表面表面表面表面((((投射投射投射投射))))式电容屏式电容屏式电容屏式电容屏探究探究探究探究ouzhisouzhisouzhisouzhis
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表面电容触摸屏
Image of changes
in electrostatic lield
coused by finger
* 从四个角感应
* 在表层建立静电区域
* 手指吸收面板电荷
投射式电容屏制作工艺
投射式电容屏制作工艺
投射式电容屏制作工艺
投射式电容屏制作工艺
一、结构与材料
分析
定性数据统计分析pdf销售业绩分析模板建筑结构震害分析销售进度分析表京东商城竞争战略分析
表层玻璃(1)
光学透明胶(2)
双面ITO玻璃(3)
光学透明胶(4)
(1)表层玻璃与双面 ITO玻璃均为强化玻璃,其中表层为非导电
类的玻璃。
(2)表层玻璃与双面 ITO玻璃之间的光学透明胶即为我们通常所说
的 OCA胶。
二、内部各层具体的构造
1、表层玻璃
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2
SiO2(1)
强化玻璃(2)
SiO2(3)
黑色遮蔽层(4)
各膜层规格与作用:
(1)外层 SiO2的作用主要是增加玻璃表面的耐刮性。
(2)第三层 SiO2的作用主要增加GLASS与黑色遮蔽层的附着
性。
(3)第四层黑色遮蔽层的作用纯粹是起遮蔽底层线路用的。
2、双面 ITO玻璃
内层SiO2
强化玻璃
内层SiO2
ITO层
外层SiO2
ITO层
MO层
AL层
MO层
外层SiO2
正面感应层
背面驱动层
各膜层规格与作用:
(1)最内层 SiO2,膜厚约有 150A。主要是起增加 GLASS与
ITO膜的附着力和平整性。
(2)最外层 SiO2,膜厚约有 1000A。主要是用于表面钝化,
起保护作用。
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(3)正反面 ITO 层膜厚约有 150A,用于屏的可视区 ITO
patern图案的走线,作电极用。
(4) 背 面 驱 动 层 中 MO/AL/MO 三 层 膜 厚 约 为
3500A(500A/2500A/500A),用于屏的外围非可视区的走
线。
(5)图中结构黄色部分为制作所需的原材料,其它膜层均为
后制程加工而成的。
三、工艺流程
1、表层玻璃
SiO2(1)
强化玻璃(2)
SiO2(3)
黑色遮蔽层(4)
注:黄色部分为原材料。
工艺流程如下:
AAAA:表层玻璃开料——清洗——丝印黑色遮蔽层——CNC雕刻
外形。
2、双面 ITO玻璃
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4
内层SiO2
强化玻璃
内层SiO2
ITO层
外层SiO2
ITO层
MO层
AL层
MO层
外层SiO2
正面感应层
背面驱动层
注:黄色部分为原材料。
工艺流程如下:
BBBB:双面 ITO玻璃开料——清洗——涂光刻胶——前烘——双面光刻
曝光——显影——坚膜——蚀刻——脱膜——清洗。
上述工艺流程主要是制作双面 ITO层的 ITO patern图案,经过上述工
序后,双面 ITO图案则变成如图所示:
(正面感应层ITO图案) (背面驱动层ITO图案)
CCCC:B——背面驱动层镀MO/AL/MO膜层——清洗——涂光刻胶
——前烘——光刻曝光——显影——坚膜——蚀刻——脱膜
——清洗。
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上述工艺流程主要是制作背面驱动层的外围走线,经过上述工序
后,背面驱动层将变成如图所示:
(黄色部分就是由MO/AL/MO膜层构成的外围走线)
(驱动层ITO图案)
DDDD:C——正面两面镀 SiO2——清洗。
正面两面镀 SiO2膜层主要是以两面的走线起保护作用。
EEEE:D——涂光刻胶——前烘——双面光刻曝光——显影——坚膜
——蚀刻——脱膜——清洗。
上述工序主要是把 FPC压合位置光刻出来。
FFFF:E——裁切下料——小片清洗——正反贴光学透明胶(蔽开压合
处)。
HHHH:F——正反两面 FPC压合。
GGGG:A+H组合——测试——覆膜——包装——出货。
四、投射式电容屏开发存在的几大难点:8
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1、芯片技术:目前主流的是 CYPRESS 方案单面棱形结构的
PATTERN电极。
2、触控面板技术:需要进行多次镀膜、光刻和蚀刻,工艺相当
复杂,且良率难以提高,还有许多工艺细节需要去攻关和优
化。&W%M* c2 z& Q5W$ j% @9 J
3、开发周期:同种芯片,不同的触控电极
设计
领导形象设计圆作业设计ao工艺污水处理厂设计附属工程施工组织设计清扫机器人结构设计
都会影响到最终
的触控效果,灵敏度、准确率、抗干扰等。因此需要进行不
断的优化和选材,如 ITO方块电阻的选择,线宽线距设计,
回路电阻的控制等,开发周期相当的长。, e$ d" f: l2 h7 I$ @
4、开发成本高:由于需要进行反复的调试来进行最佳参数的选
取,这个过程不仅长,而且成本会非常之高,常规的设计,
光罩就得三块,按 1.5 万每张计算,如设计上稍有更改就得
重新设计光罩。光刻胶、显影液、清洗液、玻璃基材、SPUTTER
都非常之贵,动力成本也相当高。
5、人才难寻:投射式电容屏涉及到芯片技术和触控面板技术,
懂芯片不懂触控面板流程,设计时不能客观地考虑到制程上
的影响,全理论的设计是行不通的。懂流程的则不懂芯片技
