。通常情况下这类问题没有确切的答案。但是对于损耗阻挡层我们能够对其―阻挡寿命‖作出可靠的估计。图清晰地说明了损耗阻挡层的阻挡原理。阻挡层X与A和B均能发生反应。假定阻挡层X同A和B之间的反应在横向是均一的且能精确加以表征:所生成的化合物反应速率及其激活能等都为我们所知那么在给定温度下我们就能估计出多久之后X消耗完毕。之后系统的行为无法由上述假定条件估计出不过最保守的估计是阻挡层失效。因此在阻挡层未消耗殆尽之前我们都认为它是有效的由此便可估计出阻挡层―寿命‖。图损耗阻挡层阻挡原理及损耗过程填充阻挡层的思想来源于对阻挡层基本特性的讨论如前所述在低于Tammann温度时晶粒间界及各种缺陷提供了原子的快速扩散途径如果在这些区域填充以某些杂质那么就阻断了原子的快速扩散途径使之转向体扩散途径而体扩散所需之较高激活能来源于较高的温度。因此通过填充手段能够提高阻挡层的失效温度并能延长其“阻挡寿命”改善了阻挡层特性。另一方面如果按制备阻挡层所用材料进行分类的话我们又可将之分哈尔滨工程大学本科生毕业论文为导电类阻挡层(conductivebarrier)及非导电类即介质阻挡层(dielectricbarrier)。导电类阻挡层包括Ti、Ta、W、Mg等纯金属阻挡层以及以它们为本体的各种氮化物、碳化物、氧化物、氮硅化物作为阻挡层材料。多年来人们对它们进行了详尽系统的研究。非导电类阻挡层包括氧化硅(SiO)、氮X化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等。阻挡层的制备工艺薄膜的性能是由其微观结构和化学组分决定的除了与薄膜材料本身性质有关外还与薄膜的制备技术与工艺条件有关。不同的制备方法薄膜的机械性能、组织结构及光学性能都会有所不同。各种方法各有优缺点常用的制备工艺有溅射沉积、化学气相沉积、真空离子镀、等离子体浸没离子注入沉积等其中溅射沉积技术因具有成膜速率高、均匀性好等优点而得到广泛的研究和应用。各种制备阻挡层的工艺优缺点对比如表所示(假定Cu膜的沉积是采用电沉积的方法获得)。溅射沉积溅射现象是一百多年前由格罗夫(Grove)所发现现在已广泛应用于各种薄膜的制备中。溅射技术中应用较广的仍然是磁控溅射它于年代初开始发展并得到广泛应用。在电场和磁场的作用下用加速的高能粒子(如Ar)轰击固体表面和固体表面的粒子进行能量交换后使其脱离原晶格而逸出这一过程称为溅射。被轰击的固体是制备薄膜所用的材料通常称为靶。当在溅射过程中向溅射室充入反应气体则离开靶的粒子在沉积到基体表面上时与反应气体发生化学反应生成薄膜便称为反应溅射。通常制备薄膜主要采用的就是这种反应溅射以高纯度金属块材作靶氮气作为反应气体制成氮化物薄膜也有用氮化物陶瓷靶作靶材直接溅射沉积氮化物薄膜。如将N与Ti反应生成TiN仿金薄膜。这种技术的主要缺点是靶材的利用率较低一般在之间其原因是靶面上方环形磁场区域所对应的离哈尔滨工程大学本科生毕业论文表扩散阻挡层制备方法沉积方法优点缺点物理气相沉积(PVD)可在平面上沉积阻挡层台阶覆盖率比较差沉积层均匀性一般与电化学沉积Cu相容性差化学气相沉积(CVD)可在复杂形状的表面上沉积沉积温度高易含杂质阻阻挡层台阶覆盖率好挡层电阻率偏高与电化学沉积Cu相容性差等离子增强化学气相可在复杂形状的表面上沉积易造成对ILD(InterLevel沉积(PECVD)阻挡层沉积速度快Dielectric)的破坏电化学沉积(ECD)台阶覆盖率好与电化学沉需要催化种子积Cu相容性好原子层化学气相沉积台阶覆盖率好沉积速率慢沉积位置不具(ALD)有选择性子流密度较高因而该区域正下方靶面溅射最严重靶材在此处消耗也最大整个溅射靶主要利用这一区域。磁控溅射技术现在已经成为工业镀膜生产中最主要的技术之一特别适合于大面积镀膜的生产。其主要特点如下:、溅射成膜的粒子能量较蒸发粒子为高因而与蒸发技术相比由于物质是以高能态微粒形式(原子、原子团、带电粒子等)沉积在基片上因此溅射沉积最突出的优点是膜与基片的附着力更强、对溅射靶的面积及形状无限制而且可在大面积工件上制得分布均匀的薄膜目前国内用磁控溅射沉积技术制备的镀膜玻璃其最大尺寸可达mm×mm可通过控制溅射时间来控制复合薄膜中的金属比率、有效地降低靶室的工作压强和靶的工作电压提高溅射速率和沉积速哈尔滨工程大学本科生毕业论文率降低基片温度减小等离子体对膜层的破坏、靶的使用寿命长溅射镀膜设备适合长时间运行和自动化生产、高熔点物质、介质、和绝缘物质也容易成膜并且制备的薄膜性能稳定、重复性好。溅射镀膜法现在有很多种根据产生等离子体方法的不同可分为直流反应磁控溅射法(DCreactivemagnetronsputtering)、射频磁控溅射法(RFmagnetronsputtering)、脉冲磁控溅射法(pulsedmagnetronsputtering)、微波ECR等离子体增强磁控溅射法(MWECRplasmaenhancemagnetronsputtering)和交流反应磁控溅射法(ACreactivemagnetronsputtering)。用溅射镀膜法制备薄膜时氮分压和负偏压是影响薄膜特性的主要因素。王玉魁等研究了氮分压对溅射镀膜法氮化钛薄膜相组成的影响结果表明随着氮分压的增加涂层相朝着富氮相及其含量增加的方向发展变化趋势为:αTi(αTiTiN)(TiNTiN)TiN而相的改变引起了涂层硬度的改变其中由TiN和TiN两相组成的薄膜硬度最高。EBudke等发现随着N流量的增加氮化钛和氮化锆薄膜薄膜的光学性能发生有规律的变化。刘雄飞等得到溅射功率与N流量的比值对氮化钛薄膜颜色的影响规律随N流量的增加薄膜颜色依次变化是银白淡黄金黄红黄褐色。