关闭

关闭

关闭

封号提示

内容

首页 晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状.pdf

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状.pdf

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状.pdf

上传者: 木花雨 2012-07-05 评分 0 0 0 0 0 0 暂无简介 简介 举报

简介:本文档为《晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状pdf》,可适用于工程科技领域,主题内容包含等翥鬻之麓。墨。嚣。。三。主i。三&急。i差jn报gA总ug釉.期V。Na.!!:型竺竺!竺!竺竺!竺竺!=====================符等。

等翥鬻之麓。墨。嚣。。三。主i。三&急。i差jn报gA总ug釉.期V。Na.!!:型竺竺!竺!竺竺!竺竺!=========================。‘‘。‘一晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状梁宗存一沈辉。许宁生f.中国科学院广州能源研究所广东广州.中山大学物理系广东广州)【摘要】晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不|司晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了日前国外晶体硅薄膜电池制各技术的最新进展最新实验室研究结果c报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况指出厂晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。【关键词】晶体硅薄膜电池沉积:转换效率衬底高温i低温中图分类号:TK文献标识码:APreparationTechnologyandStatusofResearchonCrystallineSiliconThinFilmSolarCellsLIANGZong.cnnl”.SHENHuilXUNingshen.GuangzhouinstituteofEnergyConversionCASGuangzhouChina.DepartmentofPhysicsZhongshanUniversity.GuangzhouChina)【Abstract】CrystallinesiliconthinfilmsolarcellshavebeenwidelyinvestigatedandcommerciallytestedinrecentyThere/tretwoprincipleroutesintheresearchfieldofcrystallinesiliconthinfilmsolarcells:thelowtemperatureandthehightemperatureapprnaehesaccordingtothedifferenceoftemperature.whichisusedinthedepositionofsiliconthinfilmInthispaperthepreparationtechnologyaswellasthelatestresultsofcrystallinesiliconthinfilmsolarcellsintermsoftworoutesisreviewed.Thestatusofcommer,'ializationoferystallinesiliconthinfilmsolarcellsisreportedTheproblemsthatmustI"resolvedinthecommercializationofcrystallinesiliconthinfilmslarcellsart=pointedout【Keywordslcrystallinesiliconthinfilmsolarcellsdepositionefficiencysubstratehightemperaturelowtemperature引言目前占据光伏市场主导地位的是晶硅电池一单晶硅电池和多晶硅电池两者各自^据着约%和%的光伏市场。在晶硅电池组件中硅片材料占据总成本的一%晶硅电池所用硅片是由拉制或浇铸的硅锭切割而成因此硅村料成本包括r原始硅材料、晶化过程和硅片切割等。由于晶硅电池制备技术已经比较成熟所以要大幅降低成本必须从材料人手。进一步降低成本的关键因素是减少所用硅片的厚度从而降低硅材料的消耗。