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EM78P176N 中文版.pdf

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上传者: 义隆徐工 2012-06-28 评分 0 0 0 0 0 0 暂无简介 简介 举报

简介:本文档为《EM78P176N 中文版pdf》,可适用于IT/计算机领域,主题内容包含EMPN位OTP微控制器产品规格书版本义隆电子股份有限公司徐工:QQ:(技术交流)目录版本号(V)•iii目录综述产品特性引脚配置引脚描述EMN~P符等。

EMPN位OTP微控制器产品规格书版本义隆电子股份有限公司徐工:QQ:(技术交流)目录版本号(V)•iii目录综述产品特性引脚配置引脚描述EMN~PINEMN~PINEMN~PIN结构图功能描述操作寄存器R(间接寻址寄存器)R(时钟定时器计数器)R(程序计数器)和堆栈R(状态寄存器)R(RAM选择寄存器)BankR~R(端口~端口)BankRE(LVD控制寄存器)BankRF(中断状态寄存器)BankR(TBHP:查表指针寄存器的高字节)BankR((TBLP:表指针寄存器的低字节)BankRE(LVD中断和唤醒寄存器)BankRF(系统控制寄存器)R~RF特殊功能寄存器A(累加器)CONT(控制寄存器)IOC~IOC(IO端口控制寄存器)IOCB(下拉控制寄存器)IOCC(漏极开路控制寄存器)IOCD(上拉控制寄存器)IOCE(WDT控制寄存器)IOCF(中断屏蔽寄存器)TCCWDTandPrescalerIO端口复位和唤醒复位唤醒和中断模式概述寄存器初始值概述徐工:QQ:(技术交流)目录iv•版本号(V)状态寄存器的RSTT与P的状态中断振荡器振荡器模式晶体振荡器陶瓷谐振器(晶体)外部RC振荡器模式内部RC振荡模式代码选项寄存器代码选项寄存器(Word)代码选项寄存器(Word)用户ID寄存器(Word)上电相关问题外部上电复位电路残留电压保护LVD(低电压检测)低电压复位(LVR)低电压检测(LVD)BankRE(LVD控制寄存器)BankRE(LVD中断和唤醒寄存器)步骤指令集绝对最大值电气特性DC电气特性AC电气特性时序图附录A封装类型B封装相关信息规格书修订历史版本号修订描述日期预备版本最初发行版本徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)综述EMPN是采用低功耗高速CMOS工艺开发的位高抗干扰性的微控制器。它们拥有K位一次可编程只读存储器(OTPROM)。它提供一个保护位用于防止用户在OTPROM中的程序被读取同时拥有个代码选项位以满足用户定置代码选项的需要。利用增强的OTPROM特性用户可方便的开发和校验程序。另外用户可以使用义隆烧录器很容易的烧录自己的程序。产品特性„CPU配置•K位片内存储器•位片内寄存器(SRAM)•级堆栈用于子程序嵌套•级可编程检测电压LVD:V•级可编程复位电压LVR:,,V•VMHz工作条件下低于mA•在VKHz工作条件下典型值为µA•在休眠模式下典型值为µA„IO端口配置•组双向IO端口:P,P,P•个IO引脚•唤醒端口:P•个可编程下拉IO引脚•个可编程上拉IO引脚•个可编程漏极开路IO引脚•外部中断端口:P„工作电压范围:•V~V在C~C(商业级)•V~V在C~C(工业级)„工作频率范围(基于个时钟):•晶体模式:DC~MHzclksVDC~MHzclksVDC~MHzclksV•ERC模式:DC~MHzclksV•IRC模式„外设配置•位可选择时钟源、边沿触发和溢出中断的实时时钟计数器(TCC)•外部中断输入引脚•通过代码选项可选择指令周期为•省电(休眠)模式•高抗EFT„个有效中断•TCC溢出中断•输入引脚状态变化中断•外部中断•低电压检测中断„特别性能•独立运行的可编程看门狗定时器•有效上电电压检测(V~V)•可选择的晶振模式„封装类型:•pinSSOPmil:EMPNSSJS•pinSOPmil:EMPNSOJS•pinDIPmil:EMPNDJS•pinSOPmil:EMPNSOJS•pinSSOPmil:EMPNSSJS•pinMSOPmil:EMPNMSJS绿色产品不含有害物质。