胡丽丽等实验表明氮化锆薄膜的结构、化学成分和电阻率与氮分压有直接联系随着氮分压的增加氮化锆薄膜电阻率单调增加薄膜结构趋于存在更多缺陷的无定型结构薄膜由原来接近金属的良导体性质趋于半导体性质以至绝缘性。CMitterer等发现施加适当负偏压不仅能让薄膜中缺陷减少使膜层变得更致密而且还能优化薄膜晶粒从而获得性能优良的薄膜。AMumtaz等通过施加适当偏压制备出具有低反射率致密的氮化钛薄膜。化学气相沉积化学气相沉积法是气态反应物(包括易蒸发的凝聚态物质蒸发后变成的气态反应物)在衬底表面发生化学反应而沉积成膜的工艺。衬底表面上发哈尔滨工程大学本科生毕业论文生的这种化学反应通常为源材料的热分解和原位氧化。根据化学反应的形式化学气相沉积可分为以下两类:、热分解反应沉积:利用化合物加热分解在基体表面得到固态膜层的方法。是CVD方法中的最简单形式。、化学反应沉积:由两种或两种以上的气体物质在加热基体表面上发生化学反应而沉积成固态膜层的方法。它几乎包括了热分解反应以外的其它许多化学反应。化学气相沉积较广泛地用于Si、GaAs等半导体器件的薄膜沉积。该工艺的优点是薄膜的生长速度快质量较好容易控制掺杂。然而由于它需要高温条件造成基片温度高对于某些需要低温制备的薄膜并不适用在加上它使用的设备较为复杂因此它的应用不如蒸发沉积、溅射沉积那样广泛。氮化钛薄膜可以用TiCl、N和H的化学气相沉积(CVD)生成。化学气相沉积虽然能制备较纯的氮化物薄膜但副产物HCl易腐蚀设备所以此方法只适用于实验室研究而难工业化。HsyiEnCheng等用化学气相沉积法制备了氮化钛薄膜氮化钛薄膜的择优取向和表面形貌与沉积温度和气体浓度有关低的温度有利于孪晶的形成薄膜择优取向为()面高的沉积温度下不易形成孪晶薄膜择优取向为()面。氮化钛薄膜的硬度与表面形貌和显微结构有关密实、晶粒细小、多相共存的薄膜具有较高硬度。薄膜的耐磨性能与表面形貌有关具有小扁豆状的表面形貌耐磨性最好。其它沉积方法脉冲激光沉积(PLD)是将分子脉冲激光器所产生的高功率脉冲激光束聚焦作用于靶表面使靶表面产生高温及熔蚀并进一步产生高温高压等离子体这种等离子体定向局部膨胀发射并在衬底上沉积而形成薄膜。这种方法的优点是沉积速率高沉积过程容易控制此外用此方法沉积薄膜时沉积气压可在,Pa之间变化使薄膜形成离子的动能在,eV从而形成不同结构和形貌的薄膜但该方法也存在薄膜沉积能量过高和沉积哈尔滨工程大学本科生毕业论文面积小的缺点。微弧氧化沉积是一种在Al、Mg、Ti、Zr等有色金属表面上于非法拉第区进行火花放电原位生长陶瓷薄膜的方法放电过程中阳极表面大约有cm个火花存在放电瞬间高温可达K以上生成一种类似烧结碳化物的薄膜这种方法的特点是耐磨性能好但薄膜表面粗糙。等离子体化学气相(PECVD)法沉积是在传统CVD方法上改进而成克服了CVD工艺沉积温度过高而限制其应用的不利因数在制备过程中经过蒸发器携带有有机金属钛或锆的氩气和氮气混合进入等离子体反应室然后沉积相应的薄膜。这种技术的优点在于:成膜温度低、压力小、膜层附着力大。、族元素的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)基本原理是采用有机化合物和、族元素的氢化物作为生长源材料以热分解反应在衬底上进行气相外延生长族族化合物半导体及它们的多元固溶体的薄膜单层。MOCVD法制备TiN和ZrN薄膜是将Ti、Zr金属气化后由载气(一般为氩气)通入反应室和氮气发生反应反应的生成物沉积在衬底上而形成氮化物薄膜。MOCVD方法的优点是:可以合成组分按任意比例组成的人工合成材料沉积速率高、重复性好、均匀性好缺点是:原材料的纯度、稳定性和毒性问题。选题背景、目的及意义作为新一代的互连材料,Cu的缺点是其能扩散进Si器件使其性能受损而且与Si的粘附性不好因此需在Cu与Si之间增加一层阻挡层。难熔金属及其氮化物由于其良好的导电性、热稳定性等优点一直是阻挡层材料的研究热点。目前半导体制造业中最常使用的阻挡材料是TiN,虽然TiN与Cu、Si在热力学上是稳定的,但其最大的缺点就是多晶和柱状微结构,这种结构会导致阻挡层的阻挡能力下降。与TiN相比ZrN具有更高的热稳定性和更低的电阻更适合作为Cu互连中的阻挡层。哈尔滨工程大学本科生毕业论文本文以ZrN薄膜为研究对象采用射频反应磁控溅射法的方法在Cu与Si之间制备nm厚的扩散阻挡层重点研究了氮气分压、衬底偏压、衬底温度对ZrN阻挡层特性及阻挡性能的影响规律建立ZrN阻挡层的优化的制备工艺这对工业化生产具有很好的指导意义。哈尔滨工程大学本科生毕业论文第章ZrN阻挡层薄膜的制备及表征引言用高能粒子(大多数是由电场加速的正离子)撞击固体表面在与固体表面的原子或分子进行能量或动量交换后从固体表面飞出原子或分子的现象称为溅射溅射出来的物质淀积到基片表面形成薄膜的方法称为溅射镀膜法。受轰击的固体通常称为靶材溅射出的物质大都呈原子状态也可能有原子团常称为溅射原子。溅射过程如图所示。用于轰击靶的荷能粒子可以是电子、离子、或中性粒子因为离子在电场下易于加速并获得所需动能因此大多采用离子作为轰击粒子该粒子又称为入射粒子。溅射这一物理现象是多年前格洛夫发现的现已广泛应用于各种薄膜的制备之中。图磁控溅射原理图溅射机理及特点对于溅射特性的深入研究各种实验结果都表明溅射是一个动量转移过程。现在这一观点已成为定论因而溅射又称为物理溅射。动量转移理论认为低能离子碰撞靶时不能从固体表面直接溅射出原子而是把动量转移给被碰撞的原子引起晶格点阵上原子的链锁式碰撞这种碰撞将沿着晶体点阵的各个方向进行。