模拟表明硅片的厚度最低可以降至~Ftm但由于此时薄膜厚度不能再自我支撑需要适合的衬底来支撑薄膜薄膜可以通过不同的方法沉积到讨底上。这样通过将硅薄膜直接沉积到合适的低成本衬底L不仅可以降低硅材料的消耗还可避免了晶化和切割等成本以及硅材料的损失。由此制作的晶体硅薄收稿日期:OI.謦订日期:.作者袖介:粱宗甫勇.尊士.从阜晶傩硅薄腆电池硅相关材料研究I作膜电池被看作是光伏第二代被认为是最有町能取代常规的体硅电池在过去十几年来引起人们极大兴趣片羲新得到广泛的研究。晶体硅薄膜电池之所以得到普遍的重视是由于它将晶体硅电池工艺优点和薄膜电池的优势有机的结台起来、由于薄膜厚度只有大约/晶体硅电池的厚度可以大大降低硅材料的消耗而且可快速大面积沉积薄膜甚至组件面积。而硅元素丰富无毒电池工艺成熟具有较高的转换效率等特点。除此以外薄膜电池的特点还表现为:由{乇光子产生的载流子在薄膜电池中较容易在复合前收集到.从而增大短路电流另外如果忽略表面复合由于薄膜电池中体复合远远小于晶硅电池的复合从而降低了饱和暗电流因此薄膜电池可以具有较高的开路电压和填充因子从而具有较高的电池转换效率。但晶体硅薄膜电池存在着一个问题:与其它薄膜电池材料不同硅是非直接半导体.为了最大限度地吸收和转换太阳光谱.通常需要较厚的活怍万方数据.sR.材料科学与"rN学报年月二二一一一层。这样就需要薄膜电池工艺采取有效的限光措施以弥补硅片厚度减薄后所造成的光谱损失和快速的沉积技术。因此.只有薄膜电池衬底成本和薄膜沉积技术成本低于体硅成本时.它才能在经济上是可行的目前国外还没有建立起人们所接受的适合的衬底和沉积技术。在晶体硅薄膜电池的研究领域中存在两种基本路线:高温过程路线和低温过程路线。高温路线是指薄膜沉积温度及电池制作过程大于。C的方法低温是指薄膜沉积及电池工艺过程均低于C。不同的温度范围决定了所采用的不同衬底材料两种基本路线都在实验室内得到了广泛的研究.并且个别晶体硅薄膜电池技术得到产业化尝试。本文分别对两种不同路线下晶体硅薄膜电池的实验室研究进行了综述同时报导了晶体硅薄膜电池商业化的最新进展并指出了晶体硅薄膜电池实现商业化需要解决的问题。高温路线下晶体硅薄膜电池的研究.简述高温下薄膜沉积主要有两种基本方法:液相外延法(LPE)‘“(此述语也常被应用在非晶向外延生长)和化学气相沉积法(CVD)”“。在液相外延生长中通过将硅的饱和熔液(熔剂如铟锡等)温度降低随着温度的降低过饱和现象就会发生.从而析出晶体硅析出的硅沉积到与熔液接触的衬底上。液相外延生长硅薄膜的优点是得到的簿膜缺陷密度低但其生长速度慢.近来有报导生长速度可达}tm/minb】。在热化学气相沉积法中硅薄膜是通过对硅烷或氯硅烷在衬底表面的热分解还原反应而沉积到衬底上的。热化学气相沉积法可以容易地控制薄膜厚度和掺杂水平在常压下此法可以在~。C温度范围内达到较高的生长速度tlrrdmin。尽管高温方法有快速沉积薄膜及得到的薄膜具有较大的颗粒直径等优点但在此路线中由于薄膜沉积温度高于。C因此.对衬底的要求特别苛刻。所选用衬底除满足和硅化学相容及相同或相近似的热膨胀系数外衬底还必须要求耐商温直至到硅的熔点或以上温度的梯度变化.满足这一苛刻条件的衬底并不多。根据所采用衬底的不同可分为硅衬底和非硅衬底下面分别加以简述。.非硅衬底上的晶体硅薄膜电池当硅薄膜通过热CVD沉积到非硅衬底上时得到的颗粒通常非常小.大约在几个微米左右。为了得到较大颗粒的硅薄膜需要将细小颗粒转化成较大颗粒硅薄膜通常要经加热熔化后再冷却过程即液相晶化过程来增大薄膜颗粒。由于此过程温度要超过硅的熔点该过程对衬底的热膨胀系数有相当高的要求。适宜的衬底仅有极少数.如耐高温的石墨片重掺杂的硅带某些陶瓷材料如SiCSIMON等。由于这些衬底通常含有较多的杂质.为防止在高温下杂质向活性层扩散需要在衬底和活性层之间有大于“m厚的有效阻挡层如ONO层“(ONO代表硅的氧化物和氯化物)石墨衬底上的sic阻挡层等。。所以尽管重掺杂硅带是硅衬底但此法中由于活性层是沉积在非晶的阻挡层上严格说来应属于非硅衬底.所I我们将带有阻挡层的重掺杂硅带视为非硅衬底。除有中阃层外还需在硅薄膜上有一保护层(一般是等离子体沉积的氧化物)以防止熔化后的硅形成液滴。液相晶化可以通过不同技术来实现:)区熔再结晶(ZMR)技术.ZMR可以以线形加热器(灯管)。J大面积加热器或电子柬来实现)激光再晶化法”。经过再结晶后薄膜硅晶粒增大由于该层为重掺所以一般作为籽晶层。在将保护层腐蚀掉后在籽晶上再经过一次CVD或LPE轻掺杂的硅薄膜沉积。该过程如图所示:()阻挡层沉积()重掺杂的籽晶层沉积Seedinglayer『Intetmeditttelayer(PECVDSiSiN。)Substrate()保护层沉积Intermediatelayer(PECVD$iSiN。)