SST25VF016B中文文档

使用Firefox（火狐）浏览器提高10倍以上的搜索速度 Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 1 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B SST25VF016B16Mb Serial Peripheral Interface (SPI) flash memory 数据 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 特点： •单电压读写操作 – 2.7-3.6V •串行接口架构 – SPI兼容：模式0和模式3 •高速时钟频率 – 50 MHz •卓越的可靠性 –耐力：100,000周期（典型值） –大于100年数据保存期 •低功耗： –有效的读电流：10 mA（典型） –待机电流：5 µA（典型） •灵活的擦除功能 – 一样的 4 K字节部门 – 一样的 32 K字节块重叠 – 一样的 64 K字节块重叠 •快速擦除和字节的程序： –芯片擦除时间：35 ms（典型） – Sector-/Block-Erase时间：18 ms（典型） –字节节目时间：7 µs（典型） •编程自动地址递增(AAI) –减少了整个芯片的编程时间 字节编程操作 • End-of-Write检测 –软件查询中状态BUSY位寄存器 –忙碌状态读出的SO引脚AAI模式 •保持引脚（按住＃） –挂起到内存串行序列 该设备没有取消选择 •写保护(WP#) –启用/禁用的锁断功能 status 寄存器 •软件写保护 –通过写块保护bits在保护 status 寄存器 •温度范围 –商业：0°C到+70°C –工业：-40°C到+85°C •封装 – 8-lead SOIC (200 mils) – 8-contact WSON (6mm x 5mm) •所有non-Pb（无铅）设备RoHS兼容 产品说明 SST的25系列串行闪存系列具有四线， SPI兼容接口的低引脚数可 包装占地较少的电路板空间，最终 降低整体系统成本.该SST25VF016B设备 加强与改进工作频率，甚至 低于原SST25VFxxxA功耗 设备. SST25VF016B SPI串行闪存的记忆 制造的SST专有的高性能 CMOS SuperFlash技术.分体式设计门电池 厚氧化层隧道获得更好的可靠性和注射器 可制造性与替代方法. 该SST25VF016B设备显着提高perfor - 曼斯和可靠性，同时降低功耗. 这些器件写（编程或擦除）与单电源 供应2.7-3.6V的总能量SST25VF016B. 消费是一种施加电压，电流， 时间的应用.因为对于任何给定的电压范围， 扣除流动SuperFlash技术uses方案和 有一个较短的擦除时间，总能量消耗在 任何擦除或编程操作是比其他的少 闪存技术. 该SST25VF016B器件提供两个8-lead SOIC (200 mils)和8-contact WSON (6mm x 5mm)包. 参见图1引脚分配. ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 1 The SST logo and SuperFlash are registered Trademarks of Silicon Storage Technology, Inc. These specifications are subject to change without notice. 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/ Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 2 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 F UNCTIONAL B锁 D IAGRAM 地址 缓冲器 和 插销 X -解码器 超快闪 内存 Y -解码器 控制逻辑 I / O缓冲器 和 数据锁存 串行接口 1271 B1.0 CE# SCK SI 苏 WP# HOLD# ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 2 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/2.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 3 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 引脚说明 CE# 苏 WP# VSS 1 2 8 7 VDD HOLD# SCK SI CE# SO WP# VSS 1 8 VDD HOLD# SCK SI 2 7 顶视图 3 4 6 5 1271 08-soic S2A P1.0 3 Top View 6 4 5 1271 08-wson QA P2.0 8- 铅 SOIC 图1: P 中 ASSIGNMENTS 表1: P 中 DESCRIPTION 符号 SCK 引脚名称 串行时钟 函数 8-联系方式 WSON 为了提供了串行接口的时序. 命令，地址，或输入数据锁存时钟输入的上升沿， 而输出的数据移出在时钟的下降沿. 串行传送到设备的命令，地址或数据. 输入是锁存串行时钟的上升沿. 要传输数据串行移出器件. 数据被移出串行时钟的下降沿. 期间闪存AAI编程输出忙状态时重新配置为RY /由＃引脚. 参见“硬件End-of-Write检测”页的说明12上. 