同时因为碰撞在原子最紧密排列的点阵方向上最为有效结果晶体表面的原子从邻近原子那里得到愈来愈大的能量如果这哈尔滨工程大学本科生毕业论文个能量大于原子的结合能原子就从固体表面被溅射出来。动量转移理论能很好地解释热蒸发理论所不能说明的如溅射率与离子入射角的关系溅射原子的角分布规律等。溅射现象很早就为人们所认识通过大量实验研究对这一重要物理现象得出以下几点结论:、溅射率随入射离子能量的增加而增大而在离子能量增加到一定程度时由于离子注入效应溅射率将随之减小、溅射率依赖于入射离子的原子量原子量越大则溅射率越高溅射率与入射离子的原子序数有关呈现出随离子的原子序数周期性变化的关系。在周期表每一排中凡电子壳层填满的元素就有最大的溅射率因此惰性气体的溅射率最高而位于元素周期表的每一列中间部位的溅射率最小所以一般情况下入射离子采用惰性气体。考虑到经济性通常选用氩气为工作气体。另外使用惰性气体还有一个好处是可避免与材料起化学反应、当入射离子的能量低于某一临界值时不会发生溅射、溅射原子的能量比蒸发原子的能量大许多倍、入射离子的能量低时溅射原子角分布就不完全符合余弦分布规律。角分布还与入射离子方向有关、因为电子的质量小所以即使具有极高能量的电子轰击靶材时也不会产生溅射现象。实验设备本文中氮化锆薄膜制备采用的是JGP高真空磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积装置整体设备的结构如图。真空室容积RXHmm。溅射室底部有三个圆形靶位均匀分布在直径为mm的圆周上。靶直径为mm靶与基片间的距离为从至mm连续可调。工作气体采用Ar气其管道布置在靶的周围。反应气体氮气由流量计控制经离子源离化后进入真空室。基片的旋转支架安装在真空室中间通过变频器调速控制砖架转速实现无极调速。配备加热管和温控设备采用热电偶检测真空室的温度基哈尔滨工程大学本科生毕业论文(b)(a)(a)全图(b)溅射腔图磁控溅射装置实物图体的加热温度在室温至内可调。此装置还配有两个直流电源和一个射频(MHz)电源。实验设备使用方法、装入样品及更换靶材()检查所有阀门是不是关死。()打开V,放入大气放毕后关上V。()推开电源总闸开水阀开面板总电源升起溅射室罩。()将所有样品托插入样品槽。()降下溅射室罩。、抽真空()检查各路阀门是否关死尤其是V。()先开机械泵再开V。()几分钟后开热偶规。()待热偶规读数为Pa左右时开电磁阀。哈尔滨工程大学本科生毕业论文()待热偶规读数重新读数为Pa左右时关V开闸板阀。()开分子泵电源开速显再开start。()待热偶规读数显示Pa时分钟左右开电离规。()加热基片。()基片温度和本底真空度达到要求时切记关掉电离规。()开氩气瓶开VV开流量显示仪。()控制闸板阀以及流量显示仪调节溅射气压。()开面板总电源开直流溅射电源。()缓慢调节旋纽到设定的功率。()加偏压。()起辉后待辉光和功率变蓝后开反应气体气瓶。()待辉光和功率稳定后通过电脑程序把上下档板口对正开始溅射。、溅射完毕()先关偏压再关直流电源。()关面板总电源关气瓶。()把闸板阀开大一点关流量显示仪。()关VV关V关热电偶关热温控电源。()关闸板阀按STOPH开始速显。()待速显到时关分子泵电源关电磁阀关机械泵关面板总电源。()停水拉下总闸。ZrN阻挡层薄膜的制备试验材料基片前处理、仪器的清理哈尔滨工程大学本科生毕业论文定期清洗挡板以防止挡板上覆有的薄层金属膜在开合中脱落用吸尘表试验材料实验材料性能指标电阻率:Ωcm尺寸:Si片×mm纯度:尺寸为×mmZr靶纯度:尺寸为×mmCu靶纯度:高纯Ar气纯度:无水乙醇器把真空室里的碎屑吸干净再用沾无水乙醇()的脱脂棉擦拭干净。碎屑掉到衬底上会形成膜层上的针孔或其他缺陷如飞到真空室内其它部件上还有可能造成电路短路。、基片前处理实验中基片为N型()Si片基片前处理的目的是清除基材表面的油污积垢、氧化物、锈蚀等污物确保基材表面平整、清洁、光亮、提高膜层和基材的附着强度。如果基材表面未彻底清洁存在附着物、锈斑或氧化层镀膜时这些缺陷处易出现点状针孔、剥落、―发花‖等现象。本实验先用丙酮甲醇无水乙醇混合液中用超声机中超声然后用去离子水冲洗干净再用电吹风吹干。把处理好的基片装到样品托上将所有样品托插入样品槽。、真空准备首先用机械泵将工作室内的气压抽至×Pa开热偶规和分子泵电源但分子泵显速器到达时关V开闸板阀再开电离规打开烘烤灯对真空室进行烘烤烘烤,h。待烘烤完毕后由分子泵将工作室内的气压抽至×Pa。当衬底需要加温时在分子打开烘烤单元进行加温。哈尔滨工程大学本科生毕业论文ZrN阻挡层薄膜制备磁控溅射沉积方法如下:先将真空抽到×以下然后用Ar气对试样进行反溅射清洗反溅射时气压为Pa功率W,Ar气流量cmmin。溅射时的具体试验条件如下表ZrN膜的溅射时间为min。表实验方案表样品编号偏压(V)加热温度()溅射功率(W)N流量(NNAr)#####室温#室温#室温#室温#室温#室温#室温ZrN膜溅射完毕后接着在Pa的工作气压下在ZrN膜上直流溅射上一层厚为nm的Cu膜形成CuZrNSi结构。然后将CuZrNSi放进石英管内抽到×Pa在高温下封管贴好标签并分别在、、、温度下进行退火处理退火时间小时。哈尔滨工程大学本科生毕业论文表征方法X射线衍射表征方法(XRD)X射线衍射方法(XRD)是研究晶体结构的最重要手段之一。X射线是一种波长在,pm的电磁波常用于测定晶体结构的X射线波长约为,nm这种X射线通常是在真空度约为Pa的X射线管内由高压电场加速的高速电子冲击阳极金属靶而产生的。