XPS

null XPS 表 关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf 面 分析 定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析 技术 在 材料 关于××同志的政审材料调查表环保先进个人材料国家普通话测试材料农民专业合作社注销四查四问剖析材料 研究中的应用 XPS 表面分析技术 在材料研究中的应用主要内容主要内容表面分析技术 XPS分析简介 XPS测试设备与分析 XPS的应用研究实例表面分析技术 表面分析技术 表面分析技术的应用涉及半导体、催化、冶金、腐蚀、涂层、粘合、聚合物、注入、渗杂等; 表面分析技术是研究物质表面的形貌、化学组成、原子结构、原子态等信息的实验技术; 表面分析技术通过研究微观粒子与表面的相互作用获得表面信息; 按所获得的信息分类，可分为组分分析、结构分析、形貌分析等。 表面分析的主要手段表面分析的主要手段XPS-X射线光电子能谱仪 UPS-紫外光电子能谱仪 AES-俄歇电子能谱仪 SIMS-二次离子质谱 EELS-电子能量损失谱 AFM-原子力显微镜 STM-扫描隧道显微镜 XPS分析简介 XPS分析简介1914年曼彻斯特的Rutherford表述了XPS基本方程： Ek=h-Eb-Φ 式中，Ek为光电子动能，h  为激发光能量，Eb是固体中电子结合能，Φ为逸出功。 2O世纪4O年代瑞典Uppsala大学在β-射线谱取得重大进展，K.Siegbahn建造了一台能测量电子动能的XPS仪器,其鉴别能力达1O-15。 1954年，动能Ek首次被准确地测量,从而得到结合能Eb 。不久因化学状态变化而产生的内能级位移也被观测到。即所谓的化学位移现象。基于XPS这种化学状态分析能力，K.Siegbahn取名为ESCA其全称为Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，即化学分析电子谱。 K.Siegbahn因为这些工作，获1981年物理学诺贝尔奖。 XPS测试设备与分析XPS测试设备与分析 XPS主要测试设备 美国PHi5000糸列，及Qutum2000糸列 英国VG公司ESCALAB2000糸列及Kratos公司的XSAN800糸列 曰本岛津ESCA-850糸列XPS测试设备与分析XPS测试设备与分析在单色（或准单色）X射线照射下，测量材料表面所发射的光电子能谱来获取表面化学成分、化学态、分子结构等方面的信息，这种表面分析技术称为X射线光电子能谱（XPS）。 XPS由X-ray激发源、样品室、能量分析器、PSD位置灵敏探测器和数据处理系统及超高真空系统等组成。XPS总图XPS总图null样 品 室样 品 室样品分析室的真空度要求样品分析室的真空度要求真空度:10-6Pa～10-7 Pa 研究固体的表面比研究固体内部还有更大的困难，原因之一是固体的表面和固体内部相比,它们在结构、电学和化学性质等方面很不相同。另一个原因是需要提供一个原子数量级的纯洁表面,并能在一定时间内保持这个表面的清洁性; X射线激发产生的光电子，只有在超高真空内，才能被能量分析器 检测 工程第三方检测合同工程防雷检测合同植筋拉拔检测方案传感器技术课后答案检测机构通用要求培训 到，XPS测试过程需要一个超高真空系统; 超高真空系统:由机械泵-涡轮分子泵-溅射离子泵-钛升华泵组成。能量分析器 能量分析器 能量分析器: 是谱仪的核心部分，用以精确测定电子结合能。 能量分析器:有半球或筒镜分析器。 位置灵敏探测器：一种高效探测器，可用于小面积XPS。 X-ray源X-ray源X-ray激发源: X射线光电子能谱的X射线源主要由灯丝、阳极靶以及滤窗组成。X射线采用软X射线，即波长较长的光波。一般采用镁铝双阳极靶。 X-ray激发源: X射线光电子能谱的X射线源主要由灯丝、阳极靶以及滤窗组成。X射线采用软X射线，即波长较长的光波。一般采用镁铝双阳极靶。 MgKαX射线能量1253.6eV A1KαX射线能量1486.6eV 激发源功率：200W～400WX-ray激发源结构图X-ray激发源结构图进 样 室进 样 室观 察 显 微 镜观 察 显 微 镜样 品 调 整 台样 品 调 整 台工 作 示 意 图工 作 示 意 图 E k=h-E b-Φ 式中E k为光电子动能，h 为激发光能量，E b是固体中电子结合能，Φ为逸出功 XPS提供的测量信息 XPS提供的测量信息 元素：XPS能检测除H以外的所有元素，检测限0.1% atom原子浓度。(原子浓度和实际材料配比的摩尔数相当,在我们日常的检测限:1%-3%) 化学状态：根据XPS测试的结合能大小、峰形、俄歇参数分析材料表面化学状态、化学位移、化学结构。 