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模拟电子技术基础第四版课后习题答案.pdf

模拟电子技术基础第四版课后习题答案

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2011-10-18 0人阅读 举报 0 0 暂无简介

简介:本文档为《模拟电子技术基础第四版课后习题答案pdf》,可适用于高等教育领域

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确用“√”和“×”表示判断结果填入空内。()在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素可将其改型为P型半导体。()()因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。()()PN结在无光照、无外加电压时结电流为零。()()处于放大状态的晶体管集电极电流是多子漂移运动形成的。()()结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压才能保证其RGS大的特点。()()若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零则其输入电阻会明显变小。()解:()√()×()√()×()√()×二、选择正确答案填入空内。()PN结加正向电压时空间电荷区将。A变窄B基本不变C变宽()设二极管的端电压为U则二极管的电流方程是。AISeUBTUUIeSC)e(S-TUUI()稳压管的稳压区是其工作在。A正向导通B反向截止C反向击穿()当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为。A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏()UGS=V时能够工作在恒流区的场效应管有。A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管解:()A()C()C()B()AC第一章题解-。四、已知稳压管的稳压值UZ=V稳定电流的最小值IZmin=mA。求图T所示电路中UO和UO各为多少伏。图T解:UO=VUO=V。第一章题解-五、某晶体管的输出特性曲线如图T所示其集电极最大耗散功率PCM=mW试画出它的过损耗区。图T解图T解:根据PCM=mW可得:UCE=V时IC=mAUCE=V时IC≈mAUCE=V时IC=mAUCE=V时IC=mA将各点连接成曲线即为临界过损耗线如解图T所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。六、电路如图T所示VCC=Vβ=UBE=V。试问:()Rb=kΩ时uO=?()若T临界饱和则Rb≈?解:()Rb=kΩ时基极电流、集电极电流和管压降分别为bBEBBB=−=RUVIμAVmACCCCCEBC=−===RIVUIIβ所以输出电压UO=UCE=V。图T()设临界饱和时UCES=UBE=V所以Ω≈−====−=kAmABBEBBbCBcCESCCCIUVRIIRUVIµβ第一章题解-七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T所示它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区)并填入表内。表T管号UGS(th)VUSVUGVUDV工作状态T-T-T-解:因为三只管子均有开启电压所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态如解表T所示。解表T管号UGS(th)VUSVUGVUDV工作状态T-恒流区T-截止区T-可变电阻区习题选择合适答案填入空内。()在本征半导体中加入元素可形成N型半导体加入元素可形成P型半导体。A五价B四价C三价()当温度升高时二极管的反向饱和电流将。A增大B不变C减小()工作在放大区的某三极管如果当IB从μA增大到μA时IC从mA变为mA那么它的β约为。ABC()当场效应管的漏极直流电流ID从mA变为mA时它的低频跨导gm将。A增大B不变C减小解:()AC()A()C()A第一章题解-能否将V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系当端电压为V时管子会因电流过大而烧坏。电路如图P所示已知ui=sinωt(v)试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。图P解图P解:ui和uo的波形如解图P所示。电路如图P所示已知ui=sinωt(V)二极管导通电压UD=V。试画出ui与uO的波形并标出幅值。图P解图P解:波形如解图P所示。第一章题解-电路如图P(a)所示其输入电压uI和uI的波形如图(b)所示二极管导通电压UD=V。试画出输出电压uO的波形并标出幅值。