X射线照射到晶体时由于它波长短穿透力强所以大部分是透射极少部分反射而一部分被散射。其中散射包括不相干散射以及相干散射(位相和波长不变方向改变的次生X射线)对结构分析最有用的是相干散射。相干散射起源于晶体中电子在入射X射线电磁场作用下作受迫振动因此每一个电子都是这种相干此生射线的波源由其发出的次生电磁波(球面波)会产生干涉现象这就是产生晶体X射线衍射的基础。对于晶体由周期性的点阵结构可将诸原子或电子间产生的次级x射线的干涉分成两类:一类是由点阵周期性相联系的晶胞或结构基元产生的次生波在空间给定的方向有确定的光程差在等于波长整数倍的方向各次生波之间有最大加强这种现象即为衍射。衍射方向由结构周期性(即晶胞的形状和大小)所决定因此测定衍射方向可决定晶胞的形状和大小。另一类胞内非周期性分布的原子或电子的次生X射线也会产生千涉这种干涉作用决定衍射强度因此通过衍射强度的测定可确定晶胞内原子的分布。决定衍射方向和晶胞大小形状之间关系的方程有两个:劳埃(Laue)方程和布拉格(Bragg)方程两者讨论的出发点不同(前者是直线点阵后者为平面点阵)但效果是一样的。布拉格方程可简单表达为如下形式:dsinθ=nλ()其中n取整数通常又可称为衍射级数d为晶面间距θ为入射X射线与晶面夹角。通常在测试中我们固定入射X射线波长(Cu(K):nm),α而改变入射角θ进行测试。哈尔滨工程大学本科生毕业论文图X射线衍射仪表面形貌(AFM)AFM的工作原理基于量子力学中的泡利不相容原理原子核外的电子处于不同能级每个能级只允许容纳一个电子。当两个原子彼此靠近时电子云发生重叠由于泡利不相容原理原子之间产生了排斥力从而使与探针相连的微悬臂弯曲通过采集微悬臂的位移即可得知物体表面的形貌。尖锐针尖和待测样品之间存在的原子间作用力是它工作的动力所以AFM对样品的导电性没有任何要求这就弥补了STM不能检测绝缘样品的不足。其工作原理是:将对微弱力及其敏感的微悬臂一端固定一端作成针尖。当针尖与样品逼近到一定范围时二者产生原子间的排斥作用力这时在反馈回路的作用下将保持这个力的恒定即保持针尖和样品之间的距离不变。当样品表面起伏时针尖就随之上下振动采用STM恒流法检测这个振动从而间接获得稳定、高分辨率的样品表面图像。其中微悬臂设计简易又适用大大降低了制作成本。用很细而弹性又好的钨丝制成如图所示形状。通过腐蚀使尖端达到只有一个原子即使碰撞也只需腐蚀一下又可以继哈尔滨工程大学本科生毕业论文图AFM测试原理图续使用。微悬臂上固定了一块面积为×mm的铂片用于对准STM的探针并且形成隧道电流偏压加在微悬臂上。为使微悬臂容易对准探针设计了极坐标(rθz)驱动机构其中rz的精度为mmθ的调整精度为º。多次实验检测证明这种简易微悬臂不但易操作而且弹性较好完全可以感知原子之间的微弱力再加上高精度的STM技术为AFM。我们利用上海爱建纳米科技公司生产的AJIIIa型原子力显微镜对薄膜的微观形貌进行观察。实验条件为:扫描速度为Hz扫描范围μm×μm取点个粗糙度由仪器所带软件计算得出。图AJIIIa型原子力显微镜俄歇电子能谱(AES)哈尔滨工程大学本科生毕业论文俄歇电子能谱作为一种极为有效的表面分析工具日益受到人们普遍的重视。我们知道当高能电子束与固体样品相互作用时当原子内壳层电子因电离激发而留下一个空位时较外层电子会向这一能级跃迁。在这一过程中跃迁电子可以发射一个具有特征能量的X射线光子也可以将这部分能量交给另外一个外层电子引起进一步的电离从而发射一个具有特征能量的俄歇电子。上述就是俄歇电子能谱仪的基本分析原理。俄歇电子的特征能量与发射原子序数(Z)有关从能谱的俄歇峰可鉴别出是何种元素而对俄歇电子计数则可测定原子的浓度。对固体表面俄歇电子能谱可分析Z的元素对于Z值不大的元素其分析灵敏度可达(原子浓度比)。用电子作激发时由于电子辐照亮度高及电离截面大扫描AES图的侧向分辨率可达nm,纵向深度分析由逐层溅射剥离实现因此AES可用做表面微区的三维组分分析。AES用作表面成分的指纹鉴定时需测定俄歇电子的特征能量从谱峰位置鉴别对应元素。由于各电子轨道之间都可实现俄歇跃迁所以每种元素都有丰富的俄歇谱由此导致不同的俄歇峰的干扰不过对于定性分析不会有太大的问题。AES作定量分析时俄歇电子的计数与原子浓度之间的关系主要由初始空穴的生成几率和俄歇跃迁几率来决定。AES定量分析一般有标样法和元素灵敏度因子法,此处采用灵敏度因子法此法在一定实验条件下分别测定各个纯元素的特定俄歇跃迁在经历了固体内部的各种过程后俄歇电子逸出表面的几率其中称为灵敏度因子(S)。SGC型自动椭圆偏振测厚仪SGC型自动椭圆偏振测厚仪是集光、机、电一体化的精密测量仪器。主要用于测量:固体表面薄膜的厚度可折射率金属膜的复折射率。椭圆偏振法测量原理:使一束自然光(非偏振激光)经起偏器变成线偏振光在经波片使它变成椭圆偏振光入射到待测的膜面上。反射时光的偏振态将发生变化。通过检测这种变化便可计算出待测膜面的光学参数。哈尔滨工程大学本科生毕业论文对于一定的样品总可以找到一个起偏方位角P使其反射光由椭圆偏振光变成线偏振光。这时转动检偏器在某个检偏器的方位角A下得到消光状态。图SGC型自动椭圆偏振测厚仪SDYD型四探针电阻测试仪本实验中采用如图所示的SDYD型四探针电阻测试仪测量电阻。其测量原理为:将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上在、探针间通以电流I(mA)、探针间就产生一定的电压V(mV)。测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同可以分别按不同的公式计算样品的电阻率。