定量：根据元素的峰面积、峰高和相应的元素灵敏度因子，可测试材料表面的原子浓度。可分析材料中不同元素的原子浓度比。 深度：(1)用Ar+离子溅射材料表面作深度分析，但Ar+离子对材料表面有损伤，结合能的位置会有微小的改变，以及溅射产额的不同，引起表面的成份变化。(2)用角分辨深度分析，对表面无损伤。依据激发射线和样品表面的夹角来分析。缺点是分析深度变化在几十个纳米范围内。 XPS的分析取样深度 XPS的分析取样深度 固体中的原子吸收X射线后将导致其中的电子出射，这个现象又称之为光电离。出射的电子可能来自紧束缚的内能级，也可能来自弱成键价能级或分子轨道。只有部分光电离的电子能从表面逃逸后进入真空,称之为光电效应; XPS采用的软X射线虽能穿透材料几个微米，但由于光电效应，XPS的表面灵敏度同激发源X射线穿透深度无关; 取样深度: 金属0.5-2nm;无机材料1-3nm深度;有机材料3-10nm 。离 子 枪离 子 枪5KV离子枪5KV离子枪离子枪的主要用途： 用Ar+离子束清除样品表面的污染层; 对材料表面进行深度剖析。 离子枪的构成： 主要由Ar气源、泄漏阀、电离室（灯丝，高压栅极）、聚焦镜、物镜、偏转板等组成。 通过调整栅极电压、聚焦镜、物镜可改变Ar+离子束的剥离强度和束斑大小。 元素深度的分布(Cr,O,Si)I-sptter time元素深度的分布(Cr,O,Si)I-sptter time沿表面不同深度的化学状态(suface-30A-150A-300A)(oxide-metal)沿表面不同深度的化学状态(suface-30A-150A-300A)(oxide-metal)XPS图谱分析XPS图谱分析XPS图谱 曲线拟合分峰 确定峰位和强度 XPS图谱包含的信息XPS图谱包含的信息内能级 价能级 俄歇跃迁系列 Ag的XPS宽扫描图(3s,3p,3d ) Ag的XPS宽扫描图(3s,3p,3d ) Ag的3d5/2XPS窄扫描图Ag的3d5/2XPS窄扫描图*自旋轨道分裂参数 自旋轨道分裂参数 内能级:XPS分析的大部分信息由内能级谱提供,内能级结合能及其相对强度分别用作元素识别和原子相对浓度测定。图中各谱峰是银原子电子壳层结构的直接反映。除3S能级外，Ag2P的结合能已大于1254eV。由于自旋偶合作用结果，图中的非S轨道都是双峰。内能级符号为nlj，这里n为主量子数，l为轨道角动量量子数，j为总角量子数，j=（l+s），其中s为自旋角动量量子数（1/2）。因些当l>0时，必存在两个可能状态,见表，这两个状态的能量差反映了光发射后留下的未配对电子的自旋及轨道角动量矢量的“平行”和“反平”特点，这个能量差值可达数电子伏特。对于MgKα和A1KαX射线源，其光子能量对周期表中除H以外,任一原子至少可以激发一个内能级。其持征结合能数值可以用作明确的元素标识。 null价能级：价能级是指那些为低结合能电子（大 约0-15eV）所占据的能级，主要涉及那些非定域的或成键的轨道。 俄歇跃迁系列：俄歇跃迁系列是光发射所形成的内壳层空穴一种退激发机制的结果。曲线拟合分峰曲线拟合分峰XPS窄扫描谱图经曲线采用Gaussian,Gaussian-Lorentzian,Asymmetric等手段进行曲线拟合分峰, 我们主要采用Gaussian-Lorentzian,峰形有严重拖尾现象时用Asymmetric。用Gaussian-Lorentzian进行曲线拟合分峰 (O1S,Sb3d5/2,3d3/2,id Sb+3, Sb+5)用Gaussian-Lorentzian进行曲线拟合分峰 (O1S,Sb3d5/2,3d3/2,id Sb+3, Sb+5)null确定峰位 XPS窄扫描谱图经曲线拟合分峰,得结合能值,并用结合能坐标基准校正：以污染碳C1s284.8eV定标。或采用在样品上蒸镀金作为参照物来定标，即选定Au为Au4f7/2 84.0eV； 根据样品中各单质元素及化合物的XPS结合能的特征峰位、峰形,对照结合能标准 手册 华为质量管理手册 下载焊接手册下载团建手册下载团建手册下载ld手册下载 ,确定单质元素及化合物的表面化学状态、化学结构; 例如: SnO2薄膜的XPS窄扫描C1s及Sn3d5/2谱图,经曲线拟合分峰, C1s=285.2eV 、Sn3d5/2=487.6eV,由于荷电效应，实际测得污染碳C1s=285.2eV和标准的污染碳C1s284.8eV相差0.4eV，那么真实的Sn3d5/2特征峰的结合能Sn3d5/2=487.6eV-0.4eV=487.2eV 确定峰强度（即峰的面积或高度）:以谱线的背底为基准，峰面积和高度做为峰强度。 结合能坐标基准校正 结合能坐标基准校正 以污染碳C1s284.8eV定标。 采用在样品上蒸镀金作为参照物来定标，即选定Au为84.0eV 。 