Substrate()区熔再结晶害CappinglayerZonemeltedregionIntmmediztelayer(PECvDSiSiNx)Substrate()保护层腐蚀唧edItilieonlayerInttlmediatelM(PFAVDsiSiNx)Substrate()硅薄膜矗向外延生长图应用液相再品化法制备多晶硅薄膜电池的简摹步过程FigSchemeofpreparationstepstofabricatec珂stallinesiliconthinfilms以譬celiawithrverystall/za/ionmethods万方数据第z卷第。期粱宗存等.晶竺壁翌竺苎兰型苎苎!兰!窒竺竺二三生一一TablelEfficiertcyofcrystalUnesiliconthinfilmsolarcellsbasedonforeignsubstratesathightemperature一=弋=五五==『二::i一一“。。EmI。”*附一nsitutionSubstrateIn”竺le:!竺竺竺:!竺!。竺竺:!”:‘』{一一FrauhoferISESiSiCONOlayerI。。应当指出的是这些在电池制作过程中额外增加的过程是否能符合最初低成本材料这一目标是需要考虑的。另外一个制约因素就是再结晶的速度再结晶速度如果过快则薄膜缺陷态密度大大提高如何在保证薄膜质量的前提下提高结晶速度仍是个问题。由于材料经过再结晶后晶粒可以大到几个毫米可以采用常规体硅电池的制作过程来制备薄膜电池。目前不同的研究机构得到的实验室结果列于表i。.硅村底上的多晶硅薄膜电池当衬底为非活性重掺杂的晶体硅衬底时此时薄膜沉积过程称作外延生长。衬底的晶体结构可以延伸到沉积的薄膜中换句话讲.衬底的晶体结构决定了晶体薄膜生长的取向。外延生长的优点在于能获得大颗粒的晶体结构有时甚至是单晶这决定于衬底的特征。通过合适掺杂的外延活性层的生长之后在活性层上可以制作电池。许多实验室研究是应用重掺杂的单晶或多晶硅为衬底但以此为衬底的薄膜电池更多的是从技术而非成本来展示高温路线中潜在的薄膜电池转换效率。因此.从性价比弩虑.必须考虑应用低成本的衬底另外一种思路是多次利用硅衬底。在电池结构设计上除了薄膜可以直接沉积到村底上另外一种比较有趣的设计是通过村底和电池的分离技术而达到重复使用衬底。一种衬底和电池活性层分离技术是苜先通过腐蚀在硅的表面形成一层多孔硅、得到的多彳L硅在衬底和活性层之间充当减反层当电池制作完成后.通过机械处理将硅衬底和活性层分离”“衬底可以利用多次。另外一种分离技术是通过先将一层掩盖层如(SiO:)按一定的模式将单晶硅衬底部分掩盖起来.液相外延生长硅薄膜形成一具有开口网形结构薄膜层当腐蚀掉村底后.该层结构足以自我支撑““。在电池工艺中当以低成本的硅带作为衬底时由于村底通常会含有较高的缺陷态.fI=电池制作过程中一般通过氢钝化来钝化外延层”或氯气氛下烧结来提高薄膜电池转换效率。裹离沮路线下以掺杂硅为村底外延生长的晶体硅薄膜电池的转换效录TableEfficiencyofcrystallinesiliconthinfilmsolarcellsbasedonhighlydopedsiliconsubstrateathightempurature表给出了在重掺杂硅衬底上外延生长制备晶体硅薄膜电池的效率.表中数据表明.在有合适的背部反射层下在SIMOX(通过氧离子置人在单晶硅衬底上形成hm厚SiO掩埋层)衬底上的电池具有%的转换效率。在氢钝化下EFG硅带上以工业电池过程制作的电池转换效率已超过%。低温路线下晶体硅薄膜电池的研究低温路线下薄膜沉积及所有过程均低于。C.在低万方数据..材料科学与工程学报年月一一一一一一温路线下村底町以采用玻璃和不锈钢。玻璃衬底的采用使得低温路线中所有过程的温度均不能超过。C在此温度下所有的薄膜沉积技术在此温度范围内都需要额外的能星来源(如等离子体离子辅助.热丝等)来加快硅的沉积.或昔依靠围态晶化法将最初非晶态的硅晶化。虽然在低温路线F采用额外的辅助能量但薄膜沉积速度仍然很低大约在几到十几个纳米/分钟。考虑到光谱的有效吸收薄膜沉积要么需要很长的沉积时间要幺在电池工艺中采用有效的限光措施。同时在低温下制得的颗粒大约在微米左右很难制备合理的结太阳电池。另外发射扳必须通过沉积来制备而不能通过传统的扩散方法来制备。因此低温路线下制备的晶体硅薄膜电池中通常会包含非晶硅硬透明导电层:有大量的文献报导关于等离子体辅助的沉积方法沉积微品硅层.它们共同的特点是以等离子体环境来加速硅的沉积。脒rRFPECVD”外ECRCVDⅢ、Very.highfreq“en。rPECVD”也得到研究。在所有的研究中以Kaneka公司较为成功.他们所谓的星电池结构是将有效的限光措施和高质量的微晶硅结合起来(“m)另外有n型异质发射极.形成pin.Si结构。通过三结电池后效率可达%“。~个相对较新的硅沉积方法是热丝CVD.