图P解:uO的波形如解图P所示。解图P第一章题解-AdministratorÍÖÔ²电路如图P所示二极管导通电压UD=V常温下UT≈mV电容C对交流信号可视为短路ui为正弦波有效值为mV。试问二极管中流过的交流电流有效值为多少?解:二极管的直流电流ID=(V-UD)R=mA其动态电阻rD≈UTID=Ω故动态电流有效值Id=UirD≈mA图P现有两只稳压管它们的稳定电压分别为V和V正向导通电压为V。试问:()若将它们串联相接则可得到几种稳压值?各为多少?()若将它们并联相接则又可得到几种稳压值?各为多少?解:()两只稳压管串联时可得V、V、V和V等四种稳压值。()两只稳压管并联时可得V和V等两种稳压值。已知稳压管的稳定电压UZ=V稳定电流的最小值IZmin=mA最大功耗PZM=mW。试求图P所示电路中电阻R的取值范围。解:稳压管的最大稳定电流IZM=PZMUZ=mA电阻R的电流为IZM~IZmin所以其取值范围为Ω=−=kZZI~IUUR图P第一章题解-AdministratorÍÖÔ²已知图P所示电路中稳压管的稳定电压UZ=V最小稳定电流IZmin=mA最大稳定电流IZmax=mA。()分别计算UI为V、V、V三种情况下输出电压UO的值()若UI=V时负载开路则会出现什么现象为什么?解:()当UI=V时若UO=UZ=V则稳压管的电流为mA小于其最小稳定电流所以稳压管未击穿。故VILLO≈⋅=URRRU当UI=V时稳压管中的电流大于最图P小稳定电流IZmin所以UO=UZ=V同理当UI=V时UO=UZ=V。()=−=RUUI)(ZIDZmA>IZM=mA稳压管将因功耗过大而损坏。在图P所示电路中发光二极管导通电压UD=V正向电流在~mA时才能正常工作。试问:()开关S在什么位置时发光二极管才能发光?()R的取值范围是多少?解:()S闭合。()R的范围为。Ω=−=Ω≈−=)()(DminDmaxDmaxDminIUVRIUVR图P第一章题解-电路如图P(a)、(b)所示稳压管的稳定电压UZ=VR的取值合适uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO和uO的波形。图P解:波形如解图P所示解图P在温度℃时某晶体管的ICBO=μA试问温度是℃时ICBO≈?解:℃时ICBO≈=μA。CCBO)=(°TI第一章题解-有两只晶体管一只的β=ICEO=μA另一只的β=ICEO=μA其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?解:选用β=、ICBO=μA的管子因其β适中、ICEO较小因而温度稳定性较另一只管子好。已知两只晶体管的电流放大系数β分别为和现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P所示。分别求另一电极的电流标出其实际方向并在圆圈中画出管子。图P解:答案如解图P所示。解图P第一章题解-测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P所示。在圆圈中画出管子并分别说明它们是硅管还是锗管。图P解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚答案如解表P所示。解表P管号TTTTTT上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe电路如图P所示晶体管导通时UBE=Vβ=。试分析VBB为V、V、V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。解:()当VBB=时T截止uO=V。()当VBB=V时因为bBEQBBBQ=−=RUVIμAVmACCQCCOBQCQ=−===RIVuIIβ所以T处于放大状态。()当VBB=V时因为第一章题解-bBEQBBBQ=−=RUVIμA图PBECCQOBQCQmAURIVuIICC<−===β所以T处于饱和状态。电路如图P所示试问β大于多少时晶体管饱和?解:取UCES=UBE若管子饱和则CbCBECCbBECCRRRUVRUVββ=−=−⋅所以Cb=≥RRβ时管子饱和。图P电路如图P所示晶体管的β=|UBE|=V饱和管压降|UCES|=V稳压管的稳定电压UZ=V正向导通电压UD=V。试问:当uI=V时uO=?当uI=-V时uO=?解:当uI=时晶体管截止稳压管击穿uO=-UZ=-V。当uI=-V时晶体管饱和uO=V。因为mAμABCbBEIB===−=IIRUuIβCCCCCCECVRIV<−=U图P第一章题解-分别判断图P所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图P解:(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能T的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能已知某结型场效应管的IDSS=mAUGS(off)=-V试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线并近似画出予夹断轨迹。