另外SDYD型四探针测试仪的一些主要技术指标包括:测量范围:电阻率,Ωcm(可扩展)恒流源:电流量程分为mA四档各档电流连续可调四探针探头基本指标:间距mm针间绝缘电阻,MΩ哈尔滨工程大学本科生毕业论文图SDYD型四探针电阻测试仪本章小结、介绍了磁控溅射机理及特点、描述了文中试样制备所用设备和材料、选择不同工艺参数制备了ZrN薄膜、介绍实验中薄膜表征用到的XRDSEMAES自动椭圆偏振测厚仪FPP的表征原理。哈尔滨工程大学本科生毕业论文第章实验结果及分析JSJeng等研究报道了磁控溅射衬底偏压和氮气流量对ZrN膜的电阻率和晶体结构的影响得出了在的氮气流量下制备的ZrN膜的电阻率随着衬底偏压的升高而降低。ShinHuiWang等研究了厚度为nm的ZrN膜的性能报道了()取向的ZrN膜具有低的电阻。但是还没有关于磁控溅射条件对超薄纳米晶ZrN薄膜阻挡性能影响的系统研究而这对于进一步提高纳米晶ZrN的阻挡性能是非常重要的。本章为了便于比较分析将溅射室内总气压控制在Pa采用单因素法重点考虑溅射功率、衬底负偏压和基体温度等参数对薄膜性能的影响同时也对其它某些参数作了一些摸索。并对ZrN阻挡层的失效机制进行了探索。N分压对ZrN膜电阻率的影响在制备ZrN膜时氮气分压定义为:N=N流量(NAr)流量()图为氮气分压与ZrN膜的电阻率的变化关系图由图可以看出当氮气分压从增加到时,电阻率的变化不明显。氮气分压为时ZrN膜的电阻率为µΩcm当氮气分压增加到时ZrN膜的电阻率增加到µΩcm可见氮气分压从增加到ZrN膜的电阻率变化不是很大和氮气分压下制备的ZrN扩散阻挡层材料的电阻率都很低远远低于扩散阻挡层的电阻率的要求(低于µΩcm)如此低的电阻率值能够确保互连系统的良好的电学性能使电子器件具有高的可靠性。当氮气的分压增加到时电阻率快速升高至µΩcm。电阻率变化的原因分析如下:、在氮气分压低于时(低的氮气分压下)溅射出来的Zr原子在沉积到Si衬底上的过程中受到气体分子的碰撞几率比较小有更多的Zr原子沉积到Si衬底上形成的薄膜中Zr的含量高薄膜的电阻率相对较低、随着氮气分压的增加Zr和N的反应强度增加在衬底上形成了电阻哈尔滨工程大学本科生毕业论文值较高的富氮化合物(ZrN薄膜)。图ZrN薄膜的电阻率随N分压的变化ZrN阻挡膜层结构影响因素分析衬底偏压对ZrN膜结构的影响保持的N分压不变的条件下对比考察衬底偏压对ZrN薄膜结构的影响。图为不同衬底偏压下ZrN薄膜的XRD图谱。由衍射图中可以看出衬底偏压低于V时没有出现任何ZrN的衍射峰从衍射图中可以判断出此时ZrN薄膜为明显的非晶态结构。当衬底偏压增加到V时衍射图在θ为出现明显的衍射峰衍射峰的特点是比较宽强度不是很高。通过Highscore分析软件结合PDF卡片可以分析出此衍射峰为ZrN()衍射峰。根据谢乐公式由半峰宽数据可以计算出晶粒的直径约为nm。我们也通过原子力显微镜对ZrN(V)薄膜的表面形貌进行分析表面形貌如图所示从图中可以看出晶粒的尺寸约为nm,这与谢乐公式的计算结果基本一致。此外从原子力显微镜照片也可以看出晶粒的大小也非常均匀这有哈尔滨工程大学本科生毕业论文利于使ZrN阻挡层的阻挡性能保持均匀一致。结合XRD和AFM数据得出的结论为:晶粒的大小可见随着衬底偏压从V升高到VZrN薄膜逐渐由非晶态结构向纳米晶态结构转变。产生这种变化的原因是当衬底偏压增加时轰击ZrN膜表面的粒子能量增加沉积的原子和分子具有更高的能量扩散更充分最终形成ZrN纳米晶。XRD和AFM分析结果表明通过改变溅射偏压可以控制ZrN阻挡层的结构。而阻挡性能的不同主要取决于阻挡层的微观结构可见通过控制衬底偏压能够得到不同阻挡能力的ZrN膜。下面的内容将会有关于衬底偏压对ZrN膜阻挡能力的影响的具体分析。图不同衬底偏压下ZrN膜的XRD图谱溅射温度对ZrN膜结构的影响四个不同沉积温度(、、、)下Cu(nm)ZrN(nm)Si结构的XRD图谱如图所示。当沉积温度为和时只有三个衍射峰峰的位置分别为:和通过Highscore分析软件结合PDF卡片可以分析出这些衍射峰分别为:Cu()、Cu()、和Cu()衍射峰。除了Cu的衍射峰外从衍射图中没有能够发现哈尔滨工程大学本科生毕业论文ZrN的衍射峰由此可以判断较低沉积温度下制备的ZrN阻挡层薄膜为典型的非晶态结构从衍射图中还可以看出Cu()的强度明显高于Cu()衍射峰的强度()衍射峰与()衍射峰的强度比大于因此Cu膜具有()织构。有研究图ZrN(V)薄膜的原子力显微镜照片表明()晶向铜的电迁移寿命要比()晶向的高倍多这可能是因为()晶向铜原于的更紧密的分布使得其原子的扩散速度相对较慢的缘故。为了得到更好的抗电迁移性我们应尽量淀积()晶向的铜。文献分别采用CVD法和溅射法向溅射有TiW、TiN、Ta阻挡层的样品上淀积铜结果表明CVD铜薄膜表现出强烈的()晶向而溅射铜薄膜则表现出强烈的()晶向。而本文采用直流磁控溅射沉积Cu膜XRD结果表明ZrN阻挡层的存在更有利于Cu膜沿着()晶向生长。随着沉积温度升高溅射到基片上的原子或分子能够获得更多的能量发生充分的扩散原子排列趋于规则。当沉积温度为时CuZrNSi结构除了Cu的衍射峰外还出现了ZrN()和ZrN()衍射峰ZrN薄膜的结构由非晶态转变为纳米晶。可见通过改变沉积温度可哈尔滨工程大学本科生毕业论文以控制ZrN薄膜的结构。图CuZrNSi的XRD图谱溅射所得到的ZrN薄膜样品的表面形貌如图所示。从原子力显微镜(AFM)照片中可以看到沉积温度为和时均得到了连续、光滑、平坦的ZrN薄膜。