结合能坐标基准：主要是绝缘（或导电性不好）样品的荷电效应。X射线辐照期间从绝缘体表面发射电子，不可避免地将导致形成正的表面电位，因为来自样品体相或者样品托的电子不能补偿这种电子损失。这种正的荷电作用要降低光电子的出射动能（即表现为结合能增加）。这就是XPS分析绝缘样品时的荷电效应。 单色化X射线源，荷电问题将更加严重。 解决荷电效应的方法解决荷电效应的方法解决办法1：电子综合枪：用一个高电流、低能量电子源引进补偿电子流。价格贵,使用不多; 解决办法2：结合能坐标基准较好的办法是用内标法，即将谱中一个特定峰明确地指定一个准确的结合能Eb。一个常用的校正方法是令饱和碳氢化合物(或吸附碳, 污染碳)中C1s284.8eV结合能为基准定标。如 XPS谱图中污染碳C1s的测试值为C1s=285.8eV,而 污染碳C1s的标准值为C1s=284.8eV,相差悬1个电子伏特, XPS谱图中所有元素的结合能都要减去1个电子伏特; 解决办法3: 当样品中污染碳含量很少或样品中含有其他的碳材料时,结合能坐标基准可用外标法,在样品上蒸镀金作为参照物来定标，即选定Au为84.0eV 化学位移效应化学位移效应处于不同化学环境下的同一原子，其内能级谱中会出现分立的分峰。 氟是具有最大电负性的元素，它能诱导最大的化学位移。如：氟聚合物的C1s谱，见下图 氟起到初级取代和次级取代作用， 对于用氟简单取代一个氢，初级位移为2.9eV左右，次级位移为0.7eV左右。 -CH2 285eV,-CF 288.5eV,-CF2 291.6eV,-CF3 293.7eV, CF2 -CF =3.1eV ;CF3 -CF2 =2.1eV化学位移化学位移氟聚合物的C1s谱碳的宽扫描XPS图谱碳的宽扫描XPS图谱碳的化合物结合能位移图碳的化合物结合能位移图XPS定量分析原理 XPS定量分析原理 X射线光电子谱线强度反映样品中单质元素及化合物各构成元素的含量或浓度; 测量谱线强度，便可进行定量分析; 测量样品中单质元素及化合物各构成元素的绝对浓度相当困难，一般都是测量其相对含量，也就是测量样品中某种元素在其单质及该元素化合物中的相对原子浓度; 只要测得特征谱线强度(峰高、峰面积)，再利用相应元素及含该元素化合物的灵敏度因子，便可得到相对浓度。null 假定样品的表面层在100埃～200埃（1埃=10-10m）深度内是均匀的，则其强度I（每秒钟所检测的光电子数）由下式给出 I =nfσφγATλ n——原子数/cm3 f——X射线通量（光子/cm2 ·s） σ——光电离截面（cm2） φ——与X射线和出射光电子的夹角有关的因子 γ——光电子产率（光电子/光子） А——采样面积（cm2） Т——检测系数 λ——光电子的平均自由程（cm）null 如果已知式中nfσφγATλ，根据测定的I便可得到绝对原子浓度n。但按此式作理论计算十分困难，一般是测定某种单质元素与该元素在化合物中的相对比例。令S=nfσφγATλ，称其为元素及含该元素化合物的灵敏度因子，则被测样品中某种单质元素与化合物所含该元素的绝对原子浓度之比可按式（1）得： n1/n2= (I1 / S1) / ( I2/S2) 设待测元素或化合物的绝对原子浓度为nx，样品中单质元素及化合物所含该元素的绝度原子浓度为ni，样品中全部单质元素及化合物所含该元素的绝对原子浓度为Σni，则单质元素或其化合物中待测元素的相对原子浓度为： CX = nx / Σni = (IX / SX ) / (Σ II/SI ) i ——某种含待测的元素或化合物 x ——待测元素或化合物 CX——待测元素或化合物的相对原子浓度XPS应用分析研究实例XPS应用分析研究实例掺杂Pd的SnO2材料表面的XPS分析研究实例 TiO2亲水及光催化材料表面的XPS分析研究实例 木材表面改性的XPS分析研究实例 贵金属催化材料表面的XPS分析研究实例 碳材料表面的XPS分析研究实例 掺杂Pd的SnO2材料表面XPS分析研究实例: SnO2是一种半导体氧化物，这种材料据有很多优异的性能，讨论掺杂Pd的SnO2薄膜试样在热处理过程中结构信息。掺杂量控制Sn/ Pd原子比为100：1。掺杂Pd的SnO2材料表面XPS分析研究实例: SnO2是一种半导体氧化物，这种材料据有很多优异的性能，讨论掺杂Pd的SnO2薄膜试样在热处理过程中结构信息。掺杂量控制Sn/ Pd原子比为100：1。不同温度处理后Pd- SnO2薄膜中元素组成 null低温处理（RT和12OC°）的薄膜中，Pd与Sn的原子比为1：100。同初始加入的Pd的量完全符合。当处理温度高于250 C°时，Pd与Sn的原子比约为0.4：3O，略高于制样时的配比，是热处理过程中发生了表面偏析; 室温下干燥的薄膜，元素O与Sn的计量比远大于2，对应于非晶、或聚合物状态。