该装置是由一对CE#.启用CE#高向低过渡必须保持低 时间序列的任何命令. 写保护(WP#)引脚用于状态寄存器启用/禁用BPL位. 要暂时停止与SPI 闪存没有复位串行通信 设备. 提供电源电压：2.7-3.6V为SST25VF016B T1.0 1271 SI 苏 串行数据输入 串行数据输出 CE# WP# HOLD# VDD VSS 芯片启动 写保护 举行 电源 地面 ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 3 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/3.htm 使用空格搜索多个关键词 Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 4 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 存储器组织 该SST25VF016B Super闪存阵列orga- 在一样的 4 K字节可擦除扇区无法识别驱动器与32 K字节 覆盖块和64 K字节可擦除块覆盖. 选择设备，而数据则通过串行访问 数据输入(SI),串行数据输出（SO）和串行时钟 (SCK). 支持两种模式的SST25VF016B 0 (0,0)和模式 3 (1,1)的SPI 总线行动.之间的差异 两种模式，如图所示2,是SCK状态 信号时总线主人是在待机模式并没有 数据正在传输.该SCK信号是低模式0 和SCK信号是这两种模式的模式3.高， 串行在(SI)数据进行采样，在SCK上升沿 时钟信号和串行数据输出（SO）被驱动后 该SCK时钟信号的下降沿. 器件工作 访问的SST25VF016B通过SPI（连载 外设接口）总线兼容的 协议 离婚协议模板下载合伙人协议 下载渠道分销协议免费下载敬业协议下载授课协议下载 .该SPI 总线 包括四个控制线;芯片使能(CE#)是用来 CE# MODE 3 MODE 3 MODE 0SCK SI 苏 MODE 0 位7位6位5位4位3位2位1位0 MSB DON'T护理 位7位6位5位4位3位2位1位0 MSB 1271 SPIprot.0 高阻抗 图2: SPI P ROTOCOL ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 4 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/4.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 5 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 保持操作 在按住＃引脚用于暂停主管串行序列 与SPI 闪存方式无需重置时钟 ing序列.要启动按住＃模式，必须CE# 在低电平状态.该模式下按住＃时开始 SCK低电平状态恰逢下降沿 按住＃信号. HOLD模式ends时按住＃ 信号的上升沿恰逢SCK低电平状态. 如果下降沿按住＃信号不重合 与SCK低电平状态，然后按住该设备进入 下一个模式当SCK达到低电平状态. 同样，如果按住＃信号的上升沿不 配合SCK低电平状态，则设备 在退出保持模式当SCK未来达到活跃 低的状态.见图3存留条件的波形. 一旦设备进入保持模式，因此将在高 阻抗状态，而SI和SCK可以V IL or VIH. 如果CE#驱动状态保持在一个活跃的高，它重置 该器件的内部逻辑.只要按住＃信号 低，内存仍然在保持状态.要恢复 与设备通信，按住＃必须被驱动 积极高，CE#必须被驱动低电平有效.见图 23存留时间. SCK HOLD# 主动 举行 主动 举行 主动 1271 HoldCond.0 图3: H 老 CONDITION WAVEFORM 写保护 SST25VF016B提供软件写保护.该 写保护引脚(WP#)启用或禁用锁式 功能状态寄存器.块的保护bits (BP3, BP2, BP1, BP0,和BPL)在寄存器亲地位 随写保护的存储器阵列和状态 寄存器.见表4的块保护的描述. 写保护引脚(WP#) 写保护(WP#)引脚使锁式func- tion的BPL位（在状态寄存器 7).当WP# 驱动低，执行的Write-Status-Register (WRSR)指令是由价值的BPL 位（见表2).当WP#高，锁式func- 在tion位BPL被禁用. 表2: C ONDITIONS要执行 W天威 -S TATUS - REGISTER (WRSR) I NSTRUCTION WP# L L H BPL 1 0 X 指令执行WRSR 不允许 允许 允许 T2.0 1271 ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 5 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/5.htm 使用Firefox（火狐）浏览器提高10倍以上的搜索速度 Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 6 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 状态寄存器 软件状态寄存器状态是否提供 闪存阵列可用于任何读或写oper- 振动性，设备是否可写，而国 内存写保护.