null第一章 薄膜的形成 第二讲第一章 薄膜的形成 第二讲§1.3 成核理论 包括： 微滴理论——热力学方法
原子理论——统计物理学方法 null1924年,弗仑凯尔(Frenkel)提出成核理论原子模型
物理模型： nullnull 成核速率∝临界核密度×每个核的捕获范围×吸附
原子向临界核的总速度
※由统计理论，临界核密度:nullnull两种成核理论的对比：
微滴理论（毛细作用理论）—热力学—凝结论，适用于描述大的临界核，可用热力学参数.
原子理论—统计物理学—原子成核与生长模型，适用于描述小的临界核.null§1.4 凝结系数
凝结：吸附原子结合成对及其以后的过程.
凝结系数：nullnull
nullnull§1.5 薄膜的形成
薄膜的形成顺序：null①小岛阶段—成核和核长大
透射电镜观察：大小一致(2-3nm)的核突
然出现.平行基片平面的两维大于垂直方向
的第三维。
说明：核生长以吸附单体在基片
表
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面的扩散，
不是由于气相原子的直接接触。null②结合阶段
两个圆形核结合时间小于0.1s,并且结合后增大了高度，减少了在基片所占的总面积。而新出现的基片面积上会发生二次成核，复结合后的复合岛若有足够时间，可形成晶体形状，多为六角形。核结合时的传质机理是体扩散和表面扩散（以表面扩散为主）以便表面能降低。 核结合时的传质机理是体扩散和表面扩散（以表面扩散为主）以便表面能降低。在结合之初，为了降低表面能，新岛的面积减少，高度增加。根据基片、小岛的表面能和界面能，小岛将有一个最低
能量沟形，该形状具有一定的高经比。null③沟道阶段
圆形的岛在进一步结合处，才继续发生大的变形→岛被拉长，从而连接成网状结构的薄膜，在这种结构中遍布不规则的窄长沟道，其宽度约为5-20nm，沟道内发生三次成核，其结合效应是消除表面曲率区，以使生成的总表面能为最小。 ④连续薄膜
小岛结合，岛的取向会发生显著的变化，并有些再结晶的现象。沟道内二次或三次成核并结合，以及网状结构生长→连续薄膜null§1.6 薄膜的结构
组织结构
晶体结构—薄膜中微晶的晶型
1.6.1 组织结构
※无定形结构—无序结构，近程有序， 远程无序。
类无定形结构—极其微小的(<2nm)晶粒且无规则排列。高熔点金属薄膜、高熔点非金属化合物薄膜、碳硅锗的某些化合物薄膜，以及两不相容材料的共沉薄膜。
※多晶结构—无规取向的微晶组成，晶粒10-100nm
低熔点金属薄膜。null※纤维结构—晶粒有择优取向的薄膜。
单重纤维结构—各微晶只在一个方向择优取向。
双重纤维结构—各微晶在两个方向择优取向。
各种压电微晶薄膜。
纤维结构的出现可以在成核阶段，生长阶
段, 也可以在退火过程中。※※单晶结构—多在外延中形成。外延膜，各种半导
体外延膜。 在一定条件下，薄膜的组织结构可能发生变化，
如：从无序到多晶态。伴随着组织结构的转变，
薄膜的性能有显著变化。null1.6.2 晶体结构
大多数情况下，薄膜中微晶的晶体结构与块材的相同，只是晶粒取向和晶粒尺寸可能不同于块材。
晶格不匹配：薄膜材料的晶格常数与基片的不匹配。 薄膜中有较大的内应力和表面张力。
在界面处，晶格发生畸变，以便于与基片相配合。 af—薄膜原材料的晶格常数；
as—基片原材料的晶格常数。
当晶格常数相差百分比(af- as)/ af≈2%
→畸变区零点几nm.当晶格常数相差百分比(af- as)/ af≈4%
→畸变区几十nm.null 当晶格常数相差百分比(af- as)/af>>12%
→靠晶格畸变已经达不到匹配，只能靠
棱位错来调节。表面张力可使晶格常数发生变化。null1.6.3 表面结构
薄膜应保持尽可能小的表面积（→理想平面）
→使总能量最低。实际上，由于入射原子的无规性→薄膜表面有一定粗糙度。
入射原子冲击基片后，在其表面做扩散运动
→表面迁移，这在某种程度上，薄膜表面的谷或峰
削平，表面积减小，表面能降低。同时，低能晶
面（低指数面）有力发展，从而各晶面发展不一
→导致薄膜表面的粗糙度增大（高温常有）null实验表明：入射原子表面运动能力很小时
→薄膜表面积最大。
d↑(用吸附CO、H2可测出表面积)时，表面积随膜厚成线性增大，表示薄膜是多孔结构（有较大的内表面）。
在低真空下淀积薄膜， 往往会出现这种多孔大内表面的薄膜，因为剩余气压过高而使蒸气原子先在气相中凝结成膜中尘粒，聚集松散。 在基片温度较低的情况下，特别易于出现这种
结构，这是因为入射原子在基片上难以运动和重排。
∴低温低真空→薄膜多孔结构null§1.7 薄膜中的缺陷
薄膜初始阶段，很小的小岛是完美的单晶。
小岛长大→彼此接触→晶界、晶格缺陷→进入薄膜中
单晶薄膜缺陷：缺陷堆、孪晶界
多晶薄膜缺陷：晶界面积多1.7.1 位错
蒸发镀膜→位错缺陷。缺陷密度1014-1015/m2。
面心立方金属薄膜中位错，在这种薄膜的生长过程中，形成位错的机理有：null
①当两个小岛的晶格彼此略为相对转向时，这两个岛结合以后形成位错构成的次晶界。
②基片与薄膜的晶格参数不同，两岛间将有不匹配的位移。 ③成膜初期，薄膜中常有孔洞，膜内应力能在孔洞边缘→位错；
④在基片表面终止的位错能再向薄膜中延伸；
⑤当含缺陷堆的小岛结合时，在连续薄膜中必须有部分位错连接这些缺陷堆。用电镜→发现绝大多数位错是在沟道(网状)和孔洞阶段产生的。null1.7.2 小缺陷
小缺陷：在淀积薄膜中常观察到的位错环、堆缺陷、四面体和三角缺陷。位错环长10-30nm，环密度约1020/m2
蒸发薄膜中，可形成大量空位，因为：
①一个入射原子进入薄膜晶格时的等效温度比基片温度高得多；
②金属薄膜迅速凝结而成，淀积的原子层还未能与基片达到热平衡，即被新层所覆盖→许多空位陷入膜中。null用电镜可以观察膜中的点缺陷。
未溶解的位错环、空位聚集体、杂质原子聚集体，T↑→点缺陷的移动能力大→空位和间隙原子移到膜表面失T↓→点缺陷的移动能力小→点缺陷聚集而成的疵点。1.7.3 晶界
薄膜中的晶粒非常小（细小），所以晶界面积较大。晶粒尺寸依从于淀积条件和退火温度。
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