解:根据方程GS(th)GSDSSD)(UuIi−=逐点求出确定的uGS下的iD可近似画出转移特性和输出特性在输出特性中将各条曲线上uGD=UGS(off)的点连接起来便为予夹断线如解图P所示。第一章题解-解图P已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为V、V、V管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型)并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图P所示。解图P第一章题解-已知场效应管的输出特性曲线如图P所示画出它在恒流区的转移特性曲线。图P解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P(a)所示〕读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值建立iD=f(uGS)坐标系描点连线即可得到转移特性曲线如解图P(b)所示。解图P第一章题解-电路如图所示T的输出特性如图P所示分析当uI=V、V、V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解:根据图P所示T的输出特性可知其开启电压为V根据图P所示电路可知所以uGS=uI。当uI=V时uGS小于开启电压故T截止。当uI=V时设T工作在恒流区根据输出特性可知iD≈mA管压降uDS≈VDD-iDRd≈V因此uGD=uGS-uDS≈-V小于开启电压图P说明假设成立即T工作在恒流区。当uI=V时由于VDD=V必然使T工作在可变电阻区。分别判断图P所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。图P解:(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能第一章题解-第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。()只有电路既放大电流又放大电压才称其有放大作用()()可以说任何放大电路都有功率放大作用()()放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的()()电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的()()放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作()()由于放大的对象是变化量所以当输入信号为直流信号时任何放大电路的输出都毫无变化()()只要是共射放大电路输出电压的底部失真都是饱和失真。()解:()×()√()×()×()√()×()×二、试分析图T所示各电路是否能够放大正弦交流信号简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。第二章题解-图T解:(a)不能。因为输入信号被VBB短路。(b)可能。(c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间不能驮载在静态电压之上必然失真。(d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。(e)不能。因为输入信号被C短路。(f)不能。因为输出信号被VCC短路恒为零。(g)可能。(h)可能。(i)不能。因为T截止。第二章题解-三、在图T所示电路中已知VCC=V晶体管的β==kΩ。填空:要求先填文字表达式后填得数。'bR()当U=V时测得UiBEQ=V若要基极电流IBQ=μA则和R'bRW之和Rb=≈kΩ而若测得UCEQ=V则Rc=≈kΩ。()若测得输入电压有效值U=mV时输出电压有效值U=V则电压放大倍数i'ouA=≈。若负载电阻RL值与RC相等则带上负载图T后输出电压有效值U=o=V。解:())()(BQCEQCCBQBEQCCIUVIUVβ−−。()'oLCLioURRRUU⋅−+-。四、已知图T所示电路中VCC=VRC=kΩ静态管压降UCEQ=V并在输出端加负载电阻RL其阻值为kΩ。选择一个合适的答案填入空内。()该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈AVBVCV()当=mV时若在不失真的条件下减小RiUW则输出电压的幅值将A减小B不变C增大()在=mV时将RiUw调到输出电压最大且刚好不失真若此时增大输入电压则输出电压波形将A顶部失真B底部失真C为正弦波()若发现电路出现饱和失真则为消除失真可将。ARW减小BRc减小CVCC减小解:()A()C()B()B第二章题解-五、现有直接耦合基本放大电路如下:A共射电路B共集电路C共基电路D共源电路E共漏电路它们的电路分别如图、(a)、(a)、和(a)所示设图中Re<Rb且ICQ、IDQ均相等。