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IGBT
模块工作原理以及??方法模块工作原理以及??方法模块工作原理以及??方法模块工作原理以及??方法
IGBTIGBTIGBTIGBT模块?介模块?介模块?介模块?介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(???双极型晶体管)的??,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极?MOSFET,输出极?PNP晶体管,它融和了?两种器件的优点,既具有MOSFET器件?动功率小和??速度快的优点,又具有双极型器件?和?降低而容量大的优点,其?率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz?率范??,在?代电力电子技?中得到了越?越广泛的?用,在?高?率的大、中功率?用中占据了主?地位。 IGBT的等效电路如?1所示。由?1可知,若在IGBT的?极G和发射极E之间加上?动正电?,?MOSFET?通,?样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻??而使得晶体管?通;若IGBT的?极和发射极之间电??0V,?MOS 截止,切?PNP晶体管基极电流的供?,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电?控制型器件,在它的?极G—发射极E间施加十几V的直流电?,只有在uA?的漏电流流?,基本上不消耗功率。
?1 IGBT的等效电路 2 IGBT2 IGBT2 IGBT2 IGBT模块的??模块的??模块的??模块的?? IGBT模块的电??格与所使用装置的输入电源即?电电源电??密相?。其相互?系见下
表
关于同志近三年现实表现材料材料类招标技术评分表图表与交易pdf视力表打印pdf用图表说话 pdf
。使用中?IGBT模块集电极电流增大?,所?生的?定?耗亦变大。同?,???耗增大,使原件发?加?,因此,?用IGBT模块??定电流?大于??电流。特?是用作用作用作用作高????高????高????高????,,,,由于???耗增大由于???耗增大由于???耗增大由于???耗增大,,,,发?加?发?加?发?加?发?加?,,,,?用???降温等使用。 3 3 3 3 使用中的注意事?使用中的注意事?使用中的注意事?使用中的注意事? 由于IGBT模块?MOSFET?构,IGBT的?极通?一?氧化膜与发射极实?电隔离。由
于此氧化膜很薄,其?穿电?一般达到?穿电?一般达到?穿电?一般达到?穿电?一般达到20202020????30V30V30V30V。因此因?电而?致?极?穿是因?电而?致?极?穿是因?电而?致?极?穿是因?电而?致?极?穿是IGBTIGBTIGBTIGBT失效失效失效失效的常见原因之一的常见原因之一的常见原因之一的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点: 1.
在使用模块?,?量不要用手触摸?动端子部分,?必?要触摸模块端子?,要先?人体或衣服上的?电用大电阻接地?行放电后,再触摸; 2.
在用?电材料?接模块?动端子?,在配?未接好之前?先不要接上模块; 3.
?量在底板良好接地的情况下操作。 在?用中有??然保?了?极?动电??有超??极最大?定电?,但?极??的寄生电感和?极与集电极间的电容耦合,也会?生使氧化??坏的振?电?。?此,通常采用双通常采用双通常采用双通常采用双????送?动信号????送?动信号????送?动信号????送?动信号,以减少寄生电感。在?极??中串联小电阻也可以抑制振?电?。 此外,在?极—发射极间?路?,若在集电极与发射极间加上电?,?随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流?,?极电位升高,集电极?有电流流?。??,如果集电极与发射极间存在高电?,?有可能使IGBT发?及至?坏。 在使用IGBT的?合,??极回路不正常或?极回路?坏?(?极处于?路??),若在主回路上加上电?,?IGBT就会?坏,?防止此类故障,?在?极与发射极之间串接一?在?极与发射极之间串接一?在?极与发射极之间串接一?在?极与发射极之间串接一只只只只10KΩ10KΩ10KΩ10KΩ左右的电阻左右的电阻左右的电阻左右的电阻。 在安装或更?IGBT模块?,?十分重视IGBT模块与散?片的接触面??和??程度。?了减少接触?阻,最好在散?器与IGBT模块间涂抹??硅脂??硅脂??硅脂??硅脂。一般散?片底部安装有散?风扇,?散?风扇?坏中散?片散?不良???致IGBT模块发?,而发生故障。因此?散?风扇?定期?行?查,一般在散?片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感?器温度感?器温度感?器温度感?器,?温度?高???警或停止IGBT模块工作。 4 4 4 4 保管?的注意事?保管?的注意事?保管?的注意事?保管?的注意事? 1.
一般保存IGBT模块的?所,?保持常温常???,不?偏离太大。常温的?定?5?35℃ ,常?的?定在45?75%左右。在冬天特?干燥的地?,需用加?机加?; 2.