沉积温度为和时ZrN的晶粒尺寸分别约为nm和nm平均粗糙度(RMS)分别为nm和nm。随着沉积温度的升高ZrN的晶粒尺寸和表面粗糙度均增加。当晶粒尺寸在纳米尺度上时晶粒尺寸越小晶界越多Cu的扩散途径越多阻挡层越容易失效。ZrN薄膜的阻挡性能分析衬底偏压对ZrN薄膜阻挡性能的影响、CuZrNSi样品退火前后电阻率的变化退火前CuZrNSi的电阻简写为Rs退火后CuZrNSi的电阻简写为Rf退火后的电阻与退火前的电阻的差值(RR)除以退火前的电阻R定义为电fss,阻的变化率。哈尔滨工程大学本科生毕业论文由于N的分压为时形成的ZrN膜的电阻率较低因此固定的N(a)沉积温度(b)沉积温度图ZrN薄膜的AFM图哈尔滨工程大学本科生毕业论文分压来研究衬底偏压的变化对ZrN膜阻挡性能的影响。图为不同衬底偏压下CuZrNSi样品的电阻变化率随退火温度的变化。从图中可以看出不同衬底偏压下的样品以下退火后电阻变化率都轻微降低这可能是由于退火导致Cu膜中缺陷减少和晶粒长大所引起的。V衬底偏压下制备的样品退火后电阻变化率不明显而其它三个偏压下制备的样品退火后电阻变化率急剧升高。电阻率升高的主要原因可能是在退火后形成了高阻值的CuSi化合物。电阻变化率随退火温度的变化过程说明高衬底偏压下制备的CuZrNSi样品的热稳定性更好。图CuZrNSi电阻变化率随退火温度的变化、退火前后CuZrNSi样品微观结构的变化图为CuZrN(V)Si和CuZrN(V)Si样品不同温度退火后的XRD图谱。从图中可以看出两个样品退火至后只有Cu()、Cu()、Cu()衍射峰没有新的衍射峰出现这说明两个样品的结构退火后都很稳定。Cu()峰强度退火后强度增大说明Cu()晶向晶粒得到生长。退火后Cu()衍射峰强度增大但仍小于Cu()Cu()强度哈尔滨工程大学本科生毕业论文也在退火后明显增大但也小于Cu()。这说明退火后Cu膜仍然具有()(a)CuZrN(V)Si(b)CuZrN(V)Si图不同退火温度下CuZrNSi样品的XRD图谱哈尔滨工程大学本科生毕业论文织构。以上现象说明高温退火下Cu晶粒得到生长且Cu()为晶粒择优生长晶面。以上结果表明由于CuZrN界面处的交互作用很弱Cu()织构的形成未受到抑制。但退火后两个样品的XRD图谱明显不同退火后Cu晶粒结构遭到破坏出现了CuSi()CuZrN(V)Si样品和CuSi()衍射峰。CuSi是电阻较高的化合物它的出现导致样品的电阻变化率迅速升高这与图电阻变化率的变化结果是一致的此时ZrN(V)的阻挡性能已经失效。CuZrN(V)Si样品退火后结构仍然很稳定只有Cu的衍射峰由于退火时Cu的晶粒长大Cu衍射峰峰形变得更尖锐强度增加。CuZrN(V)Si样品退火后出现了CuSi()、CuSi()和CuSi()三个衍射峰。XRD对比结果表明高的衬底偏压下制备的ZrN薄膜有更好的阻止Cu扩散的能力退火也不会形成CuSi相这与电阻率的分析结果相一致。可见高的衬底偏压下制备的ZrN阻挡层具有更好的阻挡性能。阻挡性能变好的原因可能是由于衬底偏压的升高导致形成的薄膜中缺陷减少晶粒长大晶界减少Cu快速扩散的路径减少阻挡性能提高。、CuZrNSi样品的SEM分析图是CuZrN(V)Si样品的退火前后的形貌。从图(a)可以看出沉积态样品表面平坦没有缺陷。退火后CuZrN(V)Si和CuZrN(V)Si样品表面形貌明显不同。如图(a)所示CuZrN(V)Si样品退火后表面形成了一些微孔。微孔形成的主要原因是退火时Cu膜的热应力导致了Cu晶粒的团簇而CuZrN(V)Si样品退火后表面出现了亮的缺陷Cu膜的表面变得不完整但相对于Cu膜而言缺陷的数量不是很多。结合XRD的分析结果我们认为亮的缺陷为CuSi相。CuSi相相对于Cu膜量比较少这与图(a)中Cu的衍射峰的强度远高于CuSi也是一致的。CuZrN(V)Si样品退火至后Cu膜表面也部分破裂出现了少量CuSi相但数量比V偏压下的样品更少。SEM的分析结果表明ZrN(V)的失效温度为ZrN(V)的失效温度为。这与退火前后XRD的分析结果吻合。哈尔滨工程大学本科生毕业论文CuSi(a)沉积态(b)退火小时图CuZrN(V)Si样品的表面形态(a)退火小时(b)退火小时图CuZrN(V)Si样品的表面形态、CuZrNSi结构的AES分析图(a)和图(b)分别为CuZrN(V)Si和CuZrN(V)Si样品经过退火后原子深度分布AES图谱。从图(a)可以看出Cu和Si均向ZrN薄膜的界面移动在界面处发生了反应形成了CuSi化合物扩散阻挡层已经被破坏。图(b)为退火后CuZrN(V)Si结构的原子深度分哈尔滨工程大学本科生毕业论文(a)CuZrN(V)Si样品(b)CuZrN(V)Si样品图退火小时样品的原子深度分布布AES谱图从图中可以看出经过退火后ZrN层两边的Cu与Si基本哈尔滨工程大学本科生毕业论文上没有发生相互扩散这说明CuZrN(V)Si结构在N气中退火小时后ZrN阻挡层仍然有很好的阻挡性能。沉积温度对ZrN薄膜阻挡性能的影响、不同退火温度下CuZrNSi结构电阻的变化不同沉积温度获得的样品的电阻的变化率随退火温度的变化如图示。从图可以看出不同沉积温度下的样品以下退火后CuZrNSi结构的电阻变化率都轻微降低这可能是由于退火导致Cu膜和ZrN薄膜的晶粒长大所引起的。沉积温度为和时的样品退火后CuZrNSi结构的电阻变化率迅速升高这主要是由于Cu向Si中扩散形成了CuSi化合物。沉积温度为时退火后CuZrNSi结构的电阻变化率轻微升高。从电阻变化率的变化可以看出高的沉积温度下获得的CuZrNSi结构的热稳定性更好ZrN薄膜的扩散阻挡性能更好。