随着处理温度的提高，O与Sn的原子比接近于2，说明经较高温度处理后Sn元素被完全氧化成SnO2; 窒温下干燥的薄膜，元素C和Cl的含量较高，显然提高温度有利于除去这两种杂质元素; 室温下干燥的薄膜中，Sn元素有两种化学状态：489.80eV和487.75eV分别标志为P1和P2两个特征峰，对应于聚合物状态-（Sn-O）n-和Sn的氧化物状态; 随着温度的升高，P1逐渐减弱，P2峰不断增强，当高于250C°时，只有P2峰，表明己形成稳定的SnO2结构。 1. 纯SnO2和Pd- SnO2薄膜，不同温度处理后，特征峰P2的结合能略有差别，低温处理的特征峰P2的结合能值略高，但经450 C°和600 C°处理后的没有差别，同氧化是否完全以及氧化锡结晶效应有关; 2.从室温-600 C°，其结合能差值约为0.2eV，表明掺Pd将SnO2半导体的Fermi能级降低了的0.2eV; 3.XPS分析Pd的状态表明: 450 C °以下, Pd主要以PdO, PdO2形式存在,450 C °以上Pd主要以PdO2形式存在; 4.结果表明：热处理温度不仅影响Pd- SnO2薄膜中Pd，Sn元素的化合物结构，也影响其电子结构。影响其性能。1. 纯SnO2和Pd- SnO2薄膜，不同温度处理后，特征峰P2的结合能略有差别，低温处理的特征峰P2的结合能值略高，但经450 C°和600 C°处理后的没有差别，同氧化是否完全以及氧化锡结晶效应有关; 2.从室温-600 C°，其结合能差值约为0.2eV，表明掺Pd将SnO2半导体的Fermi能级降低了的0.2eV; 3.XPS分析Pd的状态表明: 450 C °以下, Pd主要以PdO, PdO2形式存在,450 C °以上Pd主要以PdO2形式存在; 4.结果表明：热处理温度不仅影响Pd- SnO2薄膜中Pd，Sn元素的化合物结构，也影响其电子结构。影响其性能。不同温度下SnO2和Pd- SnO2膜特征峰Sn3d5/2的结合能 从室温-6O0 C°掺Pd 的SnO2薄膜Sn3d5/2 XPS特征峰及XRD谱图从室温-6O0 C°掺Pd 的SnO2薄膜Sn3d5/2 XPS特征峰及XRD谱图TiO2亲水及光催化材料表面的XPS分析研究实例TiO2亲水及光催化材料表面的XPS分析研究实例TiO2的光诱导超亲水性和光催化特性既有联系，又有差别。TiO2的光催化特性与TiO2的晶型有关，而TiO2超亲水性和TiO2的表面性质密切相关； 掺杂适量的Sn可改善TiO2的亲水性和光催化特性; 近年来针对TiO2薄膜光诱导超亲水性现象的研究仅限于TiO2、空气（O2）和水之间的作用; 实际上纳米TiO2薄膜表面是一个复合界面，研究超亲水现象和TiO2表面（固体）、活性官能团和水三者之间的关系, 特别是研究有关TiO2/SnO2复合薄膜光诱导超亲水性与表面化学活性基团的关系; 利用XPS研究溶胶-凝胶法制备的TiO2/SnO2复合薄膜的光诱导超亲水性机理。TiO2/SnO2复合薄膜的制备及性能测定TiO2/SnO2复合薄膜的制备及性能测定TiO2/SnO2复合溶胶采用二步水解法制备，即先分别制备TiO2和SnO2溶胶，然后将SnO2和TiO2溶胶按SnO2摩尔百分含量分别为0%、3%、10%、20%的比例掺杂混合，获不同配比的TiO2/SnO2复合溶胶。利用浸渍提拉法在载玻片表面镀膜，热处理温度450℃，保温60min。 TiO2/SnO2 薄膜的亲水特性用JC2000型接触角测量仪测定。在紫外光照下，纯TiO2薄膜的接触角为9.5°，SnO2含量为3%的复合膜接触角降为0°，SnO2含量为10%、20%的复合膜接触角依次升高。 薄膜的光催化特性用UV-VIS8500分光光度计测定甲基橙溶液中放置TiO2/SnO2复合薄膜载玻片,在紫外光照射下，甲基橙溶液在波长λ=464nm处的吸光度及浓度变化，来表征薄膜的光催化活性大小。掺入SnO2可提高TiO2光催化活性，10%的SnO2光催化活性最高，超过10%，其光催化活性下降。 TiO2/ SnO2复合薄膜表面成份及含量分析TiO2/ SnO2复合薄膜表面成份及含量分析XPS分析不同配比制备的TiO2/SnO2复合薄膜样品表面的化学组成、含量、结构变化; 复合薄膜的主要成分是C 、O、 Ti、Sn等元素，其中表面C元素的含量较高，来源于溶胶中有机前躯体中的C元素及吸附在薄膜表面上的空气中的杂质元素; 1.TiO2/SnO2复合薄膜经450℃热处理后，对于锐钛相的TiO2而言，理论上其O和Ti的原子浓度比nO/ nTi应接近或等于2， 但按表1的计算结果是O和Ti 的原子浓度比nO/ nTi远大于2，说明TiO2/SnO2薄膜表面有多余的氧; 2.