该法可以大大提高沉积速度。此法是通过在加热的钨丝附近分解si}沉积速度可达到至微米/,时。尽管此法有较高的薄膜沉积速度并且多晶硅薄膜具有柱状结构但是颗粒直径仍在微米左右其电池转换效率很低仅%”。另外一个可选择制备晶体硅薄膜的方法是通过非晶硅的沉积(PECVD)得到的非晶硅或者通过圈相或者通过激光诱导的方法加以晶化晶化后的硅层充当籽晶层、形成非晶硅/晶体硅异质结。其报导的展高转换效率为%。晶体硅薄膜电池的产业化急需解决的问题晶体硅薄膜电池目前主要集中于实验室研究很少有商业化报道。目前只有Astropower公司发展的SiliconFilm”电池可以实现商品化。在这种方法中微米厚的硅活性层沉积到经过微刻槽的可导电石墨衬底上。石墨对底是选择低成本材料制备而成由于衬低可连续以所需要的厚度制备.因此避免了切割等过程.可大幅度降低成本。在石墨村底和活陆层之问有一中间层作为背反射和防扩散层。所制备的薄膜颗粒直径大约在毫米左右.电极通过丝网印刷制备而成。所采用的材料及产品化方法均高度保密.束有报导。在小面积lcm’上电池最高教率为%.在cml电池展示的效率l%.该电池组件正处于实验产品七。另外澳大利亚PacificSolar公司正对平行多结薄膜电池的商业化进行大量的试验工作但目前还没有关于沉积技术和电池f艺的公开报导。不同衬底上的硅薄膜电池的研究结果表明晶体硅薄膜与体硅电池相比.可以大幅降低每峰丸成本但如要赛现商业化还需要很长的一段路这其中最为关键的问题是合适衬底的制备技术和薄膜沉积技术的确定。晶体硅薄膜电池实现产业化的前提足对以上两个方面问题的解决即对村曦除要求具有较高质量的晶体结构外.还必须满足可大面积、连续化生产等特点.并且廉价(每平打米低于美元)。而薄膜沉积技术的采用也必须满足大面积快速生长等特点。因此.只有真正实现了以上两个方面的条件晶体硅薄膜电池最终才可能实现产业化。从另一方面讲.适合对底和沉积技术的不确定将很可能产生新的方法和技术在新的方法技术中除要求我们埘晶体硅薄膜电池进行L业投资外还应加强光伏界和仪器设备厂商的联合。结语两种路线下制备的晶体硅薄膜电池相比较在高温路线下可以制得颗粒较大的晶体硅薄膜而且沉积速度快.从而所制备的晶体硅薄膜电池具有相对较高的转换效率、低温路线下由于受温度低的影响制备的晶体硅薄膜颗粒较小而且沉积速度慢电池转换效率相对较低。但由于低温的采用可以实现在廉价村底上(如玻璃)大面积沉积薄膜因此可以大幅度降低电池制作成本。在两种路线下晶体硅薄膜电池分别得到r广泛的实验室研究.并有初步的商业化尝试。但真正实现产业化从而最终取代体硅电池还需要较长的一段路。参考文献lJJHWernerSKolodinskiUEauetSiliconsol盯rPll(fSumthinknessand%efficiencyfJAppl升“len.:MKonuma.ECechISilieretalLiquidphaseepitaxycentrifugeforramdiameterSisubstrateJApplPhysLetl:~F.Iall竹.VIrlenninger.^凹le‘)出哪zmm柑thcvup帆郴forlowromcrystallinesiliconthin.filmsolarcells!A“woddnfPVSEC『C|】.pJTVe邢eulenJPrtnrans.mCaymax.alApplicatitmofindustrialprocessingthniquetothinfilmcrystallinesiliconsalmretlsnhighlydopeddefectedsiliconsubsuate【ClwIdnnePVSEC..P一j】Hotzel.KPeter.cWillekeelalCrystallinesilicon‘盯rPlbpreparedbyarapidliquidphase(RCPE)growlhtechniquef叫“’EuropeanPhotovohaie划肿EnergyConfe砰nee.UKPJSReberCHeblinFFaIler.nalCwstallinesilicrmthinfilms盯cellsonSiCbasedceraraicsc】“worldconfP、SEt:..PJCHeblingSRrberKSehmidtetalOrientedmervstalli舯ofs】IpPonlayersforsiliconIhin.filmsolarrells【“IEEEnSEUAnaheim.CAP.WZimmeramnSllauFHassctalSilicont目heelsfrompowder聃万方数据第卷第期梁宗存等晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状‘lowatbstralefor。