选择正确答案填入空内只需填A、B、⋯⋯()输入电阻最小的电路是最大的是()输出电阻最小的电路是()有电压放大作用的电路是()有电流放大作用的电路是()高频特性最好的电路是()输入电压与输出电压同相的电路是反相的电路是。解:()CDE()B()ACD()ABDE()C()BCEAD六、未画完的场效应管放大电路如图T所示试将合适的场效应管接入电路使之能够正常放大。要求给出两种方案。解:根据电路接法可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管如解图T所示。图T解图T第二章题解-习题按要求填写下表。连接方式(e、c、b)性能比较(大、中、小)电路名称公共极输入极输出极uAiARiRo其它共射电路共集电路共基电路解:答案如表所示。连接方式性能比较(大、中、小)电路名称公共端输入端输出端uAiARiRo其它共射电路ebc大大小大共集电路cbe小大大小共基电路bec大小小大频带宽分别改正图P所示各电路中的错误使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。图P第二章题解-解:(a)将-VCC改为+VCC。(b)在+VCC与基极之间加Rb。(c)将VBB反接且在输入端串联一个电阻。(d)在VBB支路加Rb在-VCC与集电极之间加Rc。画出图P所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。图P解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路图略。图P所示各电路的交流通路如解图P所示第二章题解-解图P电路如图P(a)所示图(b)是晶体管的输出特性静态时UBEQ=V。利用图解法分别求出RL=∞和RL=kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom(有效值)。图P解:空载时:IBQ=μAICQ=mAUCEQ=V最大不失真输出电压峰值约为V有效值约为V。带载时:IBQ=μAICQ=mAUCEQ=V最大不失真输出电压峰值约为V有效值约为V。如解图P所示。第二章题解-解图P在图P所示电路中已知晶体管的β=rbe=kΩU=mV静态时UiBEQ=VUCEQ=VIBQ=μA。判断下列结论是否正确凡对的在括号内打“√”否则打“×”。图P()−=×−=−uA()()−≈−=uA()()−=×−=uA()()−=×−=uA()()Ω=Ω=kk)(iR()()Ω=Ω=kk)(iR()()()()Ω≈kiRΩ≈kiR()()()()Ω≈koRΩ≈koR()()≈mV()sU()≈mV()sU第二章题解-解:()×()×()×()√()×()×()×()√()√()×()×()√电路如图P所示已知晶体管β=在下列情况下用直流电压表测晶体管的集电极电位应分别为多少?设VCC=V晶体管饱和管压降UCES=V。()正常情况()Rb短路()Rb开路()Rb开路()RC短路图P解:设UBE=V。则()基极静态电流VmAcCCCCbBEbBECCB≈−=≈−−=RIVURURUVI()由于UBE=VT截止UC=V。()临界饱和基极电流mAcCESCCBS≈−=RUVIβ实际基极电流mAbBECCB≈−=RUVI由于IB>IBS故T饱和UC=UCES=V。()T截止UC=V。()由于集电极直接接直流电源UC=VCC=V第二章题解-电路如图P所示晶体管的β==Ω。分别计算R'bbrL=∞和RL=kΩ时的Q点、、RuAi和Ro。图P解在空载和带负载情况下电路的静态电流、rbe均相等它们分别为Ω≈=≈=≈−−=kmV)(mAAµEQbb'beBQCQBEQbBEQCCBQIrrIIRURUVIββ空载时静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==−≈⋅≈Ω≈≈=−≈−=≈−=kkVcobesbebebebibeccCQCCCEQRRArRrArrRRrRARIVUuusu∥βRL=kΩ时静态管压降、电压放大倍数分别为第二章题解-V)(besbebe'LLcCQLcLCEQ−≈⋅≈−≈−=≈−=uusuArRrArRARRIRRRUβ∥Ω==Ω≈≈=kkcobebebiRRrrRR∥在图P所示电路中由于电路参数不同在信号源电压为正弦波时测得输出波形如图P(a)、(b)、(c)所示试说明电路分别产生了什么失真如何消除。图P解:(a)饱和失真增大Rb减小Rc。(b)截止失真减小Rb。(c)同时出现饱和失真和截止失真应增大VCC。若由PNP型管组成的共射电路中输出电压波形如图P(a)、(b)、(c)所示则分别产生了什么失真?解:(a)截止失真(b)饱和失真(c)同时出现饱和失真和截止失真。第二章题解-已知图P所示电路中晶体管的β=rbe=kΩ。()现已测得静态管压降UCEQ=V估算Rb约为多少千欧()若测得U和的有效值分别为mV和mV则负载电阻RioUL为多少千欧?