在内部擦除或 表3: S OFTWARE STATUS REGISTER 位 0 1 2 3 4 5 6 名称 忙 WEL BP0 BP1 BP2 BP3 AAI 功能 1 =内部写操作正在进行中 0 =没有内部写操作正在进行中 1 =装置是可写存储器 0 =设备未启用内存写入 说明目前的水平块写保护（见表4) 说明目前的水平块写保护（见表4) 说明目前的水平块写保护（见表4) 说明目前的水平块写保护（见表4) 编程状态自动地址递增 1 = AAI编程模式 0 =字节编程模式 1 = BP3, BP2, BP1, BP0是只读bits 0 = BP3, BP2, BP1, BP0读/写 在默认 上电 0 0 1 1 1 0 0 读/写 R R 读/写 读/写 读/写 读/写 R 程序运行后，状态寄存器可能只读到 确定一中的操作完成. 表3介绍了软件的每个位的功能 状态寄存器. 7 BPL 0 读/写 T3.0 1271 忙 Busy位确定是否有内部擦除 或正在进行的程序操作.为忙位“1” indi- 卡特设备正在忙于工作正在进行中.阿“0” 指示设备是为下一个有效运作做好准备. 写使能锁存 (WEL) 该Write-Enable-Latch位表示将相互地位 nal存储器的写使能锁存.如果Write-Enable-Latch 位设置为“1”,它表明该设备是可写.如果 位设置为“0”（复位），它表明该设备是不写 启用，不接受任何存储器写入（程序/ 擦除）命令.该Write-Enable-Latch位automati - 新增Cally重置在下列条件： • • • • 上电 写禁用(WRDI)指令完成 字节程序指令完成 自动地址递增(AAI)编程 完成或达到最高未受保护 内存地址 扇区擦除指令完成 块擦除指令完成 芯片擦除指令完成 Write-Status-Register指示 自动地址递增(AAI) 自动地址增量编程状态位亲 志愿组织的状态是否是编程装置AAI 模式或字节的程序模式.在开机时默认的气息 字节编程模式. • • • • ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 6 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/6.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 7 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 块保护(BP3,BP2, BP1, BP0) 块的保护(BP3, BP2, BP1, BP0) bits定义 大小的内存区域，如表4,定义为软 对任何内存保护器写入（程序或 删除）操作.该Write-Status-Register (WRSR) 指令用于程序BP3, BP2, BP1和BP0 bits只要WP#只要是高或Block-Protect-Lock (BPL)位0.芯片擦除只能执行，如果块 保护bits都是0.上电后，BP3, BP2, BP1 和BP0设置为1. 块保护锁断(BPL) WP#引脚驱动为低(V IL),使块与保护 锁定向下(BPL)位.当BPL设置为1,它可以防止任何 进一步改变了BPL, BP3, BP2, BP1,和BP0 bits. 当WP#拉高(V IH),的BPL位无 效果和它的值是“Don't照顾“.上电后，该BPL 位复位为0. 表4: S OFTWARE STATUS REGISTER B锁 PROTECTION SST25VF016B 1 Status 寄存器位 2 防护等级 无 上1/32 上1/16 上1/8 上1/4 上1/2 所有块 所有块 BP3 X X X X X X X X BP2 0 0 0 0 1 1 1 1 BP1 0 0 1 1 0 0 1 1 BP0 0 1 0 1 0 1 0 1 受保护的内存地址 16 Mbit 无 1F0000H-1FFFFFH 1E0000H-1FFFFFH 1C0000H-1FFFFFH 180000H-1FFFFFH 100000H-1FFFFFH 000000H-1FFFFFH 000000H-1FFFFFH T4.0 1271 1. X = Don't护理（储备）默认为“0 2.上电默认为BP2, BP1,和BP0注册是‘111'.（所有块保护） ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 7 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/7.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 8 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 说明 指令用于读，写（擦除和编程）， 并配置SST25VF016B.指令总线 周期8 bits每个命令（操作码），数据和 地址.在此之前执行任何字节程序，自动 地址增量(AAI)编程，扇区擦除， 块擦除，Write-Status-Register,或芯片擦除指令 系统蒸发散的写使能（WREN）指令必须exe- cuted第一.完整的指令列表中提供 表5.所有的指令都是同步掀起了前高后低 过渡期CE#.将接受输入的上升沿 表5: D EVICE O只好动手术 INSTRUCTIONS 指令 阅读 高速阅读 说明 读记忆体25 MHz 读记忆体50 MHz 操作码 循环 1 地址 循环（s）2 3 3 3 3 3 0 3 3 0 0 0 0 0 3 0 0 0 假的 数据 最大 循环（s）循环（s）频率 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 to ∞ 1 to ∞ 0 0 0 0 1 2到 ∞ 1 to ∞ 0 1 0 0 1 to ∞ 3到 ∞ 0 0 25 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz T5.0 1271 对SCK首先是最重要的一点. CE#必须 低电平输入的指令之前，必须 驱动后的指令的最后一个有点高了 移入（除了阅读，Read-ID,和读地位 寄存器说明）.