Wstallinethinfilmdcells【c“W日rldcodPvSEC..P~|】MPanfi.TReindl.WKmhler.etall”WorldCoalPVSEC【cJ.P~lO】GAndra.JBergmann.F蹦k.etalL船erinducedctstalhzation:Am^hodforprepanngsiliconlhinsolarenfis(CIEEEPVSEC.Anaheim.CA.llJWZimmermann.SBau.AEyerelalCrystallinesiliconthinfilmjsolarcellsonlowqualitysiliconsubstrateswithantiwithoutSiO肿temtedialelayerlCIEu”peanPVSEC.UK.)s%nmmo.HMorikawaMDegnchlmalHighemlope'rafionoflⅢFera。thinfilmpolycrystallineslilieonsdⅡcellbasedSOltn】ctumJ“EnergyMater.MCells.~】JGBeaucalTleCHebling.RScheer.alThinsiliconsoalrcPllsb哪e^册m'rystallisedl"mninsulationgsubstrales【c“【fiWoddConfPVSEC.P~RhldeIrIannCSchaeferCSehJleaetalDryp”cessingofmcsiliconthinfilm谳奸cellsonforeignsubstraleledingtoll%emciency(CIEEEPVSECAnaheimP】jHT"an“KYnraauahlTMatsushllaThlnfilmerystalhnesill.solarceilsobtainedbysepⅡationofpomussiliconsaerificallayerC】”worldConfPVSECItaly.P】KRCatchpaleKJWeberABSpfoal.etalChancre=altonofsiliconexpitaxiallayersfor“盯cellapplieationsC“Worldc“PvsEC.P|f】JTVermeulen.FDumiackxKDecfo"y日alc璐|一df卵drelhfofilmsol舢cellproce%ingonmuhicrystallinesiliconC“IEEEPVSEC.Anaheim.CAP『TVermeulenOEv“WLaureys.etalC”EuropeanPVSEcNicePlJJCHeblingSGlumJSnfiumaeheretalhighnfiqeiency(%)siliconthinfilmsolarcellswithinterdigitatedemitteralldbasefrontl】contactsC】EuropeanPVSEC.BarcefonaSpain.P『JSN口asimhaGCrethyTKrygowski.nalBack“d却ctEeld“emitterp聃sivafioneffectsintherecordhighefficiencyntype踮n.driftcWebSi“Ⅱcells【c、“IEEEP、虬..P~ABhlkefsKWeber.MStuckmgs.etal%efficientthinsilicnnsohcellbyliquidnh鹏eepitaxycJ“EuropeanP、fiEC.Nl忡.France.】PGFZhengWZhang.ZShi.etalHighefticienc)dnhefficiPn‘、drlftfieldthinfilmsillc蚰sdarcellshliquidnh婿epdaxvgⅣtsubatratethinning【C”IEEEPVSEC.fiPPRoeaSIIPStaheletalNanostfLI(ire({sili(onthinfilms:Amaterialandphotovoltmis’【(J”EuropeanPVSEC.Barcolona.Spain.PPMiJller.IBtekem.EConrad.etalApplicationafh}PHtumeleetroncyclotron砖$onanoeCVDtosiliconthinfihnsolarcellp”prationC“IEEEPVSECWashingirmDt.PAShahJMeier.Phes.elalRecentprogress(|lmrtallinesolarcellsC】”IEEEPVSEC..PKYama啪.Mr培月”rnwada“alo州rfik,ff{IIdhighperformancethinfilmSisdarcelltowardsI”‘enmryt。’