1
.
9
0
.
9
5
0
.
9
5
2
.
9
0
.
4
1.3
2.4
1
.
0
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
S9012LT1 TRANSISTOR（ PNP ）
FEATURES
Power dissipation
PCM : 0.3 W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM : -0.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : -40 V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless
otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA， IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Ic= -1mA， IB=0 -25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-100μA， IC=0 -5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=-40 V , IE=0 -0.1 μA
Collector cut-off current ICEO VCE=-20V , IB=0 -0.1 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= -5V , IC=0 -0.1 μA
hFE(1) VCE=-1V, IC= -50mA 120 350
DC current gain
hFE(2) VCE=-1V, IC=-500mA 40
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-500 mA, IB= -50mA -0.6 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-500 mA, IB= -50mA -1.2 V
Transition frequency fT
VCE=-6V, IC= -20mA
f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank L H
Range 120-200 200-350
DEVICE MARKING: S9012LT1=2T1
Unit : mm
SOT—23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
SOT-23 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
Symbol
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
θ
Min
0.900
0.000
0.900
0.300
0.080
2.800
1.200
2.250
1.800
0.300
0°
Max
1.100
0.100
1.000
0.500
0.150
3.000
1.400
2.550
2.000
0.500
8°
Min
0.035
0.000
0.035
0.012
0.003
0.110
0.047
0.089
0.071
0.012
0°
Max
0.043
0.004
0.039
0.020
0.006
0.118
0.055
0.100
0.079
0.020
8°
Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches
0.037TPY
0.022REF
0.950TPY
0.550REF
D
E1
A1 A2 A
E
L1
L
b
e1
C
0.2
e
θ
本文档为【S9012LT1】，请使用软件OFFICE或WPS软件打开。作品中的文字与图均可以修改和编辑，
图片更改请在作品中右键图片并更换，文字修改请直接点击文字进行修改，也可以新增和删除文档中的内容。
该文档来自用户分享，如有侵权行为请发邮件ishare@vip.sina.com联系网站客服，我们会及时删除。
[版权声明] 本站所有资料为用户分享产生，若发现您的权利被侵害，请联系客服邮件isharekefu@iask.cn，我们尽快处理。
本作品所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用。
网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽..)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
浙公网安备 33021202002483