任何低到高的变化对CE#, 前收到总线周期的指令的最后一位，将 终止正在执行的指令，并返回设备 待机模式.指令命令（操作码）， 地址和数据都是从最重要的输入 位(MSB)第一. 0000 0011b (03H) 0000 1011b (0BH) 0010 0000b (20H) 0101 0010b (52H) 1101 1000b (D8H) 0110 0000b (60H) or 1100 0111b (C7H) 0000 0010b (02H) 1010 1101b (ADH) 0000 0101b (05H) 0000 0001b (01H) 0000 0110b (06H) 0000 0100b (04H) 1001 0000b (90H) or 1010 1011b (ABH) 1001 1111b (9FH) 4 K字节扇区擦除 3 K字节的擦除4 存储阵列 32 K字节块擦除 4 块擦除32 K字节 记忆体阵列 64 K字节块擦除 5 块擦除64 K字节 记忆体阵列 芯片擦除 字节程序 AAI-Word-Program 6 RDSR 7 EWSR WRSR WREN WRDI RDID 8 JEDEC的识别码 EBSY DBSY 删除全部内存阵列 要计划一个数据字节 自动地址递增 编程 Read-Status-Register Write-Status-Register 写使能 写禁用 Read-ID JEDEC的ID阅读 Enable-Write-Status-Register 0101b 0000b (50H) 因此，为了使输出RY /由＃ 0111 0000b (70H) 在编程状态AAI 所以禁用输出RY /由＃1000 0000b (80H) 在编程状态AAI 一个总线周期为八时钟周期. 上述地址，每个密度最高位bits可以V IL or V IH. 4KByte扇区擦除地址：使用 MS -A12, 剩余的地址是don't的照顾，但是必须设置V要么 IL or V IH. 32KByte块擦除地址：使用 MS -A15, 剩余的地址是don't的照顾，但是必须设置V要么 IL or V IH. 64KByte块擦除地址：使用 MS -A16, 剩余的地址是don't的照顾，但是必须设置V要么 IL or V IH. 要继续到下一个顺序编程地址位置，输入8-bit命令，ADH,其次为字节的数据2 编程.数据字节0将被编入的起始地址[A 23 -A1]与A 0=0,数据字节1将被编入 初始地址[A 23 -A1]与A 0=1. 7.的Read-Status-Register是与正在进行的时钟周期，直至终止持续了低到高过渡CE#. 8.制造商的ID读与A 0=0,和设备ID是与读 0=1.所有其他地址bits是00H.厂家的ID和 设备ID输出流是连续的，直至被low-to-high过渡终止CE#. 1. 2. 3. 4. 5. 6. ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 8 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/8.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 9 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 阅读(25 MHz) 读取指令，03H,支持高达25 MHz阅读. 该设备输出的数据从指定的起始 地址位置.数据输出流是连续 通过所有地址，直到终止由低到高tran- sition上CE#.内部地址指针将automati - 新增Cally递增，直到最高的内存地址 达成协议.一旦达到最高的内存地址， 地址指针将自动递增到 开始（缠绕）的地址空间.一旦 从地址位置数据1FFFFFH已被读取， 下一个输出会从地址位置000000H. 读指令启动后，执行一个8-bit com- mand, 03H,其次地址bits [A 23-A0]. CE#必须 仍然在读周期中低电平有效.见 图4的阅读顺序. CE# MODE 3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 15 16 23 24 31 32 39 40 47 48 55 56 63 64 70 SCK MODE 0 SI MSB 苏 03 地址. MSB 高阻抗 地址. 地址. N DOUT MSB 1271 ReadSeq.0 N+1 DOUT N+2 DOUT N+3 DOUT N+4 DOUT 图4: R EAD SEQUENCE ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 9 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/9.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 10 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 High-Speed-Read (50 MHz) 该High-Speed-Read指令支援高达50 MHz 读是通过执行一个8-bit启动命令，0BH, fol- 钮，然后再解决bits [A 23-A0]并插入一个空字节. CE# 必须保持了高速持续时间有源低 读周期.