图不同沉积温度CuZrNSi样品的电阻变化率随退火温度的变化、溅射温度对CuZrNSi样品微观结构的影响不同沉积温度下的CuZrNSi结构退火后的XRD图谱如图所哈尔滨工程大学本科生毕业论文示。和沉积温度下的CuZrNSi结构退火后出现了明显的CuSi()衍射峰CuSi是电阻比较高的化合物它的出现导致CuZrNSi结构的电阻变化率的升高这与图的电阻变化率的测试结果是一致的。沉积温度下的CuZrNSi结构退火后结构没有明显的变化没有出现新的衍射峰。可见沉积温度下得到的ZrN薄膜的阻挡性能明显优于沉积温度下的ZrN薄膜的阻挡性能。综合AFM、XRD对比分析结果表明通过控制沉积温度能够获得结构不同晶粒尺寸大小不同的ZrN薄膜正是由于这种显微结构上的不同导致了ZrN薄膜的阻挡性能的不同。图退火温度下CuZrNSi结构的XRD图谱、CuZrNSi样品的SEM分析图分别是和沉积温度下制备的CuZrNSi样品退火后的形貌对比图。从图(a)可以看出退火后CuZrN()Si样品表面出现了亮的缺陷Cu膜的表面变得不完整但相对于Cu膜而言缺陷的数量不是很多。结合以上XRD的分析结果我们认为亮的缺陷为CuSi相。和CuZrN()Si样品表面形貌明显不同的是CuZrN()Si样品退火后表面形成了一些微孔。微孔形成的主要原因是退火时Cu膜的哈尔滨工程大学本科生毕业论文热应力导致了Cu晶粒的团簇SEM的分析结果表明ZrN()的阻挡性能明显要比ZrN()要差ZrN()的失效温度是而ZrN()在仍能有效地阻止Cu的扩散。(b)(a)SiCu(a)沉积温度(b)沉积温度图CuZrNSi样品退火后的表面形态、CuZrNSi结构的AES分析为了进一步分析样品退火后电阻变化率的变化原因我们对样品进行了AES原子深度分布分析。图(a)为沉积态的CuZrN()Si结构的AES图谱从图谱中可以看出CuZrN()Si结构有很好的分层结构。图(b)为退火后CuZrN()Si结构的原子深度分布AES谱图从图中可以看出Cu和Si均向ZrN薄膜的界面移动在界面处发生了反应形成了CuSi化合物扩散阻挡层已经被破坏这与XRD的分析结果是一致的。图(c)为退火后CuZrN()Si结构的原子深度分布AES谱图从图中可以看出经过退火后ZrN层两边的Cu与Si基本上没有发生相互扩散这说明CuZrN()Si结构在N气中退火小时后ZrN阻挡层仍然有很好的阻挡性能。哈尔滨工程大学本科生毕业论文(a)沉积态的CuZrN()Si样品(b)退火后的CuZrN()Si样品哈尔滨工程大学本科生毕业论文(c)退火后的CuZrN()Si样品图CuZrNSi结构的AES图谱ZrN阻挡层的失效机制分析CuZrN(V)Si结构退火至后阻挡性能已经失效根据AES和SEM的分析结果我们对阻挡层的失效机制进行了分析。Cu原子首先通过非晶态的ZrN膜的结构缺陷(当ZrN为纳米晶时通过纳米晶界)向Si中扩散在ZrN和Si的界面有可能形成CuSi相。接下来Si原子通过Cu扩散后留下的孔径向Cu膜扩散在CuZrNSi结构的表面形成CuSi相。除CuSi化合物外没有在CuZr和ZrSi界面发现在就可形成的CuZr化合物以及在就可形成的ZrSi化合物。本章小结、本章利用XRD、FPP、SEM和AES等表征手段对通过改变制备条件制得的ZrN薄膜的结构和阻挡性能进行了研究。、FPP研究结果表明电阻率随着N流量的增加有增高的趋势。、电阻率(FPP)、SEM、XRD、AES测试结果证明了V衬底偏压下哈尔滨工程大学本科生毕业论文制备的纳米晶ZrN薄膜有更好的阻挡Cu扩散的能力。、电阻率(FPP)、XRD、AES测试结果证明沉积温度下的CuZrN()Si结构的热稳定性更好并且ZrN薄膜的结构随沉积温度的升高由非晶态结构向晶态结构转变晶粒也随着长大晶界减少使ZrN薄膜的阻挡性能提高。哈尔滨工程大学本科生毕业论文结论本文在不同的衬底偏压和衬底温度下利用射频反应磁控溅射的方法制备了不同结构的ZrN薄膜。研究了N流量、衬底偏压和衬底温度对ZrN薄膜的电阻率、结构和阻挡性能的影响。得出的结论如下:、研究结果表明N流量为时的ZrN薄膜的电阻率高于N流量为和时的ZrN薄膜的电阻率电阻率随着N流量的增加有增高的趋势。电阻率随着氮气流量增加而增加的主要原因是N分压增大有更多的N结合到ZrN阻挡层中形成了富氮的阻挡层引起电阻率的增加。、ZrN薄膜的结构随衬底偏压的升高由非晶态结构向纳米晶结构转变。电阻率(FPP)、SEM、XRD、AES测试结果也进一步证明了CuZrN(V)Si结构的热稳定性明显优于CuZrN(V)Si结构退火后没有形成CuSi化合物。可见V衬底偏压下制备的纳米晶ZrN薄膜有更好的阻挡Cu扩散的能力在时仍能有效地阻止Cu的扩散。、温度对ZrN阻挡层结构及阻挡性能影响的研究结果表明ZrN薄膜的结构随沉积温度的升高由非晶态结构向晶态结构转变晶粒也随着长大晶界减少这是ZrN薄膜的阻挡性能提高的主要原因。电阻率(FPP)、XRD、AES测试结果也进一步证明了沉积温度下的CuZrN()Si结构的热稳定性更好退火后没有形成CuSi化合物电阻变化率明显低于CuZrN()Si的电阻变化率。、本文制备的Cu膜有明显的()择优取向()织构的Cu膜有更好的抗迁移的能力。这也说明本文的阻挡层和Cu膜制备工艺都是合适的。阻挡层的存在有利于Cu()取向。、研究阻挡层的失效机制是非常重要的只有掌握了阻挡层的失效机制才能从阻挡层微观机制出发更好地改进阻挡层的阻挡性能。ZrN阻挡层的恶失效机理为:Cu原子首先通过非晶态的ZrN膜的结构缺陷(当ZrN为纳米晶时通过纳米晶界)向Si中扩散在ZrN和Si的界面有可能形成CuSi相。