?量?离有腐?性气体或灰??多的?合; 3.
在温度发生急?变化的?所IGBT模块表面可能有?露水的?象,因此IGBT模块?放在温度变化?小的地方; 4.
保管?,?注意不要在IGBT模块上堆放重物; 5.
装IGBT模块的容器,??用不??电的容器。
????????IGBTIGBTIGBTIGBT模块的的?法模块的的?法模块的的?法模块的的?法
以两?元?例以两?元?例以两?元?例以两?元?例
:
用模拟万用表?用模拟万用表?用模拟万用表?用模拟万用表?量量量量
???量???量???量???量
:
把万用表放在乘
100
?
,
?量黑表笔接
1
端子、?表笔接
2
端子
,
?示电阻??无?大
;
表笔??
,
?示电阻?在
400
?左右
.
用同样的方法
,
?量黑表笔接
3
端子、?表笔接
1
端子
,
?示电阻??无?大
;
表笔??
,
?示电阻?在
400
?左右
.
若符合上述情况表明此
IGBT
的两个
?元?有明?的故障
.
动???动???动???动???
:
把万用表的?位放在乘
10K
?
,
用黑表笔接
4
端子
,
?表笔接
5
端子
,
此?黑表笔接
3
端子?表笔接
1
端子
,
此?电阻??
300-400
?
,
把表笔??也有大?
300-400
?的电阻表明此
IGBT
?元是完好的
.
用同样的方法??
1
、
2
端子间的
IGBT,
若符合上述的情况表明?
IGBT
也是完好的
.
?万用表?在
R×10K 𠕇
?,用黑表笔接
IGBT
的漏极(
D
),?表笔接
IGBT
的源极(
S
),此?万用表的指?指在无?处。用手指同?触及一下?极(
G
)和漏极(
D
),??
IGBT
被触发?通,万用表的指??向阻值?小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同?触及一下源极(
S
)和?极(
G
),??
IGBT
被阻?,万用表的指?回到无?处。此?即可判?
IGBT
是好的。
注意:若?第二次?量?,?短接一下源极(
S
)和?极(
G
)。
任何指?式万用表皆可用于??任何指?式万用表皆可用于??任何指?式万用表皆可用于??任何指?式万用表皆可用于??
IGBT
。。。。注意判?注意判?注意判?注意判?
IGBT
好坏?好坏?好坏?好坏?,,,,一定要?万用表?一定要?万用表?一定要?万用表?一定要?万用表?在在在在
R×10K 𠕇
????,,,,因因因因
R×1K 𠕇
?以下各?万用表?部电池电?太低?以下各?万用表?部电池电?太低?以下各?万用表?部电池电?太低?以下各?万用表?部电池电?太低,,,,??好坏?不能使??好坏?不能使??好坏?不能使??好坏?不能使
IGBT
?通?通?通?通,,,,而无法判?而无法判?而无法判?而无法判?
IGBT
的好坏的好坏的好坏的好坏。。。。
判?判?判?判?IGBTIGBTIGBTIGBT的方法的方法的方法的方法
1
、判?极性
首先?万用表?在
R×1K 𠕇
?,用万用表?量?,若某一极与其它两极阻值?无?大,??表笔后?极与其它两极的阻值仍?无?大,?判?此极??极(
G
)。其余两极再用万用表?量,若?得阻值?无?大,??表笔后?量阻值?小。在?量阻值?小的一次中,?判??表笔接的?集电极(
C
);黑表笔接的?发射极(
E
)。
2
、判?好坏
?万用表?在
R×10K 𠕇
?,用黑表笔接
IGBT
的集电极(
C
),?表笔接
IGBT
的发射极(
E
),此?万用表的指?在零位。用手指同?触及一下?极(
G
)和集电极(
C
),??
IGBT
被触发?通,万用表的指??向阻值?小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同?触及一下?极(
G
)和发射极(
E
),??
IGBT
被阻?,万用表的指?回零。此?即可判?
IGBT
是好的。
3
、任何指?式万用表皆可用于??
IGBT
。注意判?
IGBT
好坏?,一定要?万用表?在
R×10K 𠕇
?,因
R×1K 𠕇
?以下各?万用表?部电池电?太低,??好坏?不能使
IGBT
?通,而无法判?
IGBT
的好坏。此方法同样也可以用于??功率?效?晶体管(
P-MOSFET
)的好坏。