JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
KTA1270 TRANSISTOR（ PNP ）
FEATURES
Power dissipation
PCM : 0.625 W（Tamb=25℃）
Collector current
ICM : -0.5A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : -35 V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= -100μA ， IE=0 -35 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1mA , IB=0 -30 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -100μA， IC=0 -5 V
Collector cut-off current ICBO VCB= -35 V , IE=0 -0.1 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= -5 V , IC=0 -0.1 μA
DC current gain hFE VCE=-1 V, IC= -100mA 70 240
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= -100mA, IB= -10 mA -0.25 V
Base-emitter voltage VBE(on) VCE= -1V, IC= -100mA -1 V
Transition frequency f T
VCE=-6 V, IC= -20mA
F =100MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF hFE
Rank O Y
Range 70-140 120-240
1 2 3
TO—92
1.EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
D
b
E
A
A1
C
L
D1
e
e1
TO-92 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
Symbol
A
A1
b
c
D
D1
E
e
e1
L
Ö
Min
3.300
1.100
0.380
0.360
4.400
3.430
4.300
2.440
14.100
0.000
Max
3.700
1.400
0.550
0.510
4.700
4.700
2.640
14.500
1.600
0.380
Min
0.130
0.043
0.015
0.014
0.173
0.135
0.169
0.096
0.555
0.000
Max
0.146
0.055
0.022
0.020
0.185
0.185
0.104
0.571
0.063
0.015
Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches
0.050TYP1.270TYP
φ
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