YA2032场管
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N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.2A
E-mail: winchip@126.com winjing@tom.com
YA2032
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
FEATURE
※20V/3.2A, RDS(ON) = 29m 欧 @VGS ...
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N Channel Enhancement Mode MOSFET 3.2A
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YA2032
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
FEATURE
※20V/3.2A, RDS(ON) = 29m 欧 @VGS = 4.5V
※20V/2.5A, RDS(ON) = 36m 欧 @VGS = 2.5V
※ 栅極開启電壓 (ID =250uA,VGS= VDS) VGS=0.5V
＃ Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
＃ Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
极限参数
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超小封装
SOT23 package design
YA2042 場效應晶體管
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
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YA2042 場效應晶體管
TYPICAL CHARACTERICTICS (25℃ Unless noted)
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