偏移率内部RC频率温度(C~C)电压(V~V)制程总计MHzMHzMHzMHz徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)引脚配置()PinSSOPSOP图pinEMPN()PinDIPSOP图pinEMPN徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)()PinSSOPMSOP图pinEMPN徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)引脚描述EMN~PIN名称功能输入类型输出类型功能描述P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚通过软件设置可用作带下拉功能的引脚PPSTCMOS双向输入输出引脚PSTCMOS双向输入输出引脚PTCCTCCST实时时钟计数输入引脚PSTCMOS双向输入输出引脚OSCOXTAL外部时钟晶体振荡器输出引脚POSCOERCinERCinAN外部RC振荡器时钟输入引脚P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带下拉功能上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PINTINTST外部中断输入引脚P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带下拉功能上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PSTCMOS双向输入输出引脚OSCIXTAL外部时钟晶体振荡器输入引脚POSCIRCOUTRCOUTCMOS内部RC振荡器时钟输出引脚外部RC振荡器时钟输出引脚(开漏)PSTCMOS双向输入输出引脚PRESETRESETST带内部上拉电路的复位引脚VDDVDD电源电源VSSVSS电源地注:ST:施密特触发器输入,AN:模拟信号输入,CMOS:CMOS输出,XTAL:晶振振荡器振荡信号输入输出引脚。徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)EMN~PIN名称功能输入类型输出类型功能描述P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚通过软件设置可用作带下拉功能的引脚PPSTCMOS双向输入输出引脚PSTCMOS双向输入输出引脚PTCCTCCST实时时钟计数输入引脚PSTCMOS双向输入输出引脚OSCOXTAL外部时钟晶体振荡器输出引脚POSCOERCinERCinAN外部RC振荡器时钟输入引脚PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带下拉功能上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PINTINTST外部中断输入引脚P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带下拉功能上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PSTCMOS双向输入输出引脚OSCIXTAL外部时钟晶体振荡器输入引脚POSCIRCOUTRCOUTCMOS内部RC振荡器时钟输出引脚外部RC振荡器时钟输出引脚(开漏)PSTCMOS双向输入输出引脚PRESETRESETST带内部上拉电路的复位引脚VDDVDD电源电源VSSVSS电源地注:ST:施密特触发器输入,AN:模拟信号输入,CMOS:CMOS输出,XTAL:晶振振荡器振荡信号输入输出引脚。徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)EMN~PIN名称功能输入类型输出类型功能描述P~PP~PSTCMOS双向输入输出引脚通过软件设置可用作带下拉功能的引脚PSTCMOS双向输入输出引脚OSCOXTAL外部时钟晶体振荡器输出引脚POSCOERCinERCinAN外部RC振荡器时钟输入引脚PSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带下拉功能上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PINTINTST外部中断输入引脚PPSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带下拉功能上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PPSTCMOS双向输入输出引脚,通过软件设置可用作带上拉功能开漏功能唤醒功能的引脚PSTCMOS双向输入输出引脚OSCIXTAL外部时钟晶体振荡器输入引脚POSCIRCOUTRCOUTCMOS内部RC振荡器时钟输出引脚外部RC振荡器时钟输出引脚(开漏)PSTCMOS双向输入输出引脚PRESETRESETST带内部上拉电路的复位引脚VDDVDD电源电源VSSVSS电源地注:ST:施密特触发器输入,AN:模拟信号输入,CMOS:CMOS输出,XTAL:晶振振荡器振荡信号输入输出引脚。徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)结构图图EMPN功能结构图徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)功能描述操作寄存器R(间接寻址寄存器)R并不是实际的物理寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何对R的操作实际上是对RAM选择寄存器(R)所指向的寄存器进行操作。R(时钟定时器计数器)„R对来自TCC引脚的外部边沿触发信号或内部指令时钟周期进行加一计数TCC引脚信号的边沿触发类型由CONT寄存器的TE位设定„R和其他寄存器一样可读写„通过复位PAB(CONT)设定。„如果PAB(CONT)置则预分频器分配给TCC。„当TCC寄存器写入一个值时预分频计数器的内容将清零。R(程序计数器)和堆栈„基于器件的型号R和硬件堆栈都是位宽的。结构描述如图所示。图程序存储器结构图„用ICEN仿真EMPN的堆栈,超出级,仿真结果与实际EMPN的将不一致„此单元可产生x位片内OTPROM地址以获取对应的程序指令编码。一个程序页是字长„当复位产生时程序计数器R所有位被清。徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)„"JMP"指令可直接装载程序计数器低位。因此”JMP”可以在同一页(K)内任意跳转„"CALL"指令装载程序计数器的低位。并将PC+值压入堆栈。因此子程序入口地址可定位在一个程序页的任一位置。„"RET"("RETLk","RETI")指令将栈顶数据装入PC。„"ADDR,A"允许把A寄存器的内容加到当前PC上同时PC的第九位及以上各位依次增加。„"MOVR,A"允许从A寄存器装载一个地址值到PC的低位同时PC的第九位及第十位(A~A)保持不变。执行任何(例如:"MOVR,A","BCR,"等)对R进行写入操作的指令(除“ADDR,A”外)PC的第九位及第十位(A~A)都会保持不变。除了那些改变R内容的指令需要多于一个指令周期外所有指令都是单指令周期(fclkfclk)。图数据存储器结构图R(状态寄存器)BitBitBitBitBitBitBitBitRSTGPGPTPZDCC徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)Bit(RST):复位类型标志位:如果是其它复位类型唤醒,则置:如果是引脚状态改变从休眠模式唤醒,则置Bit~Bit(GP~GP):通用读写位Bit(T):时间溢出位当执行SLEP和WDTC指令或上电复位后该位置当WDT溢出时清。Bit(P):省电标志位执行WDTC指令或上电复位后该位置执行SLEP指令后该位清。Bit(Z):零标志位算术运算或逻辑运算结果为时该位置。Bit(DC):辅助进位标志位Bit(C):进位标志位R(RAM选择寄存器)Bit:通用寄存器的读位Bit:用于选择BANK~BANK。参见数据存储器结构图图。BankR~R(端口~端口)R,R和P~P是IO寄存器。P~P固定为。BankRE(LVD控制寄存器)BitBitBitBitBitBitBitBitLVDLVDIFLVDWEBit(LVD):低电压检测标志位当VDD引脚电压低于LVD电压中断级(可通过LVD和LVD选择)时该位清零。:检测到低电压:未检测到低电压或LVD功能未使能Bit(LVDIF):LVD中断标志位:中断未发生:中断请求Bits~:保留位始终为徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)Bit(LVDWE):低电压检测唤醒:禁止低电压检测唤醒:使能低电压检测唤醒BankRF(中断状态寄存器)BitBitBitBitBitBitBitBitEXIFICIFTCIF注意“”表示中断请求“”表示没有中断发生Bits~:保留位全置为Bit(EXIF):外部中断标志位。INT引脚有下降沿信号输入时置位由软件清。Bit(ICIF):端口输入状态改变中断标志位。当端口输入状态改变时置位由软件清。Bit(TCIF):TCC溢出中断标志位。当TCC溢出时置位由软件清。BankRF可由指令清零但不能置位。IOCF为中断屏蔽寄存器。注意读BankRF的结果是BankRF与IOCF”逻辑与”的结果。