internationalphotovohaic卵ienceandengineeringvnnference.P~JKRath.KFFeenstFa.CHMVanderⅥP什.etaIPⅢfilrdh.wteCVDpelySIHElforqpcellonametalsuhsttate【C”WnfidConfPVSEC.P~TBahaMShima.TMatsuyanm.etal%PfficinrvthinfilnlpolyerystallinesiliconsolarcellbyanovelsolidphasecrystallizafianmethodCEumpeanPVSEC.PI^.MBmnett.DH‰d.JCCheet'hi.nalVerylarge一如、h.捌mTH“丑rcellsc】”Eum岬nnECm“Pha.P】CJJTⅢ.JAMVRoosmalPn.SEASchiMⅢim~tThinFilmcrystallinesilinsolarcellssonceramicsttbstratP【C】'“Europe姐PoltmcSnlarEnergycm、UK/gqPAC,c.etaheergerCHahling.Photm'oltaicmaterials.past.presentfo.tureJJsolⅡEnergyMaterialsandsolⅡCells..:~SReberElectricalConfinementforthPCrystallineSiltro『ThiFilm鲥对CellF眦ignSubstrme【M】Maim.P万方数据晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状作者:梁宗存沈辉许宁生作者单位:梁宗存(中国科学院广州能源研究所,广东,广州,中山大学物理系,广东,广州,)沈辉(中国科学院广州能源研究所,广东,广州,)许宁生(中山大学物理系,广东,广州,)刊名:材料科学与工程学报英文刊名:JOURNALOFMATERIALSSCIENCEANDENGINEERING年卷(期):,()被引用次数:次参考文献(条)MPauliTReindlWKrhlerstWorldConfPVSECPRocaSHammaPStahelNanostructuredsiliconthinfilms:AnewmaterialandphotovoltaicsGFZhengWZhangZShiHighefficiencydriftefficiencydriftfieldthinfilmsiliconsolarcellsbyliquidphaseepitaxyandsubstratethinningABlakersKWeberMStuckingsefficientthinsiliconsolarcellbyliquidphaseepitaxyWZimmermanSBauFHassSiliconsheetsfrompowderaslowcostsubstrateforcrystallinethinfilmsolarcellsCHeblingSReberKSchmidtOrientedrecrystallineofsiliconlayersforsiliconthinfilmsolarcellsSReberCHeblinFFallerCrystallinesiliconthinfilmsolarcellsonSiCbasedceramicsJHtzelKPeterGWillekeCrystallinesiliconsolarcellspreparedbyarapidliquidphase(RCPE)growthtechniqueTVermeulenJPoortmansmCaymaxApplicationofindustrialprocessingtechniquetothinfilmcrystallinesiliconsolarcellsonhighlydopeddefectedsiliconsubstrateFFallerVHenningerAHurrleOptimizationoftheCVDprocessforlowcostcrystallinesiliconthinfilmsolarcellsSReberElectricalConfinementfortheCrystallineSiliconThinFilmSolarCellonForeignSubstrateAGoetzbeergerCHeblingPhotovoltaicmaterials,past,present,future外文期刊()CJJToolJAMVRoosmalenSEASchiiermeierThinFilmcrystallinesiliconsolarcellssonceramicsubstrateAMBarnettDHFordJCChecchiVerylargeAreasiliconfilmTMsolarcellsTBabaMShimaTMatsuyamaefficiencythinfilmpolycrystallinesiliconsolarcellbyanovelsolidphasecrystallizationmethodJKRathKFFeenstraCHMVanderWerfProfiledhotwireCVDpolySiHfilmsforannipcellonametalsubstrateKYamamotoMYoshimiYTawadaCosteffectiveandhighperformancethinfilmSisolarcelltowardsthestcenturyAShahJMeierPTrresRecentprogressonmicrocrystallinesolarcellsPMllerIBeckersEConradApplicationoflowtemperatureelectroncyclotronresonanceCVDtosiliconthinfilmsolarcellpreprationSNarasimhaGCrothyTKrygowskiBacksurfacefieldandemitterpassivationeffectsintherecordhighefficiencyntypeDendriticWebSisolarcellsCHeblingSGlunzJSchumacherhighefficiency()siliconthinfilmsolarcellswithinterdigitatedemitterandbasefrontcontactsTVermeulenOEvrardWLaureysthEuropeanPVSECNiceTVermeulenFDuerinckxKDeclercyCosteffectivethinfilmsolarcellprocessingonmulticrystallinesiliconKRCatchpoleKJWeberABSproulCharacterzationofsiliconexpitaxiallayersforsolarcellapplicationsHTayanakaKYamauchiTMatsushitaThinfilmcrystallinesiliconsolarcellsobtainedbyseparationofaporoussiliconsacrificallayerRLdemannCSchaeferCSchlenDryprocessingofmcsiliconthinfilmsolarcellsonforeignsubstrateledingtoefficiencyGBeaucarneCHeblingRScheerThinsiliconsoalrcellsbasedonrecrystallisedlayersoninsulationgsubstratesndWorldConfSArimotoHMorikawaMDegnchiHighefficientoperationoflargeareacmthinfilmpolycrystallinesliliconsolarcellbasedonSOIstructureWZimmermannSBauAEyerCrystallinesiliconthinfilmsolarcellsonlowqualitysiliconsubstrateswithandwithoutSiOintermediatelayerGraJBergmannFFalkLaserinducedcrystallization:AmethodforpreparingsiliconthinsolarcellsMKonumaECzechISilierLiquidphaseepitaxycentrifugeformmdiameterSisubstrateJHWernerSKolodinskiUEauSiliconsolarcellofumthinknessandefficiency引证文献(条)吴芳赵先林王海燕王子健高哲织构ZnO:Al与pμcSi:H薄膜接触特性的研究期刊论文真空()周玉锋张宇民韩杰才硅膜制备期刊论文材料导报()本文链接:http:dgwanfangdatacomcnPeriodicalclkxygcaspx

用户评论(0)

0/200

精彩专题

上传我的资料

每篇奖励 +2积分

资料评价:

/7
2下载券 下载 加入VIP, 送下载券

意见
反馈

立即扫码关注

爱问共享资料微信公众号

返回
顶部