表明薄膜表面存在大量的碳氧或氧化物官能团,从表知掺杂SnO2后, 使薄膜表面nO/ nTi增加后，又逐渐减少，说明薄膜表面的含氧量和掺杂有关1.TiO2/SnO2复合薄膜经450℃热处理后，对于锐钛相的TiO2而言，理论上其O和Ti的原子浓度比nO/ nTi应接近或等于2， 但按表1的计算结果是O和Ti 的原子浓度比nO/ nTi远大于2，说明TiO2/SnO2薄膜表面有多余的氧; 2.表明薄膜表面存在大量的碳氧或氧化物官能团,从表知掺杂SnO2后, 使薄膜表面nO/ nTi增加后，又逐渐减少，说明薄膜表面的含氧量和掺杂有关TiO2/ SnO2复合薄膜表面化学组成及相对含量 TiO2/ SnO2复合薄膜表面的C1s图谱分析TiO2/ SnO2复合薄膜表面的C1s图谱分析TiO2/ SnO2复合薄膜表面3#样品的XPS高分辨图谱 及C1s测试数据null由表可知不同配比制备的薄膜样品表面C1s谱峰产生了显著变化; 根据C1s谱峰的结合能位置, 知薄膜表面有4种状态的碳; 1. 结合能在284.8eV的谱峰，─C─C，或─C─H单键； 2. 结合能在286.5eV的谱峰, C─O单键； 3. 结合能在288.03eV的谱峰, C=O双键； 4. 结合能在288.70eV的谱峰, O─C=O三键。 1#纯TiO2样品表面碳的主要物种由─C─C、─C─H和少量的C─O、C=O组成, 表面具有亲水性 ； 掺杂SnO2后的2#、3#样品除主要含─C─C、─C─H和少量C─O物种外，还含有少量O─C=O物种，呈现超亲水性, 光催化性能也较好； 掺杂过量SnO2的4#样品主要是由─C─C，─C─H和少量的C─O物种组成， 亲水性和光催化性能下降。 薄膜表面大量存在的─C─C、─C─H、C─O来源于溶胶中有机前躯体中的C元素及吸附在薄膜表面上的空气中的杂质元素; C=O、O─C=O则是表面经氧化的产物。C=O 、 O─C=O的碳氧官能团和过氧化物表明薄膜氧化程度高, 出现O─C=O表明经深度氧化形成低分子化合物。掺杂SnO2后提高了薄膜表面的氧化程度, 而掺杂过量又使表面的氧化程度下降。TiO2/ SnO2复合薄膜表面及Ar+溅射300s后的Ti2p图谱分析TiO2/ SnO2复合薄膜表面及Ar+溅射300s后的Ti2p图谱分析溅射前，掺杂SnO2的Ti2p谱图与纯TiO2的Ti2p谱图相同，结合能458.4eV左右，Ti在表面价态为Ti+4。 Ar+溅射300s后，样品表面的Ti2p图谱和原始表面的Ti2p图谱相比产生了显著的变化，溅射后的Ti2p图谱可拟合出3个峰，有3种状态的钛.溅射前后薄膜表面的T2P图谱Ar+溅射300s后的Ti2p图谱分析Ar+溅射300s后的Ti2p图谱分析不同配比TiO2/SnO2复合薄膜样品溅射后的Ti2p图谱峰形和结合能位置产生了变化; 根据表中Ti的结合能大小，推断为Ti+2、Ti+3或Ti+4; 和纯TiO2相比，掺杂SnO2后，Ti+2和Ti+3含量减少，而Ti+4含量增加。且随SnO2掺杂量增加，薄膜中Ti+2、Ti+3和Ti+4含量也不同，其中Ti+3含量减少； 掺杂SnO2使Ti的三种价态的结合能峰间距(∆EB)有明显的化学位移， 使Ti+2、Ti+3或Ti+4的结合能峰间距(∆EB)增加后，又逐渐减少, 表明掺杂SnO2影响到了Ti的电子结构。 掺杂SnO2引起Ti的电子结构变化归因于Sn离子的存在改变了TiO2粒子表面的电荷, 并影响到薄膜表面的氧化状态。 溅射前TiO2/SnO2 复合薄膜表面Ti的价态为Ti+4，主要原因是经热处理后， 薄膜表面的Ti+2、或Ti+3被氧化为Ti+4。null复合薄膜表面Ar+溅射 300s后的Ti2p图谱及 Ti2p测试数据TiO2/ SnO2复合薄膜 表面的O1s图谱分析TiO2/ SnO2复合薄膜 表面的O1s图谱分析O1s峰由三个峰组成，529.5eV的峰来源于体相中的晶格氧（Ti─O─Ti）；531.0eV的峰对应于表面羟基氧(─OH)；532.5eV的峰对应于C─O键中的氧; 薄膜表面存在大量的碳氧或氧化物官能团，掺杂可改变表面羟基氧的含量, 但用O1s能级难以直接识别氧官能团,不能反映表面氧化的情况， 主要原因是O1s和C1s能级相比，O1s固有的峰宽在大多数情况下较前者要大得多，而结合能变化的动态范围却非常有限, 故O1s能级难以用来直接识别氧官能团TiO2/SnO2复合薄膜 3#样品的O1s图谱TiO2/ SnO2复合薄膜表面的O1s图谱分析TiO2/ SnO2复合薄膜表面的O1s图谱分析复合薄膜经光诱导产生的空穴可以夺取薄膜表面被吸附物质中的电子，产生羟基（·OH）和超氧离子（·O¯2），羟基和超氧离子具有强氧化性，能够将各种有机物直接氧化分解为小分子。 