JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S8050 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
z Complimentary to S8550
z Collector Current: IC=0.5A
MARKING: J3Y
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
IC Collector Current -Continuous 0.5 A
PC Collector Dissipation 0.3 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=40 V , IE=0 0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCB=20V , IE=0 0.1 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0.1 μA
HFE(1) VCE=1V, IC= 50mA 120 350
DC current gain
HFE(2) VCE=1V, IC= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 0.6 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 1.2 V
Transition frequency fT
VCE=6V, IC= 20mA
f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank L H
Range 120-200 200-350
SOT-23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
A,Apr,2011
Administrator
线条
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线条
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