术,预估不到制程上的变异会给驱动带来怎样的影响,潜在
的失效会造成性能不稳,而又无法理解其发生所在。所以需
要建立一个完整的团队,芯片技术的、面板前制程技术的、
后制程贴合的各工段相关的技术团队才能加快整个开发进
度,缺一不可,除非是全才了。
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、目前 TP厂的开发合作方向
1、由芯片提供商,提供技术支持,包括图纸设计方面的咨询和
测试工作。
2、触控面板需外厂进行代工,目前国内成熟的有南玻、豪威和
莱宝三家小次代 CF厂,前制程技术和CF半透制程技术相似 ,
难度不大,但工艺上有不少难点需要克服。
3、由于后制程难度并不大,TP 厂自身就可以完成。#%优点:
投资成本小,不需另投入设备,只需出资研发费用即可;投
资风险小,企业不需巨额负债,没有设备折旧和银行利息的
压力。# D" d
缺点:研发周期会较长;关键技术容易泄密;产品成本相对
较高。
表面电容触摸屏-原理
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Revisions
REV. Description Date Approval
* 四个电极,连接到四个角,因此叫做4线触摸屏
* PSoC感应方式,使用开关电容技术
* 需要PSoC带预充电的开关电容和模拟总线,可以由CY8C21 x 34 或CY8C24 x 94实现
* 方法基于CSD感应方式
Vdd
SwSwSwSw1111
Cx
Sw.cap
Ph1
Ph2
PRS IMO VC1
VC
4
R1
R2
Vdd
Va
Reference
source
CMP La
Sigma-delta modulator
Sind filter Deosion
logic
Modulat or
bitstream filter Firmware
Clocks
Sw2
Sw2
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Revisions
REV. Description Date Approval
CapSene原理
* Cp 一寄生电容
* 当有手指存在时Cp增加
* PSoC 可以探测到电容的变化,
从而可以确定有无手指存在
* 利用CSA(CapSense Successive
Approximation)或CSD(CapSense
Slgma Delta)技术
Finger
Cp Cp
R
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"电荷转移"技术原理
CMOS
驱动器
X
电极
Y
电极
上面的面板
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线性化电场
* ITO 沉积层产生枕形失真
* 复杂的6维数学模型
* 通过四周金属对失真进行修正
Revisions
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Revisions
REV. Description Date Approval
电容极板和电场发散
* 在电容极板之间产生静电场
* 在极方向决定静电场的成形
* 边缘效应导致电场发散
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感应电容触摸屏-结构
Plastic coverage
Adhesive
ITO glass or PET
Adhesive
LCD
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Revisions
REV. Description Date Approval
表面电容触摸屏-结构
1
2
3
4
1
3
4
1.-ITO层
2.-绝缘层(玻璃,PET)
3.-线性电场和连接电极
4.-绝缘保护层
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Revisions
REV. Description Date Approval
电容式触控面板结构
Components and process
Product Hard Coat Layer
Electrode Pattern
Conductive Coating
Glass
Conductive Coating
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Revisions
REV. Description Date Approval
感应电容触摸屏的 X Y矩阵
*通常是双层结构
*一层为行阵
*一层为列阵
*另一种结构
*ITO涂层覆盖在基层上下两面
*可采用多种感应方式
*逐行/列扫描
*计算手指的中心位置
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Revisions
REV. Description Date Approval
感应电容(projected capacitance)触摸屏
*适合的应用
*能透过较厚的覆盖层进行感应
*无需校准
*多个触摸探测
*在感应表面之上形成静电场
*需要模块化ITO层
*一层或两层方案
*产生多种感应模块
*感应模块必须足够小(6-10mm)
*满足解析度要求
*由手指大小决定
电容式触摸屏在短时间内还不可能取代电阻屏,况且电阻屏也正在朝
着多点触摸的路子在走了!但是电容式触摸屏一定是一个很好的输入
渠道,随着各项成本的降低一定又会火一把!