XPS分析不出·OH和· O¯2自由基在表面氧化的过程，但是可以检测到表面被氧化的结果，分析表面氧化的情况，来研究薄膜表面的亲水性和光催化性。TiO2/SnO2复合薄膜的O1s测试数据XPS分析结果讨论XPS分析结果讨论 TiO2纳米薄膜表面特殊的物理化学结构,有较高的比表面积，更多裸露的化学键形成悬空键，高的表面能，可以和空气中的游离基团在表面形成化学结合，即单层化学吸附。或形成多层物理吸附; TiO2薄膜表面实际上是一个复合表面，由低表面能的有机物和高表面能的金属氧化物组成，存在着不同于内部的表面官能团，它是薄膜表面晶体结构和化学组成的反映; 在紫外光的作用下，产生的空穴氧化能为（1.0-3.5eV），和薄膜表面较为稳定的物种的典型化学键如─C─H（4.3 eV）、─C─C（3.4 eV）、C─O（3.4 eV）、O─H (4.4 eV)等的键能处于同一能量水平。这一能量水平的接近，使得具有强氧化作用的空穴，通过能量直接传递使表面氧化, 导致薄膜表面某些碳氧基团的分解或链断裂，产生一些分子质量低的活性氧化物官能团; 通过氧化作用，使TiO2薄膜表面已成键的悬键被重新被打开，表面能增加，形成活性基团，这些活性官能团通过范德华力或氢键与水中的极性基团作用产生超亲水性。光照停止后，TiO2表面重新吸附周围环境中的有机物，使表面能降低而失去亲水性。 nullTiO2纳米薄膜表面特殊的物理化学结构,有较高的比表面积，其表面有更多裸露的化学键形成悬空键，具有高的表面能，可以和空气中的游离基团在表面形成化学结合，即单层化学吸附。也可吸附空气中的游离基团，在薄膜表面形成多层物理吸附; TiO2薄膜表面实际上是一个复合表面，由低表面能的有机物和高表面能的金属氧化物组成，存在着不同于内部的表面官能团，它是薄膜表面晶体结构和化学组成的反映; 薄膜在紫外光的作用下，产生的空穴氧化能为（1.0-3.5eV），和薄膜表面较为稳定的物种的典型化学键如─C─H（4.3 eV）、─C─C（3.4 eV）、C─O（3.4 eV）、O─H (4.4 eV)等的键能处于同一能量水平。这一能量水平的接近，使得具有强氧化作用的空穴，通过能量直接传递使表面氧化, 导致薄膜表面某些碳氧基团的分解或链断裂，产生一些分子质量低的活性氧化物官能团; 同时通过氧化作用，使TiO2薄膜表面已成键的悬键被重新被打开，表面能增加，形成活性基团，这些活性官能团通过范德华力或氢键与水中的极性基团作用产生超亲水性。光照停止后，TiO2表面重新吸附周围环境中的有机物，使表面能降低而失去亲水性。木材表面改性的XPS分析研究实例木材表面改性的XPS分析研究实例木材是一种天然的生物材料，也是一种特殊的高分子材料，其性质具有高度多样性和变异性; 在材料改性方法中，表面改性具有特殊意义，可以赋予材料表面以优异的性能,诸如：粘接性、润湿性、耐磨性、生物相容性等; 在木材表面处理的众多技术中，等离子体处理发展最快，并公认是最具有前景的方法之一; 微波等离子体（MWP）具有频率高，无电极污染，等离子体纯度高，密度大，富含大量活性粒子等优点。 利用微波等离子体中的活性粒子对木材表面进行短时间照射，打断木材表面某些基团的化学键，使木材表面得以活化，引发木材与甲基丙烯酸甲酯（MMA）单体发生接枝共聚反应，产生化学结合，达到表面改性提高木质材料性能的目的。 用X射线光电子能谱（XPS）对木材表面改性前后的化学结构特征进行分析。 木材表面的宽扫描图谱木材表面的宽扫描图谱样品的改性处理 1)木材样品a：未改性处理；(2) MWP处理木材的样品b：用MWP处理30s；(3) MWP处理后接枝甲基丙烯酸甲酯（MMA）样品c：用MWP预处理木材样品表面后，立刻放入MMA溶液中，在一定的温度下反应一定的时间，使木材表面与MMA发生接技共聚。取出样品，放入索氏抽提器中用丙酮抽提干净均聚物和单体，烘干后称重，质量增加8%。 样品的XPS分析 将上述3种样品用美国Quantum 2000型X射线光电子能谱仪进行分析。样品用单色化的Al k射线（1486.6eV）激发, X射线源功率为98.4W，本底真空优于1nPa，用污染碳C1s（284.8eV）作样品结合能荷电校正。木材表面成分及含量分析木材表面成分及含量分析木材主要由纤维素、半纤维素、木素和抽提物组成。木材主要元素组成为C、H、O; 由于MWP处理木材表面，作用的深度仅在100nm左右，XPS分析深度在10nm以内，可用XPS分析木材表面处理前后化学组成和结构的变化; 由图及表知木材表面主要元素组成为C, O以及少量Ca、Si、N元素。微波等离子体处理木材表面后, 木材表面主要化学成分没有变化，只是C含量减少，O含量增加;木材表面化学组成及相对含量 1.nO/ nC摩尔比增加, 说明木材经过微波等离子体处理后氧含量增加; 2.