参见图5的High-Speed-Read 序列. 经过虚拟周期，High-Speed-Read指令 tion产出数据从指定地址开始 位置.数据输出流是连续通过所有 地址，直到终止由低到高的跳变 CE#.内部地址指针会自动递增 ment，直至达到最高的内存地址.一旦 在达到最高的内存地址，地址 指针会自动递增至开始（结束 左右）的地址空间.一旦数据从地址 位置1FFFFFH被读取，输出将是下一个 从地址位置000000H. CE# 模式3 SCK 模式0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 15 16 23 24 31 32 39 40 47 48 55 56 63 64 71 72 80 SI MSB 苏 0B 地址. MSB 高阻抗 地址. 地址. X N DOUT MSB N+1 DOUT N+2 DOUT N+3 DOUT N+4 D OUT 1271 HSRdSeq.0 Note: X = Dummy Byte: 8 Clocks Input Dummy Cycle (V IL or V IH) 图5: H IGH -S PEED -R EAD SEQUENCE ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 10 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/10.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 11 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 字节程序 字节程序指令计划在bits 选择所需的数据字节.选定的字节必须 在擦除状态(FFH)是当一个程序启动 运作.一个字节程序指令应用到亲 tected内存区域会被忽略. 在此之前的任何写操作，写使能（WREN） 指令必须执行. CE#必须保持低电平 在这项字节程序指令的时间.的字节 程序指令启动后，执行一个8-bit com- mand, 02H,其次地址bits [A 23-A0].继 地址，数据输入从MSB（位7)以LSB （位0). CE#必须被驱动为高电平的指令之前 执行.用户可以在软件中轮询有点忙 状态寄存器或等待T BP 对于内部完成 自定时字节的程序操作.参见图6 字节程序序列. CE# MODE 3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 15 16 23 24 31 32 39 SCK MODE 0 SI MSB 02 地址. MSB 地址. 地址. DIN MSB LSB 苏 高阻抗 1271 ByteProg.0 图6: B YTE -P ROGRAM SEQUENCE ©2006 Silicon Storage Technology, Inc. S71271-02-000 1/06 11 数据手册包含IC型号 SST25VF016B-50-4C-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4I-S2AF SST25VF016B SST25VF016B-50-4C-QAF相关型号 M25P20 SST25VF010A SST25LF020A M25P64_07 M25PE80 NX25F011B M29W200BT M29F400BT_06 SST39WF800A SST39WF1601 Page 1 of 1SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册,SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet PD... 2011-10-20http://www.soiseek.cn/SST/SST25VF016B-50-4C-QAF/11.htm Soiseek in English IC型号大 SST - SST25VF016B-50-4C-QAF IC型号：SST25VF016B-50-4C-QAF IC描述：16兆位SPI串行闪存 IC厂商：Silicon Storage Technology, Inc 英文原版数据手册：SST25VF016B-50-4C-QAF Datasheet SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册Datasheet下载 下载SST25VF016B-50-4C-QAF数据手册 请使用Adobe Reader 10打开PDF PDF阅读器 点击下载 上一页 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 下一页 SST25VF016B-50-4C-QAF中文数据手册Datasheet - Silicon Storage Technology, Inc 第 12 页 16 Mbit SPI串行闪存 SST25VF016B 数据表 自动地址递增(AAI) Word的程序 该AAI程序指令允许多个字节的数据 进行编程，而无需重新发出下一个顺序 地址位置.此功能可以减小总方案 ming时多个字节或整个存储器阵列是 进行编程.一个AAI指向Word程序指令 受保护的内存区域会被忽略.选定 地址范围必须在擦除状态时(FFH) ini- tiating一A