BankR(TBHP:查表指针寄存器的高字节)BitBitBitBitBitBitBitBitMLBRBitRBitBit(MLB):选择MSB或LSB机器码移到寄存器中机器码被放入“TBLP”和“TBHP”寄存器Bits~:保留位始终为Bits~(RBit~RBit):表指针地址bit~BankR((TBLP:表指针寄存器的低字节)BitBitBitBitBitBitBitBitRBitRBitRBitRBitRBitRBitRBitRBitBit~(RBit~RBit):表指针地址的bit~BankRE(LVD中断和唤醒寄存器)BitBitBitBitBitBitBitBitLVDIELVDENLVDLVDEXWE徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)Bit(LVDIE):低电压检测中断使能位:禁止低电压检测产生中断:允许低电压检测产生中断Bit(LVDEN):低电压检测使能位:禁止低电压检测:允许低电压检测Bits~:低电压电平位LVDENLVD,LVDLVD中断电压值LVDVddVVdd>VVddVVdd>VVddVVdd>VVddVVdd>VNA注意当改变VDD电压使其跨过LVD中断电压电平时LVD中断就会发生Bits~:保留位始终为Bit(EXWE):外部INT脚唤醒使能位:禁止外部INT脚唤醒:允许外部INT脚唤醒BankRF(系统控制寄存器)BitBitBitBitBitBitBitBitTIMERSCCPUSIDLERCMRCMBit~:保留位始终固定为Bit(TIMERSC):TCC,时钟源选择:Fs作为时钟源:Fm作为时钟源Bit(CPUS):CPU振荡源选择:副振荡器(fs):主振荡器(fosc)当CPUS=CPU振荡器选择副振荡器主振荡器停振Bit(IDLE):空闲模式选择位该位确定在执行SLEP指令后将进入何种模式。徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新):IDLE=””SLEP指令休眠模式:IDLE=””SLEP指令空闲模式图CPU运行模式图振荡器(正常模式源)CPU模式状态振荡器稳定时间(S)从NormalGreen计数时间(CLK)SleepIdleNormalCLKGreenNormalms~msCLKCrystalM~MHzSleepIdleGreen<µsCLKSleepIdleNormalGreenNormal<µsERCMHzSleepIdleGreen<µsCLKSleepIdleNormalGreenNormal<µsIRCM,M,M,MHzSleepIdleGreen<µsCLK注意振荡器稳定时间由振荡器特性决定A在振荡器稳定前CPU将在NormalGreen模式下继续计数个时钟周期例:MHzIRCSleep模式到Normal模式唤醒时间为usCLKMHz例:MHzIRCSleep模式到Green模式唤醒时间为usCLKkHzBit~(RCM~RCM):IRC模式频率选择位RCMRCM频率MHzMHzMHzMHz徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器•版本号(V)(产品更新后规格书不保证同步更新)BankRF<,>将被使能BankRF<,>烧录器校准IRCRCMRCM频率工作电压范围稳定时间MHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µs注意BankRF<,>的初始值会与Word<,>保持一致如果用户改变IRC频率从频率A到频率BMCU则要等待一段时间才工作等待时间与频率B的稳定时间相符举例:ststep当用户在烧录器上选择IRCMHz,BankRF<,>初始值与Word<,>的值同为“”MCU工作频率范围为MHz相关表格如下BankRF<,>烧录器校准IRCRCMRCM频率工作电压范围稳定时间MHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µs徐工:QQ:(技术交流)EMPN位OTP微控制器版本号(V)•(产品更新后规格书不保证同步更新)ndstep如果MCU工作在MHz此时设BankRF<,>=“”MCU需要µs后才能工作在MHz频率范围BankRF<,>烧录器校准IRCRCMRCM频率工作电压范围稳定时间MHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µsrdstep如果MCU工作在MHz此时设BankRF<,>=“”MCU需要µs后才能工作在MHz频率范围BankRF<,>烧录器校准IRCRCMRCM频率工作电压范围稳定时间MHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzMHzV~V<µsthstep如果MCU工作在MHz此时设BankRF<,>=“”MCU需要µs后才能工作在MHz频率范围BankRF<,>烧录器校准IRCRCMRCM频率工作电压范围稳定时间MHzV~V<µsMHzV~V<µsMHzV~V<µsMHz

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