接下哈尔滨工程大学本科生毕业论文来Si原子通过Cu扩散后留下的孔径向Cu膜扩散在CuZrNSi结构的表面形成CuSi相。除CuSi化合物外没有在CuZr和ZrSi界面发现在就可形成的CuZr化合物以及在就可形成的ZrSi化合物。ZrN阻挡层的失效机理研究结果表明ZrN阻挡层的失效机理与文献中报道的CubarrierSi的失效机理是一样的这也是常见的阻挡层失效机理。阻挡层的发展已经取得了很大的进步但还存在一些需要解决的问题。目前报道的最薄的阻挡层为nm。这距离nm的厚度还有一定的差距。而本文制备的氮化锆阻挡层厚度为纳米如何制备更薄的阻挡层是本文需要继续探讨和研究的问题。哈尔滨工程大学本科生毕业论文参考文献王阳元,黄如,刘晓彦面向产业需求的世纪微电子技术的发展J物理,,():王阳元,康晋锋超深亚微米集成电路中的互连问题低k介质与Cu的互连集成技术J半导体学报,,():宋登元,宗晓萍集成电路铜互连及相关问题的研究J半导体技术,,():徐小城深亚微米集成电路工艺中铜金属互联技术J微电子技术,,():MurarkaSPAdvancedmaterialsforfutureinterconnectionsofthefutureneedandstrategyJMicroelectronicEng,,():PeterSinger碳纳米管:诱人的互连替代方案半导体国际网,宋忠孝集成电路Cu合金膜扩散阻挡层设计及其热稳定性研究D西安:西安交通大学,殷景华,王雅珍功能材料概论M哈尔滨:哈尔滨工业人学出版社:薛增泉,吴全德,李洁,编著薄膜物理D北京电子工业出版社王玉魁,王传恩,张兴龙等氮分压对PESMIP法高速钢基体TiN涂层的影响J热加工工艺():EBudke,JKrempelHesse,HMaidhofetalDecorativehardcoatingswithimprovedcorrosionresistanceJSurfaceandCoatingsTechnology():刘雄飞,涂国辉工艺参数对磁控溅射TiN膜成分影响的研究真空科学与技术()():胡丽丽,李德杰直流溅射中氮分量对氮化锆薄膜性质的影响J真空科学与技术():哈尔滨工程大学本科生毕业论文CMitterer,PHMayrhofer,WWaldhauseretalTheinfluenceofionbombardmentonopticalpropertiesofTiNxandZrNxcoatingsJSurfaceandCoatingsTechnology:FVaz,PMachadoetalPhysicalandmorphologicalcharacterizationofreactivelymagnetronsputteredTiNfilmsJThinSolidFilms:ArvindSinha,SwapanKumarDas,VijayaKumarTV,etalSynthesisofnanosizedcopperpowderbyanaqueousrouteJMaterSynthProc,,():JSJeng,SHWang,andJSChenTernaryamorphousmetallinthinfilmsasdiffusionbarriersforCumetallizationJJVacSciTechnolA,():ShinhuiWang,ChingChunChang,JSChenIntegrityofcopperhafnium,hafniumnitrideandmultilayeredamorphouslikehafniumnitridemetallizationundervariousthicknessJJVacSciTechnolA,:RyuCMicrostructureandreliabilityofcopperinterconnectsJIEEETransElecDev,:():YangWL,WuWF,LiuDG,etalBarriercapabilityofTaNfilmsxdepositedbydifferentnitrogenflowrateagainstCudiffusioninCuTaNn–pxjunctiondiodesJSolidStateElectronics,,():LeeWH,KuoYL,HuangHJ,etalEffectofdensityonthediffusionbarrierpropertyofTiNfilmsbetweenCuandSiJMaterialsChemistryandxPhysics,,():LiuCS,ChenLJRoomtemperatureoxidationofsiliconinthepresenceofCuSiJThinSolidFilms,():LiJ,StraneJW,RussellSWObservationandpredictionoffirstphaseformationinbinaryCumetalthinfilmsJJournalofAppliedPhysics哈尔滨工程大学本科生毕业论文,:YamauchiT,ZaimaS,MizunoKSolidphasereactionsandcrystallographicstructuresinZrSisystemsJJournalofAppliedPhysics,:哈尔滨工程大学本科生毕业论文致
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