微波等离子体处理木材表面接枝MMA，表面主要元素组成为C, O，没有其他杂质元素,表面O含量接近氧含量占40%的MMA， nO/ nC摩尔比有所增加。 (C, O, Ca, Si, N) 木材表面化学组成及相对含量 1.nO/ nC摩尔比增加, 说明木材经过微波等离子体处理后氧含量增加; 2.微波等离子体处理木材表面接枝MMA，表面主要元素组成为C, O，没有其他杂质元素,表面O含量接近氧含量占40%的MMA， nO/ nC摩尔比有所增加。 (C, O, Ca, Si, N) 木材表面的C1s图谱木材表面的C1s图谱电子结合能与所结合的原子或原子团有关，木质材料用C元素的C1s峰的结合能和化学位移来分析其周围的化学环境，以得到木材表面化学结构的信息; C1s谱通过曲线拟合分峰，可以拟合出4个峰，说明有4种状态的碳。结合能测试数据见表，对应的官能团为─C─C，与─C─H（=284.81eV），C─O单键（=286.46eV），C=O双键（288.07eV），O─C=O (289.25eV)三键。 木材表面的C1s分析木材表面的C1s分析 根据Dorris和Gray将木材中的碳原子划分为4种结合形式。即Cl、C2、C3、C4。 C1─-C─H，与─C─C，其电子结合能较低，约为285eV。在木材中主要为木质素苯基丙烷和脂肪酸，脂肪和蜡等碳氢化合物。 C2─碳原子与1个非羰基类的氧原子连接，即─C─OH，能谱峰位为286.5ev，主要为醇，醚等。木材中纤维素和半纤维素分子中均有大量的碳原子与羟基（OH）相连，羟基具有极性，电负性大，故电子结合能相应增大。 C3─ 碳原子与2个非羰基类的氧原子连接，或与一个羰基类氧原子连接，即HO─C─OH或C=O，能谱峰位为288~288.5 eV，主要为醛、酮、缩醛等。在木材中系羰基和氧化后的特征。由于C在HO─C─OH和C=O结构中氧化态较高，故表现出较高的电子结合能。 C4─碳原子与一个羰基类氧原子及一个非羰基类氧原子连接，如HO─C=O，这种结合碳的氧化态更高，能谱峰位为289~289.5 eV，为酯基、羧基等。是木材中含有或产生的有机酸等物质。 上述4种碳结合方式中，前3种是主要结合方式。通过分析碳峰结合能的位置和强度可知碳原子的结合方式及相对含量的变化，从而可了解木材表面的化学结构的变化。木材表面的C1s分析木材表面的C1s分析样品a的4个峰知道按其结合能的位置分别归属于Cl、C2、C3和C4,相对峰面积得Cl 51.44%、C2 38.63%、C3 8.27%、C4 1.69%。样品a主要由Cl组成，其次是C2、C3、和C4。 样品b经MWP处理,使木材表面C1s谱产生了显著变化，即C1含量降低，而C2、C3、C4含量增加，微波等离子体和木材的作用深度较浅,它们之间的能量传递,应属于直接能量传递,通过能量传递使木材表面氧化,导致木材表面某些基团分解或链断裂,产生一些相对分子质量低的氧化物官能团, C2、C3、C4含量增加表明木材表面经MWP处理产生了大量的含氧官能团和过氧化物。木材表面的C1s分析 经MWP处理再与MMA接枝共聚样品c的XPS谱，可看出C1s谱和样品a及样品b的C1s谱有所不同, C1s峰主要由3个峰组成，三个峰的结合能从低到高分别为284.89、286.52、288.77eV，前2个峰的结合能和化学位移较好地对应于─C─C、与─C─H （=284.81eV）,C─O （=286.46eV），而第3个峰依据结合能和化学位移大小和甲基丙烯酸甲酯单体的第3个碳的官能团相近。C1s的3个谱峰可表征MMA。同时说明经MWP处理，产生大量的活性相对低分子质量官能团。这些活性官能团和MMA发生接枝共聚反应，在木材表面形成MMA聚合物薄层。 木材表面的C1s分析 经MWP处理再与MMA接枝共聚样品c的XPS谱，可看出C1s谱和样品a及样品b的C1s谱有所不同, C1s峰主要由3个峰组成，三个峰的结合能从低到高分别为284.89、286.52、288.77eV，前2个峰的结合能和化学位移较好地对应于─C─C、与─C─H （=284.81eV）,C─O （=286.46eV），而第3个峰依据结合能和化学位移大小和甲基丙烯酸甲酯单体的第3个碳的官能团相近。C1s的3个谱峰可表征MMA。同时说明经MWP处理，产生大量的活性相对低分子质量官能团。这些活性官能团和MMA发生接枝共聚反应，在木材表面形成MMA聚合物薄层。 木材表面的Ols图谱分析木材表面的Ols图谱分析Ols谱由双重峰组成，分别表示氧和碳的联结方式。有较高结合能的C─O表示氧通过单键与碳相联结，用Ol表示。