JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
S9012 TRANSISTOR（PNP）
FEATURE
Power dissipation
PCM : 0.625 W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM: -0.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : -40 V
Operating and storage junction temperature range
Tj, Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA ， IE=0 -40 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0 -25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA， IC=0 -5 V
Collector cut-off current ICBO VCB=- 40V , IE=0 -0.1 μA
Collector cut-off current ICBO VCB=-20V , IE=0 -0.1 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB=- 5V, IC=0 -0.1 μA
hFE(1) VCE=-1V, IC=-50mA 64 300
DC current gain
hFE(2) VCE=-1V, IC= -500mA 40
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= -500 mA, IB= -50mA -0.6 V
Base-emitter voltage VBE(sat) IC= -500 mA, IB=- 50mA -1.2 V
Transition frequency f T
VCE=-6V,IC=-20mA,
f=30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank D E F G H I
Range 64-91 78-112 96-135 112-166 144-202 190-300
1 2 3
TO—92
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
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