图P解:()求解RbΩ≈−====−=kμAmABQBEQCCbCQBQcCEQCCCQIUVRIIRUVIβ()求解RL:Ω==Ω=−=−=−=kkLLc'Lbe'LioRRRRrRAUUAuuβ第二章题解-在图P所示电路中设静态时ICQ=mA晶体管饱和管压降UCES=V。试问:当负载电阻RL=∞和RL=kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏?解:由于ICQ=mA所以UCEQ=VCC-ICQRc=V。空载时输入信号增大到一定幅值电路首先出现饱和失真。故VCESCEQom≈−=UUU时当输入信号增大到一定幅值电路首先出现截止失真。故Ω=kLRV'LCQom≈=RIU在图P所示电路中设某一参数变化时其余参数不变在表中填入①增大②减小或③基本不变。参数变化IBQUCEQuARiRoRb增大Rc增大RL增大解:答案如解表P所示。解表P所示参数变化IBQUCEQuARiRoRb增大②①②①③Rc增大③②①③①RL增大③③①③③第二章题解-电路如图P所示晶体管的β==Ω。'bbr()求电路的Q点、、RuAi和Ro()若电容Ce开路则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?图P解:()静态分析:V)(AμmAVefcEQCEQEQBQefBEQBQEQCCbbbBQ=−≈≈=≈−==⋅≈RRRIVUIIRRUUIVRRRUCCβ动态分析:Ω==Ω≈=−≈−=Ω≈=kk)()()(kmV)(cofbebbifbeLcEQbb'beRRRrRRRRrRRAIrruββββ∥∥∥()Ri增大Ri≈kΩuA减小ef'LRRRAu−≈≈-。第二章题解-试求出图P(a)所示电路Q点、、RuAi和Ro的表达式。解:Q点为cBQCCCEQBQCQcBEQCCBQ)()(RIVUIIRRRUVIβββ−==−=uA、Ri和Ro的表达式分别为obeibe,,RRRRrRrRRAu∥∥∥==−=β试求出图P(b)所示电路Q点、、RuAi和Ro的表达式。设静态时R中的电流远大于T的基极电流。解:Q点:BEQcCQCCCEQBQCQBEQCCBQ)()(URIVUIIRRRUVRRRI−==−=ββ++∥uA、Ri和Ro的表达式分别为obeibeRRrRRrRAu===ββ∥第二章题解-试求出图P(c)所示电路Q点、、RuAi和Ro的表达式。设静态时R中的电流远大于T管的基极电流且R中的电流远大于T管的基极电流。解:两只晶体管的静态电流、管压降分析如下:BEQBQCQCEQBEQBQCEQBEQBEQCCBQCQCCCQBQCQCQBEQBEQCCBQ)(UUUUUUUUUVRRRURIVUIIIRURRUVI==−≈−==≈−−≈--βuA、Ri和Ro的表达式分析如下:obeibebebeRRrRRRAAArRArrAuuuuu====⋅−=∥∥βββ设图P所示电路所加输入电压为正弦波。试问:图P()=≈=≈uAoUiUuAoUiU第二章题解-()画出输入电压和输出电压ui、uo、uo的波形解:()因为通常β>>所以电压放大倍数分别应为)()()(eeecebec≈=−=≈−=RrRARRRrRAbeuuββββ-()两个电压放大倍数说明uo≈-uiuo≈ui。波形如解图P所示。解图P第二章题解-电路如图P所示晶体管的β=rbe=kΩ。()求出Q点()分别求出RL=∞和RL=kΩ时电路的和RuAi()求出Ro。图P解:()求解Q点:VmA)(Aμ)(eEQCCCEQBQEQebBEQCCBQ≈−=≈=≈−=RIVUIIRRUVIββ()求解输入电阻和电压放大倍数:RL=∞时)()(k)(ebeeebebi≈=Ω≈=RrRARrRRuβββ∥RL=kΩ时))(())((k))((LebeLeLebebi≈=Ω≈=RRrRRARRrRRu∥∥∥∥βββ()求解输出电阻:Ω≈=bebseoβrRRRR∥∥第二章题解-电路如图P所示晶体管的β==Ω。'bbr()求解Q点、、RuAi和Ro()设=mV(有效值)问=?U=?若CsUiUo开路则U=?U=?io图P解:()Q点:V)(mAAµ)(ecEQCCCEQBQCQebBEQCCBQ=−≈≈=≈−=RRIVUIIRRUVIββ、RuAi和Ro的分析:Ω==−≈−=Ω≈=Ω≈=k)(mV)(cobeLcbebiEQbb'beRRrRRArRRIrru∥∥ββ()设U=mV(有效值)则smVmViosisii≈=≈⋅=UAUURRRUu若C开路则第二章题解-mVmVk)(ioisiieLcebebi≈=≈⋅=−=−≈Ω≈=UAUURRRURRRARrRRusu∥∥β改正图P所示各电路中的错误使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。图P解:(a)源极加电阻RS。(b)漏极加电阻RD。(c)输入端加耦合电容。(d)在Rg支路加-VGG+VDD改为-VDD改正电路如解图P所示。第二章题解-解图P第二章题解-已知图P(a)所示电路中场效应管的转移特性

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