低结合能的C=O表示氧通过双键与碳相联结，用O2表示， 样品a中O2的含量少而O1的含量多，相对面积的比值AO2/AO1为0.12，说明未改性处理木材表面的氧和碳的联接方式主要为单键，而通过双键与碳相连的氧较少；木材表面的Ols分析木材表面的Ols分析样品b中O2的含量有所增加而O1含量有所降低，AO2/AO1的比值0.23，比未改性处理木材样品增大了近一倍，通过双键与碳相连的氧增加, 即C=O基团增加; 说明木材表面经MWP处理后碳的氧化态增高，这和样品b的C1s谱表现出来的C2、C3、C4增加一致; 表明Ols谱峰所表现出来的变化趋势与C1s谱峰相符。 木材表面O1s分析 样品c的O2的含量增加最大，AO2/AO1比接近1，且双峰面积比和化学位移和文献中丙烯酸甲酯官能团的高分辨O1s谱及数据相近。表明样品c表面有大量的丙烯酸官能团，说明木材表面接枝了MMA。 木材表面O1s分析 样品c的O2的含量增加最大，AO2/AO1比接近1，且双峰面积比和化学位移和文献中丙烯酸甲酯官能团的高分辨O1s谱及数据相近。表明样品c表面有大量的丙烯酸官能团，说明木材表面接枝了MMA。 结论结论XPS分析结果表明，木材经MWP处理后，表面的nO/nC 摩尔比增加以及C1s谱和O1s的显著变化，表明通过能量传递使木材表面氧化,导致木材表面纤维素分子的某些基团分解或链断裂,产生大量活性的相对分子质量低的氧化物官能团或过氧化物，这些活性官能团和甲基丙烯酸甲酯单体发生接枝共聚反应，在木材表面接枝上甲基丙烯酸甲酯分子。 通过ESR分析表明木材经微波等离子体处理后，表面产生大量的自由基。和XPS测试的O/C原子浓度比增加产生活性基团结果较为一致。也说明微波诱导产生的自由基和表面的氧化程度有关。 贵金属催化材料表面的XPS分析研究实例 问题提出：用多靶溅射沉积的方法，在碳纤维布上沉积PtRu、PtTi、PtPd等贵金属薄膜，作为催化网。XRD分析表明：PtRu薄膜主要物相Pt、Ru,d值有位移。贵金属催化材料表面的XPS分析研究实例 问题提出：用多靶溅射沉积的方法，在碳纤维布上沉积PtRu、PtTi、PtPd等贵金属薄膜，作为催化网。XRD分析表明：PtRu薄膜主要物相Pt、Ru,d值有位移。对PtRu薄膜试样的Pt4f5/2～4f7/2及Ru3d3/2～3d5/2范围内的扫描，发现在能谱曲线之间存在着一个PtRu的固溶体谱峰; 原子浓度C X=nx/Σni=（IX/SX）/（ΣIi/Si）; 计算PtRu固溶体占样品Pt及Ru总量的单位原子浓度CPtRu; 样品中Pt及Ru各自的原子浓度CPt4f及CRu3d ; PtRu固溶体中的Pt及Ru单位原子浓度占样品中Pt及Ru单位总原子浓度比：C'PtRu（Pt）= CPtRu×C Pt4f C'PtRu（Ru）= CPtRu×C Ru3d C‘PtRu（Pt）:固溶体中Pt占膜层中全部Pt单位原子浓度; C'PtRu（Ru）:固溶体中Ru占膜层中全部Ru单位原子浓度。 PtRu薄膜试样的XPS谱 Ru3d3/2～3d5/2的XPS高分辨图谱PtRu薄膜试样的XPS谱 Ru3d3/2～3d5/2的XPS高分辨图谱薄膜试样的光电子能谱曲线 Pt4f5/2～4f7/2的高分辨图谱 薄膜试样的光电子能谱曲线 Pt4f5/2～4f7/2的高分辨图谱 PtRu固溶体中的Pt及Ru单位原子浓度转换为单位质量浓度的百分比 PtRu固溶体中的Pt及Ru单位原子浓度转换为单位质量浓度的百分比 从结合能图谱分析及计算结果来看，在Pt4f5/2～4f7/2及Ru3d3/2～3d5/2能谱曲线之间存在着PtRu固溶体的能谱峰; 试样A形成质量百分比为PtRu50(原子浓度比为Pt:Ru=1:1.15)的合金; 当工作值在试样A的基础上增加到试样B的过程中，该PtRu固溶体中Pt占膜层中全部Pt的原子浓度比率由22.18%降至6.16%，而该固溶体中Ru占膜层中全部Ru的原子浓度比率由25.52%增加至42.17%; 表明随工作值的增加，使该PtRu固溶体中的Pt和Ru的原子浓度比由1:1.15转变为以Ru为主的PtRu固溶体 。碳材料表面的XPS分析研究实例碳材料表面的XPS分析研究实例俄歇电子能谱（AES）中，CKLL俄歇谱可以用作表面碳的形式的指纹鉴别。然而进行AES分析时，电子辐射经常会损坏样品表面; XPS对样品没有损坏，可给出光电子谱和俄歇电子谱XAES的信息，CKLL XAES谱非常适用于鉴别不同种类的碳的同素异形体; 可用XPS和XAES谱来研究碳的同素异形体，如石墨、金刚石、类金刚石碳膜DLC; 金刚石谱峰（D）的a、b、C三峰值的位置与DLC膜谱峰(A)非常接近，而与石墨谱峰(G)相比显然有很大差异，DLC膜的XAES谱与金刚石谱相近，说明DLC膜具有金刚石特征，金刚石具有SP3结构。石墨具有SP2结构; DLC膜由SP3和SP2杂化构成,由XPS谱可估算SP3和SP2的比值。金刚石、类金刚石、石墨的CKLL一次微分谱金刚石、类金刚石、石墨的CKLL一次微分谱